技術總結
本發(fā)明提供一種優(yōu)化4M制程的TFT陣列制備方法。該方法包括：步驟10、在第一道光罩制程中，在玻璃基板上制備柵極層，并圖形化柵極層；步驟20、在第二道光罩制程中，對光刻膠層進行曝光顯影；第一次濕刻，圖形化源漏極層；第一次氧氣灰化，減少源漏金屬層邊的有源層拖尾大??；第一次干刻，形成有源層島狀結構；第二次氧氣灰化，露出溝道區(qū)域的源漏極層；第二次濕刻，圖形化源漏極；第三次氧氣灰化，減少接觸層拖尾；第二次干刻，刻蝕有源層；步驟30、在第三道光罩制程中，制備鈍化層并圖案化；步驟40、在第四道光罩制程中，制備透明電極層并圖案化。本發(fā)明可以在原制程基礎上，成功在溝道區(qū)消除重摻雜殘留(減少約0.9um)，在不定形硅區(qū)減少約1um。

技術研發(fā)人員：劉曉娣
受保護的技術使用者：深圳市華星光電技術有限公司
文檔號碼：201710175687
技術研發(fā)日：2017.03.22
技術公布日：2017.05.17