本發(fā)明涉及一種用于從載流子生成空間提取載流子的設(shè)備，所述設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)改變借助于所述設(shè)備提取的粒子總射束的的形狀，以及涉及一種用于運(yùn)行這種設(shè)備的方法。此外，本發(fā)明涉及一種利用一個(gè)或多個(gè)粒子總射束對(duì)基質(zhì)的表面進(jìn)行加工的方法，借助至少一個(gè)這種設(shè)備產(chǎn)生所述粒子總射束。
背景技術(shù)：
：由載流子構(gòu)成的定向的粒子射束、例如離子射束或電子射束在粒子射束源中通過從載流子生成空間、例如等離子體中提取載流子、即離子或電子產(chǎn)生，其中，粒子在離開粒子射束源之后定向并且射束狀地在空間中沿粒子出射方向運(yùn)動(dòng)。為此，尤其是為了產(chǎn)生具有高達(dá)1m的射束寬度的寬射束，使用用于提取載流子的一個(gè)或多個(gè)設(shè)備，所述設(shè)備分別由一個(gè)或多個(gè)柵電極構(gòu)成并且從載流子生成空間中提取粒子，并且必要時(shí)將粒子加速以及將在此產(chǎn)生的各個(gè)粒子子射束相對(duì)于彼此定向。在此，柵電極理解為多個(gè)開口的、即至少兩個(gè)開口的機(jī)械(物理的或材料的)復(fù)合件，載流子能夠穿過所述開口。換言之，柵電極是(通常)面狀的構(gòu)件，其橫向尺寸是其厚度的數(shù)倍大，即，是其沿粒子出射方向的延伸長度的數(shù)倍大，并且柵電極具有多個(gè)開口，所述開口沿厚度方向在構(gòu)件的整個(gè)厚度上延伸并且能夠?qū)崿F(xiàn)使載流子穿流過構(gòu)件。柵電極至少在一些區(qū)域中具有導(dǎo)電材料，所述導(dǎo)電材料能夠被加載電勢(shì)，使得能夠提取載流子并且將其加速或者能夠阻擋子射束。導(dǎo)電的柵電極區(qū)域能夠物理和電傳導(dǎo)地相互連接。這例如在完全由導(dǎo)電材料構(gòu)成的柵電極中是這種情況。然而，各個(gè)導(dǎo)電的柵電極區(qū)域也能夠相互電絕緣，例如通過設(shè)置在其間的電絕緣材料相互電絕緣。在用于提取載流子的設(shè)備中，多個(gè)柵電極能夠沿粒子出射方向依次設(shè)置在相互間隔開的層中，其中，各個(gè)柵電極的開口彼此相對(duì)應(yīng)，使得在對(duì)各個(gè)柵電極或柵電極區(qū)域相應(yīng)地加載電勢(shì)時(shí)，載流子能夠作為粒子子射束穿過柵電極的開口。通常，使用至少三個(gè)柵電極，所述柵電極根據(jù)其功能稱作為等離子?xùn)烹姌O、絲網(wǎng)柵電極或聚束柵電極、稱作為加速或加速度柵電極和稱作為接地柵電極。然而，也能夠?qū)⑵渌姌O設(shè)置在用于提取載流子的設(shè)備中，以便例如對(duì)所產(chǎn)生的粒子總射束關(guān)于其出射方向進(jìn)行影響。此外，粒子射束例如在離子射束或電子射束加工設(shè)施中用于對(duì)基質(zhì)的表面進(jìn)行加工。在此，通過將粒子投射到表面上而改變表面的形態(tài)或表面的其它物理或化學(xué)特性、例如吸濕特性。在此，不僅可達(dá)到的分辨率、即最小的被加工的面積而且加工的質(zhì)量都與所使用的總射束強(qiáng)烈相關(guān)。在此通常適用：以小的射束寬度獲得更好的加工結(jié)果。例如，相比借助具有大的射束寬度的總射束，借助具有小的射束寬度的總射束能夠?qū)⒃谔幱诨|(zhì)的表面上的層內(nèi)的小的厚度差異更準(zhǔn)確地整平。然而這與具有給定的面積的基質(zhì)的較長的加工持續(xù)時(shí)間相對(duì)立。為了解決該問題，在現(xiàn)有技術(shù)中已知用于形成離子射束的不同的可行性，其中，離子射束的寬度或形狀能夠匹配于所需的加工質(zhì)量或加工分辨率。這一方面包括使用不同的擋板或柵電極裝置，借助所述擋板或柵電極裝置能夠隱去或者甚至先不提取離子射束的一部分。因此，為了調(diào)整離子射束的寬度，擋板或者一個(gè)或多個(gè)柵格或者可能地還有整個(gè)離子射束源被替換，然而這通過機(jī)械運(yùn)動(dòng)引起污染或者引起新安裝的離子射束源的長的啟動(dòng)時(shí)間。此外，柵電極裝置的各個(gè)橫向區(qū)域的有針對(duì)性的電控制是已知的。因此，例如在us4,523,971a中描述，柵電極的每個(gè)柵格開口能夠被加載電勢(shì)，使得相應(yīng)的子離子射束穿過或被阻擋。然而，除了高的布線和尋址耗費(fèi)，這引起小的離子流密度，因?yàn)樵跂烹姌O開口的各次電操控之間必須維持一定的最小間隔，這引起各個(gè)開口相互間的大的間距。在us4,758,304a中公開一種柵電極，其中，同心的圓弧段構(gòu)成在導(dǎo)通的層中，其中，圓弧段在一個(gè)共同的部位處中斷并且借助于帶狀導(dǎo)線被加載電勢(shì)，所述帶狀導(dǎo)線設(shè)置在該中斷部中。在這些設(shè)備處不利的是，電導(dǎo)線必須從柵電極的內(nèi)部向外引導(dǎo)至電壓源。在不同的柵電極或柵電極區(qū)域之間的高達(dá)1500v的現(xiàn)有的電勢(shì)差以及柵電極在粒子射束源運(yùn)行期間所遭受的高達(dá)300℃的溫度下，對(duì)這種類型的電勢(shì)加載提出大的挑戰(zhàn)。從de102004002508b4中已知具有蜂窩狀區(qū)段的附加的開關(guān)網(wǎng)格，在這些開關(guān)網(wǎng)格中消除了所述缺點(diǎn)。在此可行的是，從外部接觸和單獨(dú)地電操控每個(gè)蜂窩狀區(qū)段。然而，具有非封閉的橫截面輪廓的離子射束的形成要求操控至少兩個(gè)這種區(qū)段。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：因此本發(fā)明的任務(wù)在于，克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺點(diǎn)，并且借助于可電開關(guān)的柵電極提供用于形成粒子總射束的簡單的可行性。所述任務(wù)通過根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求所述的用于提取載流子的設(shè)備和用于運(yùn)行所述用于提取載流子的設(shè)備的方法來實(shí)現(xiàn)。此外，要求保護(hù)一種用于利用這樣的用于提取載流子的設(shè)備來加工基質(zhì)的表面的方法。有利的擴(kuò)展方案在從屬權(quán)利要求中得到。根據(jù)本發(fā)明的用于從載流子生成空間提取載流子的設(shè)備包括至少一個(gè)電極裝置，所述電極裝置至少具有一個(gè)第一柵電極和一個(gè)第二柵電極，所述第一柵電極和一個(gè)第二柵電極具有相對(duì)應(yīng)的開口，所述第一和第二柵電極分別包含至少一個(gè)第一柵電極區(qū)域，所述第一柵電極區(qū)域能導(dǎo)電地構(gòu)成。所述開口用于使載流子沿粒子出射方向穿流過相應(yīng)的柵電極，并且所述開口具有橫向延伸和預(yù)設(shè)的周邊幾何結(jié)構(gòu)，例如圓形、橢圓形、多邊形的或不規(guī)則的周邊幾何結(jié)構(gòu)。在此，在第一和第二柵電極中的彼此相對(duì)應(yīng)的開口的橫向延伸和/或周邊幾何結(jié)構(gòu)相互略有不同。在第一柵電極和第二柵電極中的“相對(duì)應(yīng)的開口”在本申請(qǐng)的意義中理解為下述開口，所述開口設(shè)置在不同的層中，并且在對(duì)各個(gè)柵電極或柵電極區(qū)域進(jìn)行相應(yīng)的電勢(shì)加載時(shí)適用于，使載流子能夠作為粒子子射束穿流過不同的柵電極的相互對(duì)應(yīng)的開口。根據(jù)本發(fā)明，至少第一柵電極的至少一個(gè)第一柵電極區(qū)域構(gòu)成在第一層中，而第二柵電極的至少一個(gè)第一柵電極區(qū)域構(gòu)成在第二層中。第一層和第二層分別描述一個(gè)在電極裝置內(nèi)部的面，即在用于提取載流子的設(shè)備的空間中的面，至少兩個(gè)所述柵電極設(shè)置在所述空間中，其中，第一層和第二層沿粒子出射方向依次設(shè)置并且相互間沿著粒子出射方向始終通過第一間距間隔開。