技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的RFeB系燒結(jié)磁體制造方法具有如下工序：工序S1，將稀土元素R的含有率為26.5～29.5重量％的RFeB系合金塊在700～1000℃溫度的氫氣氛中加熱后，一邊維持在750～900℃的溫度一邊在真空中進(jìn)行HDDR處理，由此制作包含平均粒徑為1μm以下的晶粒的多晶體的HDDR后原料合金塊，所述平均粒徑通過由電子顯微鏡圖像求出的圓當(dāng)量直徑而得到；工序S2，在使HDDR后原料合金塊與包含第2合金的接觸物接觸的狀態(tài)下加熱到700～950℃的溫度，由此制作稀土含量高的原料合金塊，所述第2合金的稀土元素R含有率高于所述RFeB系合金；工序S3，將稀土含量高的原料合金塊微粉碎成平均粒徑為1μm以下，由此制作原料合金粉末；取向工序S4，在模具中容納原料合金粉末，不進(jìn)行壓縮成形地對該原料合金粉末施加磁場；燒結(jié)工序S5，將取向工序后的原料合金粉末加熱到850～1050℃的溫度。

技術(shù)研發(fā)人員：佐川真人;宇根康裕;久保博一;杉本諭;松浦昌志;中村通秀
受保護(hù)的技術(shù)使用者：因太金屬株式會社
技術(shù)研發(fā)日：2016.01.08
技術(shù)公布日：2017.08.29