本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種有機電致發(fā)光光源及其制作方法。

背景技術(shù)：

有機電致發(fā)光光源(oledlighting)具有發(fā)光均勻，光線柔和，容易實現(xiàn)平板光源等優(yōu)點而被廣泛應用。如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)的有機電致發(fā)光光源包括位于襯底基板(圖中未示出)上的若干陣列排列的發(fā)光單元10，每一發(fā)光單元10包括金屬層11和陽極12。

下面結(jié)合圖2a到圖2h具體說明現(xiàn)有技術(shù)有機電致發(fā)光光源的制作方法。

首先，如圖2a和圖2b所示，在襯底基板20上沉積一層金屬膜層，之后對金屬膜層進行曝光、顯影和刻蝕，形成金屬層11；接著，如圖2c和圖2d所示，在金屬層11上沉積一層鈍化膜層，之后對鈍化膜層進行曝光、顯影和刻蝕，形成鈍化層21；接著，如圖2e和2f所示，在鈍化層21上沉積一層透明導電層，之后對透明導電層進行曝光、顯影和刻蝕，形成陽極12；其中，圖2e為圖2f在ab方向上的截面圖；接著，如圖2g所示，在陽極12上沉積一層用于限制發(fā)光區(qū)域大小的膜層，并對該膜層進行曝光、顯影和刻蝕，形成發(fā)光限定層22；接著，如圖2h所示，在發(fā)光限定層22上采用連續(xù)蒸鍍的方式依次形成發(fā)光層23和陰極24；最后進行封裝工藝，完成有機電致發(fā)光光源的制作。

但目前現(xiàn)有技術(shù)制作得到的有機電致發(fā)光光源無法實現(xiàn)智能控制，用戶使用體驗較低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例提供了一種有機電致發(fā)光光源及其制作方法，用以實現(xiàn)有機電致發(fā)光光源的智能控制。

本發(fā)明實施例提供的一種有機電致發(fā)光光源，包括襯底基板、位于所述襯底基板上的若干陣列排列的發(fā)光單元，其中，還包括位于所述襯底基板上的至少一感光單元，以及與所述發(fā)光單元和所述感光單元連接的檢測控制芯片；

每一所述感光單元在所述襯底基板上的正投影區(qū)域與所述發(fā)光單元在所述襯底基板上的正投影區(qū)域不重疊；

每一所述感光單元包括第一電極、第二電極，以及位于所述第一電極和所述第二電極之間的感光層；

所述第一電極用于將接收的電壓提供給感光層；所述感光層用于接收光的輻射強度，并在所述電壓的作用下將所述光的輻射強度轉(zhuǎn)換為電流強度；所述第二電極用于將所述電流強度輸出給所述檢測控制芯片；

所述檢測控制芯片用于根據(jù)所述電流強度的大小控制所述發(fā)光單元的發(fā)光。

由本發(fā)明實施例提供的有機電致發(fā)光光源，與現(xiàn)有技術(shù)的有機電致發(fā)光光源相比，本發(fā)明實施例提供的有機電致發(fā)光光源增加了感光單元的設置，由于感光單元能夠?qū)⒔邮盏降墓獾妮椛鋸姸绒D(zhuǎn)換為電流強度，并將電流強度輸出給檢測控制芯片；而檢測控制芯片能夠根據(jù)電流強度的大小控制發(fā)光單元的發(fā)光。因此，本發(fā)明實施例中的有機電致發(fā)光光源能夠識別用戶的手勢動作，當用戶的手勢動作發(fā)生變化時，感光單元接收到的光的輻射強度就會發(fā)生變化，進而使得輸出給檢測控制芯片的電流強度發(fā)生變化，而檢測控制芯片能夠根據(jù)電流強度的大小控制發(fā)光單元的發(fā)光，這樣實現(xiàn)了有機電致發(fā)光光源的智能控制，提高了用戶的使用體驗。

較佳地，所述第一電極的材料為金屬材料。

較佳地，所述第一電極與所述發(fā)光單元包括的金屬層同層設置。

較佳地，所述第二電極的材料為透明導電材料。

較佳地，所述第二電極與所述發(fā)光單元包括的陽極同層設置。

較佳地，所述感光層為本征非晶硅層；或為從下到上依次設置的n型摻雜非晶硅層、本征非晶硅層和p型摻雜非晶硅層；或為從下到上依次設置的p型摻雜非晶硅層、本征非晶硅層和n型摻雜非晶硅層。