在此，第一層和第二層能夠描述平坦的或者均勻地或不均勻地彎曲的面，所述面能在層沿粒子出射方向的投影中具有任意的周邊幾何結(jié)構(gòu)。例如，所述層能夠構(gòu)成為，使得穿流過柵電極中的開口的各個(gè)子射束被聚焦、彼此平行地定向或散焦。此外，第二層沿著粒子出射方向設(shè)置在第一層上游或下游是可行的。第一柵電極的所述至少一個(gè)第一柵電極區(qū)域形成第一層的導(dǎo)電的第一層部分。此外，在第一層中構(gòu)成有導(dǎo)電的第二層部分，所述導(dǎo)電的第二導(dǎo)層部分通過第一柵電極或第二柵電極的至少一個(gè)導(dǎo)電的第二柵電極區(qū)域形成。第一層部分和第二層部分是彼此電絕緣的并且分別在第一層的整個(gè)厚度上延伸，即在層沿粒子出射方向的整個(gè)延伸長度上延伸。第二層部分與第二柵電極的所述至少一個(gè)第一柵電極區(qū)域?qū)щ娺B接。不僅在第一層部分中，而且在第二層部分中，在相應(yīng)的柵電極中或在相應(yīng)的柵電極區(qū)域中構(gòu)成上述開口，其中，所述開口適用于載流子穿流。因?yàn)榈谝粚硬糠峙c第二層部分電絕緣，所以所述第一層部分和所述第二層部分能夠被加載不同的或相同的電勢(shì)。對(duì)于第二層部分而言，所述加載根據(jù)本發(fā)明經(jīng)由第二柵電極的所述至少一個(gè)第一柵電極區(qū)域進(jìn)行。因此，省卻了在第一層內(nèi)部的第二層部分的與第一層部分電絕緣的電勢(shì)供應(yīng)。根據(jù)本發(fā)明的用于提取載流子的設(shè)備因此是可電切換的提取柵電極裝置，借助所述提取柵電極裝置能夠改變粒子射束的射束特性。因?yàn)榈谝粬烹姌O和第二柵電極的第一柵電極區(qū)域優(yōu)選在相應(yīng)的柵電極內(nèi)設(shè)置成，使得它們鄰接于相應(yīng)的柵電極的橫向外周邊，所以與第一柵電極的橫向外周邊間隔開的第二層部分是可行的，所述第二層部分具有與第一層部分不同的電勢(shì)。在此，既不需要用于電勢(shì)加載的從第一柵電極的內(nèi)部通向第一柵電極的外周邊的電導(dǎo)線，也不需要柵電極的一個(gè)或多個(gè)區(qū)段的耗費(fèi)的操控。在第一實(shí)施形式中，第一柵電極僅包括所述至少一個(gè)柵電極區(qū)域，而第二柵電極具有至少一個(gè)第二柵電極區(qū)域，該第二柵電極區(qū)域形成第一層的第二層部分。換言之，第一柵電極構(gòu)成為，使得其不完全形成第一層，而是具有至少一個(gè)留空部。所述留空部能夠鄰接于第一柵電極的橫向周邊，即，構(gòu)成在第一柵電極的邊緣上，或者與其間隔開，即構(gòu)成在第一柵電極的內(nèi)部中。第二柵電極的所述至少一個(gè)第二柵電極區(qū)域設(shè)置在留空部中進(jìn)而至少部分地設(shè)置在第一層中。第二柵電極的至少一個(gè)第二柵電極區(qū)域物理和導(dǎo)電地與第二柵電極的至少一個(gè)第一柵電極區(qū)域連接并且優(yōu)選與第二柵電極的至少一個(gè)第一柵電極區(qū)域一件式地構(gòu)成。優(yōu)選的是，第二柵電極的至少一個(gè)第二柵電極區(qū)域構(gòu)成為這樣厚的，使得第二柵電極的至少一個(gè)第二柵電極區(qū)域的第一表面位于第一層中，并且第二柵電極的至少一個(gè)第二柵電極區(qū)域的第二表面位于第二層中，所述第二表面與第一表面相對(duì)置。因此，第二柵電極在至少一個(gè)第二柵電極區(qū)域中比第二柵電極的至少一個(gè)第一柵電極區(qū)域明顯更厚地構(gòu)成。第二柵電極因此“伸入”第一層中或第一柵電極中。在第一實(shí)施形式的另一優(yōu)選的設(shè)計(jì)方案中，第二柵電極的所述至少一個(gè)第二柵電極區(qū)域具有與第二柵電極的所述至少一個(gè)第一柵電極區(qū)域相同的厚度。因此，第二柵電極至少在第一和第二柵電極區(qū)域中構(gòu)成為同樣厚的并且形成為，使得所述至少一個(gè)第二柵電極區(qū)域設(shè)置在第一層中。在所述至少一個(gè)第一柵電極區(qū)域和所述至少一個(gè)第二柵電極區(qū)域之間的過渡區(qū)域中，第二柵電極能夠具有更大或更小的厚度。這意味著，第二柵電極“翻入”第一層中或第一柵電極中。優(yōu)選的是，第一實(shí)施形式的前兩種設(shè)計(jì)方案的第二柵電極構(gòu)成為，使得在第二柵電極的所述至少一個(gè)第一柵電極區(qū)域和第二柵電極的所述至少一個(gè)第二柵電極區(qū)域之間的過渡部在第二柵電極的兩個(gè)表面上連續(xù)地伸展。為此，過渡部例如能夠倒圓地和/或傾斜地構(gòu)成。因此，在第二柵電極和具有另一電勢(shì)的裝置，例如第一柵電極、第二柵電極或者還有載流子生成空間之間的電場(chǎng)內(nèi)的不均勻性減小。在第一實(shí)施形式的另一優(yōu)選的設(shè)計(jì)方案中，第二柵電極的所述至少一個(gè)第一柵電極區(qū)域完全地形成第二層，而第二柵電極的所述至少一個(gè)第二柵電極區(qū)域至少在第二柵電極區(qū)域的一些橫向部段中與第二柵電極的所述至少一個(gè)第一柵電極區(qū)域間隔開。換言之，第二柵電極不形成封閉的構(gòu)成物，而是由兩個(gè)部件構(gòu)成，所述部件在所述至少一個(gè)第二柵電極區(qū)域的一些橫向部段中導(dǎo)電地相互連接。第二柵電極的至少一個(gè)第二柵電極區(qū)域構(gòu)成為物理上獨(dú)立的柵電極，但是其導(dǎo)電地，例如經(jīng)由導(dǎo)電的間隔件與第二柵電極的至少一個(gè)柵電極區(qū)域連接，所述至少一個(gè)第一柵電極區(qū)域完全地形成第二層。在第二實(shí)施形式中，第一柵電極還包括至少一個(gè)第二柵電極區(qū)域，該第二柵電極區(qū)域形成第一層的第二層部分。因此，第一柵電極在物理上一件式地構(gòu)成并且完全地形成第一層，然而所述至少一個(gè)第一柵電極區(qū)域與所述至少一個(gè)第二柵電極區(qū)域電絕緣。第二柵電極具有至少一個(gè)第一柵電極區(qū)域，該第一柵電極區(qū)域構(gòu)成在第二層中并且與第一柵電極的所述至少一個(gè)第二柵電極區(qū)域?qū)щ娺B接。優(yōu)選的是，第二柵電極也在物理上一件式地構(gòu)成并且完全地形成第二層。換言之，第一柵電極和第二柵電極構(gòu)成為，使得所述第一柵電極和第二柵電極完全地形成第一層或第二層并且在第二層部分的區(qū)域中導(dǎo)電地相互連接。也可行的是一種電極裝置，所述電極裝置包括多個(gè)橫向區(qū)域，其中，在不同的區(qū)域中構(gòu)成不同的實(shí)施形式。優(yōu)選的是，在第一柵電極或第二柵電極的至少一個(gè)第二柵電極區(qū)域中的用于載流子穿流的開口與在第二柵電極的至少一個(gè)第一柵電極區(qū)域中的用于載流子穿流的開口在其橫向延伸和/或其周邊幾何結(jié)構(gòu)方面相同或不同。借助調(diào)整在第二柵電極區(qū)域中的開口的橫向延伸和/或周邊幾何結(jié)構(gòu)，由于第二柵電極區(qū)域距具有其它電勢(shì)的裝置關(guān)于第二柵電極的第一柵電極區(qū)域距具有其它電勢(shì)的相同裝置的間距的不同的間距，或者由于在第二柵電極的第一柵電極區(qū)域和第二柵電極區(qū)域之間的厚度差減小，能夠通過電場(chǎng)不同地影響載流子。在兩種實(shí)施形式中，第一層的第二層部分能夠通過第一或第二柵電極的連貫的第二柵電極區(qū)域構(gòu)成。在另一情況中，第一層的第二層部分也能夠通過第一或第二柵電極的彼此間隔開的多個(gè)第二柵電極區(qū)域構(gòu)成。在此，第二柵電極區(qū)域能夠具有相同或不同的周邊幾何結(jié)構(gòu)，即，在柵電極區(qū)域沿粒子出射方向的投影中形成。例如圓形的、橢圓形的、三角形、四邊形或多邊形的形狀或者不規(guī)則的形狀是可行的。第二柵電極區(qū)域能夠均勻地或不均勻地關(guān)于旋轉(zhuǎn)軸線或第一層的一個(gè)或多個(gè)剖切線設(shè)置。