本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2015年04月23日、申請(qǐng)?zhí)枮?01510195387.5、發(fā)明名稱為“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法”的申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

本發(fā)明是有關(guān)一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。

背景技術(shù)：

當(dāng)制作影像感測(cè)器的晶片(例如cmos晶片)時(shí)，通常會(huì)將玻璃片覆蓋于晶圓(wafer)的表面，用以保護(hù)晶圓，使灰塵不易附著于晶圓的影像感測(cè)區(qū)。當(dāng)晶圓切割后形成的晶片使用于電子產(chǎn)品時(shí)，由于電子產(chǎn)品通常在對(duì)齊晶片的殼體上會(huì)設(shè)置透光片，而透光片與晶片表面上的玻璃片具有相似的保護(hù)功能，因此會(huì)造成材料的浪費(fèi)與透光度下降。

然而，當(dāng)晶圓的表面不設(shè)置玻璃片時(shí)，雖然可提升透光度，使得晶圓切割后的晶片的感測(cè)影像能力有所提升，但因晶圓的厚度很薄，要移動(dòng)已形成球柵陣列的晶圓是相當(dāng)困難的。

此外，若在制作影像感測(cè)器的制程中影像感測(cè)區(qū)未被其他元件保護(hù)，易使影像感測(cè)區(qū)受灰塵污染，造成良率難以提升。雖可利用膠帶覆蓋影像感測(cè)區(qū)，以于制程中保護(hù)影像感測(cè)區(qū)，但膠帶未經(jīng)設(shè)計(jì)，不易于切割后的晶圓(即晶片)上移除，造成晶片制造商的不便。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一技術(shù)態(tài)樣為一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法包含下列步驟：(a)使用暫時(shí)粘著層將載板貼附于晶圓的第一表面上，且形成布線層、絕緣層與球柵陣列于晶圓相對(duì)第一表面的第二表面上；(b)將晶圓的第二表面貼附于框體上的紫外光膠帶，并移除暫時(shí)粘著層與載板；(c)貼附保護(hù)膠帶于晶圓的第一表面上，以覆蓋晶圓的影像感測(cè)區(qū)，其中保護(hù)膠帶的面積大于晶圓的面積，使得保護(hù)膠帶凸出于晶圓；(d)照射紫外光于紫外光膠帶，使紫外光膠帶的粘性消失；(e)貼附切割膠帶于保護(hù)膠帶與框體上，并移除紫外光膠帶；(f)使用第一刀具從晶圓的第二表面切割晶圓，而形成多個(gè)晶片與晶片間的多個(gè)間隙；以及(g)使用寬度小于第一刀具的第二刀具沿間隙切割保護(hù)膠帶，使得切割后的保護(hù)膠帶分別凸出于晶片。

在本發(fā)明上述實(shí)施方式中，載板可提供形成球柵陣列前的晶圓的支撐力，且在晶圓的第二表面貼附于紫外光膠帶后，暫時(shí)粘著層與載板便可移除。載板與保護(hù)膠帶均可保護(hù)晶圓的影像感測(cè)區(qū)，避免于制程中遭到污染，可提升良率。另外，由于保護(hù)膠帶的面積大于晶圓的面積，且切割晶圓時(shí)是使用較寬的第一刀具，切割保護(hù)膠帶時(shí)是使用較窄的第二刀具，因此在晶圓與保護(hù)膠帶切割后，每一晶片上的保護(hù)膠帶均會(huì)凸出于晶片。如此一來，保護(hù)膠帶便可輕易從晶片的邊緣撕下，提升制造上的便利性。此外，移除載板與保護(hù)膠帶后的晶片可提升感測(cè)能力，并節(jié)省已知在晶片上設(shè)置玻璃片的成本。

