技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種降低溝槽型IGBT柵集電容并提高其擊穿電壓的方法，在溝槽形成之后熱生長(zhǎng)柵氧化層之前在溝槽底部形成厚氧化層，在此過(guò)程中用高摻雜的多晶硅來(lái)保護(hù)溝槽底部的氧化層，然后全部氧化殘留多晶硅使之成為溝槽底部厚氧化層的一部分，不留任何多晶硅導(dǎo)電層，薄柵氧化層和多晶硅柵按正常工藝形成。本發(fā)明能夠在降低溝槽型IGBT的柵極?集電極電容Cgc、增強(qiáng)擊穿電壓的同時(shí)提高良品率和器件的長(zhǎng)期可靠性，而且生產(chǎn)工藝和標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝高度兼容。本發(fā)明適用于降低溝槽型IGBT柵集電容并提高其擊穿電壓及可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：步建康;徐朝軍;李士垚
受保護(hù)的技術(shù)使用者：河北昂揚(yáng)微電子科技有限公司
文檔號(hào)碼：201710020572
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.12
技術(shù)公布日：2017.05.17