1.薄膜型發(fā)光二極管，包括發(fā)光外延疊層，所述發(fā)光外延疊層包含第一類型導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二類型半導(dǎo)體層，具有相對的上表面和下面，所述發(fā)光層在電激發(fā)下輻射光線并向所述上表面射出，其特征在于：所述發(fā)光外延疊層的上表面設(shè)有一系列由透明生長襯底構(gòu)成的微透鏡。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜型發(fā)光二極管，其特征在于：還包括一支撐結(jié)構(gòu)，其位于所述發(fā)光外延疊層的下表面，用于支撐和保護(hù)所述發(fā)光外延疊層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜型發(fā)光二極管，其特征在于：所述微透鏡呈上寬下窄狀，其尺寸高度為0.5~3.0微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜型發(fā)光二極管，其特征在于：所述微透鏡側(cè)面的錐度為30~85°。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜型發(fā)光二極管，其特征在于：所述微透鏡離散分布，相鄰微透鏡之間的間距為1.0~6.0微米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜型發(fā)光二極管，其特征在于：所述微透鏡之遠(yuǎn)離所述發(fā)外外延疊層的端面為球面狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜型發(fā)光二極管，其特征在于：所述微透鏡具有兩個(gè)相對的端部，其中第一個(gè)端部嵌入所述發(fā)光外延疊層內(nèi)，第二個(gè)端部高出所述發(fā)光外延疊層的上表面。
8.薄膜型發(fā)光二極管的制作方法，包括以下步驟：
（1）提供圖形化的透明襯底，其上表面具有一系列凸起結(jié)構(gòu)；
（2）在所述透明襯底的上表面上外延生長發(fā)光外延疊層，包括第一類型導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二類型半導(dǎo)體層；
（3）在所述發(fā)光外延疊層的表面上制作支撐結(jié)構(gòu)；
（4）移除所述透明襯底，裸露出部分發(fā)光外延疊層的表面，并使透明襯底的凸起結(jié)構(gòu)從透明襯底的主體上斷裂并保留在發(fā)光外延疊層上，從而在發(fā)光外延疊層表面上形成一系列由透明襯底的尖端組成的微透鏡。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜型發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟（1）中凸起結(jié)構(gòu)的高度為1~3微米，中心間距為1.0~6.0微米。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜型發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟（4）中采用激光剝離的方式剝離透明襯底，具體為將激光能量聚集到所述襯底凸起結(jié)構(gòu)的某一厚度D，控制能量參數(shù)使所述透明襯底的凸起斷裂并保留在發(fā)光外延疊層上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜型發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟（4）中將激光能量聚集到距離所述襯底凸起的頂部0.5~3.0微米厚度的位置。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜型發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟（4）中控制激光能量參數(shù)為100mJ~1000mJ。
13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜型發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟（4）中采用研磨、蝕刻或者其組合移除所述生長襯底，截止位置到距離所述襯底凸起的頂部0.5~3.0微米厚度的位置，裸露出部分發(fā)光外延疊層的表面。
14.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜型發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟（4）中還包括采用干法蝕刻或/和濕法蝕刻對微透鏡進(jìn)行修飾，使得所述微透鏡之遠(yuǎn)離所述發(fā)外外延疊層的端面呈球面狀。
15.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜型發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：還包括步驟（5）：對裸露出的發(fā)光外延疊層表面進(jìn)行粗化，并制作電極。