本發(fā)明的一技術(shù)態(tài)樣為一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法包含下列步驟：(a)使用暫時(shí)粘著層將載板貼附于晶圓的第一表面上；(b)蝕刻晶圓，使得晶圓形成多個(gè)晶片與晶片間的多個(gè)間隙，且形成布線層、絕緣層與球柵陣列于晶圓相對(duì)第一表面的第二表面上；(c)將晶圓的第二表面貼附于框體上的紫外光膠帶，并移除暫時(shí)粘著層與載板；(d)貼附保護(hù)膠帶于晶圓的第一表面上，以覆蓋晶圓的影像感測(cè)區(qū)，其中保護(hù)膠帶的面積大于晶圓的面積，使得保護(hù)膠帶凸出于晶圓；(e)照射紫外光于紫外光膠帶，使紫外光膠帶的粘性消失；(f)貼附切割膠帶于保護(hù)膠帶與框體上，并移除紫外光膠帶；以及(g)使用寬度小于間隙的刀具沿間隙切割保護(hù)膠帶，使得切割后的保護(hù)膠帶分別凸出于晶片。

在本發(fā)明上述實(shí)施方式中，載板可提供形成球柵陣列前的晶圓的支撐力，且在晶圓的第二表面貼附于紫外光膠帶后，暫時(shí)粘著層與載板便可移除。載板與保護(hù)膠帶均可保護(hù)晶圓的影像感測(cè)區(qū)，避免于制程中遭到污染，可提升良率。另外，蝕刻晶圓時(shí)可形成晶片與間隙。由于保護(hù)膠帶的面積大于晶圓的面積，且切割保護(hù)膠帶時(shí)是使用寬度小于間隙的刀具，因此在保護(hù)膠帶切割后，每一晶片上的保護(hù)膠帶均會(huì)凸出于晶片。如此一來，保護(hù)膠帶便可輕易從晶片的邊緣撕下，提升制造上的便利性。此外，移除載板與保護(hù)膠帶后的晶片可提升感測(cè)能力，并節(jié)省已知在晶片上設(shè)置玻璃片的成本。

本發(fā)明的一技術(shù)態(tài)樣為一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法包含下列步驟：(a)使用暫時(shí)粘著層將載板貼附于晶圓的第一表面上，使暫時(shí)粘著層覆蓋晶圓的影像感測(cè)區(qū)；(b)蝕刻晶圓，使得晶圓形成多個(gè)晶片與晶片間的多個(gè)間隙，且形成布線層、絕緣層與球柵陣列于晶圓相對(duì)第一表面的第二表面上；(c)將晶圓的第二表面貼附于框體上的紫外光膠帶，并移除載板，其中暫時(shí)粘著層的面積大于晶圓的面積，使得暫時(shí)粘著層凸出于晶圓；(d)使用寬度小于間隙的刀具切割暫時(shí)粘著層對(duì)齊間隙的位置，使得切割后的暫時(shí)粘著層分別凸出于晶片；以及(e)照射紫外光于紫外光膠帶，使紫外光膠帶的粘性消失。

本發(fā)明上述實(shí)施方式中，載板可提供形成球柵陣列前的晶圓的支撐力，且在晶圓的第二表面貼附于紫外光膠帶后，載板便可移除。載板與暫時(shí)粘著層均可保護(hù)晶圓的影像感測(cè)區(qū)，避免于制程中遭到污染，可提升良率。另外，蝕刻晶圓時(shí)可形成晶片與間隙。由于暫時(shí)粘著層的面積大于晶圓的面積，且切割暫時(shí)粘著層時(shí)是使用寬度小于間隙的刀具，因此在暫時(shí)粘著層切割后，每一晶片上的暫時(shí)粘著層均會(huì)凸出于晶片。如此一來，暫時(shí)粘著層便可輕易從晶片的邊緣撕下，提升制造上的便利性。此外，移除載板與暫時(shí)粘著層后的晶片可提升感測(cè)能力，并節(jié)省已知在晶片上設(shè)置玻璃片的成本。