此外，所述至少一個(gè)電極裝置優(yōu)選具有至少一個(gè)另外的、導(dǎo)電的并且設(shè)有對(duì)應(yīng)的開口的柵電極。所述另外的柵電極中的每個(gè)柵電極在一個(gè)另外的層中包括至少一個(gè)第一柵電極區(qū)域。所述另外的層能夠沿著粒子出射方向在電子空間中設(shè)置在第二層上游或下游，其中，所述另外的層和與其相鄰的層、例如第二層相互間沿著粒子出射方向通過另一間距間隔開。所述另外的層描述與第一和第二層全等的或類似的面。另一柵電極優(yōu)選是接地柵電極。然而，也能夠存在其它柵電極作為另外的柵電極。如果所述至少一個(gè)電極裝置包括至少一個(gè)另外的柵電極，該柵電極相鄰于第二柵電極設(shè)置在第二柵電極的背離第一柵電極的一側(cè)上，并且第二柵電極構(gòu)造為，使得第二柵電極的所述至少一個(gè)第二柵電極區(qū)域具有與第二柵電極的所述至少一個(gè)第一柵電極區(qū)域相同的厚度，則所述另外的柵電極還具有至少一個(gè)第二柵電極區(qū)域，其設(shè)置在第二層中并且與另外的柵電極的至少一個(gè)第一柵電極區(qū)域?qū)щ姷剡B接。在此，所述另外的柵電極的所述至少一個(gè)第二柵電極區(qū)域在第二層內(nèi)的橫向布置結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)于第二柵電極的所述至少一個(gè)第二柵電極區(qū)域在第一層內(nèi)的橫向布置結(jié)構(gòu)。與這些另外的柵電極相鄰的其它柵電極也能夠具有柵電極區(qū)域，所述柵電極區(qū)域設(shè)置在不同的層中。換言之，其它柵電極也能夠“翻入”或“伸入”相鄰的柵電極中。第一柵電極、第二柵電極或另外的柵電極的所提及的第一和第二柵電極區(qū)域分別具有所描述的開口，所述開口與在其它柵電極中的開口相對(duì)應(yīng)。此外，電極裝置的一個(gè)或多個(gè)或所有柵電極分別具有另外的區(qū)域，在所述另外的區(qū)域中未構(gòu)成開口。這些區(qū)域例如是邊緣區(qū)域，所述邊緣區(qū)域用于將相應(yīng)的柵電極保持在電極裝置中和/或用于對(duì)相應(yīng)的柵電極的與該區(qū)域?qū)щ娺B接的柵電極區(qū)域進(jìn)行電接觸。在一個(gè)特殊的實(shí)施形式中，用于提取載流子的設(shè)備具有多個(gè)用于提取載流子的電極裝置，其中，一個(gè)或多個(gè)電極裝置并排地在第一方向上沿著用于提取載流子的設(shè)備的橫向延伸設(shè)置，并且最多兩個(gè)電極裝置并排地在第二方向上沿著用于提取載流子的設(shè)備的橫向延伸設(shè)置，使得電極裝置幾乎覆蓋用于提取載流子的設(shè)備的整個(gè)橫向延伸。僅用于提取載流子的設(shè)備的邊緣區(qū)域和/或在相鄰的電極裝置之間的區(qū)域能夠從中排除。因?yàn)樗龆鄠€(gè)電極裝置最多設(shè)置在n×2矩陣中，所以所有電極裝置能夠從外部被接觸以加載確定的電勢(shì)。因此，在用于提取載流子的設(shè)備的橫向延伸的內(nèi)部中不需要電輸入導(dǎo)線，并且各個(gè)電極裝置的操控得以簡化。用于提取載流子的設(shè)備的橫向延伸是用于提取載流子的設(shè)備在下述面中的延伸，在所述面中能夠借助于所述至少一個(gè)電極裝置從載流子生成空間、例如等離子體中提取載流子。即，橫向延伸限定為垂直于粒子出射方向。多個(gè)電極裝置能夠具有相同或不同樣式的第二層部分。在此，樣式理解為所述至少一個(gè)第二柵電極區(qū)域的一個(gè)或多個(gè)周邊幾何結(jié)構(gòu)以及所述至少一個(gè)第二柵電極區(qū)域在特定的電極裝置中的橫向布置。優(yōu)選的是，包含在電極裝置中的柵電極中的一個(gè)、多個(gè)或全部柵電極可單獨(dú)地從電極裝置的保持件上分離地或者與其它柵電極之一分離地設(shè)置。因此，例如具有由于熱學(xué)、機(jī)械或電學(xué)應(yīng)力引起的較高的磨損的各個(gè)柵電極能夠單獨(dú)地從電極裝置中取出和更換或者由新的柵電極替代。如果更換第一和第二柵電極并且將其由具有另一樣式的相應(yīng)的柵電極替代，那么能夠提供新的用于提取載流子的設(shè)備，該設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)可產(chǎn)生的粒子射束的新的、其它射束特性。在一種優(yōu)選的實(shí)施形式中，所述至少一個(gè)電極裝置沿粒子出射方向依次包括等離子?xùn)烹姌O、開關(guān)柵電極和加速柵電極，其中，開關(guān)柵電極是第一柵電極，并且等離子?xùn)烹姌O或加速柵電極是第二柵電極。在此，“依次”僅表示：所提及的柵電極按所到的順序設(shè)置。在開關(guān)柵電極和不是第二柵電極的柵電極之間能夠設(shè)置有另外的柵電極。在根據(jù)本發(fā)明的用于運(yùn)行根據(jù)本發(fā)明的具有等離子?xùn)烹姌O、開關(guān)柵電極和加速柵電極的用于提取載流子的設(shè)備的方法中，根據(jù)穿流過所述至少一個(gè)電極裝置之一的粒子射束的期望的射束特性借助于用于產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)電壓的設(shè)備以及開關(guān)設(shè)備來操控所述至少一個(gè)電極裝置中的每個(gè)電極裝置，使得對(duì)特定的電極裝置的開關(guān)柵電極的第一柵電極區(qū)域加載第一電勢(shì)，并且對(duì)特定的電極裝置的加速柵電極加載第二電勢(shì)，其中，開關(guān)柵電極是第一柵電極，并且等離子?xùn)烹姌O或加速柵電極是第二柵電極。在此，第一和第二電勢(shì)的值在用于提取載流子的設(shè)備的各個(gè)開關(guān)狀態(tài)中選擇為，使得所述值允許載流子穿流過相應(yīng)的柵電極區(qū)域或者將相應(yīng)的柵電極區(qū)域?qū)τ谳d流子穿流進(jìn)行阻止，并且所述值始終涉及等離子?xùn)烹姌O或載流子生成空間的電勢(shì)值。在此，用于載流子穿流的第一和第二電勢(shì)的值對(duì)于正的載流子而言始終比等離子?xùn)烹姌O的電勢(shì)更負(fù)并且對(duì)于負(fù)的載流子而言比等離子?xùn)烹姌O的電勢(shì)更正。而用于阻止載流子穿流的第一和第二電勢(shì)的值對(duì)于正的載流子而言是比等離子?xùn)烹姌O或載流子生成空間的電勢(shì)更高的正值，而對(duì)于負(fù)的載流子而言這是更高的負(fù)值。用于開關(guān)柵電極和加速柵電極的各個(gè)具體的電勢(shì)值因此與載流子類型和載流子極性有關(guān)以及與用于提取載流子的設(shè)備和載流子生成空間的具體的設(shè)計(jì)方案有關(guān)。在第一開關(guān)狀態(tài)中，第一電勢(shì)具有第一值u11，并且第二電勢(shì)具有第二值u21，這兩個(gè)值適用于能實(shí)現(xiàn)使載流子穿流過相應(yīng)的柵電極區(qū)域。在此，第一值u11和第二值u21可以是相等的或近似相等的或者是明顯完全不同的，只要確保載流子穿流。借助該第一開關(guān)狀態(tài)，釋放用于提取載流子的電極裝置的整個(gè)橫向延伸，使得產(chǎn)生具有大的橫向延伸的總射束。在第二開關(guān)狀態(tài)中，第一電勢(shì)具有第三值u12，所述第三值防止載流子穿流過開關(guān)柵電極和加速柵電極的與第一層部分相對(duì)應(yīng)的柵電極區(qū)域，并且第二電勢(shì)具有第四值u22，所述第四值能夠?qū)崿F(xiàn)載流子穿流過在開關(guān)柵電極和加速柵電極中的與第二層部分相對(duì)應(yīng)的柵電極區(qū)域。因此，為了提取載流子將第一層部分在電學(xué)方面隱去，由此產(chǎn)生分別具有小的橫向延伸的一個(gè)或多個(gè)子射束。在第三開關(guān)狀態(tài)中，第一電勢(shì)具有第五值u13，并且第二電勢(shì)具有第六值u23，這兩個(gè)值防止載流子穿流過相應(yīng)的柵電極區(qū)域。在此，第五值u13和第六值u23能夠是相等的、近似相等的或不同的。因此防止在電極裝置的整個(gè)橫向延伸上提取載流子并且不產(chǎn)生粒子射束。