較佳地，所述感光單元在所述襯底基板上的正投影區(qū)域的面積與所述發(fā)光單元在所述襯底基板上的正投影區(qū)域的面積相同。

本發(fā)明實施例還提供了一種上述有機電致發(fā)光光源的制作方法，包括：

通過構(gòu)圖工藝在襯底基板上制作若干陣列排列的發(fā)光單元和至少一感光單元；其中：每一所述感光單元在所述襯底基板上的正投影區(qū)域與所述發(fā)光單元在所述襯底基板上的正投影區(qū)域不重疊，每一所述感光單元包括第一電極、第二電極和位于所述第一電極和所述第二電極之間的感光層；

對完成上述步驟的襯底基板進行封裝。

較佳地，所述通過構(gòu)圖工藝在襯底基板上制作若干陣列排列的發(fā)光單元和至少一感光單元，包括：

在襯底基板上沉積一層金屬膜層，通過構(gòu)圖工藝形成金屬層和第一電極；

通過構(gòu)圖工藝在所述金屬層和所述第一電極上形成鈍化層；

在所述鈍化層上沉積一層感光半導體層，通過構(gòu)圖工藝形成感光層；

通過構(gòu)圖工藝在所述感光層上形成陽極和第二電極；

通過構(gòu)圖工藝在所述陽極和所述第二電極上形成發(fā)光限定層；

通過構(gòu)圖工藝在所述發(fā)光限定層上依次形成發(fā)光層和陰極。

較佳地，通過構(gòu)圖工藝形成的所述第二電極包括第二電極塊和第二電極連接線，所述第二電極塊與所述感光層接觸，所述第二電極塊通過所述第二電極連接線與檢測控制芯片電連接。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)有機電致發(fā)光光源的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2a到圖2h為現(xiàn)有技術(shù)有機電致發(fā)光光源的制作過程的不同階段的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的一種有機電致發(fā)光光源的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的一種有機電致發(fā)光光源的制作方法流程圖；

圖5a到圖5g為本發(fā)明實施例提供的有機電致發(fā)光光源過程的制作過程的不同階段的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

本發(fā)明實施例提供了一種有機電致發(fā)光光源及其制作方法，用以實現(xiàn)有機電致發(fā)光光源的智能控制。

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步地詳細描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

下面結(jié)合附圖詳細介紹本發(fā)明具體實施例提供的有機電致發(fā)光光源。

如圖3所示，本發(fā)明具體實施例提供了一種有機電致發(fā)光光源，包括襯底基板(圖中未示出)、位于襯底基板上的若干陣列排列的發(fā)光單元10、位于襯底基板上的至少一感光單元30，以及與發(fā)光單元10和感光單元30連接的檢測控制芯片31(圖中僅示出了感光單元30與檢測控制芯片31的連接關(guān)系)；

每一感光單元30在襯底基板上的正投影區(qū)域與發(fā)光單元10在襯底基板上的正投影區(qū)域不重疊，即本發(fā)明具體實施例設置有感光單元的區(qū)域不再設置發(fā)光單元，設置有感光單元的區(qū)域僅用于檢測光而不用于發(fā)光；

每一感光單元30包括第一電極301、第二電極302，以及位于第一電極301和第二電極302之間的感光層(圖中未示出)；

第一電極301用于將接收的電壓提供給感光層；感光層用于接收光的輻射強度，并在電壓的作用下將接收到的光的輻射強度轉(zhuǎn)換為電流強度；第二電極302用于將電流強度輸出給檢測控制芯片；

檢測控制芯片31用于根據(jù)電流強度的大小控制發(fā)光單元10的發(fā)光。

本發(fā)明具體實施例提供的有機電致發(fā)光光源與現(xiàn)有技術(shù)的有機電致發(fā)光光源相比，增加了感光單元的設置，由于本發(fā)明具體實施例中的感光單元能夠?qū)⒔邮盏降墓獾妮椛鋸姸绒D(zhuǎn)換為電流強度，并將電流強度輸出給檢測控制芯片；而檢測控制芯片能夠根據(jù)電流強度的大小控制發(fā)光單元的發(fā)光。因此，本發(fā)明具體實施例中的有機電致發(fā)光光源能夠識別用戶的手勢動作，當用戶的手勢動作發(fā)生變化時，感光單元接收到的光的輻射強度就會發(fā)生變化，進而使得輸出給檢測控制芯片的電流強度發(fā)生變化，而檢測控制芯片能夠根據(jù)電流強度的大小控制發(fā)光單元的發(fā)光，這樣實現(xiàn)了有機電致發(fā)光光源的智能控制，提高了用戶的使用體驗。