附圖說明

圖1繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖。

圖2a至圖2d繪示布線層、絕緣層與球柵陣列形成于晶圓時(shí)的制程示意圖。

圖3繪示圖2d的結(jié)構(gòu)貼附于紫外光膠帶后的示意圖。

圖4繪示圖3的結(jié)構(gòu)移除暫時(shí)粘著層與載板時(shí)的示意圖。

圖5繪示圖4的晶圓貼附保護(hù)膠帶后的示意圖。

圖6繪示圖5的結(jié)構(gòu)照射紫外光時(shí)的示意圖。

圖7繪示圖6的保護(hù)膠帶與框體貼附切割膠帶后的示意圖。

圖8a繪示圖7的紫外光膠帶移除后，且使用第一刀具切割晶圓時(shí)的示意圖。

圖8b繪示圖8a的晶片間的間隙形成后，使用第二刀具切割保護(hù)膠帶時(shí)的示意圖。

圖9繪示圖8b的晶片與保護(hù)膠帶從切割膠帶取下時(shí)的示意圖。

圖10繪示圖9的晶片與保護(hù)膠帶的放大圖。

圖11繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖。

圖12a至圖12b繪示布線層、絕緣層與球柵陣列形成于晶圓時(shí)的制程示意圖。

圖13繪示圖12b的結(jié)構(gòu)貼附于紫外光膠帶后的示意圖。

圖14繪示圖13的結(jié)構(gòu)移除暫時(shí)粘著層與載板時(shí)的示意圖。

圖15繪示圖14的晶圓貼附保護(hù)膠帶后的示意圖。

圖16繪示圖15的結(jié)構(gòu)照射紫外光時(shí)的示意圖。

圖17繪示圖16的保護(hù)膠帶與框體貼附切割膠帶后的示意圖。

圖18繪示圖17的紫外光膠帶移除后，使用刀具切割保護(hù)膠帶時(shí)的示意圖。

圖19繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖。

圖20繪示圖13的結(jié)構(gòu)移除載板時(shí)的示意圖。

圖21繪示圖20的載板移除后，使用刀具切割暫時(shí)粘著層時(shí)的示意圖。

圖22繪示圖21的結(jié)構(gòu)照射紫外光時(shí)的示意圖。

圖23繪示圖22的晶片與暫時(shí)粘著層從紫外光膠帶取下時(shí)的示意圖。

其中，附圖中符號(hào)的簡單說明如下：

110：暫時(shí)粘著層110a：暫時(shí)粘著層

120：載板130：晶圓

130a：晶片132：第一表面

134：第二表面136：凹孔

138：影像感測(cè)區(qū)142：布線層

144：絕緣層146：球柵陣列

150：框體152：紫外光膠帶

160：保護(hù)膠帶160a：保護(hù)膠帶

170：紫外光源180：切割膠帶

210：第一刀具220：第二刀具

230：刀具240：刀具

d：厚度d1～d2：間隙

d1～d2：方向l：紫外光

w1～w4：寬度s1～s7：步驟。

具體實(shí)施方式

以下將以圖式揭露本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式，為明確說明起見，許多實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，應(yīng)了解到，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)不應(yīng)用以限制本發(fā)明。也就是說，在本發(fā)明部分實(shí)施方式中，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些已知慣用的結(jié)構(gòu)與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示。

圖1繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖。首先在步驟s1中，使用暫時(shí)粘著層將載板貼附于晶圓的第一表面上，且形成布線層、絕緣層與球柵陣列于晶圓相對(duì)第一表面的第二表面上。接著在步驟s2中，將晶圓的第二表面貼附于框體上的紫外光膠帶，并移除暫時(shí)粘著層與載板。之后在步驟s3中，貼附保護(hù)膠帶于晶圓的第一表面上，以覆蓋晶圓的影像感測(cè)區(qū)，其中保護(hù)膠帶的面積大于晶圓的面積，使得保護(hù)膠帶凸出于晶圓。接著在步驟s4中，照射紫外光于紫外光膠帶，使紫外光膠帶的粘性消失。之后在步驟s5中，貼附切割膠帶于保護(hù)膠帶與框體上，并移除紫外光膠帶。接著在步驟s6中，使用第一刀具從晶圓的第二表面切割晶圓，而形成多個(gè)晶片與晶片間的多個(gè)間隙。最后在步驟s7中，使用寬度小于第一刀具的第二刀具沿間隙切割保護(hù)膠帶，使得切割后的保護(hù)膠帶分別凸出于晶片。在以下敘述中，將具體說明上述各步驟。

