本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及制備方法、顯示面板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(activematrixorganiclight-emittingdiode，am-oled)具有自發(fā)光、亮度高、視角寬、對(duì)比度高、功耗低等一系列的優(yōu)點(diǎn)，而受到人們廣泛的關(guān)注。

如圖1所示，現(xiàn)有的am-oled陣列基板一般采用3t1c的驅(qū)動(dòng)方式，即每個(gè)子像素有3個(gè)薄膜晶體管(thinfilmtransistor，tft)和1個(gè)存儲(chǔ)電容cst進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。開關(guān)管t1將data信號(hào)儲(chǔ)存在存儲(chǔ)電容cst中，補(bǔ)償管t2給驅(qū)動(dòng)管t3提供補(bǔ)償電流，驅(qū)動(dòng)管t3給oled提供電流，驅(qū)動(dòng)am-oled發(fā)出相應(yīng)的光。通常情況下，存儲(chǔ)電容cst足夠大，才能保證開關(guān)管t1關(guān)閉時(shí)，驅(qū)動(dòng)管t3管保持導(dǎo)通狀態(tài)，維持am-oled的電流，驅(qū)動(dòng)am-oled發(fā)出相應(yīng)的光。

現(xiàn)有技術(shù)中，如圖2所示，存儲(chǔ)電容cst由第一電極1和第二電極2組成，其中第二電極2設(shè)置在鈍化層3上，為了增大存儲(chǔ)電容cst的電容值，以滿足驅(qū)動(dòng)電路的需求，一般存儲(chǔ)電容cst的第一電極1和第二電極2的面積會(huì)做的比較大。但是，存儲(chǔ)電容cst的第二電極2的面積做的比較大會(huì)嚴(yán)重降低顯示器件的開口率，影響到顯示面板的顯示質(zhì)量。

因此，如何在保證存儲(chǔ)電容電容值基礎(chǔ)上提高陣列基板的開口率是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及制備方法、顯示面板和顯示裝置，用于實(shí)現(xiàn)在增大存儲(chǔ)電容的電容值的基礎(chǔ)上增大陣列基板的開口率，從而提高顯示質(zhì)量的問題。

因此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括：襯底基板、位于所述襯底基板上的像素電路，所述像素電路至少包括驅(qū)動(dòng)晶體管、開關(guān)晶體管和第一電容；其中，所述第一電容的第一電極分別連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極和所述開關(guān)晶體管的源極；

所述陣列基板還包括覆蓋所述第一電容的所述第一電極的鈍化層，且所述鈍化層在與所述第一電容的所述第一電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域設(shè)置有凹槽；

所述第一電容的第二電極位于所述凹槽中，且所述第一電容的所述第二電極通過貫穿所述鈍化層的過孔與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極相連。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述像素電路中還包括第二電容；其中所述第一電容的第一電極復(fù)用為所述第二電容的第一電極，所述第二電容的第二電極位于所述第二電容的所述第一電極的下方。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述驅(qū)動(dòng)晶體管和所述開關(guān)晶體管中具有相同功能的膜層同層設(shè)置。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，在所述驅(qū)動(dòng)晶體管中，柵電極位于有源層的下方，源極和漏極位于有源層的上方。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述第二電容的第二電極與所述柵電極同層設(shè)置。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，還包括位于源極和漏極與所述有源層之間的刻蝕阻擋層，所述源極通過貫穿所述的刻蝕阻擋層的過孔與所述有源層電連接。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述第二電容的第二電極與所述柵電極同層設(shè)置，或所述第二電容的第二電極與所述有源層同層設(shè)置。

相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板。

相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述顯示面板。

相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板的制備方法，包括：

在所述襯底基板上形成所述驅(qū)動(dòng)晶體管和所述開關(guān)晶體管，且形成所述第一電容的第一電極的圖形，其中所述第一電容的第一電極分別連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極和所述開關(guān)晶體管的源極；

形成覆蓋所述第一電容的所述第一電極的鈍化層的圖形，且所述鈍化層在與所述第一電容的所述第一電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域設(shè)置有凹槽和貫穿所述鈍化層的過孔；

在所述凹槽中形成所述第一電容的第二電極的圖形，且所述第一電容的所述第二電極通過所述過孔與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極相連。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的制備方法中，采用半色調(diào)掩膜板或灰色調(diào)掩膜板形成所述鈍化層的圖形。

本發(fā)明實(shí)施例提供的上述一種陣列基板及制備方法、顯示面板和顯示裝置，包括：襯底基板、位于襯底基板上的像素電路，像素電路至少包括驅(qū)動(dòng)晶體管、開關(guān)晶體管和第一電容；其中，第一電容的第一電極分別連接驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極和開關(guān)晶體管的源極；陣列基板還包括覆蓋第一電容的第一電極的鈍化層，且鈍化層在與第一電容的第一電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域設(shè)置有凹槽；第一電容的第二電極位于凹槽中，且第一電容的第二電極通過貫穿鈍化層的過孔與驅(qū)動(dòng)晶體管的源極相連，通過將鈍化層在與第一電容的第一電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域設(shè)置的凹槽中設(shè)置第一電容的第二電極，與現(xiàn)有技術(shù)將第二電極設(shè)置在鈍化層上相比，減小了第一電極與第二電極之間的距離，增加了電容的存儲(chǔ)量，從而實(shí)現(xiàn)在保證電容存儲(chǔ)量的同時(shí)可設(shè)置較小的電極面積，增大陣列基板的開口率，從而增加顯示質(zhì)量。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的驅(qū)動(dòng)電路圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的驅(qū)動(dòng)電路對(duì)應(yīng)的陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制備方法的流程圖；

