本發(fā)明涉及電容制作技術(shù),尤其涉及一種貼片式電容。
背景技術(shù):
目前,市場上的貼片式電容包括電容本體和基座,從電容本體的正負(fù)極引出兩個引線,而這兩個引線固定設(shè)置在電容本體下方的基座上,基座用于支撐電容本體,由于采用了基座,結(jié)構(gòu)復(fù)雜,制作工藝多,生產(chǎn)成本高。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種貼片式電容,以克服現(xiàn)有貼片式電容包括電容本體和基座,從電容本體的正負(fù)極引出兩個引線,而這兩個引線固定設(shè)置在電容本體下方的基座上,基座用于支撐電容本體,由于采用了基座,結(jié)構(gòu)復(fù)雜,制作工藝多,生產(chǎn)成本高的技術(shù)問題。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采取的技術(shù)方案是一種貼片式電容,包括電容本體,所述電容本體的正負(fù)極引出第一引線和第二引線,所述第一引線分為豎直部分和折彎部分,所第一引線的豎直部分是沿著電容本體的長度方向線性伸展的第一引線的前段部分,所述第一引線的折彎部分是第一引線的后段部分折彎而成且不同的折彎段處于同一平面,所述第二引線分為豎直部分和折彎部分,所述第二引線的豎直部分是沿著電容本體的長度方向線性伸展的第二引線的前段部分,所述第二引線的折彎部分是第二引線的后段部分折彎而成且不同的折彎段處于同一平面,所以第一引線的豎直部分和第二引線的豎直部分平行且長度相等,所述第一引線的折彎部分和第二引線的折彎部分不接觸且兩者所處的平面與電容本體的橫截面平行。
進(jìn)一步地,所述第一引線的折彎部分由第一引線的后段部分m次折彎而成,m大于等于二,所述第二引線的折彎部分由第二引線的后段部分n次折彎而成,n大于等于二。由于折彎部分在使用時焊錫在pcb板上,多次折彎可以增加折彎部分的面積,從而焊接的更牢固,牢固地支撐電容本體。
進(jìn)一步地,所述第一引線的折彎部分由第一引線的后段部分二次折彎而成,所述第二引線的折彎部分由第二引線的后段部分二次折彎而成,所述第一引線的折彎部分和第二引線的折彎部分呈u形折彎狀。選擇兩次折彎成本低,而且滿足了技術(shù)要求。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果是第一引線和第二引線的折彎部分取代了基座,結(jié)構(gòu)復(fù)簡單,制作工藝少,生產(chǎn)成本低。
附圖說明
圖1所示為本發(fā)明的正視圖。
圖2所示為本發(fā)明的俯視圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒景l(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
參考圖1和圖2,一種貼片式電容,包括電容本體1,所述電容本體1的正負(fù)極引出第一引線2和第二引線3,所述第一引線2分為豎直部分21和折彎部分22,所第一引線2的豎直部分21是沿著電容本體的長度方向線性伸展的第一引線2的前段部分,所述第一引線2的折彎部分22是第一引線2的后段部分折彎而成且不同的折彎段處于同一平面,所述第二引線3分為豎直部分和折彎部分,所述第二引線3的豎直部分31是沿著電容本體的長度方向線性伸展的第二引線3的前段部分,所述第二引線3的折彎部分32是第二引線3的后段部分折彎而成且不同的折彎段處于同一平面,所以第一引線2的豎直部分21和第二引線3的豎直部分31平行且長度相等,所述第一引線2的折彎部分22和第二引線3的折彎部分32不接觸且兩者所處的平面與電容本體1的橫截面平行。
所述第一引線2的折彎部分22由第一引線2的后段部分m次折彎而成,m大于等于二,具體是先將第一引線2的后段部分垂直于豎直部分折彎,再在平行于電容本體1的截面積的一個平面內(nèi)折彎m-1次,每次折彎180度。所述第二引線3的折彎部分32由第二引線3的后段部分n次折彎而成,n大于等于二。具體是先將第二引線3的后段部分垂直于豎直部分折彎,再在平行于電容本體1的截面積的一個平面內(nèi)折彎n-1次,每次折彎180度。采取多次折彎方式可以使得折彎部的面積大,在焊錫到pcb板上時,可以有效支撐電容本體而不輕易脫落。
考慮到成本和工藝要求,優(yōu)選地,所述第一引2線的折彎部分22由第一引線2的后段部分二次折彎而成,具體是先將第一引線2的后段部分垂直于豎直部分折彎,再平行于電容本體1的截面積的一個平面內(nèi)折彎180度,所述第二引線3的折彎部分由第二引線3的后段部分二次折彎而成,具體是先將第二引線3的后段部分垂直于豎直部分折彎,再平行于電容本體1的截面積的一個平面內(nèi)折彎180度,所述第一引線2的折彎部分和第二引線3的折彎部分呈u形折彎狀。所述第一引線2和第二引線3的折彎部分的外側(cè)折彎段322的長度大于內(nèi)側(cè)折彎段321的長度,在焊錫到pcb板上時,第一引線2和第二引線3的折彎部分的外側(cè)折彎段322形成了較大的支撐面積,而電容本體的重心在此支撐面積上,從而不會傾斜。考慮到成本和牢固度,所述第一引線2和第二引線3的折彎部分的外側(cè)折彎段322的長度兩倍于內(nèi)側(cè)折彎段的長度。為了增加折彎部分的支撐面積以更好地支撐電容本體,所述第一引線2和第二引線3的折彎部分的外側(cè)折彎段322的長度大于電容本體1的外徑。
盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例,對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言,可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下可以對這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型,本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。