圖2a至圖2d繪示布線層142、絕緣層144與球柵陣列146形成于晶圓130時(shí)的制程示意圖。在圖2a中，使用暫時(shí)粘著層110將載板120貼附于晶圓130的第一表面132上。接著可研磨晶圓130相對(duì)第一表面132的第二表面134，使晶圓130的厚度d減薄，而得到厚度小于d的晶圓130，如圖2b所示。同時(shí)參閱圖2c與圖2d，待晶圓130減薄后，可蝕刻晶圓130，使得晶圓130的第二表面134形成多個(gè)凹孔136。接著布線層142、絕緣層144與球柵陣列146(ballgridarray；bga)可形成于晶圓130的第二表面134上，且布線層142至少部分位于凹孔136中。

載板120可以為玻璃板，但并不以此為限。晶圓130的材質(zhì)可以包含硅，例如為硅基板。載板120可提供晶圓130支撐力，可避免晶圓130在研磨時(shí)破裂。其中，布線層142的材質(zhì)可以包含鋁、銅或其他可導(dǎo)電的金屬。絕緣層144可以為防焊綠漆(soldermask)。球柵陣列146可以為錫球。在后續(xù)制程中，晶圓130已是經(jīng)球柵陣列制程后的晶圓。

圖3繪示圖2d的結(jié)構(gòu)貼附于紫外光膠帶152后的示意圖。圖4繪示圖3的結(jié)構(gòu)移除暫時(shí)粘著層110與載板120時(shí)的示意圖。同時(shí)參閱圖3與圖4，待圖2d的結(jié)構(gòu)形成后，可將晶圓130的第二表面134貼附于框體150上的紫外光膠帶152。紫外光膠帶152意指照射紫外光會(huì)失去粘性的膠帶。接著便能以方向d1移除暫時(shí)粘著層110與載板120。

圖5繪示圖4的晶圓130貼附保護(hù)膠帶160后的示意圖。圖6繪示圖5的結(jié)構(gòu)照射紫外光l時(shí)的示意圖。同時(shí)參閱圖5與圖6，待暫時(shí)粘著層110(見圖4)與載板120(見圖4)從晶圓130的第一表面132移除后，可貼附保護(hù)膠帶160于晶圓130的第一表面132上，以覆蓋晶圓130的影像感測(cè)區(qū)，其中保護(hù)膠帶160的面積大于晶圓130的面積，使得保護(hù)膠帶160凸出于晶圓130的邊緣。接著可將圖5的結(jié)構(gòu)翻轉(zhuǎn)180度，以紫外光源170的紫外光l照射紫外光膠帶152，使紫外光膠帶152的黏性消失。

圖7繪示圖6的保護(hù)膠帶160與框體150貼附切割膠帶180后的示意圖。待紫外光膠帶152照射紫外光后，可貼附切割膠帶180(dicingtape)于保護(hù)膠帶160與框體150上。接著可將圖7的結(jié)構(gòu)翻轉(zhuǎn)180度。由于紫外光膠帶152的粘性已消失，可輕易從晶圓130的第二表面134移除紫外光膠帶152。

圖8a繪示圖7的紫外光膠帶152移除后，且使用第一刀具210切割晶圓130時(shí)的示意圖。圖8b繪示圖8a的晶片130a間的間隙d1形成后，使用第二刀具220切割保護(hù)膠帶160a時(shí)的示意圖。同時(shí)參閱圖8a與圖8b，待圖7的結(jié)構(gòu)翻轉(zhuǎn)180度且移除紫外光膠帶152后，可使用寬度w1的第一刀具210從晶圓130的第二表面134切割晶圓130，而形成多個(gè)晶片130a與晶片130a間的多個(gè)間隙d1。其中，每一晶片130a表示切割后的晶圓130的一片。待間隙d1形成后，可使用寬度w2小于第一刀具210的第二刀具220沿間隙d1切割保護(hù)膠帶160，使得切割后的保護(hù)膠帶160a分別凸出于晶片130a。保護(hù)膠帶160a間的間隙d2小于間隙d1。

