本公開屬于無源器件，具體涉及一種集成無源器件及其制備方法、電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、在當(dāng)代，消費電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展日新月異，以手機(jī)特別是5g手機(jī)為代表的移動通信終端發(fā)展迅速，手機(jī)需要處理的信號頻段越來越多，需要的射頻芯片數(shù)量也水漲船高，而獲得消費者喜愛的手機(jī)形式向小型化、輕薄化、長續(xù)航不斷發(fā)展。在傳統(tǒng)手機(jī)中，射頻pcb板上存在大量的分立器件如電阻、電容、電感、濾波器等，它們具有體積大、功耗高、焊點多、寄生參數(shù)變化大的缺點，難以應(yīng)對未來的需求。射頻芯片相互間的互聯(lián)、匹配等需要面積小、高性能、一致性好的集成無源器件(ipd)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提供一種集成無源器件及其制備方法、電子設(shè)備。

2、第一方面，本公開實施例提供一種集成無源器件，包括介質(zhì)基板，以及設(shè)置在介質(zhì)基板上的至少兩層導(dǎo)電層，以及位于兩相鄰所述導(dǎo)電層之間的層間介質(zhì)層；對于任意的兩相鄰所述導(dǎo)電層中的靠近所述介質(zhì)基板的一者為第一導(dǎo)電層，另一者為第二導(dǎo)電層；其中，所述第一導(dǎo)電層包括第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述第二導(dǎo)電層包括第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過至少貫穿二者之間的層間介質(zhì)層的連接孔電連接。

3、其中，所述連接孔包括相互連通的第一子孔和第二子孔；所述第一子孔貫穿所述層間介質(zhì)層，所述第二子孔貫穿所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的至少部分厚度。

4、其中，所述第一子孔的第一開口與所述第二子孔的第二開口連接，且所述第一開口與所述第二開口在所述介質(zhì)基板上的正投影重合。

5、其中，所述第一子孔的第一開口與所述第二子孔的第二開口連接，且所述第二開口在所述介質(zhì)基板上的正投影覆蓋所述第一開口在所述介質(zhì)基板上的正投影。

6、其中，所述第二子孔在所述介質(zhì)基板上的正投影的形狀包括圓形或者方形。

7、其中，所述連接孔的內(nèi)壁呈階梯狀。

8、其中，所述連接孔包括多個相互連通的子孔，且相鄰設(shè)置的所述子孔在連接位置處限定出一級臺階，且相對靠近所述介質(zhì)基板的所述子孔的最大孔徑小于相對遠(yuǎn)離所述介質(zhì)基板的所述子孔的最小孔徑。

9、其中，所述連接孔僅貫穿所述層間介質(zhì)層。

10、其中，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括第一主體結(jié)構(gòu)，以及連接在所述第一主體結(jié)構(gòu)靠近所述層間介質(zhì)層一側(cè)第一凸起結(jié)構(gòu)；和/或，

11、所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括第二主體結(jié)構(gòu)，以及連接在所述第二主體結(jié)構(gòu)靠近所述層間介質(zhì)層一側(cè)第二凸起結(jié)構(gòu)。

12、其中，當(dāng)所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括所述第一主體結(jié)構(gòu)和所述第一凸起結(jié)構(gòu)，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括第二主體結(jié)構(gòu)和所述第二凸起結(jié)構(gòu)時，所述第一主體結(jié)構(gòu)和所述第二主體結(jié)構(gòu)通過所述連接孔連接。

13、其中，當(dāng)所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括所述第一主體結(jié)構(gòu)和所述第一凸起結(jié)構(gòu)，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括第二主體結(jié)構(gòu)和所述第二凸起結(jié)構(gòu)時，所述第一凸起結(jié)構(gòu)和所述第二凸起結(jié)構(gòu)在所述介質(zhì)基板上的正投影交替設(shè)置。

14、其中，當(dāng)所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括所述第一主體結(jié)構(gòu)和所述第一凸起結(jié)構(gòu)，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括第二主體結(jié)構(gòu)和所述第二凸起結(jié)構(gòu)時，所述第一凸起結(jié)構(gòu)和所述第二凸起結(jié)構(gòu)一一對應(yīng)設(shè)置。

15、其中，所述層間介質(zhì)層包括第三主體結(jié)構(gòu)，連接在所述第三主體結(jié)構(gòu)靠近所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)一側(cè)的第三凸起結(jié)構(gòu)，以及設(shè)置在連接所述第三主體結(jié)構(gòu)靠近所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)一側(cè)的第四凸起結(jié)構(gòu)。