對(duì)于電勢(shì)的具體的值適用：所述值匹配于電極裝置的相應(yīng)的配置和相應(yīng)的開關(guān)狀態(tài)。因此，例如第三值u12和第五值u13能夠是相等的、近似相等的或不同的，這兩個(gè)值防止載流子穿流過開關(guān)柵電極的所述至少一個(gè)柵電極區(qū)域。類似的內(nèi)容適用于第二值u21和第四值u22，這兩個(gè)值允許載流子穿流過加速柵電極的柵電極區(qū)域。優(yōu)選地，第一電勢(shì)和/或第二電勢(shì)脈沖地進(jìn)行加載。在此，相應(yīng)的電勢(shì)的脈沖長度和/或脈沖比能夠是相等的或彼此不同的。同樣可行的是，相應(yīng)的電勢(shì)的脈沖長度和/或脈沖比在時(shí)間上變化。優(yōu)選地，對(duì)等離子?xùn)烹姌O加載第三電勢(shì)ubeam，其極性與待提取的載流子相關(guān)。在另一實(shí)施形式中，不對(duì)等離子?xùn)烹姌O加載確定的電勢(shì)，使得等離子?xùn)烹姌O的電勢(shì)是浮動(dòng)的并且基本上由載流子生成空間中的附加的等離子電極的電勢(shì)確定。如果電極裝置沿粒子出射方向在加速柵電極下游具有導(dǎo)電的且設(shè)有對(duì)應(yīng)的開口的接地柵電極，所述接地柵電極在第三層中包括至少一個(gè)第一柵電極區(qū)域，其中，第二層和第三層通過第二間距沿著粒子出射方向彼此間隔開，那么接地柵電極優(yōu)選接地。如果用于提取載流子的設(shè)備包括多個(gè)這種電極裝置，那么如上所述那樣操控多個(gè)電極裝置中的每個(gè)電極裝置，使得從用于提取載流子的整個(gè)設(shè)備中出射的至少一個(gè)粒子射束具有期望的射束特性。根據(jù)本發(fā)明，應(yīng)用上述根據(jù)本發(fā)明的用于提取載流子的設(shè)備中的一個(gè)或多個(gè)設(shè)備利用來自用于提取載流子的至少一個(gè)設(shè)備的一個(gè)或多個(gè)粒子射束來加工基質(zhì)的表面，使得在根據(jù)基質(zhì)表面的已知的特性樣式和方法步驟加工基質(zhì)期間，借助于根據(jù)本發(fā)明的用于運(yùn)行用于提取載流子的設(shè)備的方法以期望的方式改變來自用于提取載流子的所述至少一個(gè)設(shè)備的所述一個(gè)或多個(gè)粒子射束的射束特性?；|(zhì)表面的特性樣式理解為關(guān)于基質(zhì)表面的確定的面區(qū)域的物理的和/或化學(xué)的特性以及表面形態(tài)，所述表面形態(tài)具有通過制造或預(yù)處理基質(zhì)而引起的在整個(gè)基質(zhì)表面上的分布?；|(zhì)表面通過載流子的投射而被影響。在此，能夠?qū)⒉牧蠌幕|(zhì)表面去除或者施加在該基質(zhì)表面上或者改變基質(zhì)表面材料的化學(xué)或物理特性，使得能夠?qū)崿F(xiàn)或防止與其它物質(zhì)的反應(yīng)。吸濕的、光學(xué)的、晶體學(xué)的、電學(xué)的、磁性的或其它物理特性的影響也是可行的。優(yōu)選地，將離子用于加工基質(zhì)的表面，使得用于提取載流子的設(shè)備是離子射束源。優(yōu)選地，在用于加工基質(zhì)的表面的方法中控制用于提取載流子的一個(gè)或多個(gè)設(shè)備，使得多個(gè)粒子射束同時(shí)投射到基質(zhì)上，其中，所述多個(gè)粒子射束具有相同的或不同的射束特性。優(yōu)選地，這樣控制用于提取載流子的一個(gè)或多個(gè)設(shè)備，使得多個(gè)粒子射束投射到基質(zhì)表面上的一個(gè)共同的面上，其中，所述多個(gè)粒子射束具有不同的射束特性，并且所述共同的面大致對(duì)應(yīng)于下述投射的粒子射束的投射面，該粒子射束具有所有投射的粒子射束的最大的投射面。因此，例如在僅一個(gè)加工過程中構(gòu)成具有在結(jié)構(gòu)內(nèi)不同的高度或深度和/或具有不同的或不規(guī)則的形狀的結(jié)構(gòu)是可行的。在此，關(guān)于相應(yīng)的粒子射束的橫向延伸或樣式和/或關(guān)于焦點(diǎn)、粒子密度、粒子類型或其它特征的射束特性能夠是不同的。附圖說明下面應(yīng)根據(jù)實(shí)施例和附圖闡述本發(fā)明。在附圖中：圖1示出用于從載流子生成空間(2)提取載流子的設(shè)備(1)的示意圖，所述設(shè)備具有兩個(gè)電極裝置(1a、1b)，所述電極裝置設(shè)置在粒子射束源(3)中。圖2a示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的電極裝置(1a’)的橫截面，所述電極裝置具有等離子?xùn)烹姌O(11’)、開關(guān)柵電極(12’)、加速柵電極(13’)和接地柵電極(14’)。圖2b示出根據(jù)圖2a的電極裝置(1a’)的俯視圖。圖3示出根據(jù)本發(fā)明的電極裝置(1a)的橫截面視圖，其中，第一柵電極(110)的第一柵電極區(qū)域(110a、110b)構(gòu)成在第一層(100)中，并且第二柵電極(210)的第一柵電極區(qū)域(210a、210b)構(gòu)成在第二層(200)中。第一柵電極區(qū)域(110a、110b)形成第一層(100)的第一層部分(101)，在所述第一層中還構(gòu)成有第二層部分(102)，所述第二層部分與第一層部分(101)電絕緣并且與第二柵電極的第一柵電極區(qū)域(210a、210b)導(dǎo)電連接。圖4示出根據(jù)本發(fā)明的電極裝置(1a)的第一實(shí)施形式的第一設(shè)計(jì)方案的橫截面視圖，其中，第二層部分(102)通過第二柵電極的第二柵電極區(qū)域(210c)構(gòu)成。圖5示出根據(jù)本發(fā)明的電極裝置(1a)的第一實(shí)施形式的第二設(shè)計(jì)方案的橫截面視圖。圖6在一個(gè)示例性的設(shè)計(jì)方案中以橫截面視圖示出在第二柵電極的第一柵電極區(qū)域(210a、210b)和第二柵電極的第二柵電極區(qū)域(210c)之間的過渡部的連續(xù)變化。圖7示出根據(jù)本發(fā)明的電極裝置(1a)的第一實(shí)施形式的第三設(shè)計(jì)方案的橫截面視圖。圖8示出根據(jù)本發(fā)明的電極裝置(1a)的第二實(shí)施形式的橫截面視圖，其中，第二層部分(102)通過第一柵電極的第二柵電極區(qū)域(110c)構(gòu)成。圖9a至9d示出在第一層(100)內(nèi)部的不同樣式的第二層部分(102)的俯視圖。圖10示出根據(jù)本發(fā)明的具有兩個(gè)另外的柵電極(401、402)的電極裝置(1a)的實(shí)施形式的橫截面視圖。圖11示出根據(jù)本發(fā)明的電極裝置(1a)的一個(gè)實(shí)施形式，其中，各個(gè)層是彎曲的面，使得粒子子射束(8)被聚焦。圖12示出具有八個(gè)電極裝置(1a-1h)的根據(jù)本發(fā)明的用于提取載流子的設(shè)備(1)的一種實(shí)施形式的俯視圖。圖13a至13c示出根據(jù)本發(fā)明的電極裝置(1a)的一種實(shí)施形式的不同的布線狀態(tài)，其中，開關(guān)柵電極(12)是第一柵電極(110)，并且加速柵電極(13)是第二柵電極(210)。圖14示出用于借助粒子射束(20)加工基質(zhì)(9)的表面的裝置，所述粒子射束借助于根據(jù)本發(fā)明的用于提取載流子的設(shè)備(1)產(chǎn)生。圖15示出根據(jù)圖14的裝置，其中，多個(gè)粒子射束同時(shí)投射到基質(zhì)表面上。圖16示出根據(jù)圖15的裝置，其中，多個(gè)粒子射束投射到基質(zhì)表面上的一個(gè)共同的面上。具體實(shí)施方式圖1示意性地示出用于從載流子生成空間(2)提取載流子的設(shè)備(1)。所述載流子生成空間(2)例如是等離子體，所述等離子體在粒子射束源(3)的殼體(31)內(nèi)部借助于一個(gè)或多個(gè)電極(4)產(chǎn)生。通常，也使用無電極的設(shè)備利用ecr效應(yīng)來產(chǎn)生等離子體，例如電感耦合的等離子源或微波輔助的源。也能夠使用熱絲源。