本發(fā)明涉及微波電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種超導(dǎo)微波納米諧振腔。

背景技術(shù)：

相比于光學(xué)體系，電路量子電動(dòng)力學(xué)體系可以完全在一塊毫米級的電路芯片上實(shí)現(xiàn)，使用一維共面波導(dǎo)諧振腔結(jié)構(gòu)將電場壓縮在共面波導(dǎo)的電磁場最強(qiáng)處(即波腹處)，在局部實(shí)現(xiàn)更大的電場強(qiáng)度，放置于電場最強(qiáng)處的量子比特與諧振腔通過電容耦合的方式，能夠輕松實(shí)現(xiàn)強(qiáng)耦合。

現(xiàn)在通用的用于操縱和讀取超導(dǎo)量子比特的方式是：直接將量子比特耦合到一條線寬在微米級的超導(dǎo)微波納米諧振腔上，一個(gè)超導(dǎo)微波納米諧振腔完成與量子比特的耦合等所有操作。

但現(xiàn)有技術(shù)中，超導(dǎo)微波納米諧振腔與量子比特的耦合較弱，因此，亟需一種能夠與量子比特實(shí)現(xiàn)良好耦合的超導(dǎo)微波納米諧振腔。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種超導(dǎo)微波納米諧振腔，以解決現(xiàn)有技術(shù)中超導(dǎo)微波納米諧振腔與量子比特的耦合較弱的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種超導(dǎo)微波納米諧振腔，包括：

介質(zhì)基片、兩個(gè)共面波導(dǎo)地平面、共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線和納米腔；

兩個(gè)所述共面波導(dǎo)地平面、所述共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線和所述納米腔位于所述介質(zhì)基片同一表面；

所述共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線位于兩個(gè)所述共面波導(dǎo)地平面之間；

所述納米腔位于所述共面波導(dǎo)地平面區(qū)域內(nèi)，且位于所述介質(zhì)基片表面上；

其中，所述納米腔的線寬為百納米級別，且所述納米腔背離所述共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線的邊上設(shè)置有開口。

優(yōu)選地，所述納米腔的線寬小于或等于500納米。

優(yōu)選地，所述納米腔的線寬為100納米。

優(yōu)選地，所述開口在沿其所在的所述納米腔的邊長方向上的尺寸大于5微米。

優(yōu)選地，所述開口在沿其所在的所述納米腔的邊長方向上的尺寸為其所在的所述納米腔的邊長。

優(yōu)選地，所述納米腔朝向所述共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線的邊上還包括相互串接的多個(gè)超導(dǎo)量子干涉裝置。

優(yōu)選地，所述納米腔與所述共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線之間的距離大于或等于6微米。

優(yōu)選地，所述納米腔與所述共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線之間的距離為20微米。

優(yōu)選地，所述介質(zhì)基片為硅基片或藍(lán)寶石基片。

優(yōu)選地，所述共面波導(dǎo)地平面、共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線和納米腔的金屬部分的材質(zhì)為鈮材質(zhì)或氮化鈮材質(zhì)。

經(jīng)由上述的技術(shù)方案可知，本發(fā)明提供的超導(dǎo)微波納米諧振腔，包括介質(zhì)基片、兩個(gè)共面波導(dǎo)地平面、共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線和納米腔；兩個(gè)所述共面波導(dǎo)地平面、所述共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線和所述納米腔位于所述介質(zhì)基片同一表面；所述共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線位于兩個(gè)所述共面波導(dǎo)地平面之間；所述納米腔位于所述共面波導(dǎo)地平面區(qū)域內(nèi)，且位于所述介質(zhì)基片表面上；其中，所述納米腔的線寬為百納米級別，且所述納米腔背離所述共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線的邊上設(shè)置有開口。