16、其中，所述層間介質(zhì)層的材料包括聚酰亞胺。

17、本公開實施例還提供一種集成無源器件的制備方法，其中，提供一介質(zhì)基板，在所述介質(zhì)基板依次形成至少兩層導(dǎo)電層，以及在兩相鄰所述導(dǎo)電層之間形成層間介質(zhì)層；對于任意的兩相鄰所述導(dǎo)電層中的靠近所述介質(zhì)基板的一者為第一導(dǎo)電層，另一者為第二導(dǎo)電層；其中，

18、形成所述第一導(dǎo)電層包括形成第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，形成所述第二導(dǎo)電層包括形成第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過至少貫穿二者之間的層間介質(zhì)層的連接孔電連接。

19、其中，形成所述連接過孔包括：

20、在形成所述層間介質(zhì)層之前，對所述第一導(dǎo)電圖案進(jìn)行圖案化，形成貫穿所述第一導(dǎo)電圖案的至少部分厚度的第二子孔；

21、在形成所述層間介質(zhì)層之后，形成貫穿所述層間介質(zhì)層的第一子孔，第一子孔和第二子孔相互連通，形成所述連接孔。

22、其中，形成所述層間介質(zhì)層包括沿背離所述介質(zhì)基板方向依次疊層設(shè)置的第一子層間介質(zhì)層；所述第一子層間介質(zhì)層具有子孔，各所述第一子層間層間介質(zhì)層的子孔相互連通，形成所述連接孔；相鄰設(shè)置的所述子孔在連接位置處限定出一級臺階，且相對靠近所述介質(zhì)基板的所述子孔的最大孔徑小于相對遠(yuǎn)離所述介質(zhì)基板的所述子孔的最小孔徑。

23、其中，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括第一主體結(jié)構(gòu)，以及連接在所述第一主體結(jié)構(gòu)靠近所述層間介質(zhì)層一側(cè)第一凸起結(jié)構(gòu)；和/或，

24、所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括第二主體結(jié)構(gòu)，以及連接在所述第二主體結(jié)構(gòu)靠近所述層間介質(zhì)層一側(cè)第二凸起結(jié)構(gòu)。

25、其中，所述導(dǎo)電層采用電鍍工藝形成。

26、第二方面，本公開實施例提供一種電子設(shè)備，其包括上述任一所述的集成無源器件。

技術(shù)特征：

1.一種集成無源器件，包括介質(zhì)基板，以及設(shè)置在介質(zhì)基板上的至少兩層導(dǎo)電層，以及位于兩相鄰所述導(dǎo)電層之間的層間介質(zhì)層；對于任意的兩相鄰所述導(dǎo)電層中的靠近所述介質(zhì)基板的一者為第一導(dǎo)電層，另一者為第二導(dǎo)電層；其中，所述第一導(dǎo)電層包括第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述第二導(dǎo)電層包括第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過至少貫穿二者之間的層間介質(zhì)層的連接孔電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成無源器件，其中，所述連接孔包括相互連通的第一子孔和第二子孔；所述第一子孔貫穿所述層間介質(zhì)層，所述第二子孔貫穿所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的至少部分厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成無源器件，其中，所述第一子孔的第一開口與所述第二子孔的第二開口連接，且所述第一開口與所述第二開口在所述介質(zhì)基板上的正投影重合。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成無源器件，其中，所述第一子孔的第一開口與所述第二子孔的第二開口連接，且所述第二開口在所述介質(zhì)基板上的正投影覆蓋所述第一開口在所述介質(zhì)基板上的正投影。

5.根據(jù)權(quán)利要求2-4中任一項所述的集成無源器件，其中，所述第二子孔在所述介質(zhì)基板上的正投影的形狀包括圓形或者方形。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成無源器件，其中，所述連接孔的內(nèi)壁呈階梯狀。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成無源器件，其中，所述連接孔包括多個相互連通的子孔，且相鄰設(shè)置的所述子孔在連接位置處限定出一級臺階，且相對靠近所述介質(zhì)基板的所述子孔的最大孔徑小于相對遠(yuǎn)離所述介質(zhì)基板的所述子孔的最小孔徑。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的集成無源器件，其中，所述連接孔僅貫穿所述層間介質(zhì)層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成無源器件，其中，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括第一主體結(jié)構(gòu)，以及連接在所述第一主體結(jié)構(gòu)靠近所述層間介質(zhì)層一側(cè)第一凸起結(jié)構(gòu)；和/或，