等離子空間，即產(chǎn)生等離子體的空間例如可以鍋狀、槽狀或以如從現(xiàn)有技術(shù)中已知的其它方式構(gòu)成。此外，待提取的載流子也能夠以其它方式產(chǎn)生，使得載流子生成空間(2)不是等離子體。例如能夠使用電子槍或離子槍或者目標(biāo)能夠被霧化以產(chǎn)生離子。載流子生成空間(2)的具體的設(shè)計(jì)方案是可自由選擇的，只要在用于提取載流子的設(shè)備(1)處存在足夠儲(chǔ)備的載流子。用于提取載流子的設(shè)備(1)設(shè)置在粒子射束源(3)中或設(shè)置在其上并且包括一個(gè)或多個(gè)電極裝置(1a、1b)。在此，用于產(chǎn)生載流子的一個(gè)或多個(gè)電極(4)以及用于提取載流子的設(shè)備(1)借助于用于經(jīng)由開關(guān)設(shè)備(6)和相應(yīng)的電導(dǎo)線(7)產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)電壓的設(shè)備(5)被加載電勢(shì)。電極裝置(1a、1b)通常由一個(gè)或多個(gè)柵電極構(gòu)成。圖2a示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的電極裝置(1a’)的橫截面視圖，而圖2b示出柵電極的俯視圖。(在圖2b中的線a-a表示圖2a的視圖的剖切線。)根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的電極裝置(1a’)具有等離子?xùn)烹姌O(11’)、開關(guān)柵電極(12’)、加速柵電極(13’)和接地柵電極(14’)。其中每個(gè)柵電極由導(dǎo)電的柵電極材料(15)構(gòu)成并且具有開口(16)，所提取的載流子(下面簡稱粒子)能夠沿z方向穿流過這些開口。因此，z方向是粒子出射方向。即，開口(16)從柵電極的一個(gè)表面延伸至柵電極的相對(duì)置的表面，其中，開口能夠筆直地或者傾斜地伸展。在不同的柵電極(11’、12’、13’、14’)中的彼此相對(duì)應(yīng)的(齊平的)開口(16)能夠?qū)崿F(xiàn)特定的粒子射束沿z方向的穿流。使用金屬、例如鉬、鎢或者石墨作為柵電極材料，其中，柵電極材料也能夠是由多種導(dǎo)電的材料或者由具有由導(dǎo)電材料構(gòu)成的涂層的不導(dǎo)電的基體構(gòu)成的層序列。開口(16)能夠具有不同的周邊幾何結(jié)構(gòu)，例如，其能夠是圓形的、橢圓形的或多邊形的，開口能夠具有不同的尺寸和/或是相同的或者是不規(guī)則地分布到柵電極在x-y平面中的橫向延伸上。開口(16)例如具有0.5mm至3mm的孔直徑，而柵電極材料(15)典型地具有0.5mm至1mm的腹板寬度，即在兩個(gè)相鄰的開口(16)之間的寬度。在此，開口(16)在柵電極的整個(gè)橫向延伸上的分布能夠構(gòu)造成，使得在粒子射束中或者在粒子射束的選定的區(qū)域中實(shí)現(xiàn)電流密度的均勻分布。此外，能夠借助開口(16)的布置的密度(即借助選擇在相鄰的開口(16)之間的腹板寬度)調(diào)整在粒子射束的相對(duì)應(yīng)的區(qū)域中可實(shí)現(xiàn)的電流密度。因此，例如通過開口(15)的緊密的布置、即小的腹板寬度實(shí)現(xiàn)高的電流密度。每個(gè)柵電極具有沿x方向的第一橫向延伸(10)、沿y方向的第二橫向延伸(19)和沿z方向的厚度(17)，其中，第一橫向延伸(10)和第二橫向延伸(19)能夠是幾毫米至幾米，并且厚度(17)能夠典型地是200μm至1mm。但是在柵格的橫向延伸非常大的情況下也可需要的是，使用例如幾毫米厚度的較厚的柵格。柵電極能夠具有任意的周邊幾何結(jié)構(gòu)，所述周邊幾何結(jié)構(gòu)例如能夠是矩形的、圓形的、橢圓形的或多邊形的。優(yōu)選的是，電極裝置的全部柵電極類似地構(gòu)造或僅在所提及的參數(shù)方面具有小的差異。各個(gè)柵電極相互間具有間距(18)，所述間距典型地位于0.5mm和1.5mm之間并且優(yōu)選在所有柵電極之間是相等的。所提及的柵電極參數(shù)根據(jù)柵電極的機(jī)械的、電學(xué)的和熱學(xué)的應(yīng)力選擇。柵電極分別構(gòu)成在層中，所述層要么是平坦的(如在圖2a中示出的)，要么具有曲率半徑，但在各個(gè)柵電極之間的間距始終保持大致相等。其特征是，每個(gè)柵電極僅構(gòu)成在一個(gè)層中，并且每個(gè)層與其它層完全電絕緣。與此相反，根據(jù)本發(fā)明的電極裝置(1a)，如其在圖3中示出的，特征在于位于形成第一層的層部分的柵電極區(qū)域和構(gòu)成在第二層中的柵電極區(qū)域之間的導(dǎo)電連接部，其中，在第一層中的柵電極區(qū)域與在第一層中的其它柵電極區(qū)域電絕緣。圖3示出該裝置的示意圖。示出的是第一層(100)和第二層(200)，所述第一層和第二層用虛線表示并且分別形成封閉的面。第一層(100)和第二層(200)通過第一間距(300)彼此間隔開。在第一層(100)中設(shè)置有第一柵電極，所述第一柵電極具有第一柵電極區(qū)域(110a、110b)。所述柵電極區(qū)域(110a、110b)形成第一層(100)的第一層部分(101)。在第二層中設(shè)置有第二柵電極，所述第二柵電極具有第一柵電極區(qū)域(210a、210b)。在第一層(100)中還設(shè)置有另一柵電極區(qū)域(陰影示出)，所述另一柵電極區(qū)域形成第一層(100)的第二層部分(102)，并且所述另一柵電極區(qū)域與第一層(100)的第一層部分(101)電絕緣，但與在第二層(200)中的第二柵電極的第一柵電極區(qū)域(210a、210b)導(dǎo)電連接。所述導(dǎo)電連接部示意性地通過具有附圖標(biāo)記301的線條示出，其中，電連接部(301)不必是在跨接線等的意義中的電導(dǎo)線。構(gòu)成第一層(100)的層部分、即第一層部分(101)和第二層部分(102)的所有的柵電極區(qū)域具有柵電極材料和開口，如參考圖2描述的那樣。設(shè)置在第二層(200)中的柵電極區(qū)域也包括柵電極材料和用于載流子穿流的開口。在此，在第一層(100)和第二層(200)的柵電極區(qū)域中的彼此相對(duì)應(yīng)的開口能夠?qū)崿F(xiàn)特定的粒子射束沿著筆直的線穿流過第一和第二層。如在圖3中可見，第二層部分(102)與第一層(100)的周邊間隔開，即處于第一層(100)的內(nèi)部。盡管如此，通過與第二柵電極的鄰接于第二層(200)的周邊上的第一柵電極區(qū)域(210a、210b)連接的電連接部(301)經(jīng)由在電極裝置(1a)的外部的限界部、即周邊上的電接觸利用與第一層部分(101)不同的電勢(shì)對(duì)第二層部分(102)進(jìn)行加載是可行的。在第二層(200)中，除了第二柵電極的第一柵電極區(qū)域(210a、210b)之外，還能夠構(gòu)成有第二柵電極的另外的柵電極區(qū)域或另一柵電極的柵電極區(qū)域。也可行的是，第二柵電極的第一柵電極區(qū)域(210a、210b)在整個(gè)第二層(100)上連續(xù)地延伸。為了清楚地示出根據(jù)本發(fā)明的基礎(chǔ)構(gòu)思，在圖3中僅示出第二柵電極的第一柵電極區(qū)域(210a、210b)，而略去在第二層(200)中的其它區(qū)域。下面根據(jù)一些實(shí)施例闡述電連接部(301)以及第一柵電極和第二柵電極的設(shè)計(jì)方案，其中，為了更好地觀察，放棄示出在各個(gè)柵電極中的開口(16)。即使分別僅示出一個(gè)形成第二層部分的柵電極區(qū)域，所述柵電極區(qū)域的數(shù)量也是不受限的。在根據(jù)本發(fā)明的電極裝置(1a)的第一實(shí)施形式中，第一柵電極僅具有第一柵電極區(qū)域(110a、110b)進(jìn)而不構(gòu)成整個(gè)第一層(100)，而第一層(100)的第二層部分(102)通過第二柵電極的第二柵電極區(qū)域(210c)形成。圖4示出該實(shí)施形式的第一設(shè)計(jì)方案，其中，第二柵電極的第二柵電極區(qū)域(210c)比第一柵電極區(qū)域(210a、210b)更厚。