本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光器領(lǐng)域，特別是涉及一種垂直腔面發(fā)射激光器及其制作方法。

背景技術(shù)：

垂直腔面發(fā)射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，簡(jiǎn)稱VCSEL)是一種激光發(fā)射方向垂直于芯片表面的新型半導(dǎo)體激光器。相比于邊發(fā)射激光器(Edge emitting Laser，簡(jiǎn)稱EEL)，VCSEL具有許多優(yōu)點(diǎn)，包括閾值低、穩(wěn)定性好、壽命長(zhǎng)、發(fā)散角小、光斑圓、光纖耦合效率高、調(diào)制速率高、易于二維集成等。因此，VCSEL已作為主要的光源器件，廣泛應(yīng)用于各種高效高速光通信網(wǎng)絡(luò)中。

伴隨社會(huì)的發(fā)展，多種數(shù)據(jù)通信業(yè)務(wù)大量涌現(xiàn)，這些新業(yè)務(wù)對(duì)光通信網(wǎng)絡(luò)速率和帶寬有更高的需求。為了應(yīng)對(duì)帶寬的爆炸式增長(zhǎng)，復(fù)用技術(shù)的使用是光數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)的重要方案，其中波分復(fù)用(Wavelength Division Multiplexing，簡(jiǎn)稱WDM)技術(shù)對(duì)光網(wǎng)絡(luò)的帶寬提升起到了主要的推動(dòng)作用。在市場(chǎng)需求和技術(shù)進(jìn)步的驅(qū)動(dòng)下，光纖通訊網(wǎng)經(jīng)歷了2.5G、10G等不同發(fā)展階段，而今，100G技術(shù)已經(jīng)成為主導(dǎo)，400G也開始逐步鋪開。網(wǎng)絡(luò)帶寬的快速提升離不開光通信技術(shù)的持續(xù)進(jìn)步。然而，作為光通信的載體，光纖在發(fā)展上卻遭遇到了瓶頸。多模光纖中的每一個(gè)正交模式都可以看作是一個(gè)獨(dú)立通道，但由于模式過多會(huì)帶來嚴(yán)重的色散效應(yīng)，限制了多模光纖的通信性能，并難以實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)距離傳輸。對(duì)于單模光纖，雖然其色散小，可以實(shí)現(xiàn)超長(zhǎng)距離傳輸，但其對(duì)于時(shí)間、頻率、偏振等各個(gè)物理維度的復(fù)用正在接近香農(nóng)極限。為了解決日益增長(zhǎng)的流量需求和趨于平緩的容量提升之間的矛盾，采用新的緯度進(jìn)行復(fù)用顯得尤其必要。光波模式就是并未被很好地開發(fā)利用的一個(gè)緯度。因此，少模光纖中的模式復(fù)用技術(shù)被認(rèn)為是進(jìn)一步提升傳輸容量的重要方案。模式復(fù)用技術(shù)利用少模光纖中有限的穩(wěn)定模式作為獨(dú)立信道傳遞信息，可以成倍的提高系統(tǒng)容量和頻譜效率，是構(gòu)建未來光網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵技術(shù)之一。

現(xiàn)今的復(fù)用技術(shù)中，每個(gè)信息通道所用的光源都是單獨(dú)的，多個(gè)光源的信號(hào)需要通過復(fù)用器匯合成一束光進(jìn)入到單根光纖中進(jìn)行傳輸。所以通道越多，所需的光源越多，同時(shí)對(duì)復(fù)用器的要求也越高。

