1.一種發(fā)光二極管顯示基板，包括：
襯底基板；
發(fā)光二極管，設置在所述襯底基板上，其中，
所述發(fā)光二極管包括石墨烯層，且所述石墨烯層設置在所述發(fā)光二極管靠近所述襯底基板的一側(cè)；
自組裝單分子層，設置在所述石墨烯層與所述襯底基板之間且與所述石墨烯層連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管顯示基板，其中，所述自組裝單分子層包括至少一種有機分子，所述有機分子的兩端分別包括疊氮官能團與氨基官能團，且所述疊氮官能團與所述石墨烯層中的石墨烯分子以化學鍵形式相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管顯示基板，其中，所述有機分子包括4-重氮基-2,3,5,6-四氟苯甲酸乙胺。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管顯示基板，還包括：
有機膜層，設置在所述自組裝單分子層與所述襯底基板之間，且與所述自組裝單分子層中的所述氨基官能團通過氫鍵連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管顯示基板，其中，所述發(fā)光二極管還包括設置在所述石墨烯層上的半導體層以及設置在所述半導體層上的導電層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管顯示基板，還包括：
保護層，設置在所述導電層的部分上表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管顯示基板，其中，所述石墨烯層包括在沿平行于所述襯底基板的第一方向延伸超過所述半導體層的突出部分，且所述保護層設置在所述半導體層的側(cè)面并連接到所述石墨烯層的突出部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管顯示基板，還包括：
薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括漏極，所述漏極與所述石墨烯層電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項所述的發(fā)光二極管顯示基板，其中，所述發(fā)光二極管的尺寸為1微米-100微米。
10.一種發(fā)光二極管顯示基板的制作方法，包括：
在轉(zhuǎn)移基板上形成石墨烯層；
在所述石墨烯層上形成半導體層以及導電層以形成發(fā)光二極管；
在襯底基板上形成自組裝單分子層；
將所述發(fā)光二極管從所述轉(zhuǎn)移基板上轉(zhuǎn)移到所述自組裝單分子層上，并使所述石墨烯層連接到所述自組裝單分子層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管顯示基板的制作方法，其中，所述自組裝單分子層包括至少一種有機分子，所述有機分子的兩端分別包括疊氮官能團與氨基官能團。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管顯示基板的制作方法，其中，將所述發(fā)光二極管從所述轉(zhuǎn)移基板上轉(zhuǎn)移之前包括：
在所述導電層的部分上表面形成保護層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管顯示基板的制作方法，其中，所述石墨烯層包括在沿平行于所述轉(zhuǎn)移基板的第一方向延伸超過所述半導體層的突出部分，將所述發(fā)光二極管從所述轉(zhuǎn)移基板上轉(zhuǎn)移之前還包括：在所述半導體層的側(cè)面以及所述石墨烯層的突出部分形成所述保護層。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的發(fā)光二極管顯示基板的制作方法，其中，將所述發(fā)光二極管從所述轉(zhuǎn)移基板上轉(zhuǎn)移到所述自組裝單分子層上包括：
采用轉(zhuǎn)印裝置吸附所述保護層，將所述發(fā)光二極管從所述轉(zhuǎn)移基板上取走并轉(zhuǎn)移到所述自組裝單分子層上，并對所述自組裝單分子層加熱以使所述疊氮官能團與所述石墨烯層的石墨烯分子以化學鍵形式相連。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管顯示基板的制作方法，其中，在所述襯底基板上形成所述自組裝單分子層包括：
在所述襯底基板上形成有機膜層，對所述有機膜層的表面進行處理，并在所述有機膜層上形成所述自組裝單分子層以使所述自組裝單分子層中的所述氨基官能團通過氫鍵與所述有機膜層連接。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管顯示基板的制作方法，其中，采用卷對卷工藝將所述發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移到所述自組裝單分子層上。
17.一種顯示器，包括權(quán)利要求1-9任一項所述發(fā)光二極管顯示基板。