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成無源器件，其中，當(dāng)所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括所述第一主體結(jié)構(gòu)和所述第一凸起結(jié)構(gòu)，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括第二主體結(jié)構(gòu)和所述第二凸起結(jié)構(gòu)時，所述第一主體結(jié)構(gòu)和所述第二主體結(jié)構(gòu)通過所述連接孔連接。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成無源器件，其中，當(dāng)所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括所述第一主體結(jié)構(gòu)和所述第一凸起結(jié)構(gòu)，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括第二主體結(jié)構(gòu)和所述第二凸起結(jié)構(gòu)時，所述第一凸起結(jié)構(gòu)和所述第二凸起結(jié)構(gòu)在所述介質(zhì)基板上的正投影交替設(shè)置。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成無源器件，其中，當(dāng)所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括所述第一主體結(jié)構(gòu)和所述第一凸起結(jié)構(gòu)，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括第二主體結(jié)構(gòu)和所述第二凸起結(jié)構(gòu)時，所述第一凸起結(jié)構(gòu)和所述第二凸起結(jié)構(gòu)一一對應(yīng)設(shè)置。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成無源器件，其中，所述層間介質(zhì)層包括第三主體結(jié)構(gòu)，連接在所述第三主體結(jié)構(gòu)靠近所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)一側(cè)的第三凸起結(jié)構(gòu)，以及設(shè)置在連接所述第三主體結(jié)構(gòu)靠近所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)一側(cè)的第四凸起結(jié)構(gòu)。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成無源器件，其中，所述層間介質(zhì)層的材料包括聚酰亞胺。

15.一種集成無源器件的制備方法，其中，提供一介質(zhì)基板，在所述介質(zhì)基板依次形成至少兩層導(dǎo)電層，以及在兩相鄰所述導(dǎo)電層之間形成層間介質(zhì)層；對于任意的兩相鄰所述導(dǎo)電層中的靠近所述介質(zhì)基板的一者為第一導(dǎo)電層，另一者為第二導(dǎo)電層；其中，

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的集成無源器件的制備方法，其中，形成所述連接過孔包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的集成無源器件的制備方法，其中，形成所述層間介質(zhì)層包括沿背離所述介質(zhì)基板方向依次疊層設(shè)置的第一子層間介質(zhì)層；所述第一子層間介質(zhì)層具有子孔，各所述第一子層間層間介質(zhì)層的子孔相互連通，形成所述連接孔；相鄰設(shè)置的所述子孔在連接位置處限定出一級臺階，且相對靠近所述介質(zhì)基板的所述子孔的最大孔徑小于相對遠(yuǎn)離所述介質(zhì)基板的所述子孔的最小孔徑。

18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的集成無源器件的制備方法，其中，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括第一主體結(jié)構(gòu)，以及連接在所述第一主體結(jié)構(gòu)靠近所述層間介質(zhì)層一側(cè)第一凸起結(jié)構(gòu)；和/或，

19.根據(jù)權(quán)利要求15-18中任一項所述的集成無源器件的制備方法，其中，所述導(dǎo)電層采用電鍍工藝形成。

20.一種電子設(shè)備，其包括權(quán)利要求1-14中任一項所述的集成無源器件。

技術(shù)總結(jié)
本公開提供一種集成無源器件及其制備方法、電子設(shè)備，屬于無源器件技術(shù)領(lǐng)域。本公開的集成無源器件，包括介質(zhì)基板，以及設(shè)置在介質(zhì)基板上的至少兩層導(dǎo)電層，以及位于兩相鄰所述導(dǎo)電層之間的層間介質(zhì)層；對于任意的兩相鄰所述導(dǎo)電層中的靠近所述介質(zhì)基板的一者為第一導(dǎo)電層，另一者為第二導(dǎo)電層；其中，所述第一導(dǎo)電層包括第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述第二導(dǎo)電層包括第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過至少貫穿二者之間的層間介質(zhì)層的連接孔電連接。

技術(shù)研發(fā)人員：李慧穎,李月,肖月磊,馮昱霖,吳藝凡,趙瑩瑩,張璨,安齊昌,徐爽,李必奇,任奎麗
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京京東方傳感技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/26