因此，如何能在進(jìn)行多通道復(fù)用的情況下，減少光源數(shù)量，能夠簡(jiǎn)化系統(tǒng)結(jié)構(gòu)以及降低對(duì)復(fù)用器的要求，就成為當(dāng)前需要解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種垂直腔面發(fā)射激光器，用于少模光纖模式復(fù)用光通訊，可以實(shí)現(xiàn)單個(gè)電極獨(dú)立控制單個(gè)模式輸出，多個(gè)電極混合控制少數(shù)模式輸出。本發(fā)明的另一目的是提供一種垂直腔面發(fā)射激光器的制作方法，可以實(shí)現(xiàn)新的模式控制方式，省去復(fù)用器的使用。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種垂直腔面發(fā)射激光器，包括：層疊設(shè)置的有源層、功能輔助層和P型分布式布拉格反射鏡層，所述功能輔助層和P型分布式布拉格反射鏡層構(gòu)成臺(tái)面結(jié)構(gòu)；

所述P型分布式布拉格反射鏡層設(shè)置有溝道；所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)被所述溝道分割成多個(gè)次臺(tái)面結(jié)構(gòu)；

各所述次臺(tái)面結(jié)構(gòu)的上端設(shè)置有與所述次臺(tái)面結(jié)構(gòu)一一對(duì)應(yīng)的P面電極。

優(yōu)選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述垂直腔面發(fā)射激光器中，所述P面電極包覆部分所述P型分布式布拉格反射鏡層和部分所述有源層。

優(yōu)選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述垂直腔面發(fā)射激光器中，各所述次臺(tái)面結(jié)構(gòu)的大小和形狀相同。

優(yōu)選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述垂直腔面發(fā)射激光器中，各所述次臺(tái)面結(jié)構(gòu)的上端刻蝕有表面浮雕。

優(yōu)選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述垂直腔面發(fā)射激光器中，所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)為圓柱形臺(tái)面結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述垂直腔面發(fā)射激光器中，還包括：

在所述次臺(tái)面結(jié)構(gòu)和所述P面電極之間設(shè)置有介質(zhì)薄膜電流限制層。

優(yōu)選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述垂直腔面發(fā)射激光器中，所述介質(zhì)薄膜電流限制層的中端開有電流限制窗口。

優(yōu)選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述垂直腔面發(fā)射激光器中，所述介質(zhì)薄膜電流限制層的材料為氮化鋁、氮化硅、碳化硅或二氧化硅其中之一或組合。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種本發(fā)明實(shí)施例提供的上述垂直腔面發(fā)射激光器的制作方法，包括：

在有源層上依次形成功能輔助層和P型分布式布拉格反射鏡層的圖形；所述功能輔助層和P型分布式布拉格反射鏡層構(gòu)成臺(tái)面結(jié)構(gòu)；

在所述P型分布式布拉格反射鏡層圖形上刻蝕形成溝道的圖形；所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)被所述溝道分割成多個(gè)次臺(tái)面結(jié)構(gòu)；

在各所述次臺(tái)面結(jié)構(gòu)的上端形成與所述次臺(tái)面結(jié)構(gòu)一一對(duì)應(yīng)的P面電極的圖形。

優(yōu)選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述垂直腔面發(fā)射激光器的制作方法中，在所述P型分布式布拉格反射鏡層圖形上刻蝕形成溝道的圖形之后，在各所述次臺(tái)面結(jié)構(gòu)的上端形成與所述次臺(tái)面結(jié)構(gòu)一一對(duì)應(yīng)的P面電極的圖形之前，還包括：

在各所述次臺(tái)面結(jié)構(gòu)上形成介質(zhì)薄膜電流限制層的圖形；所述介質(zhì)薄膜電流限制層圖形的中端形成有電流限制窗口。

本發(fā)明所提供的一種垂直腔面發(fā)射激光器，包括：層疊設(shè)置的有源層、功能輔助層和P型分布式布拉格反射鏡(DBR)層，功能輔助層和P型DBR層構(gòu)成臺(tái)面結(jié)構(gòu)；P型DBR層設(shè)置有溝道；臺(tái)面結(jié)構(gòu)被溝道分割成多個(gè)次臺(tái)面結(jié)構(gòu)；各次臺(tái)面結(jié)構(gòu)的上端設(shè)置有與次臺(tái)面結(jié)構(gòu)一一對(duì)應(yīng)的P面電極，這樣利用溝道將臺(tái)面結(jié)構(gòu)分割成多個(gè)次平面結(jié)構(gòu)以形成多個(gè)波導(dǎo)，各次平面結(jié)構(gòu)上設(shè)置有P面電極，可以使載流子分布和波導(dǎo)聯(lián)系起來，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)單個(gè)電極獨(dú)立控制單個(gè)模式輸出，多個(gè)電極混合控制少數(shù)模式輸出。

