本實(shí)用新型屬于電容器的技術(shù)領(lǐng)域，具體地說(shuō)，涉及一種金端垂直電極多層芯片瓷介電容器。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的多層芯片瓷介電容器是由內(nèi)部多層結(jié)構(gòu)、外電極組成，且外電極為左右兩端引出，內(nèi)電極與瓷體呈平行分布，如圖4所示。在微組裝電路中，兩個(gè)連接端之間的間距很小，這類(lèi)多層芯片瓷介電容器不能滿足微組裝的安裝方法共晶、導(dǎo)電膠等，同時(shí)單層瓷介電容器也不能實(shí)現(xiàn)同等尺寸下更大容量，為滿足微組裝和實(shí)現(xiàn)更大容值。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中上述的不足，本實(shí)用新型提供一種滿足微組裝和實(shí)現(xiàn)更大容值的金端垂直電極多層芯片瓷介電容器。

為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用的解決方案是：一種金端垂直電極多層芯片瓷介電容器，包括瓷體、端部電極和內(nèi)電極組，瓷體呈扁平狀的長(zhǎng)方體，瓷體包括相對(duì)的第一平面和第二平面、相對(duì)的第三平面和第四平面、以及相對(duì)的第五平面和第六平面，第一平面和第二平面的間距為a，第三平面和第四平面的間距為b，第五平面與第六平面的間距為c，a小于b，a小于c，第一平面與第二平面表面貼合有端部電極；內(nèi)電極組包括第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，第一內(nèi)電極與第一平面連接，第二內(nèi)電極與第二平面連接，第一內(nèi)電極與第二內(nèi)電極交錯(cuò)分布。

進(jìn)一步地，端部電極與基板連接。

進(jìn)一步地，端部電極與基板通過(guò)共晶片焊接或?qū)щ娔z連接。

本實(shí)用新型的有益效果是，瓷體呈扁平狀的長(zhǎng)方體，端部電極貼合在瓷體的上下表面，從而適應(yīng)焊接空間狹窄的微組裝電路，并且瓷體內(nèi)的內(nèi)電機(jī)組垂直瓷體分布，能夠鋪設(shè)更多數(shù)量的內(nèi)電極，由此實(shí)現(xiàn)更大容值。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型的金端垂直電極多層芯片瓷介電容器的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本實(shí)用新型的金端垂直電極多層芯片瓷介電容器的連接示意圖。

圖3為本實(shí)用新型的金端垂直電極多層芯片瓷介電容器的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖。

圖4為常用的多層芯片瓷介電容器。

附圖中：

1、瓷體；11、第一平面；12、第二平面；13、第三平面；14、第四平面；15、第五平面；16、第六平面；2、端部電極；3、內(nèi)電機(jī)組；31、第一內(nèi)電極；32、第二內(nèi)電極；4、基板。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述：

參照?qǐng)D1-圖3，本實(shí)用新型提供一種金端垂直電極多層芯片瓷介電容器，包括瓷體1、端部電極2和內(nèi)電極組，瓷體1呈扁平狀的長(zhǎng)方體，瓷體1包括相對(duì)的第一平面11和第二平面12、相對(duì)的第三平面13和第四平面14、以及相對(duì)的第五平面15和第六平面16，第一平面11和第二平面12的間距為a，第三平面13和第四平面14的間距為b，第五平面15與第六平面16的間距為c，a小于b，a小于c，第一平面11與第二平面12表面貼合有端部電極2；內(nèi)電極組包括第一內(nèi)電極31和第二內(nèi)電極32，第一內(nèi)電極31與第一平面11連接，第二內(nèi)電極32與第二平面12連接，第一內(nèi)電極31與第二內(nèi)電極32交錯(cuò)分布。瓷體1呈扁平狀的長(zhǎng)方體，端部電極2貼合在瓷體1的上下表面，從而適應(yīng)焊接空間狹窄的微組裝電路，并且瓷體1內(nèi)的內(nèi)電機(jī)組3垂直瓷體1分布，能夠鋪設(shè)更多數(shù)量的內(nèi)電極，由此實(shí)現(xiàn)更大容值。

本實(shí)施例中，端部電極2與基板4通過(guò)共晶片焊接或?qū)щ娔z連接。這樣的連接方式連接過(guò)程簡(jiǎn)單且連接質(zhì)量高、可靠性高。