實際應用中，由于本發(fā)明具體實施例設置有感光單元的區(qū)域不再設置發(fā)光單元，因此為了保證有機電致發(fā)光光源的發(fā)光，感光單元不宜設置的太多；而如果感光單元設置的數(shù)目較少，則不利于檢測光的輻射強度的變化，在實際生產(chǎn)過程中，感光單元具體設置數(shù)目根據(jù)實際需要以及用戶的需求進行設定，圖3中僅示出了設置9個感光單元的情況。

具體實施時，本發(fā)明具體實施例中的檢測控制芯片可以集成到有機電致發(fā)光光源的控制電路中，也可以單獨設置，本發(fā)明具體實施例對此不做限定。

具體地，本發(fā)明具體實施例中的第一電極301的材料為金屬材料，如：第一電極301的材料為鋁(al)、銀(ag)、鉬(mo)等單層金屬或由al、ag、mo等單層金屬組成的多層金屬；金屬材料的電阻較小，更利于電壓信號的傳導。當然，在實際生產(chǎn)過程中，本發(fā)明具體實施例中的第一電極301的材料還可以為透明導電材料，如：第一電極301的材料為氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)，或為ito和izo的復合膜層，本發(fā)明具體實施例并不對第一電極的材料做限定。

具體地，本發(fā)明具體實施例中的第一電極301與發(fā)光單元10包括的金屬層11同層設置；這樣，能夠簡化制作有機電致發(fā)光光源的工藝流程，節(jié)約生產(chǎn)成本。

具體地，本發(fā)明具體實施例中的第二電極302的材料為透明導電材料，第二電極302與發(fā)光單元10包括的陽極12同層設置。由于發(fā)光單元10包括的陽極12的材料一般選擇的是透明導電材料，因此，當本發(fā)明具體實施例中的第二電極302的材料也選擇透明導電材料時，在具體制作過程中第二電極302就可以與陽極12同時制作，這樣，能夠簡化制作有機電致發(fā)光光源的工藝流程，節(jié)約生產(chǎn)成本。當然，在實際生產(chǎn)過程中，第二電極302也可以選擇金屬材料，本發(fā)明具體實施例并不對第二電極302的材料做限定。

具體地，本發(fā)明具體實施例中的感光層為本征非晶硅層(i-a-si:h)；或為從下到上依次設置的n型摻雜非晶硅層(n-a-si:h)、本征非晶硅層(i-a-si:h)和p型摻雜非晶硅層(p-a-si:h)；或為從下到上依次設置的p型摻雜非晶硅層(p-a-si:h)、本征非晶硅層(i-a-si:h)和n型摻雜非晶硅層(n-a-si:h)。本發(fā)明具體實施例中的從下到上中的“下”指靠近襯底基板的一側(cè)，“上”指遠離襯底基板的一側(cè)，本發(fā)明具體實施例中的感光層若采用n-a-si:h、i-a-si:h、p-a-si:h的結(jié)構(gòu)或采用p-a-si:h、i-a-si:h、n-a-si:h的結(jié)構(gòu)，能夠更敏感的感知光的輻射強度。

本發(fā)明具體實施例中的感光層還可以選擇其它的感光半導體層，如：多晶硅層、單晶硅層、砷化鎵(gaas)等，在實際生產(chǎn)過程中，考慮生產(chǎn)成本以及檢測的靈敏度，本發(fā)明具體實施例中的感光層優(yōu)選n-a-si:h、i-a-si:h、p-a-si:h的膜層結(jié)構(gòu)或p-a-si:h、i-a-si:h、n-a-si:h的膜層結(jié)構(gòu)。