本發(fā)明還公開了一種垂直腔面發(fā)射激光器的制作方法，可以直接在臺(tái)面結(jié)構(gòu)上刻蝕形成溝道，在不增加材料生長(zhǎng)工藝，不增加特殊的微納結(jié)構(gòu)，不影響器件基本性能的前提下，實(shí)現(xiàn)了新的模式控制方式，另外，由于所有模式都在一個(gè)臺(tái)面上輸出，所以可以直接與光纖耦合，省去復(fù)用器的使用，該方法簡(jiǎn)易可行，不明顯增加工藝復(fù)雜度，為模式復(fù)用光通訊提供一種新的光源。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的垂直腔面發(fā)射激光器的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的垂直腔面發(fā)射激光器的結(jié)構(gòu)俯視圖之一；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的垂直腔面發(fā)射激光器的結(jié)構(gòu)俯視圖之二；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的垂直腔面發(fā)射激光器的結(jié)構(gòu)俯視圖之三；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的垂直腔面發(fā)射激光器的結(jié)構(gòu)俯視圖之四；

圖6為圖1示出的各次臺(tái)面結(jié)構(gòu)的上端刻蝕有表面浮雕的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為圖2示出的各次臺(tái)面結(jié)構(gòu)的上端刻蝕有表面浮雕的結(jié)構(gòu)俯視圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的垂直腔面發(fā)射激光器的制作方法流程圖之一；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的垂直腔面發(fā)射激光器的制作方法流程圖之二。

其中：1、N面電極，2、襯底層，3、N型DBR層，4、有源層，5、空間層，6、氧化層，7、P型DBR層，8、介質(zhì)薄膜電流限制層，9、P面電極，10、溝道，11、表面浮雕。

具體實(shí)施方式

為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明中的技術(shù)方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

其中，附圖中各膜層的厚度和形狀不反映垂直腔面發(fā)射激光器的真實(shí)比例，目的只是示意說明本發(fā)明內(nèi)容。

本發(fā)明提供一種垂直腔面發(fā)射激光器，包括：層疊設(shè)置的有源層、功能輔助層和P型分布式布拉格反射鏡(Distributed Bragg Reflector，簡(jiǎn)稱DBR)層，功能輔助層和P型DBR層構(gòu)成臺(tái)面結(jié)構(gòu)；

P型DBR層設(shè)置有溝道；臺(tái)面結(jié)構(gòu)被溝道分割成多個(gè)次臺(tái)面結(jié)構(gòu)；

各次臺(tái)面結(jié)構(gòu)的上端設(shè)置有與次臺(tái)面結(jié)構(gòu)一一對(duì)應(yīng)的P面電極。

需要說明的是，上述垂直腔面發(fā)射激光器一般在有源層下方還設(shè)置有其它膜層，例如從下而上依次設(shè)置的N面電極、襯底層、N型DBR層；另外，上述功能輔助層為具有相應(yīng)功能、起到輔助作用的膜層總稱，可以包括空間層和氧化層，當(dāng)然也可以包括其它層，在此不做限定。