圖5a至圖5h為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板在執(zhí)行各步驟后的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

附圖中各部件的形狀和大小不反映真實(shí)比例，目的只是示意說明本發(fā)明內(nèi)容。

下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板及制備方法、顯示面板和顯示裝置的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)地說明。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板，如圖3所示，包括：襯底基板4、位于襯底基板4上的像素電路，像素電路至少包括驅(qū)動(dòng)晶體管7、開關(guān)晶體管8和第一電容cst1；其中，第一電容cst1的第一電極1分別連接驅(qū)動(dòng)晶體管7的柵電極9和開關(guān)晶體管8的源極12；

陣列基板還包括覆蓋第一電容cst1的第一電極1的鈍化層3，且鈍化層3在與第一電容cst1的第一電極1對(duì)應(yīng)的區(qū)域設(shè)置有凹槽13；

第一電容cst1的第二電極2位于凹槽13中，且第一電容cst1的第二電極2通過貫穿鈍化層的過孔14與驅(qū)動(dòng)晶體管7的源極12相連。

本發(fā)明實(shí)施例提供的上述一種陣列基板，包括：襯底基板、位于襯底基板上的像素電路，像素電路至少包括驅(qū)動(dòng)晶體管、開關(guān)晶體管和第一電容；其中，第一電容的第一電極分別連接驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極和開關(guān)晶體管的源極；陣列基板還包括覆蓋第一電容的第一電極的鈍化層，且鈍化層在與第一電容的第一電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域設(shè)置有凹槽；第一電容的第二電極位于凹槽中，且第一電容的第二電極通過貫穿鈍化層的過孔與驅(qū)動(dòng)晶體管的源極相連，通過將鈍化層在與第一電容的第一電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域設(shè)置的凹槽中設(shè)置第一電容的第二電極，與現(xiàn)有技術(shù)將第二電極設(shè)置在鈍化層上相比，減小了第一電極與第二電極之間的距離，增加了電容的存儲(chǔ)量，從而實(shí)現(xiàn)在保證電容存儲(chǔ)量的同時(shí)可設(shè)置較小的電極面積，增大陣列基板的開口率，從而增加顯示質(zhì)量。

在具體實(shí)施中，這開關(guān)晶體管的源極和漏極根據(jù)晶體管類型以及輸入信號(hào)的不同，其功能可以互換，在此不做具體區(qū)分。

在具體實(shí)施時(shí)，為了進(jìn)一步增加電容的存儲(chǔ)量，在本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，如圖3所示，像素電路中還包括第二電容cst2；其中第一電容cst1的第一電極1復(fù)用為第二電容cst2的第一電極1，第二電容的第二電極15位于第二電容cst2的第一電極1的下方。

通過在陣列基板上設(shè)置并聯(lián)的兩個(gè)電容，增加電容的存儲(chǔ)量，其中，第一電容的第一電極與第二電容的第一電極進(jìn)行復(fù)用，減少了電極層數(shù)的設(shè)置，節(jié)約了工藝步驟，同時(shí)進(jìn)一步的增加了電容的存儲(chǔ)量。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板中，如圖3所示，驅(qū)動(dòng)晶體管7和開關(guān)晶體管8中具有相同功能的膜層同層設(shè)置。

將具有相同功能的膜層同層設(shè)置，可以通過一次構(gòu)圖工藝在同一層上形成具有相同功能的膜層，這樣減少了構(gòu)圖工藝的步驟，節(jié)約了成本。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板中，如圖3所示，在驅(qū)動(dòng)晶體管7中，柵電極9位于有源層10的下方，源極12和漏極11位于有源層10的上方。該種層結(jié)構(gòu)的設(shè)置有利于像素電路的布線，更好的使第一電容的第一電極的一端與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極連接，第一電容的第二電極與驅(qū)動(dòng)晶體管的源極連接。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板中，第二電容的第二電極可以與柵電極同層設(shè)置(在附圖中未示出)。第二電容的第二電極與柵電極同層設(shè)置，柵極絕緣層可使第二電容的第一電極與第二電容的第二電極相互絕緣，從而使與第二電容的第一電極與第二電容的第二電極形成第二電容結(jié)構(gòu)。

在具體實(shí)施時(shí)，為了避免在對(duì)源極或漏極進(jìn)行刻蝕時(shí)傷害有源層，在本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板中，如圖3所示，還包括位于源極12和漏極11與有源層10之間的刻蝕阻擋層6，源極12通過貫穿的刻蝕阻擋層6的過孔與有源層10電連接。

