本發(fā)明涉及一種研磨液，研磨方法、零件的制造方法及半導(dǎo)體零件的制造方法等。

背景技術(shù)：

1、近年來，在電子器件的制造工序中，用于高密度化，微細(xì)化等的加工技術(shù)的重要性日益增加。作為加工技術(shù)之一的cmp(chemical?mechanical?polishi?ng：化學(xué)機(jī)械研磨)技術(shù)成為在電子器件的制造工序中，在淺溝槽隔離(淺溝槽絕緣：sti)的形成、預(yù)金屬絕緣材料或?qū)娱g絕緣材料的平坦化、插頭或嵌入金屬布線的形成等中必須的技術(shù)。作為用于cmp的研磨液，已知有含有包含鈰氧化物的磨粒的研磨液(例如，參考下述專利文獻(xiàn)1及2)。

2、以往技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：日本特開平10-106994號(hào)公報(bào)

5、專利文獻(xiàn)2：日本特開平08-022970號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的技術(shù)課題

2、然而，在含有包含鈰氧化物的磨粒的研磨液中，在具有由凸部及凹部構(gòu)成的凹凸圖案的圖案晶圓的研磨中，可能難以實(shí)現(xiàn)凸部的硅氧化物的高研磨速度。

3、本發(fā)明的一方面的目的在于提供一種研磨液，其在具有凹凸圖案的圖案晶圓的研磨中能夠?qū)崿F(xiàn)凸部的硅氧化物的高研磨速度。本發(fā)明的另一方面的目的在于提供一種研磨方法，其中，使用了所述研磨液。本發(fā)明的另一方面的目的在于提供一種零件的制造方法，其中，使用了所述研磨方法。本發(fā)明的另一方面的目的在于提供一種半導(dǎo)體零件的制造方法，其中，使用了所述研磨方法。

4、用于解決技術(shù)課題的手段

5、本發(fā)明在某些方面涉及下述[1]～[19]等。

6、[1]一種研磨液，其含有：磨粒，包含鈰氧化物；選自由芳香族羧酸及其鹽組成的組中的至少一種芳香族羧酸化合物；及鹵化物離子。

7、[2]根據(jù)[1]所述的研磨液，其中，

8、所述鹵化物離子包含選自由氟化物離子、氯化物離子、溴化物離子及碘化物離子組成的組中的至少一種。

9、[3]根據(jù)[1]所述的研磨液，其中，

10、所述鹵化物離子包含碘化物離子。

11、[4]根據(jù)[1]至[3]中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，

12、所述鹵化物離子的含量為0.01～5.0mm。

13、[5]根據(jù)[1]至[4]中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，

14、所述芳香族羧酸化合物包含選自由苯甲酸及其鹽組成的組中的至少一種。

15、[6]根據(jù)[1]至[5]中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，

16、所述芳香族羧酸化合物包含選自由扁桃酸及其鹽組成的組中的至少一種。

17、[7]根據(jù)[1]至[6]中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，

18、所述芳香族羧酸化合物的含量為0.01～1質(zhì)量％。

19、[8]根據(jù)[1]至[7]中任一項(xiàng)所述的研磨液，其還含有堿金屬離子。

20、[9]根據(jù)[1]至[8]中任一項(xiàng)所述的研磨液，其還含有含氮陽離子。

21、[10]根據(jù)[9]所述的研磨液，其中，

22、所述含氮陽離子包含選自由銨離子及季銨陽離子組成的組中的至少一種。

23、[11]根據(jù)[1]至[10]中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，

24、所述磨粒的含量為0.1～5質(zhì)量％。

25、[12]根據(jù)[1]至[11]中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，

26、所述磨粒的zeta電位為正。

27、[13]根據(jù)[1]至[12]中任一項(xiàng)所述的研磨液，其還含有陽離子性聚合物。

28、[14]根據(jù)[13]所述的研磨液，其中，

29、所述陽離子性聚合物包含至少包含二甲胺及環(huán)氧氯丙烷的原料的反應(yīng)物。

30、[15]根據(jù)[1]至[14]中任一項(xiàng)所述的研磨液，其ph為2.00～5.00。

31、[16]一種研磨方法，其中，

32、使用[1]至[15]中任一項(xiàng)所述的研磨液對(duì)被研磨部件進(jìn)行研磨。

33、[17]根據(jù)[16]所述的研磨方法，其中，

34、所述被研磨部件包含硅氧化物。

35、[18]一種零件的制造方法，其中，

36、使用通過[16]或[17]所述的研磨方法進(jìn)行研磨的被研磨部件而得到零件。

37、[19]一種半導(dǎo)體零件的制造方法，其中，

38、使用通過[16]或[17]所述的研磨方法進(jìn)行研磨的被研磨部件而得到半導(dǎo)體零件。

39、發(fā)明效果

40、根據(jù)本發(fā)明的一方面，能夠提供一種在具有凹凸圖案的圖案晶圓的研磨中能夠?qū)崿F(xiàn)凸部的硅氧化物的高研磨速度的研磨液。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，能夠提供一種研磨方法，其中，使用了所述研磨液。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，能夠提供一種零件的制造方法，其中，使用了所述研磨方法。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，能夠提供一種半導(dǎo)體零件的制造方法，其中，使用了所述研磨方法。

技術(shù)特征：

1.一種研磨液，其含有：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨液，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨液，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨液，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨液，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨液，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨液，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨液，其還含有堿金屬離子。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨液，其還含有含氮陽離子。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的研磨液，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨液，其中，

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨液，其中，

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨液，其還含有陽離子性聚合物。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的研磨液，其中，

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨液，其ph為2.00～5.00。

16.一種研磨方法，其中，

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的研磨方法，其中，

18.一種零件的制造方法，其中，

19.一種半導(dǎo)體零件的制造方法，其中，

技術(shù)總結(jié)
一種研磨液，其含有：磨粒，包含鈰氧化物；選自由芳香族羧酸及其鹽組成的組中的至少一種芳香族羧酸化合物；及鹵化物離子。一種研磨方法，其中，使用所述研磨液對(duì)被研磨部件進(jìn)行研磨。一種零件的制造方法，其中，使用通過所述研磨方法進(jìn)行研磨的被研磨部件而得到零件。一種半導(dǎo)體零件的制造方法，其中，使用通過所述研磨方法進(jìn)行研磨的被研磨部件而得到半導(dǎo)體零件。

技術(shù)研發(fā)人員：小沼平,平尾昂平,倉田靖
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社力森諾科
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2