以圖1為例，本發(fā)明提供的垂直腔面發(fā)射激光器可以包括：層疊設(shè)置的N面電極1、襯底層2、N型DBR層3、有源層4、空間層5、氧化層6、P型DBR層7和P面電極9，空間層5、氧化層6和P型DBR層7構(gòu)成臺(tái)面結(jié)構(gòu)；其中，P型DBR層7設(shè)置有溝道10；臺(tái)面結(jié)構(gòu)被溝道10分割成多個(gè)次臺(tái)面結(jié)構(gòu)；各次臺(tái)面結(jié)構(gòu)的上端設(shè)置有與次臺(tái)面結(jié)構(gòu)一一對(duì)應(yīng)的P面電極9。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述垂直腔面發(fā)射激光器中，P型DBR層設(shè)置有溝道，即對(duì)臺(tái)面結(jié)構(gòu)進(jìn)行分割，這樣利用溝道可以將臺(tái)面結(jié)構(gòu)分割成多個(gè)次平面結(jié)構(gòu)以形成多個(gè)波導(dǎo)，由于各次平面結(jié)構(gòu)上設(shè)置有相互獨(dú)立的P面電極，可以使載流子分布和波導(dǎo)聯(lián)系起來，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)單個(gè)電極獨(dú)立控制單個(gè)模式輸出，多個(gè)電極混合控制少數(shù)模式輸出，因而本發(fā)明實(shí)施例提供的垂直腔面發(fā)射激光器可以用于少模光纖模式復(fù)用，實(shí)現(xiàn)單個(gè)激光器出射不同模式的光，另外，由于所有模式都在一個(gè)臺(tái)面上輸出，所以可以直接與光纖耦合，省去復(fù)用器的使用。

需要說明的是，襯底層的材料可以為砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)或氮化鎵(GaN)；P型DBR層和N型DBR層均可以為砷化鎵/砷化鋁(GaAs/AlAs)結(jié)構(gòu)；有源層可以為銦鎵砷/磷砷化鎵(InGaAs/GaAsP)、砷化鎵/鋁砷化鎵(GaAs/AlGaAs)、銦鎵砷/砷化鎵(InGaAs/GaAs)或銦鎵砷/鋁砷化鎵(InGaAs/AlGaAs)周期性多量子阱結(jié)構(gòu)；P面電極可以為鈦金合金(Ti/Au)或鈦鉑金合金(Ti/Pt/Au)結(jié)構(gòu)，N面電極可以為金鍺鎳合金(Au/Ge/Ni)、金鍺鎳金合金(AuGeNi/Au)、金鍺合金(Au/Ge)或鉑金鍺合金(Pt/Au/Ge)結(jié)構(gòu)。

以上材料或結(jié)構(gòu)均可以根據(jù)實(shí)際情況而定，在此不做限定。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述垂直腔面發(fā)射激光器中，為了便于注入電流，如圖1所示，P面電極9可以包覆部分P型DBR層7和部分有源層4。也可以理解為P面電極9位于次臺(tái)面結(jié)構(gòu)上端的邊緣處。當(dāng)P面電極向一個(gè)次臺(tái)面結(jié)構(gòu)注入電流時(shí)，電流會(huì)通過次臺(tái)面結(jié)構(gòu)傳到有源區(qū)，造成載流子集中分布在該次臺(tái)面結(jié)構(gòu)下方的位置，激發(fā)出光場(chǎng)集中分布在該位置的模式，并通過次臺(tái)面結(jié)構(gòu)出射。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述垂直腔面發(fā)射激光器中，臺(tái)面結(jié)構(gòu)可以被溝道平均分割成多個(gè)次臺(tái)面結(jié)構(gòu)，即此時(shí)各次臺(tái)面結(jié)構(gòu)的大小和形狀均為相同的；如圖2所示，臺(tái)面結(jié)構(gòu)被溝道10平均分割成2個(gè)次臺(tái)面結(jié)構(gòu)；如圖3所示，臺(tái)面結(jié)構(gòu)被溝道10平均分割成3個(gè)次臺(tái)面結(jié)構(gòu)；如圖4所示，臺(tái)面結(jié)構(gòu)被溝道10平均分割成4個(gè)次臺(tái)面結(jié)構(gòu)。