本發(fā)明中通過在納米腔背離所述共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線的邊上設(shè)置開口，減小納米腔和共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線組成的電路的電容，從而削弱電容耦合；同時(shí)通過減小納米腔的線寬，從微米級別減小至百納米級別，納米級的線寬能夠極大的增大所述電路的動(dòng)態(tài)電感，使得其與一般考慮的磁自感在一個(gè)量級，甚至更高量級。增強(qiáng)動(dòng)態(tài)電感，引起更高的特征阻抗，從而增強(qiáng)零點(diǎn)電壓波動(dòng)，進(jìn)而增強(qiáng)超導(dǎo)微波納米諧振腔與量子系統(tǒng)之間的耦合能力，尤其是與不容易達(dá)到強(qiáng)耦合的體系(例如量子點(diǎn)體系)的耦合能力，進(jìn)而改善了超導(dǎo)微波納米諧振腔與量子比特的耦合。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種超導(dǎo)微波納米諧振腔的立體圖結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1所示超導(dǎo)微波納米諧振腔的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種超導(dǎo)微波納米諧振腔的立體圖結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為圖3所示超導(dǎo)微波納米諧振腔的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

正如背景技術(shù)部分所述，超導(dǎo)微波納米諧振腔與量子比特的耦合較弱，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，出現(xiàn)上述技術(shù)問題的原因是，現(xiàn)有技術(shù)中超導(dǎo)微波納米諧振腔與量子比特之間的耦合均為電容耦合，并未考慮電感耦合，而且電感耦合較弱，使得現(xiàn)有技術(shù)中技術(shù)人員很少考慮使用電感耦合。

發(fā)明人通過研究發(fā)現(xiàn)，若將超導(dǎo)微波納米諧振腔與量子比特組成的電路中的電容減小，突出電感耦合，并采用高精度工藝制作窄線寬的納米腔，從而能夠在不影響電容耦合效果的基礎(chǔ)上，增加電感耦合，進(jìn)而增強(qiáng)超導(dǎo)微波納米諧振腔與量子比特的耦合。

基于此，本發(fā)明提供一種超導(dǎo)微波納米諧振腔，包括：

介質(zhì)基片、兩個(gè)共面波導(dǎo)地平面、共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線和納米腔；

兩個(gè)所述共面波導(dǎo)地平面、所述共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線和所述納米腔位于所述介質(zhì)基片同一表面；

所述共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線位于兩個(gè)所述共面波導(dǎo)地平面之間；

所述納米腔位于所述共面波導(dǎo)地平面區(qū)域內(nèi)，且位于所述介質(zhì)基片表面上；

其中，所述納米腔的線寬為百納米級別，且所述納米腔背離所述共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線的邊上設(shè)置有開口。

本發(fā)明中通過在納米腔背離所述共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線的邊上設(shè)置開口，減小納米腔和共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線組成的電路的電容，從而削弱電容耦合；同時(shí)通過減小納米腔的線寬，從微米級別減小至百納米級別，納米級的線寬能夠極大的增大所述電路的動(dòng)態(tài)電感，使得其與一般考慮的磁自感在一個(gè)量級，甚至更高量級。增強(qiáng)動(dòng)態(tài)電感，引起更高的特征阻抗，從而增強(qiáng)零點(diǎn)電壓波動(dòng)，進(jìn)而增強(qiáng)超導(dǎo)微波納米諧振腔與量子系統(tǒng)之間的耦合能力，尤其是與不容易達(dá)到強(qiáng)耦合的體系(例如量子點(diǎn)體系)的耦合能力，進(jìn)而改善了超導(dǎo)微波納米諧振腔與量子比特的耦合。

另外，由于現(xiàn)有技術(shù)中在超導(dǎo)微波納米諧振腔上加的調(diào)制、操縱等各種脈沖容易串?dāng)_，容易在耦合中引入噪聲，本發(fā)明提供的超導(dǎo)微波納米諧振腔，在使用過程中，量子比特先與納米腔耦合，納米腔再和操縱、測量的共面波導(dǎo)傳輸線耦合，當(dāng)探測頻率不是納米腔的諧振頻率時(shí)，納米腔等效于不存在，把量子比特與外電路(共面波導(dǎo)傳輸線、外部測量電路)隔開，因此，所述超導(dǎo)微波納米諧振腔不僅能夠與量子比特之間實(shí)現(xiàn)信息交換，還能夠作為有效的隔離器，將量子比特與操縱測量的諧振腔隔開，使得量子比特處于相對弱噪聲的環(huán)境中。