因此，第二柵電極區(qū)域(210c)的第一表面(211)構(gòu)成在第一層(100)中，而第二柵電極區(qū)域(210c)的第二表面(212)設(shè)置在第二層(200)中。在此，第一表面(211)和第二表面(212)相對(duì)置。因此，第二柵電極“伸入”到第一層(100)中。第二柵電極區(qū)域(210c)優(yōu)選與第二柵電極的第一柵電極區(qū)域(210a、210b)一件式地構(gòu)成并且例如能夠借助于添加法(選擇性沉積)或削減法(刻蝕法)制成。此外優(yōu)選的是，在第二柵電極區(qū)域(210c)中的開口的幾何結(jié)構(gòu)、例如孔直徑相對(duì)于在第一柵電極區(qū)域(210a、210b)中的開口改變，以便補(bǔ)償該區(qū)域的較大的厚度對(duì)穿過的載流子的影響。替選地或附加地，在第二柵電極區(qū)域(210c)中的開口也能夠與在第一柵電極區(qū)域(210a、210b)中不同地設(shè)置。圖5示出第一實(shí)施形式的第二設(shè)計(jì)方案，其中，第二柵電極區(qū)域(210c)具有與第二柵電極的第一柵電極區(qū)域(210a、210b)相同的厚度并且與該第一柵電極區(qū)域一件式地構(gòu)成。因此，第二柵電極“翻入(hineingestülpt)”到第一層(100)中。所述設(shè)計(jì)方案例如能夠通過第二柵電極的成型法、例如模鍛成型法制成。在此，在第二柵電極區(qū)域(210c)中的開口的幾何結(jié)構(gòu)和/或布置與在第一柵電極區(qū)域(210a、210b)中不同。在第一實(shí)施形式的兩個(gè)設(shè)計(jì)方案中，為了避免在電場(chǎng)中的不均勻性和第二柵電極的機(jī)械應(yīng)力，在第一柵電極區(qū)域(210a、210b)和第二柵電極區(qū)域(210c)之間的過渡部連續(xù)地構(gòu)造。這示例性地對(duì)于在圖6中的第一設(shè)計(jì)方案示出。在此，在第二柵電極區(qū)域(210c)的第一表面到第一柵電極區(qū)域(210a、210b)的表面之間的過渡部分別傾斜地伸展。替選地或附加地，第二柵電極的表面在過渡部位處能夠是倒圓的，使得產(chǎn)生圓的“棱邊”。圖7示出第一實(shí)施形式的另一設(shè)計(jì)方案，其中，第二柵電極的第二柵電極區(qū)域(210c)不與第二柵電極的第一柵電極區(qū)域(210a)一件式地構(gòu)成。在這種情況下，第一柵電極區(qū)域(210a)完全地形成第二層(200)，而第二柵電極區(qū)域(210c)以第一間距(300)與第二柵電極的第一柵電極區(qū)域(210a)間隔開并且經(jīng)由至少一個(gè)導(dǎo)電的間隔件(302)與第二柵電極的第一柵電極區(qū)域(210a)連接。這樣的間隔件(302)例如能夠是凸塊、球、柱體等，其既確保電連接也確保第二柵電極區(qū)域(210c)在第一層(100)中的布置的機(jī)械穩(wěn)定性。第二柵電極的第二柵電極區(qū)域(210c)--除了經(jīng)由間隔件(302)之外--不具有與第一柵電極的第一柵電極區(qū)域(110a、110b)的物理(機(jī)械)連接。第二柵電極區(qū)域(210c)能夠作為獨(dú)立的構(gòu)件制成，所述構(gòu)件隨后與第一柵電極區(qū)域(210a)借助于間隔件(302)連接。然而也可行的是，第二柵電極區(qū)域(210c)與第二柵電極的第一柵電極區(qū)域(210a)或者與第一柵電極的第一柵電極區(qū)域(110a、110b)一起制造，并且隨后產(chǎn)生物理或機(jī)械“分離”。在根據(jù)本發(fā)明的電極裝置(1a)的第二實(shí)施形式中，第一柵電極除了第一柵電極區(qū)域(110a、110b)之外具有第二柵電極區(qū)域(110c)，該第二柵電極區(qū)域與第一柵電極區(qū)域(110a、110b)物理(機(jī)械)連接并且形成第一層(100)的第二層部分(102)。因此，第一柵電極構(gòu)成整個(gè)第一層(100)。這在圖8中示出。第一柵電極的第二柵電極區(qū)域(110c)通過電絕緣的柵電極區(qū)域(110d)與第一柵電極區(qū)域(110a、110b)電絕緣并且與第二柵電極的完全填滿第二層(200)的第一柵電極區(qū)域(210a)經(jīng)由至少一個(gè)導(dǎo)電連接部(301)導(dǎo)電地連接。所述導(dǎo)電連接部(301)能夠再次是已經(jīng)參考圖7描述的間隔件，然而其在該實(shí)施形式中不必確保所述布置的機(jī)械穩(wěn)定性，因?yàn)樗鰴C(jī)械穩(wěn)定性已經(jīng)通過第一柵電極的電絕緣的柵電極區(qū)域(110d)得到。如已經(jīng)闡述的，第二層部分(102)能夠通過連貫的柵電極區(qū)域構(gòu)成。這在圖9a和9b中示出，所述附圖示出具有第一層部分(101)和第二層部分(102)的第一層(100)。通過在兩個(gè)層部分之間的電絕緣的中間區(qū)域或物理間距產(chǎn)生的電絕緣部在這種情況下沒有示出。圖9c和9d示出其它實(shí)施例，其中，第二層部分(102)通過多個(gè)彼此間隔開的柵電極區(qū)域構(gòu)成。在圖9c中，三個(gè)圓形的柵電極區(qū)域形成第二層部分(102)，而在圖9d中四個(gè)矩形的柵電極區(qū)域形成第二層部分(102)。在所示出的示例中，第二層部分(102)的柵電極區(qū)域分別關(guān)于其周邊幾何結(jié)構(gòu)全部類似地構(gòu)造并且相同地設(shè)置在第一層(100)內(nèi)部，例如關(guān)于第一層(100)的中心點(diǎn)。然而這是必要的，使得各個(gè)柵電極區(qū)域也能夠關(guān)于其周邊幾何結(jié)構(gòu)和/或其在第一層(100)內(nèi)部的布置不同地構(gòu)造。在圖9d中同樣可見，形成第二層部分(102)的柵電極區(qū)域也能夠鄰接于第一層(100)的周邊。第一層(100)的周邊幾何結(jié)構(gòu)以及形成第二層部分(102)的柵電極區(qū)域不局限于所示出的幾何結(jié)構(gòu)。同樣地，形成第二層部分(102)的柵電極區(qū)域在第一層(100)內(nèi)部的其它布置方式是可行的。形成第二層部分(102)的柵電極區(qū)域的周邊幾何結(jié)構(gòu)和尺寸以及所述柵電極區(qū)域在第一層(100)內(nèi)部的布置方式構(gòu)成電極裝置(1a)的一個(gè)樣式。除了第一柵電極和第二柵電極之外，電極裝置還能夠具有另外的柵電極，所述另外的柵電極同樣是導(dǎo)電的并且具有相對(duì)應(yīng)的開口。在圖10中示例地繪出兩個(gè)另外的柵電極，使得電極裝置(1a)由四個(gè)柵電極構(gòu)成。所述柵電極在所示出的情況下是實(shí)現(xiàn)開關(guān)柵電極(12)的第一柵電極(110)、表示加速柵電極(13)的第二柵電極(210)以及作為等離子?xùn)烹姌O(11)和接地柵電極(14)作用的兩個(gè)另外的柵電極(401、402)。在其它實(shí)施例中，柵電極也能夠不同地設(shè)置，因此，柵電極的功能也能夠不同地相關(guān)聯(lián)。例如也可行的是，第一柵電極(110)是開關(guān)柵電極，并且等離子?xùn)烹姌O實(shí)現(xiàn)第二柵電極(210)。然而，柵電極沿粒子出射方向、即遠(yuǎn)離電荷生成空間地始終以下述順序設(shè)置：等離子?xùn)烹姌O(11)、開關(guān)柵電極(12)、加速柵電極(13)和接地柵電極(14)。在此，另外的柵電極例如能夠設(shè)置在等離子?xùn)烹姌O(11)和開關(guān)柵電極(12)之間或者設(shè)置在加速柵電極(13)和接地柵電極(14)之間，但不設(shè)置在形成第一柵電極和第二柵電極的柵電極之間。另外的柵電極(401、402)分別包括至少一個(gè)第一柵電極區(qū)域，所述第一柵電極區(qū)域設(shè)置在另外的層中，其中，所述另外的層和與其相鄰的層通過另一間距沿著粒子出射方向彼此間隔開。如在圖10中示出的，等離子?xùn)烹姌O(11)設(shè)置在第三層中，所述第三層通過第二間距與第一層間隔開，其中，等離子?xùn)烹姌O(11)在所示出的情況下僅在第三層中具有柵電極區(qū)域。