需要說明的是，臺(tái)面結(jié)構(gòu)也可以被溝道不平均分割成多個(gè)次臺(tái)面結(jié)構(gòu)，如圖5所示，臺(tái)面結(jié)構(gòu)被溝道10分割成不均等的2個(gè)次臺(tái)面結(jié)構(gòu)。對(duì)于臺(tái)面結(jié)構(gòu)是被平均分割，還是被不平均分割，可以根據(jù)具體實(shí)際情況而定，在此不做限定。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述垂直腔面發(fā)射激光器中，為了被分割后形成的次臺(tái)面結(jié)構(gòu)能夠更加穩(wěn)定地控制輸出特定的模式，可以在各次臺(tái)面結(jié)構(gòu)的上端刻蝕有表面浮雕。如圖6和圖7所示，各次臺(tái)面結(jié)構(gòu)的上端均刻蝕有表面浮雕11。

需要說明的是，圖3至圖5示出的結(jié)構(gòu)也都可以在各次臺(tái)面結(jié)構(gòu)上刻蝕特定的表面浮雕。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述垂直腔面發(fā)射激光器中，如圖2至圖7所示，臺(tái)面結(jié)構(gòu)可以設(shè)置為圓柱形臺(tái)面結(jié)構(gòu)。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述垂直腔面發(fā)射激光器中，為了實(shí)現(xiàn)注入電流的作用以及絕緣鈍化的作用，如圖1所示，該垂直腔面發(fā)射激光器還可以包括：在次臺(tái)面結(jié)構(gòu)和P面電極9之間設(shè)置有介質(zhì)薄膜電流限制層8。

進(jìn)一步地，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述垂直腔面發(fā)射激光器中，為了直接實(shí)現(xiàn)對(duì)注入器件有源區(qū)的載流子分布形式進(jìn)行調(diào)制，介質(zhì)薄膜電流限制層8的中端可以開有電流限制窗口，通過電流限制窗口暴露出P型DBR層7，這樣可以提高器件的工藝精度和可靠性。

另外，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述垂直腔面發(fā)射激光器中，介質(zhì)薄膜電流限制層的材料可以為氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si₃N₄)、碳化硅(SiC)或二氧化硅(SiO₂)其中之一或組合。對(duì)于介質(zhì)薄膜電流限制層的材料可以根據(jù)實(shí)際具體情況而定，在此不做限定。

具體地，以圖2為例，空間層5、氧化層6和P型DBR層7構(gòu)成的圓柱形臺(tái)面結(jié)構(gòu)并被溝道10所分割成兩個(gè)次臺(tái)面結(jié)構(gòu)，形成兩個(gè)波導(dǎo)，各次臺(tái)面結(jié)構(gòu)上方的P面電極9可以分別注入電流，當(dāng)向其中一個(gè)次臺(tái)面結(jié)構(gòu)注入電流，電流會(huì)通過次臺(tái)面結(jié)構(gòu)傳到有源區(qū)，造成載流子集中分布在該次臺(tái)面結(jié)構(gòu)下方的位置，激發(fā)出光場(chǎng)集中分布在該位置的模式，并通過次臺(tái)面結(jié)構(gòu)出射。通過向不同的次臺(tái)面注入電流并改變電流大小，可以控制激光器出射的模式，進(jìn)而達(dá)到模式控制輸出的效果。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種本發(fā)明實(shí)施例提供的上述垂直腔面發(fā)射激光器的制作方法，由于該方法解決問題的原理與前述一種垂直腔面發(fā)射激光器相似，因此該方法的實(shí)施可以參見垂直腔面發(fā)射激光器的實(shí)施，重復(fù)之處不再贅述。

在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的垂直腔面發(fā)射激光器的制作方法，如圖8所示，具體包括以下步驟：