下面結(jié)合附圖詳細(xì)說明一下本發(fā)明提供的超導(dǎo)微波納米諧振腔。

請參見圖1和圖2，圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的超導(dǎo)微波納米諧振腔的立體結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的超導(dǎo)微波納米諧振腔的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。所述超導(dǎo)微波納米諧振腔包括：介質(zhì)基片1、兩個(gè)共面波導(dǎo)地平面3、共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線2和納米腔4；兩個(gè)共面波導(dǎo)地平面3、共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線2和納米腔4位于介質(zhì)基片1同一表面；共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線2位于兩個(gè)共面波導(dǎo)地平面3之間；納米腔4位于共面波導(dǎo)地平面3區(qū)域內(nèi)，且位于介質(zhì)基片1表面上；其中，納米腔4的線寬為百納米級別，且納米腔4背離共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線2的邊上設(shè)置有開口6。

本實(shí)施例中信號的輸入與輸出都是通過共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線2與納米腔4之間的耦合實(shí)現(xiàn)的。共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線2和納米腔4之間的電容耦合非常弱，納米腔4的內(nèi)品質(zhì)因子(即Q值)高達(dá)10^5，從而保證納米腔4的內(nèi)耗非常小，納米腔4的加入引起的噪聲對量子比特影響小。

需要說明的是，納米腔的等效電路是電容和電感的并聯(lián)電路，現(xiàn)有技術(shù)中一般情況下，納米腔與其他體系耦合利用的是電容耦合，本實(shí)施例中采用的電感耦合。由于材料本身的性質(zhì)，可以通過減小線寬增強(qiáng)電感，而納米級的線寬能夠極大的增大電路的動(dòng)態(tài)電感，使得電路的動(dòng)態(tài)電感與一般考慮的磁自感在一個(gè)量級，甚至更高量級。增強(qiáng)電路的動(dòng)態(tài)電感能夠引起更高的特征阻抗，從而能夠增強(qiáng)電路的零點(diǎn)電壓波動(dòng)，進(jìn)而增強(qiáng)超導(dǎo)微波納米諧振腔與量子系統(tǒng)之間的耦合能力，尤其是與不容易達(dá)到強(qiáng)耦合的體系(例如量子點(diǎn)體系)的耦合能力。如圖2中所示，納米腔4的線寬w為百納米級別，發(fā)明人經(jīng)過實(shí)踐發(fā)現(xiàn)，納米腔4的線寬越窄，則動(dòng)態(tài)電感越大，因此，本發(fā)明實(shí)施例中納米腔4的線寬w小于或等于500納米。更加可選地，受目前制作工藝限定，納米腔4的線寬可制作為100納米，但本發(fā)明實(shí)施例不限定所述納米腔的線寬，在制作工藝精度允許的情況下，納米腔的線寬還可以制作為50納米等小于100納米的尺寸。

由于本發(fā)明實(shí)施例提供的超導(dǎo)微波納米諧振腔與量子比特的耦合依賴于電感耦合，因此，需要減小超導(dǎo)微波納米諧振腔與量子比特組成電路的電容，電容越小越能夠突出電感的耦合作用，本實(shí)施例中通過在納米腔背離共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線2的邊上設(shè)置有開口6，開口的存在能夠減小電容，從而削弱電容耦合。本實(shí)施例中納米腔的開口6越大，越能夠減小電容，進(jìn)而突出電感的耦合作用，因此，本實(shí)施例中對開口6的尺寸不做限定，越大越好，開口6在沿其所在的納米腔4的邊長方向上的尺寸b至少大于5微米。本實(shí)施例中可選的，如圖3和圖4所示，開口6在沿其所在的納米腔4的邊長方向上的尺寸b為其所在的納米腔4的邊長。即納米腔4變成只有三個(gè)邊的腔體結(jié)構(gòu)，請參見圖3和圖4。