圖9繪示圖8b的晶片130a與保護(hù)膠帶160a從切割膠帶180取下時(shí)的示意圖。圖10繪示圖9的晶片130a與保護(hù)膠帶160a的放大圖。同時(shí)參閱圖9與圖10，待切割后的晶片130a與保護(hù)膠帶160a形成后，便能以方向d2從切割膠帶180取下晶片130a與其上的保護(hù)膠帶160a。此時(shí)，晶片130a在第一表面132上的影像感測(cè)區(qū)138仍可由保護(hù)膠帶160a保護(hù)，且保護(hù)膠帶160a凸出于晶片130a的邊緣。待晶片130a需組裝于電子裝置使用時(shí)，便可輕易從晶片130a的邊緣(例如以方向d3)撕下保護(hù)膠帶160a。其中，晶片130a可以為影像感測(cè)晶片，例如前照式或背照式的cmos影像感測(cè)晶片。

本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法與現(xiàn)有技術(shù)相較，載板可提供形成球柵陣列前的晶圓的支撐力，且在晶圓的第二表面貼附于紫外光膠帶后，暫時(shí)粘著層與載板便可移除。載板與保護(hù)膠帶均可保護(hù)晶圓的影像感測(cè)區(qū)，避免于制程中遭到污染，可提升良率。另外，由于保護(hù)膠帶的面積大于晶圓的面積，且切割晶圓時(shí)是使用較寬的第一刀具，切割保護(hù)膠帶時(shí)是使用較窄的第二刀具，因此在晶圓與保護(hù)膠帶切割后，每一晶片上的保護(hù)膠帶均會(huì)凸出于晶片。如此一來，保護(hù)膠帶便可輕易從晶片的邊緣撕下，提升制造上的便利性。此外，移除載板與保護(hù)膠帶后的晶片可提升感測(cè)能力，并節(jié)省已知在晶片上設(shè)置玻璃片的成本。

應(yīng)了解到，在以下敘述中，已敘述過的元件連接關(guān)系與材料將不再重復(fù)贅述，合先敘明。

圖11繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖。首先在步驟s1中，使用暫時(shí)粘著層將載板貼附于晶圓的第一表面上。接著在步驟s2中，蝕刻晶圓，使得晶圓形成多個(gè)晶片與晶片間的多個(gè)間隙，且形成布線層、絕緣層與球柵陣列于晶圓相對(duì)第一表面的第二表面上。之后在步驟s3中，將晶圓的第二表面貼附于框體上的紫外光膠帶，并移除暫時(shí)粘著層與載板。接著在步驟s4中，貼附保護(hù)膠帶于晶圓的第一表面上，以覆蓋晶圓的影像感測(cè)區(qū)，其中保護(hù)膠帶的面積大于晶圓的面積，使得保護(hù)膠帶凸出于晶圓。之后在步驟s5中，照射紫外光于紫外光膠帶，使紫外光膠帶的粘性消失。接著在步驟s6中，貼附切割膠帶于保護(hù)膠帶與框體上，并移除紫外光膠帶。最后在步驟s7中，使用寬度小于間隙的刀具沿間隙切割保護(hù)膠帶，使得切割后的保護(hù)膠帶分別凸出于晶片。在以下敘述中，將具體說明上述各步驟。

圖12a至圖12b繪示布線層142、絕緣層144與球柵陣列146形成于晶圓130時(shí)的制程示意圖。圖12a的載板120已使用暫時(shí)粘著層110貼附于晶圓130的第一表面132上，且晶圓130的第二表面134已研磨完成。上述制程與圖2a與圖2b雷同，不重復(fù)贅述。待晶圓130減薄后，可蝕刻晶圓130，使得晶圓130的第二表面134形成多個(gè)凹孔136，且晶圓130通過蝕刻制程可形成多個(gè)晶片130a與晶片130a間的多個(gè)間隙d1。為了說明上的方便，后續(xù)仍以晶圓130表示晶片130a的總稱作說明。接著布線層142、絕緣層144與球柵陣列146可形成于晶圓130的第二表面134上，且布線層142至少部分位于凹孔136中。