具體地，本發(fā)明具體實施例中的感光單元在襯底基板上的正投影區(qū)域的面積與發(fā)光單元在襯底基板上的正投影區(qū)域的面積相同，這樣，在實際生產(chǎn)過程中，能夠最大化的利用襯底基板的空間。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明具體實施例還提供了一種上述有機電致發(fā)光光源的制作方法，如圖4所示，該方法包括：

s401、通過構(gòu)圖工藝在襯底基板上制作若干陣列排列的發(fā)光單元和至少一感光單元；其中：每一所述感光單元在所述襯底基板上的正投影區(qū)域與所述發(fā)光單元在所述襯底基板上的正投影區(qū)域不重疊，每一所述感光單元包括第一電極、第二電極和位于所述第一電極和所述第二電極之間的感光層；

s402、對完成上述步驟的襯底基板進行封裝。

本發(fā)明具體實施例中封裝的具體工藝與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述。

具體地，本發(fā)明具體實施例中通過構(gòu)圖工藝在襯底基板上制作若干陣列排列的發(fā)光單元和至少一感光單元，包括：

在襯底基板上沉積一層金屬膜層，通過構(gòu)圖工藝形成金屬層和第一電極；

通過構(gòu)圖工藝在金屬層和第一電極上形成鈍化層；

在鈍化層上沉積一層感光半導體層，通過構(gòu)圖工藝形成感光層；

通過構(gòu)圖工藝在感光層上形成陽極和第二電極；

通過構(gòu)圖工藝在陽極和第二電極上形成發(fā)光限定層；

通過構(gòu)圖工藝在發(fā)光限定層上依次形成發(fā)光層和陰極。

本發(fā)明具體實施例中的構(gòu)圖工藝包括光刻膠的涂覆、曝光、顯影、刻蝕、去除光刻膠的部分或全部過程。通過以上制作方法可知，本發(fā)明具體實施例與現(xiàn)有技術(shù)相比，僅增加了制作感光層的步驟，能夠在成本增加最少的情況下實現(xiàn)感光單元的集成。

現(xiàn)有技術(shù)有部分有機電致發(fā)光光源設置有感光器件，不過現(xiàn)有技術(shù)是直接在有機電致發(fā)光光源上設置感光器件，這種設置方式成本較高，且有機電致發(fā)光光源的集成度也較低；本發(fā)明具體實施例通過以上方法制作形成的有機電致發(fā)光光源集成度較高，生產(chǎn)成本相對較低。

具體地，如圖3所示，本發(fā)明具體實施例中通過構(gòu)圖工藝形成的第二電極302包括第二電極塊3021和第二電極連接線3022，第二電極塊3021與感光層接觸，第二電極塊3021通過第二電極連接線3022與檢測控制芯片31電連接。這樣，第二電極302包括第二電極塊3021和第二電極連接線3022，能夠更好的實現(xiàn)第二電極302與檢測控制芯片31的電連接。

下面結(jié)合附圖5a到5g詳細介紹本發(fā)明具體實施例中有機電致發(fā)光光源的制作方法。

附圖中各膜層厚度和區(qū)域大小、形狀不反應各膜層的真實比例，目的只是示意說明本發(fā)明內(nèi)容。

本發(fā)明具體實施例中的感光層以從下到上為n-a-si:h、i-a-si:h、p-a-si:h的膜層結(jié)構(gòu)為例進行介紹。

如圖5a和圖5b所示，首先，在襯底基板20上沉積一層金屬膜層，通過構(gòu)圖工藝形成金屬層(圖中未示出)和第一電極301，本發(fā)明具體實施例沉積的金屬膜層的材料為al、ag、mo等單層金屬膜層或由al、ag、mo等單層金屬膜層組成的多層金屬膜層，本發(fā)明具體實施例中形成金屬層的具體方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述，本發(fā)明具體實施例中第一電極301與金屬層采用同一次構(gòu)圖工藝制作，能夠節(jié)省生產(chǎn)時間，降低生產(chǎn)成本。具體實施時，本發(fā)明具體實施例中的第一電極301需要密集挖孔，形成孔50以便讓光進入，如圖5b所示。

如圖5c和圖5d所示，接著，在完成上述步驟的襯底基板上通過構(gòu)圖工藝形成鈍化層21，形成的鈍化層21需要暴露出部分第一電極301以便與后續(xù)形成的感光層接觸實現(xiàn)電連接，本發(fā)明具體實施例中鈍化層21的材料以及具體制作方法與現(xiàn)有技術(shù)類似，這里不再贅述。

如圖5e和圖5f所示，接著，在完成上述步驟的襯底基板上依次沉積n-a-si:h膜層3031、i-a-si:h膜層3032和p-a-si:h膜層3033，通過構(gòu)圖工藝去除不需要形成感光層區(qū)域的n-a-si:h膜層、i-a-si:h膜層和p-a-si:h膜層，形成感光層303，其中，圖5e為圖5f在ab方向上的截面圖。

