1.一種氮化鋁基材用大功率厚膜電路銀釕電阻漿料，其特征在于，包括以下質(zhì)量百分比的各組分：10-30％的無機(jī)粘結(jié)相，50-70％的復(fù)合功能相，20-25％的有機(jī)載體；
所述無機(jī)粘結(jié)相是由以下質(zhì)量百分比的各組分制成的微晶玻璃粉：30-40％的SiO2、20-30％的Al2O3、10-20％的B2O3、10-20％的ZnO、5-15％的CuO、5-15％的CaO、1-5％的晶核劑、1-5％的稀土氧化物；
所述復(fù)合功能相由以下質(zhì)量百分比的各組分組成：20-30％的球狀銀粉、20-30％的片狀銀粉、40-60％的釕粉；
所述有機(jī)載體由以下質(zhì)量百分比的各組分組成：40-70％的有機(jī)溶劑、25-35％的高分子增稠劑、1-5％的分散劑、1-5％的消泡劑、1-5％的觸變劑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種氮化鋁基材用大功率厚膜電路銀釕電阻漿料，其特征在于，所述無機(jī)粘結(jié)相的粒徑為1-3μm，軟化點(diǎn)為550-680℃，平均線膨脹系數(shù)為4-5×10-6/℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種氮化鋁基材用大功率厚膜電路銀釕電阻漿料，其特征在于，所述稀土氧化物為La2O3、Sc2O3、Y2O3、CeO2、Sm2O3、Gd2O3、Nd2O3、Pr2O3和Eu2O3中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種氮化鋁基材用大功率厚膜電路銀釕電阻漿料，其特征在于，所述稀土氧化物的粒徑為1-3μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種氮化鋁基材用大功率厚膜電路銀釕電阻漿料，其特征在于，所述晶核劑為CaF2、TiO2、ZrO2、Sb2O3、V2O5、NiO和Fe2O3中的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種氮化鋁基材用大功率厚膜電路銀釕電阻漿料，其特征在于，所述有機(jī)載體的粘度為200-300mPa·s。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種氮化鋁基材用大功率厚膜電路銀釕電阻漿料，其特征在于，所述球狀銀粉的粒徑值為1-3μm，松裝密度為1.0-2.0g/cm3，振實(shí)密度為1.0-2.0g/cm3。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述一種氮化鋁基材用大功率厚膜電路銀釕電阻漿料，其特征在于，所述片狀銀粉的粒徑值為1-3μm，松裝密度為1.0-2.0g/cm3，振實(shí)密度為1.0-2.0g/cm3。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述一種氮化鋁基材用大功率厚膜電路銀釕電阻漿料，其特征在于，所述釕粉的粒徑值為1-3μm，松裝密度為2.5-3.0g/cm3，振實(shí)密度為3.5-4.0g/cm3。
10.一種如權(quán)利要求1所述氮化鋁基材用大功率厚膜電路銀釕電阻漿料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
a、制備無機(jī)粘接相：分別稱取SiO2、Al2O3、B2O3、ZnO、CuO、CaO、晶核劑和稀土氧化物并混合均勻，得混合物；然后將混合物置于熔爐中熔煉，熔煉溫度為1300-1500℃，保溫時(shí)間為2-4h，得玻璃溶液；玻璃溶液進(jìn)行水淬后得到玻璃；接著將玻璃破碎成玻璃渣，并將玻璃渣球磨成玻璃粉；
b、制備復(fù)合功能相：分別稱取球狀銀粉、片狀銀粉和釕粉并混合均勻，得復(fù)合功能相；
c、制備有機(jī)載體：分別稱取有機(jī)溶劑、高分子增稠劑、分散劑、消泡劑和觸變劑并混合均勻，得有機(jī)載體；
d、制備電阻漿料：將無機(jī)粘接相、復(fù)合功能相和有機(jī)載體混合均勻，得混合漿料；然后將混合漿料置于三輥機(jī)中研磨至混合漿料的平均細(xì)度小于8μm，得電阻漿料。