技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
TFT基板(101)具有排列在電介質(zhì)基板(1)上的多個天線單位區(qū)域(U)，包含發(fā)送接收區(qū)域和非發(fā)送接收區(qū)域，發(fā)送接收區(qū)域包含多個天線單位區(qū)域，非發(fā)送接收區(qū)域位于發(fā)送接收區(qū)域以外的區(qū)域，多個天線單位區(qū)域(U)各自具備：薄膜晶體管(10)；第1絕緣層(11)，其覆蓋薄膜晶體管，且具有將薄膜晶體管(10)的漏極電極(7D)露出的第1開口部(CH1)；以及貼片電極(15)，其形成在第1絕緣層(11)上和第1開口部(CH1)內(nèi)，電連接到薄膜晶體管的漏極電極(7D)，貼片電極(15)包含金屬層，金屬層的厚度大于薄膜晶體管的源極電極(7S)和漏極電極(7D)的厚度。

技術(shù)研發(fā)人員：中澤淳;大類貴俊;森重恭;中野文樹;箕浦潔
受保護(hù)的技術(shù)使用者：夏普株式會社
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.06
技術(shù)公布日：2017.09.26