技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管的制備方法，屬于光電子技術(shù)領(lǐng)域。該制備方法包括提供一襯底，在襯底上外延生長(zhǎng)緩沖層、N型腐蝕停層、N型歐姆接觸層、N型電流擴(kuò)展層、有源層、P型限制層、P型電流擴(kuò)展層、P型歐姆接觸層，在P型歐姆接觸層上制作金屬反射層，將金屬反射層粘合到基板上，依次去除襯底、緩沖層和N型腐蝕停層，制作第一電極，去除部分N型歐姆接觸層，在N型電流擴(kuò)展層上形成SiO2層和Ag納米顆粒層，刻蝕SiO2層和N型電流擴(kuò)展層，進(jìn)行粗化處理，可以在N型電流擴(kuò)展層的表面刻蝕出納米柱結(jié)構(gòu)，形成顆粒小，分布均勻且高度較高的表面，避免了粗化不均勻?qū)е碌陌l(fā)光二極管亮度不均勻的情況。

技術(shù)研發(fā)人員：王世俊;邢振遠(yuǎn);李彤;董耀盡
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華燦光電（浙江）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.17
技術(shù)公布日：2017.09.01