技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種環(huán)形腔面發(fā)射差頻太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器的制備方法，包括如下步驟：步驟1：在一襯底上依序生長(zhǎng)下波導(dǎo)層、下光學(xué)限制層、第一有源層、間隔層、第二有源層、上光學(xué)限制層和上波導(dǎo)層；步驟2：移除上波導(dǎo)層，在上光學(xué)限制層上呈放射狀向下刻蝕多條光柵，形成一個(gè)雙周期的環(huán)形光柵；步驟3：在刻蝕后的上光學(xué)限制層上重新生長(zhǎng)上波導(dǎo)層；步驟4：在上波導(dǎo)層上向下刻蝕一環(huán)形脊結(jié)構(gòu)，刻蝕深度到達(dá)下光學(xué)限制層；步驟5：在刻蝕后的環(huán)形脊結(jié)構(gòu)的溝槽中填滿半絕緣InP：Fe；步驟6：在溝槽中填滿半絕緣InP：Fe的環(huán)形脊結(jié)構(gòu)上蒸發(fā)正面金屬電極，鍍金；步驟7：將襯底減薄，拋光，在襯底的背面蒸發(fā)背面金屬電極；步驟8：刻蝕金屬電極，制備出二級(jí)環(huán)形表面金屬光柵，完成制備。

技術(shù)研發(fā)人員：程鳳敏;張錦川;賈志偉;趙越;周予虹;劉峰奇;王利軍;劉俊岐;劉舒曼;王占國(guó)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.20
技術(shù)公布日：2017.08.18