較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板中，第二電容的第二電極與柵電極同層設(shè)置，或第二電容的第二電極與有源層同層設(shè)置。當(dāng)?shù)诙娙莸牡诙姌O與有源層同層設(shè)置時(shí)，可以進(jìn)一步的減小第二電容的第一電極與第二電容的第二電極之間的距離，可進(jìn)一步的增加第二電容的存儲(chǔ)量。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板中，在鈍化層上方還設(shè)置有彩膜圖形，在彩膜圖形上方設(shè)置有保護(hù)層。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板，該顯示面板包括上述實(shí)施例中的陣列基板，由于該顯示面板解決問題的原理與前述一種陣列基板相似，因此該該顯示面板的實(shí)施可以參見前述陣列基板的實(shí)施，重復(fù)之處不再贅述。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括上述實(shí)施例的顯示面板。由于該顯示裝置解決問題的原理與前述一種顯示面板相似，因此該顯示裝置的實(shí)施可以參見前述顯示面板的實(shí)施，重復(fù)之處不再贅述。

其中，該顯示裝置可以為有機(jī)電致發(fā)光顯示器和任何適用于該結(jié)構(gòu)的顯示器。該顯示裝置可以為：手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件，在此不作限定。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板的制備方法，如圖4所示，具體包括：

s401、在襯底基板上形成驅(qū)動(dòng)晶體管和開關(guān)晶體管，且形成第一電容的第一電極的圖形，其中第一電容的第一電極分別連接驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極和開關(guān)晶體管的源極；

s402、形成覆蓋第一電容的第一電極的鈍化層的圖形，且鈍化層在與第一電容的第一電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域設(shè)置有凹槽和貫穿鈍化層的過孔；

s403、在凹槽中形成第一電容的第二電極的圖形，且第一電容的第二電極通過過孔與驅(qū)動(dòng)晶體管的源極相連。

較佳地，在具體實(shí)施，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制備方法，采用半色調(diào)掩膜板或灰色調(diào)掩膜板形成鈍化層的圖形。

下面結(jié)合實(shí)施例一和附圖5a至5h對(duì)陣列基板的制備方法進(jìn)行詳細(xì)的闡述。

實(shí)施例一

以包括3個(gè)晶體管和1個(gè)電容的陣列基板為例說明，陣列基板的制備方法具體包括：

1、在襯底基板4上通過構(gòu)圖工藝依次形成柵電極9、柵極絕緣層5、有源層10、刻蝕阻擋層6、漏極11或源極12、鈍化層3，如圖5a所示；

2、在鈍化層3的上方涂布光刻膠16，如圖5b所示；

3、采用半色調(diào)掩膜板或灰色調(diào)掩膜板對(duì)光刻膠16進(jìn)行照射，在光刻膠16上形成i區(qū)域?qū)?yīng)的過孔區(qū)域和ii區(qū)域?qū)?yīng)凹槽區(qū)域，其中，半色調(diào)掩膜板或灰色調(diào)掩膜板包括透光區(qū)域i、半透光區(qū)域ii和遮光區(qū)域iii，如圖5c所示；

4、采用刻蝕工藝在鈍化層與驅(qū)動(dòng)晶體管的源極12對(duì)應(yīng)的位置形成貫穿鈍化層的過孔14，如圖5d所示；

5、采用一定光強(qiáng)的紫外線照射鈍化層3與第一電容的第一電極1對(duì)應(yīng)的區(qū)域，去除該區(qū)域的光刻膠，如圖5e所示；

6、采用刻蝕工藝，在鈍化層3與第一電容的第一電極1對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成凹槽13，如圖5f所示；

7、去除剩余的所有的光刻膠，如圖5g所示；

8、通過構(gòu)圖工藝在鈍化層與第一電容cst1的第一電極1對(duì)應(yīng)的區(qū)域的凹槽13中形成第一電容cst1的第二電極2，通過貫穿鈍化層3的過孔14與驅(qū)動(dòng)晶體管的源極12連接，如圖5h所示。

本發(fā)明實(shí)施例提供的上述一種陣列基板及制備方法、顯示面板和顯示裝置，包括：襯底基板、位于襯底基板上的像素電路，像素電路至少包括驅(qū)動(dòng)晶體管、開關(guān)晶體管和第一電容；其中，第一電容的第一電極分別連接驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極和開關(guān)晶體管的源極；陣列基板還包括覆蓋第一電容的第一電極的鈍化層，且鈍化層在與第一電容的第一電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域設(shè)置有凹槽；第一電容的第二電極位于凹槽中，且第一電容的第二電極通過貫穿鈍化層的過孔與驅(qū)動(dòng)晶體管的源極相連，通過將鈍化層在與第一電容的第一電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域設(shè)置的凹槽中設(shè)置第一電容的第二電極，與現(xiàn)有技術(shù)將第二電極設(shè)置在鈍化層上相比，減小了第一電極與第二電極之間的距離，增加了電容的存儲(chǔ)量，從而實(shí)現(xiàn)在保證電容存儲(chǔ)量的同時(shí)可設(shè)置較小的電極面積，增大陣列基板的開口率，從而增加顯示質(zhì)量。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。