因此，等離子?xùn)烹姌O(11)均勻地構(gòu)成并且不具有“凸出部”或者其它不規(guī)則性，所述不規(guī)則性例如可不利地影響等離子體。當(dāng)?shù)诙烹姌O(201)(在所示出的情況中是加速柵電極(13))根據(jù)電極裝置(1a)的第一實(shí)施形式的第二設(shè)計(jì)方案如在圖5中示出的那樣構(gòu)造，并且因而“翻入”第一層中時(shí)，設(shè)置在第二柵電極(210)的背離第一柵電極(110)的側(cè)面上的一個(gè)(或者多個(gè))另外的柵電極能夠具有第二柵電極區(qū)域，所述第二柵電極區(qū)域設(shè)置在第二層中。換言之：因此，另外的柵電極也能夠“翻入”到相應(yīng)地相鄰的層中。這在圖10中示例性地對(duì)于接地柵電極(14)示出，所述接地柵電極具有第一柵電極區(qū)域(402a、402b)和第二柵電極區(qū)域(402c)。第一柵電極區(qū)域(402a、402b)設(shè)置在第四層中，所述第四層以第三間距與第二層間隔開，而第二柵電極區(qū)域(402c)設(shè)置在第二層中。因此，有利地，在具有不同的電勢(shì)的區(qū)域之間的間距，例如在加速柵電極(13)和接地柵電極(14)之間的間距在相關(guān)的柵電極的整個(gè)延伸長度上是相等的，使得產(chǎn)生均勻的粒子射束。圖11示出用于電極裝置(1a)的一個(gè)示例，其中各個(gè)層不是平坦的，而是彎曲的面，使得穿過在柵電極中的開口的各個(gè)粒子子射束(8)被聚焦，使得所述粒子子射束全部集中地投射到基質(zhì)(9)上的共同的投射面上。電極裝置(1a)再次具有參考圖10描述的柵電極，其中，第一柵電極(110)和第二柵電極(210)如在參考圖5描述的設(shè)計(jì)方案中那樣構(gòu)成。開口的周邊幾何結(jié)構(gòu)、尺寸和/或在各個(gè)柵電極中的布置的匹配是有利的，以便補(bǔ)償層作為彎曲的面、即作為具有明顯的、有限的半徑的面的設(shè)計(jì)。在圖12中示出具有多個(gè)電極裝置(1a-1h)的根據(jù)本發(fā)明的用于提取載流子的設(shè)備(1)的一種實(shí)施形式的俯視圖。在此，電極裝置(1a-1h)設(shè)置在4×2矩陣中，即在兩行中分別設(shè)置有四個(gè)電極裝置(1a-1d或1e-1h)。因此，沿著所述設(shè)備(1)的第一橫向延伸方向、即沿著x方向依次設(shè)置有四個(gè)電極裝置(1a-1d或1e-1h)，而沿著所述設(shè)備(1)的第二橫向延伸方向、即沿著y方向依次設(shè)置有僅兩個(gè)電極裝置。因此，所有電極裝置(1a-1h)可從設(shè)備(1)的外周邊被電接觸，使得所述電極裝置能夠經(jīng)由開關(guān)設(shè)備(6)或多個(gè)開關(guān)設(shè)備和相應(yīng)的電導(dǎo)線(7)被加載一個(gè)或多個(gè)電勢(shì)。在所示出的情況中，所有電極裝置(1a-1h)具有第一層的層部分的相同的樣式，然而，一個(gè)或多個(gè)或所有電極裝置也能夠具有不同的樣式。如所示出的，電極裝置(1a-1h)幾乎覆蓋設(shè)備(1)的整個(gè)橫向延伸，其中，僅邊緣區(qū)域以及在各個(gè)電極裝置(1a-1h)之間的中間區(qū)域不被覆蓋。參考圖13a至13c，示例性地以一個(gè)實(shí)施例闡述根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備(1)如何運(yùn)行，使得產(chǎn)生穿過至少一個(gè)電極裝置(1a)的粒子射束的期望的射束特性。在該實(shí)施例中，示出電極裝置的布線，所述電極裝置具有用作為第一柵電極(110)的開關(guān)柵電極(12)和用作為第二柵電極(210)的加速柵電極(13)，其中，加速柵電極(13)沿粒子出射方向設(shè)置在開關(guān)柵電極(12)下游。第一柵電極(110)和第二柵電極(210)例如如在圖4中示出的第一實(shí)施形式的第一設(shè)計(jì)方案那樣構(gòu)成。第一柵電極(110)和第二柵電極(210)經(jīng)由開關(guān)設(shè)備(6)與用于產(chǎn)生電壓的設(shè)備(5)連接，該設(shè)備能夠提供用于第一柵電極(110)的第一柵電極區(qū)域(110a、110b)的第一電勢(shì)的至少兩個(gè)不同的值和用于第二柵電極(210)的第一柵電極區(qū)域(210a、210b)和第二柵電極(210)的與該第一柵電極區(qū)域?qū)щ娺B接的第二柵電極區(qū)域(210c)的第二電勢(shì)的至少兩個(gè)不同的值。也能夠利用多個(gè)開關(guān)設(shè)備(6)和/或多個(gè)用于產(chǎn)生電壓的設(shè)備(5)。在第一開關(guān)狀態(tài)中，在圖13a中示出，第一電勢(shì)具有第一值u11，并且第二電勢(shì)具有第二值u21，其中，所述值適用于從載流子生成空間提取載流子。即，對(duì)于正的載流子，第一值u11和第二值u21小于(更負(fù)于)在載流子生成空間中的電勢(shì)的值或等離子?xùn)烹姌O的電勢(shì)的值(下面稱為ubeam)，而對(duì)于負(fù)的載流子情況是相反的。在此，第二值u21的數(shù)值例如能夠以最大±10％偏離于第一值u11的數(shù)值。然而，更大的差別也是可能的，只要第一和第二電勢(shì)允許載流子穿過所有柵電極區(qū)域。因?yàn)榈谝粬烹姌O(110)的第一柵電極區(qū)域(110a、110b)的電勢(shì)與第二柵電極(210)的第一柵電極區(qū)域(210a、210b)和第二柵電極區(qū)域(210c)的電勢(shì)都適宜于提取載流子，因此利用用于提取載流子的電極裝置的整個(gè)橫向延伸。因此產(chǎn)生具有大的橫向延伸的總射束(20a)。例如，用于示例性的具有40mm的柵電極直徑的電極裝置的這種聚焦的離子射束在待加工的基質(zhì)表面上具有約4.5mm的投射直徑。在此，“柵電極直徑”理解為電極裝置關(guān)于層的一個(gè)圓形區(qū)域的直徑，在所述圓形區(qū)域中構(gòu)成有柵電極區(qū)域。柵電極區(qū)域具有上面描述的開口，而各個(gè)柵電極此外也能夠具有邊緣區(qū)域，例如用于將柵電極物理固定在殼體或者其它設(shè)備中或者用于施加電勢(shì)到柵電極上，在所述邊緣區(qū)域中沒有構(gòu)成開口。因此，電極裝置的橫向尺寸和電極裝置的周邊幾何結(jié)構(gòu)均能夠與該區(qū)域不同。在第二開關(guān)狀態(tài)中，在圖13b中示出，第一電勢(shì)具有第三值u12，而第二電勢(shì)具有第四值u22。在此，第三值u12適用于防止或在很大程度上限制從載流子生成空間中提取載流子。換言之：對(duì)于正的載流子，第三值u12大于(更正于)載流子生成空間中的電勢(shì)的值或者ubeam，而對(duì)于負(fù)的載流子情況是相反的。而第四值u22適用于提取載流子，其中，第四值u22能夠等于第二值u21，如這在圖13b中示出的。然而第四值u22也能夠不同于第二值u21，以便補(bǔ)償改變的電氣環(huán)境條件。因此，僅還有第二柵電極(210)的第二柵電極區(qū)域(210c)有助于提取載流子，所述第二柵電極區(qū)域形成第一層的第二層部分并且與第二柵電極(210)的第一柵電極區(qū)域(210a、210b)導(dǎo)電連接，而第二柵電極(210)的第一柵電極區(qū)域(210a、210b)通過第一柵電極(110)的第一柵電極區(qū)域(110a、110b)被屏蔽。因此，子射束(20b)僅反映第一層的第二層部分的幾何結(jié)構(gòu)并且具有小于總射束(20a)的尺寸的尺寸。因此，在所示出的示例中，產(chǎn)生具有例如為約2mm的較小的直徑的子射束(20b)，其中，第二柵電極(210)的第二柵電極區(qū)域(210c)的直徑、即第一層的第二層部分的直徑為10mm。在第三開關(guān)狀態(tài)中，在圖13c示出，第一電勢(shì)具有第五值u13，并且第二電勢(shì)具有第六值u23，其中，第五值u13和第六值u23適用于防止或在很大程度上限制從載流子生成空間中提取載流子。