技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種晶片檢測方法和裝置，該方法包括：通過第一光源和第一光度測量儀，以及第二光源和第二光度測量儀，分別獲取待測晶片的反射率和透射率；分別獲取所述待測晶片的反射率和透射率與預(yù)設(shè)的目標晶片的反射率和透射率的偏差值；判斷所述偏差值是否小于預(yù)設(shè)閾值；當所述偏差值小于所述預(yù)設(shè)閾值時，判斷所述待測晶片與所述目標晶片相同。由此，能實現(xiàn)晶片的快速且準確的檢測，特別適用于真空工藝前的晶片檢測。

技術(shù)研發(fā)人員：王燕鋒;崔永鑫;王天;楊碩
受保護的技術(shù)使用者：昆山國顯光電有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.10
技術(shù)公布日：2017.10.20