如圖5g所示，接著，在完成上述步驟的襯底基板上通過構(gòu)圖工藝形成陽極(圖中未示出)和第二電極302，本發(fā)明具體實施例中形成陽極的具體方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述，本發(fā)明具體實施例中第二電極302與陽極采用同一次構(gòu)圖工藝制作，能夠節(jié)省生產(chǎn)時間，降低生產(chǎn)成本。

如圖5g所示，接著，在完成上述步驟的襯底基板上通過構(gòu)圖工藝形成發(fā)光限定層22，發(fā)光限定層22的材料以及具體制作方法與現(xiàn)有技術(shù)類似，這里不再贅述。另外，由于本發(fā)明具體實施例中設置有感光單元的區(qū)域不需要發(fā)光，因此此時的發(fā)光限定層22不需要形成開口。

最后，在發(fā)光限定層22上依次形成發(fā)光層和陰極，并對形成發(fā)光層和陰極的襯底基板進行封裝工藝，完成有機電致發(fā)光光源的制作。本發(fā)明具體實施例中制作發(fā)光層和陰極的具體方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述；另外，本發(fā)明具體實施例中采用的封裝工藝也與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述。

本發(fā)明具體實施例在現(xiàn)有技術(shù)有機電致發(fā)光光源的工藝流程基礎上增加一道工藝流程，其余工藝流程同現(xiàn)有技術(shù)的工藝流程全部兼容，可實現(xiàn)成本最低化。其中，增加的工藝流程為：n-a-si:h膜層、i-a-si:h膜層和p-a-si:h膜層的連續(xù)沉積以及曝光、顯影和刻蝕工藝，n-a-si:h膜層、i-a-si:h膜層和p-a-si:h膜層為感光單元中的活性層。

本發(fā)明具體實施例中感光單元包括的第一電極與發(fā)光單元包括的金屬層同層制作形成，感光單元包括的第二電極與發(fā)光單元包括的陽極同層制作形成。對于感光單元，第一電極維持恒定的正電壓，為發(fā)射極，n-a-si:h膜層、i-a-si:h膜層和p-a-si:h膜層為活性層，收到光的輻射后，可產(chǎn)生光生載流子，第二電極為電流檢出極，將不同感光單元分別引出與檢測控制芯片連接，實現(xiàn)有機電致發(fā)光光源的檢測。

綜上所述，本發(fā)明具體實施例提供一種有機電致發(fā)光光源，包括襯底基板、位于襯底基板上的若干陣列排列的發(fā)光單元、至少一感光單元，以及與發(fā)光單元和感光單元連接的檢測控制芯片；每一感光單元在襯底基板上的正投影區(qū)域與發(fā)光單元在襯底基板上的正投影區(qū)域不重疊；每一感光單元包括第一電極、第二電極，以及位于第一電極和第二電極之間的感光層；第一電極用于將接收的電壓提供給感光層；感光層用于接收光的輻射強度，并在電壓的作用下將接收到的光的輻射強度轉(zhuǎn)換為電流強度；第二電極用于將電流強度輸出給檢測控制芯片；檢測控制芯片用于根據(jù)電流強度的大小控制發(fā)光單元的發(fā)光。與現(xiàn)有技術(shù)的有機電致發(fā)光光源相比，本發(fā)明具體實施例提供的有機電致發(fā)光光源增加了感光單元的設置，由于本發(fā)明具體實施例中的感光單元能夠?qū)⒔邮盏降墓獾妮椛鋸姸绒D(zhuǎn)換為電流強度，并將電流強度輸出給檢測控制芯片；而檢測控制芯片能夠根據(jù)電流強度的大小控制發(fā)光單元的發(fā)光。因此，本發(fā)明具體實施例中的有機電致發(fā)光光源能夠識別用戶的手勢動作，當用戶的手勢動作發(fā)生變化時，感光單元接收到的光的輻射強度就會發(fā)生變化，進而使得輸出給檢測控制芯片的電流強度發(fā)生變化，而檢測控制芯片能夠根據(jù)電流強度的大小控制發(fā)光單元的發(fā)光，這樣實現(xiàn)了有機電致發(fā)光光源的智能控制，提高了用戶的使用體驗。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。