因此，第五值u13和第六值u23對(duì)于正的載流子而言大于(更正于)載流子生成空間中的電勢(shì)的值或者ubeam，而對(duì)于負(fù)的載流子而言情況是相反的。第五值u13能夠等于第三值u12，如這在圖13c中示出的。然而，第五值u13也能夠不同于第三值u12，以便補(bǔ)償改變的電氣環(huán)境條件。此外，第六值u23能夠等于或近似等于或者不同于第五值u13。因?yàn)楝F(xiàn)在第一層的所有層部分位于一個(gè)電勢(shì)上，所述電勢(shì)防止提取載流子，所以不產(chǎn)生粒子射束。在下表中列出用于等離子?xùn)鸥竦碾妱?shì)的示例值以及用于正的載流子的第一和第二電勢(shì)的通過或阻斷的值的示例值：ubeamu11u12,u13u21,u22u23700v-100v800…900v-100v800…900v此外，也能夠提供具有第一或第二電勢(shì)的另外的值的另外的開關(guān)狀態(tài)。因此也能夠產(chǎn)生具有與在此示出的相比不同形狀的粒子射束，例如粒子射束，其雖然在電極裝置的整個(gè)橫向延伸上延伸，然而在第一層部分的區(qū)域中具有與在第二層部分的區(qū)域中相比不同的粒子密度或粒子能量。第一和/或第二電勢(shì)也能夠脈沖地加載，其中，脈沖持續(xù)時(shí)間以及脈沖比能夠是相同的或彼此不同的和/或隨著時(shí)間變化的。等離子?xùn)鸥衲軌蛉缟纤霰患虞d第三電勢(shì)ubeam或者浮動(dòng)。當(dāng)電極裝置在加速柵格下游還具有接地柵電極時(shí)，所述接地柵電極優(yōu)選是接地的。下面，參考圖14至16闡述利用來自至少一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備(1)的一個(gè)或多個(gè)粒子射束對(duì)基質(zhì)(9)的表面進(jìn)行加工的方法。在圖14中示出粒子射束源(3)，所述粒子射束源包括根據(jù)本發(fā)明的用于提取載流子的設(shè)備(1)并且產(chǎn)生粒子射束(20)，所述粒子射束投射到基質(zhì)(9)的表面上并且對(duì)所述表面進(jìn)行加工。在此，粒子射束源(3)和基質(zhì)表面沿著z方向、即粒子出射方向以間距(21)設(shè)置，該間距通過粒子射束源(3)和/或基質(zhì)(9)沿著z方向的運(yùn)動(dòng)而是可改變的。此外，粒子射束源(3)和/或基質(zhì)(9)能夠橫向地、即沿x方向和/或y方向運(yùn)動(dòng)，與z方向和/或與x-y平面傾斜，和/或圍繞平行于z方向伸展的軸線旋轉(zhuǎn)。所有運(yùn)動(dòng)能夠相同或不同地執(zhí)行。在對(duì)基質(zhì)表面進(jìn)行加工期間，根據(jù)基質(zhì)表面的已知的特性樣式和根據(jù)方法步驟借助于上述用于控制射束特性(圖13a-13c)的方法控制粒子射束(20)的射束特性，使得在結(jié)束加工之后存在基質(zhì)表面的期望的特性樣式。例如，基質(zhì)表面能夠在具有均勻的特性樣式的大面積的區(qū)域中借助具有大的橫向延伸的粒子射束、例如圖13a中的總射束(20a)進(jìn)行加工，而為了加工具有均勻的特性樣式的較小的區(qū)域使用具有較小的橫向延伸的粒子射束、例如圖13b中的子射束(20b)。在基質(zhì)表面的特定的區(qū)域中的期望的加工質(zhì)量或數(shù)量對(duì)于選擇特定的射束特性也能夠是決定性的。如果使用來自一個(gè)或多個(gè)根據(jù)本發(fā)明的用于提取載流子大的設(shè)備(1)的多個(gè)粒子射束來加工基質(zhì)表面，那么基質(zhì)表面能夠同時(shí)在基質(zhì)表面的多個(gè)橫向延伸區(qū)域中被加工。這示意性地在圖15中示出，其中示例性地示出用于提取載流子的設(shè)備(1)的三個(gè)電極裝置(1a-1c)。然而，電極裝置(1a-1c)也能夠分別包含在用于提取載流子的多個(gè)設(shè)備(1)之一中，其中，用于提取載流子的特定的設(shè)備(1)分別包含在特定的粒子射束源中。因此，例如能夠同時(shí)執(zhí)行相同的或不同的方法，所述方法利用不同的粒子或不同的射束特性來進(jìn)行加工。在圖16中示出用于加工基質(zhì)表面的方法的另一實(shí)施形式，其中，來自用于提取載流子的一個(gè)或多個(gè)設(shè)備(1)的借助于電極裝置(1a-1c)產(chǎn)生的粒子射束投射在基質(zhì)表面上的共同的面上。即，粒子射束定向到同一表面區(qū)域上，其中，共同的面由在基質(zhì)表面的平面中具有最大的橫向延伸的那個(gè)粒子射束的投射面確定。不同的粒子射束具有不同的橫向尺寸并且能夠具有不同的形狀、聚焦、粒子密度、粒子能量和/或粒子類型。因此例如能夠借助共同的刻蝕步驟實(shí)現(xiàn)在基質(zhì)表面中的結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)具有不同的刻蝕深度，在所述基質(zhì)表面中例如具有小的橫向延伸的粒子射束和具有大的橫向延伸的粒子射束被組合。在兩個(gè)粒子射束投射的部位處實(shí)現(xiàn)高的剝離速率進(jìn)而實(shí)現(xiàn)大的刻蝕深度，而在僅具有大的橫向延伸的粒子射束投射的區(qū)域中實(shí)現(xiàn)小的剝離速率進(jìn)而實(shí)現(xiàn)小的刻蝕深度。根據(jù)本發(fā)明的用于提取載流子的設(shè)備(1)以及用于運(yùn)行根據(jù)本發(fā)明的用于提取載流子的設(shè)備(1)和用于加工基質(zhì)表面的方法的所有設(shè)計(jì)方案和實(shí)施形式能夠相互和彼此間組合，只要這沒有被明確排除或者出于物理和/或技術(shù)原因是不可能的。附圖標(biāo)記列表：1用于提取載流子的設(shè)備1a-1h根據(jù)本發(fā)明的電極裝置1a’根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的電極裝置2載流子生成空間3粒子射束源31粒子射束源的殼體4電極5用于產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)電壓的設(shè)備6開關(guān)設(shè)備7電導(dǎo)線8粒子子射束9基質(zhì)10電極裝置沿x方向的橫向延伸11根據(jù)本發(fā)明的等離子?xùn)烹姌O11’根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的等離子?xùn)烹姌O12根據(jù)本發(fā)明的開關(guān)柵電極12’根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的開關(guān)柵電極13根據(jù)本發(fā)明的加速柵電極13’根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的加速柵電極14根據(jù)本發(fā)明的接地柵電極14’根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的接地柵電極15柵電極材料16在柵電極中的開口17柵電極的厚度18在兩個(gè)柵電極之間的間距19電極裝置沿y方向的橫向延伸20粒子射束20a總射束20b子射束21用于提取載流子的設(shè)備距基質(zhì)平面的間距100第一層101第一層的第一層部分102第一層的第二層部分110第一柵電極110a、110b第一柵電極的第一柵電極區(qū)域110c第一柵電極的第二柵電極區(qū)域110d第一柵電極的電絕緣的柵電極區(qū)域200第二層210第二柵電極210a、201b第二柵電極的第一柵電極區(qū)域210c第二柵電極的第二柵電極區(qū)域211第二柵電極的第二柵電極區(qū)域的第一表面212第二柵電極的第二柵電極區(qū)域的第二表面300第一間距(在第一和第二層之間的間距)301在第一層的第二層部分和第二柵電極的第一柵電極區(qū)域之間的導(dǎo)電連接部302導(dǎo)電的間隔件401、402另外的柵電極401a、402a另外的柵電極的第一柵電極區(qū)域402c另外的柵電極的第二柵電極區(qū)域當(dāng)前第1頁12