技術(shù)特征：

1.單片集成紫外-紅外雙色雪崩光電二極管，其特征在于，所述二極管的材料結(jié)構(gòu)自下至上包括：襯底、緩沖層、下電極接觸層、本征倍增層、電荷層、周期性異質(zhì)結(jié)構(gòu)吸收層、上電極接觸層；所述本征倍增層為光生電子發(fā)生碰撞離化區(qū)域；所述下電極接觸層的上面設(shè)有n型下歐姆接觸電極，所述上電極接觸層的上面設(shè)有p型歐姆接觸電極。

2.單片集成紫外-紅外雙色雪崩光電二極管，其特征在于，所述二極管的材料結(jié)構(gòu)自下至上包括：襯底、緩沖層、下電極接觸層、本征倍增層、電荷層、周期性異質(zhì)結(jié)構(gòu)吸收層、上電極接觸層；所述本征倍增層為光生電子發(fā)生碰撞離化區(qū)域；所述下電極接觸層的上面設(shè)有n型下歐姆接觸電極，所述上電極接觸層的上面設(shè)有p型歐姆接觸電極，所述電荷層的上面靠近臺面邊緣處設(shè)有另一p型歐姆接觸電極，形成三電極控制器件。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單片集成紫外-紅外雙色雪崩光電二極管，其特征在于：所述襯底一側(cè)面制成斜面或者在制作p型歐姆接觸電極之前在上電極接觸層上制作一維光柵或二維光柵。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的單片集成紫外-紅外雙色雪崩光電二極管，其特征在于：所述周期性異質(zhì)結(jié)構(gòu)吸收層為周期數(shù)是1至500的量子阱結(jié)構(gòu)，勢阱厚度為0.001-0.02 μm，n型摻雜濃度在5×10¹⁷ cm^-3至5×10¹⁹ cm^-3之間，量子阱之間的勢壘厚度為0.001-0.02 μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的單片集成紫外-紅外雙色雪崩光電二極管，其特征在于：所述量子阱結(jié)構(gòu)和緩沖層、下電極接觸層、本征倍增層、電荷層、上電極接觸層，同時為以下材料體系中的任意一種或者不同種：鋁鎵氮、銦鎵氮、銦鋁氮、銦鋁鎵氮、碳化硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的單片集成紫外-紅外雙色雪崩光電二極管，其特征在于：所述本征倍增層的厚度為0.05 μm至1.0 μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的單片集成紫外-紅外雙色雪崩光電二極管，其特征在于：所述下電極接觸層的n型摻雜濃度在1×10¹⁷ cm^-3至5×10¹⁹ cm^-3之間，厚度為0.1 μm至10 μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的單片集成紫外-紅外雙色雪崩光電二極管，其特征在于：所述電荷層的p型摻雜濃度在1×10¹⁷ cm^-3至1×10¹⁹ cm^-3之間，厚度為0.01 μm至0.15 μm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的單片集成紫外-紅外雙色雪崩光電二極管，其特征在于：所述上電極接觸層的p型摻雜，摻雜濃度在1×10¹⁷ cm^-3至1×10¹⁹ cm^-3之間，厚度為0.05 μm至0.2 μm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的單片集成紫外-紅外雙色雪崩光電二極管，其特征在于：所述襯底為藍(lán)寶石、氮化鎵、氮化鋁、碳化硅、硅、氧化鋅中的任意一種；所述襯底厚度為10-600μm。