需要說明的是，為了進(jìn)一步增加電路的動(dòng)態(tài)電感，如圖3和圖4所示，本實(shí)施例中提供的納米腔4還可以包括多個(gè)超導(dǎo)量子干涉裝置5，多個(gè)超導(dǎo)量子干涉裝置5位于納米腔4朝向共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線2的邊上，且多個(gè)超導(dǎo)量子干涉裝置5相互串接。超導(dǎo)量子干涉裝置(superconducting quantum interference device，簡稱SQUID)由兩個(gè)超導(dǎo)約瑟夫森結(jié)并聯(lián)成環(huán)，約瑟夫森結(jié)本身是非線性結(jié)構(gòu)，可以等效為一個(gè)可調(diào)電感和一個(gè)電容的并聯(lián)，可調(diào)電感與通過結(jié)的超導(dǎo)電流大小有關(guān)，超導(dǎo)電流越小，電感越大。因此通過增加設(shè)置SQUID，一方面可以增強(qiáng)電路的非線性，另一方面還能夠進(jìn)一步增大納米腔結(jié)構(gòu)的電感，從而增強(qiáng)超導(dǎo)微波納米諧振腔與量子比特的電感耦合。本實(shí)施例中與現(xiàn)有技術(shù)中將SQUID用作量子比特的基本單位的用處不同，本實(shí)施例中利用了構(gòu)成SQUID的約瑟夫森結(jié)的電感特性，進(jìn)一步增大納米腔的電感。

本實(shí)施例中通過增加SQUID來增加電感，從而引起更高的特征阻抗(50歐姆至千歐級別)，增強(qiáng)零點(diǎn)電壓波動(dòng)，進(jìn)一步提高超導(dǎo)微波納米諧振腔與量子系統(tǒng)之間的耦合能力。

需要說明的是，本實(shí)施例中共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線2為一根直線傳輸線，每個(gè)位置都是等同的，因此本實(shí)施例中納米腔可以任意放置，且一根傳輸線上可以放置多個(gè)納米腔，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)高可集成性。另外，一根傳輸線上耦合多個(gè)納米腔還可以用于研究多個(gè)量子比特之間的相互作用。本實(shí)施例中，如圖1-圖4中所示，納米腔4與共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線2之間的距離L為大于或等于6微米，需要說明的是，當(dāng)納米腔4和共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線2之間的距離較近時(shí)，電容耦合變強(qiáng)，與本申請的思想相悖，而太遠(yuǎn)時(shí)，則可能會造成耦合不上，因此，本實(shí)施例中可選的，納米腔4與共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線2之間的距離L為20微米。

本實(shí)施例中對介質(zhì)基片的材質(zhì)不做限定，可選地，介質(zhì)基片1為硅基片或藍(lán)寶石基片。在實(shí)際工作中，可以將電路通過微納米加工制作在一塊電介質(zhì)基片上，基片底部可以用銀膠貼在樣品架的金屬板上作為接地平面。

本實(shí)施例中共面波導(dǎo)地平面3、共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線2和納米腔4的金屬部分的材質(zhì)為鈮材質(zhì)或氮化鈮材質(zhì)。這兩種材料比傳統(tǒng)用作超導(dǎo)材料的鋁的臨界溫度要高許多，這樣允許設(shè)備在更高的溫度下呈現(xiàn)超導(dǎo)特性，進(jìn)而保證能夠傳導(dǎo)極小的能量而不至于因衰減而很快耗散。并且，這兩種材料對磁場的忍受能力也很強(qiáng)，能夠在很強(qiáng)的磁場(B～5T)下依舊保持超導(dǎo)的性質(zhì)。

本實(shí)施例中納米腔的線寬降低至納米級，該結(jié)構(gòu)可以通過在介質(zhì)基片上光刻、顯影、電子束曝光、鍍膜、剝離等過程得到所需的結(jié)構(gòu)。由于采用了通用的微納加工工藝，所以不僅適用于超導(dǎo)電路，傳統(tǒng)半導(dǎo)體量子芯片中也可適用，適用性廣。

具體地，本發(fā)明實(shí)施例提供的超導(dǎo)微波納米諧振腔的在設(shè)計(jì)時(shí)，先選定使用的介質(zhì)基片，所述介質(zhì)基片可以為晶向100、厚度為0.5mm的高阻硅片，然后使用微波模擬工具Sonnet對納米腔和共面波導(dǎo)的微波特性進(jìn)行模擬，根據(jù)預(yù)設(shè)諧振頻率來確定納米腔的長度。隨后再加上SQUID結(jié)構(gòu)，通過改變約瑟夫森結(jié)的結(jié)電容大小獲取輸入輸出曲線，根據(jù)實(shí)驗(yàn)要求腔的Q值來選擇合適的結(jié)電感。