圖13繪示圖12b的結(jié)構(gòu)貼附于紫外光膠帶152后的示意圖。圖14繪示圖13的結(jié)構(gòu)移除暫時(shí)粘著層110與載板120時(shí)的示意圖。同時(shí)參閱圖13與圖14，待圖12b的結(jié)構(gòu)形成后，可將晶圓130的第二表面134貼附于框體150上的紫外光膠帶152。接著便能以方向d1移除暫時(shí)粘著層110與載板120。

圖15繪示圖14的晶圓130貼附保護(hù)膠帶160后的示意圖。圖16繪示圖15的結(jié)構(gòu)照射紫外光l時(shí)的示意圖。同時(shí)參閱圖15與圖16，待暫時(shí)粘著層110(見圖14)與載板120(見圖14)從晶圓130的第一表面132移除后，可貼附保護(hù)膠帶160于晶圓130的第一表面132上，以覆蓋晶圓130的影像感測(cè)區(qū)，其中保護(hù)膠帶160的面積大于晶圓130的面積，使得保護(hù)膠帶160凸出于晶圓130的邊緣。接著可將圖15的結(jié)構(gòu)翻轉(zhuǎn)180度，以紫外光源170的紫外光l照射紫外光膠帶152，使紫外光膠帶152的黏性消失。

圖17繪示圖16的保護(hù)膠帶160與框體150貼附切割膠帶180后的示意圖。待紫外光膠帶152照射紫外光后，可貼附切割膠帶180于保護(hù)膠帶160與框體150上。接著可將圖17的結(jié)構(gòu)翻轉(zhuǎn)180度。由于紫外光膠帶152的粘性已消失，可輕易從晶圓130的第二表面134移除紫外光膠帶152。

圖18繪示圖17的紫外光膠帶152移除后，使用刀具230切割保護(hù)膠帶160時(shí)的示意圖。由于間隙d1與晶片130a已于圖12a形成，可使用寬度w3小于間隙d1的刀具230沿間隙d1切割保護(hù)膠帶160，使得切割后的保護(hù)膠帶160a分別凸出于晶片130a。保護(hù)膠帶160a間的間隙d2小于間隙d1。待切割后的晶片130a與保護(hù)膠帶160a形成后，便能以方向d2從切割膠帶180取下晶片130a與其上的保護(hù)膠帶160a。此時(shí)，晶片130a在第一表面132上的影像感測(cè)區(qū)仍可由保護(hù)膠帶160a保護(hù)，且保護(hù)膠帶160a凸出于晶片130a的邊緣。待晶片130a需組裝于電子裝置使用時(shí)，便可輕易從晶片130a的邊緣撕下保護(hù)膠帶160a。

本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法與現(xiàn)有技術(shù)相較，載板可提供形成球柵陣列前的晶圓的支撐力，且在晶圓的第二表面貼附于紫外光膠帶后，暫時(shí)粘著層與載板便可移除。載板與保護(hù)膠帶均可保護(hù)晶圓的影像感測(cè)區(qū)，避免于制程中遭到污染，可提升良率。另外，蝕刻晶圓時(shí)可形成晶片與間隙。由于保護(hù)膠帶的面積大于晶圓的面積，且切割保護(hù)膠帶時(shí)是使用寬度小于間隙的刀具，因此在保護(hù)膠帶切割后，每一晶片上的保護(hù)膠帶均會(huì)凸出于晶片。如此一來，保護(hù)膠帶便可輕易從晶片的邊緣撕下，提升制造上的便利性。此外，移除載板與保護(hù)膠帶后的晶片可提升感測(cè)能力，并節(jié)省已知在晶片上設(shè)置玻璃片的成本。