S801、在有源層上依次形成功能輔助層和P型DBR層的圖形；功能輔助層和P型DBR層構(gòu)成臺(tái)面結(jié)構(gòu)；

S802、在P型DBR層圖形上刻蝕形成溝道的圖形；臺(tái)面結(jié)構(gòu)被溝道分割成多個(gè)次臺(tái)面結(jié)構(gòu)；

S803、在各次臺(tái)面結(jié)構(gòu)的上端形成與次臺(tái)面結(jié)構(gòu)一一對(duì)應(yīng)的P面電極的圖形。

需要說明的是，在執(zhí)行步驟S801之前，還可以包括：在襯底層的一面依次形成N型DBR層的圖形；在執(zhí)行步驟S803之后，在襯底層的另一面可以形成N面電極的圖形。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述垂直腔面發(fā)射激光器的制作方法中，可以直接在臺(tái)面結(jié)構(gòu)上刻蝕形成溝道，在不增加材料生長(zhǎng)工藝，不增加特殊的微納結(jié)構(gòu)，不影響器件基本性能的前提下，實(shí)現(xiàn)了新的模式控制方式，另外，由于所有模式都在一個(gè)臺(tái)面上輸出，所以可以直接與光纖耦合，省去復(fù)用器的使用，該方法簡(jiǎn)易可行，不明顯增加工藝復(fù)雜度，為模式復(fù)用光通訊提供一種新的光源。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述垂直腔面發(fā)射激光器的制作方法中，執(zhí)行步驟S802在P型DBR層圖形上刻蝕形成溝道的圖形之后，執(zhí)行步驟S803在各次臺(tái)面結(jié)構(gòu)的上端形成與次臺(tái)面結(jié)構(gòu)一一對(duì)應(yīng)的P面電極的圖形之前，如圖9所示，還可以包括：

S901、在各次臺(tái)面結(jié)構(gòu)上形成介質(zhì)薄膜電流限制層的圖形；介質(zhì)薄膜電流限制層圖形的中端形成有電流限制窗口。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種垂直腔面發(fā)射激光器，包括：層疊設(shè)置的有源層、功能輔助層和P型分布式布拉格反射鏡(DBR)層，功能輔助層和P型DBR層構(gòu)成臺(tái)面結(jié)構(gòu)；P型DBR層設(shè)置有溝道；臺(tái)面結(jié)構(gòu)被溝道分割成多個(gè)次臺(tái)面結(jié)構(gòu)；各次臺(tái)面結(jié)構(gòu)的上端設(shè)置有與次臺(tái)面結(jié)構(gòu)一一對(duì)應(yīng)的P面電極，這樣利用溝道將臺(tái)面結(jié)構(gòu)分割成多個(gè)次平面結(jié)構(gòu)以形成多個(gè)波導(dǎo)，各次平面結(jié)構(gòu)上設(shè)置有P面電極，可以使載流子分布和波導(dǎo)聯(lián)系起來，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)單個(gè)電極獨(dú)立控制單個(gè)模式輸出，多個(gè)電極混合控制少數(shù)模式輸出。

本發(fā)明還公開了一種垂直腔面發(fā)射激光器的制作方法，可以直接在臺(tái)面結(jié)構(gòu)上刻蝕形成溝道，在不增加材料生長(zhǎng)工藝，不增加特殊的微納結(jié)構(gòu)，不影響器件基本性能的前提下，實(shí)現(xiàn)了新的模式控制方式，另外，由于所有模式都在一個(gè)臺(tái)面上輸出，所以可以直接與光纖耦合，省去復(fù)用器的使用，該方法簡(jiǎn)易可行，不明顯增加工藝復(fù)雜度，為模式復(fù)用光通訊提供一種新的光源。

為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。

以上對(duì)本發(fā)明所提供的垂直腔面發(fā)射激光器及其制作方法進(jìn)行了詳細(xì)介紹。本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想。應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行若干改進(jìn)和修飾，這些改進(jìn)和修飾也落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。