技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種雙臺階T型柵的制作方法，在氮化鎵外延材料上生長Si3N4，隨后通過光刻定義柵線條，以光刻膠為刻蝕掩膜在ICP?RIE設(shè)備中刻蝕暴露出的Si3N4介質(zhì)，隨后，晶圓整體勻涂縮膠，處理后使刻蝕窗口特征尺寸縮小，再在ICP?RIE腔體中繼續(xù)刻蝕氮化硅介質(zhì)至半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)界面處停止，之后去除刻蝕掩膜，勻涂負(fù)膠或反轉(zhuǎn)膠光刻出柵帽線條，蒸發(fā)柵金屬經(jīng)剝離工藝便可形成雙臺階T型柵結(jié)構(gòu)。采用本發(fā)明制作出雙臺階T型柵，既可以獲得較小的柵長，又可以獲得較小柵電阻，提高器件截止頻率，有助于獲得更好的器件性能；同時本方法工藝具備良好的可植入性和可操作性，具備很強(qiáng)的實(shí)用性。

技術(shù)研發(fā)人員：孔欣
受保護(hù)的技術(shù)使用者：成都海威華芯科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.08.23
技術(shù)公布日：2017.11.07