圖19繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖。首先在步驟s1中，使用暫時(shí)粘著層將載板貼附于晶圓的第一表面上，使暫時(shí)粘著層覆蓋晶圓的影像感測(cè)區(qū)。接著在步驟s2中，蝕刻晶圓，使得晶圓形成多個(gè)晶片與晶片間的多個(gè)間隙，且形成布線層、絕緣層與球柵陣列于晶圓相對(duì)第一表面的第二表面上。之后在步驟s3中，將晶圓的第二表面貼附于框體上的紫外光膠帶，并移除載板，其中暫時(shí)粘著層的面積大于晶圓的面積，使得暫時(shí)粘著層凸出于晶圓。接著在步驟s4中，使用寬度小于間隙的刀具切割暫時(shí)粘著層對(duì)齊間隙的位置，使得切割后的暫時(shí)粘著層分別凸出于晶片。最后在步驟s5中，照射紫外光于紫外光膠帶，使紫外光膠帶的粘性消失。

在本實(shí)施方式中，由于步驟s1與步驟s2與圖12a至13圖的制程雷同，不重復(fù)贅述。

圖20繪示圖13的結(jié)構(gòu)移除載板120時(shí)的示意圖。晶圓130已通過蝕刻制程形成多個(gè)晶片130a與晶片130a間的多個(gè)間隙d1。為了說明上的方便，后續(xù)仍以晶圓130表示晶片130a的總稱作說明。布線層142、絕緣層144與球柵陣列146已形成于晶圓130的第二表面134上，且布線層142至少部分位于凹孔136中。

在本實(shí)施方式中，待晶圓130的第二表面134貼附于框體150上的紫外光膠帶152后，能以方向d1移除載板120，暫時(shí)粘著層110仍貼附于晶圓130的第一表面132上。其中，暫時(shí)粘著層110的面積大于晶圓130的面積，使得暫時(shí)粘著層110凸出于晶圓130的邊緣。

圖21繪示圖20的載板120移除后，使用刀具240切割暫時(shí)粘著層110時(shí)的示意圖。待載板120(見圖20)從晶圓130的第一表面132移除后，可使用寬度w4小于間隙d1的刀具240切割暫時(shí)粘著層110對(duì)齊間隙d1的位置，使得切割后的暫時(shí)粘著層110a分別凸出于晶片130a。

圖22繪示圖21的結(jié)構(gòu)照射紫外光l時(shí)的示意圖。待切割后的晶片130a與暫時(shí)粘著層110a形成后，可將圖21的結(jié)構(gòu)翻轉(zhuǎn)180度，照射紫外光l于紫外光膠帶152，使紫外光膠帶152的黏性消失。待紫外光l照射后，再將圖22的結(jié)構(gòu)翻轉(zhuǎn)180度，如圖23所示。

圖23繪示圖22的晶片130a與暫時(shí)粘著層110a從紫外光膠帶152取下時(shí)的示意圖。由于紫外光膠帶152的粘性已消失，因此可輕易從紫外光膠帶152以方向d2取下晶片130a與其上的暫時(shí)粘著層110a。此時(shí)，晶片130a在第一表面132上的影像感測(cè)區(qū)仍可由暫時(shí)粘著層110a保護(hù)，且暫時(shí)粘著層110a凸出于晶片130a的邊緣。待晶片130a需組裝于電子裝置使用時(shí)，便可輕易從晶片130a的邊緣以方向d3撕下暫時(shí)粘著層110a。

本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法與現(xiàn)有技術(shù)相較，載板可提供形成球柵陣列前的晶圓的支撐力，且在晶圓的第二表面貼附于紫外光膠帶后，載板便可移除。載板與暫時(shí)粘著層均可保護(hù)晶圓的影像感測(cè)區(qū)，避免于制程中遭到污染，可提升良率。另外，蝕刻晶圓時(shí)可形成晶片與間隙。由于暫時(shí)粘著層的面積大于晶圓的面積，且切割暫時(shí)粘著層時(shí)是使用寬度小于間隙的刀具，因此在暫時(shí)粘著層切割后，每一晶片上的暫時(shí)粘著層均會(huì)凸出于晶片。如此一來，暫時(shí)粘著層便可輕易從晶片的邊緣撕下，提升制造上的便利性。此外，移除載板與暫時(shí)粘著層后的晶片可提升感測(cè)能力，并節(jié)省已知在晶片上設(shè)置玻璃片的成本。

以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請(qǐng)的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。