本發(fā)明實(shí)施例提供的超導(dǎo)微波納米諧振腔的在制作時(shí)，首先是做外圍共面波導(dǎo)，共面波導(dǎo)中央導(dǎo)帶線與共面波導(dǎo)地平面間距比10:6微米，也即圖1-圖4中所示的a為10微米，d為6微米；將切割好的大小合適的介質(zhì)基片的一個(gè)表面上甩上一層光刻膠，利用光刻曝光技術(shù)曝光對應(yīng)的圖案，經(jīng)過顯影，將掩膜板上沒有金屬遮擋的部分對應(yīng)位置的光刻膠洗掉，使得沒有金屬遮擋的位置的介質(zhì)基片表面露出，而其余部分仍有光刻膠遮擋。

再次，使用磁控濺射技術(shù)在介質(zhì)基片上有光刻膠的一面上鍍上一層厚度100nm的鈮薄膜或者氮化鈮薄膜，最后在1-甲基-2-吡絡(luò)烷酮的溶劑中剝離掉介質(zhì)基片表面的光刻膠，對應(yīng)光刻膠上的金屬也同時(shí)被剝離，留下的部分即本發(fā)明實(shí)施例中的外圍共面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。最后，在鍍了金屬的一面，再甩一層電子束膠，利用電子束曝光的方法，曝光圖案，主要曝光區(qū)域即圖1-圖4所示的方形介質(zhì)基片1的區(qū)域，通過對準(zhǔn)標(biāo)記(圖1-圖4中未示出)，確保納米腔與共面波導(dǎo)地平面的距離是20微米，再經(jīng)過顯影、鍍膜、剝離等步驟，具體操作方法與上面描述相同，從而得到8nm厚、100nm寬的納米腔結(jié)構(gòu)。

需要說明的是，上述制作步驟中，采用的工藝為本發(fā)明實(shí)施例中優(yōu)選的工藝方法，但本發(fā)明實(shí)施例中對此并不做限定。

本發(fā)明中通過在納米腔背離所述共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線的邊上設(shè)置開口，減小納米腔和共面波導(dǎo)傳輸線中央導(dǎo)帶線組成的電路的電容，從而削弱電容耦合；同時(shí)通過減小納米腔的線寬，從微米級別減小至百納米級別，納米級的線寬能夠極大的增大所述電路的動(dòng)態(tài)電感，使得其與一般考慮的磁自感在一個(gè)量級，甚至更高量級。增強(qiáng)動(dòng)態(tài)電感，引起更高的特征阻抗，從而增強(qiáng)零點(diǎn)電壓波動(dòng)，進(jìn)而提高超導(dǎo)微波納米諧振腔與量子系統(tǒng)之間的耦合能力，尤其是與不容易達(dá)到強(qiáng)耦合的體系(例如量子點(diǎn)體系)的耦合能力，進(jìn)而改善了超導(dǎo)微波納米諧振腔與量子比特的耦合。

另外，采用本發(fā)明提供的超導(dǎo)微波納米諧振腔，完全能夠滿足量子芯片的需要，具體表現(xiàn)在：

1、本發(fā)明提供的超導(dǎo)微波納米諧振腔的主體為平面結(jié)構(gòu)，尺寸小于常規(guī)微波傳輸線，占空間小，可以與多個(gè)量子比特集成在同一基片上，可集成度高；

2、本發(fā)明提供的超導(dǎo)微波納米諧振腔的納米腔的線寬為納米級，能有效增加量子體系與諧振腔之間的電感耦合，有利于量子體系的擴(kuò)展；

3、本發(fā)明提供的超導(dǎo)微波納米諧振腔的納米腔還可以通過串接SQUID，加直流偏置改變磁通，可以調(diào)控共振頻率，保障了磁場操控手段的可實(shí)施性；

4、本發(fā)明提供的超導(dǎo)微波納米諧振腔使用了超導(dǎo)材料，使得諧振腔可以維持低能量少光子的諧振狀態(tài)，保證了量子信息的準(zhǔn)確傳遞；

5、本發(fā)明提供的超導(dǎo)微波納米諧振腔中的共面波導(dǎo)中央導(dǎo)帶線為直線的，且作為一根共面波導(dǎo)傳輸線，其上各個(gè)位置均等同，可以耦合多個(gè)納米腔，有利于研究多個(gè)量子體系與諧振腔系統(tǒng)之間的相互作用。

需要說明的是，本說明書中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見即可。

對所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實(shí)施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。