本實用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種OLED顯示面板。

背景技術(shù)：

有機電致發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，簡稱OLED)是一種有機薄膜電致發(fā)光器件，其具有制備工藝簡單、成本低、易形成柔性結(jié)構(gòu)、視角寬等優(yōu)點，因此，利用OLED的顯示技術(shù)已成為一種重要的顯示技術(shù)。

現(xiàn)有技術(shù)中，如圖1和圖2所示，OLED顯示面板的制備，一般為先在襯底10上通過構(gòu)圖工藝形成陽極101和像素定義層20，之后將圖案化的金屬掩模板30與形成有陽極101和像素定義層20的基板對位貼合，使金屬掩模板30的開孔與像素定義層的開口201對應(yīng)，然后蒸鍍有機材料產(chǎn)生蒸汽，蒸汽通過金屬掩膜的開孔，在基板上沉積形成有機材料功能層102。之后蒸鍍形成陰極103。

其中，為避免蒸鍍材料外溢而產(chǎn)生陰影效應(yīng)，在蒸鍍過程中，金屬掩模板與基板不能有大的間隙，如圖1所示，通常的做法是設(shè)置磁鐵40，讓金屬掩模板30的掩模條因磁力的吸引而貼合于基板的像素定義層20。

然而，一方面，由于金屬掩模板30的掩模條邊緣，尤其是大尺寸金屬掩模板30的掩模條邊緣極易皺褶變形，變形的金屬掩模板30與基板緊密貼合時會因為受力不均形成擠壓像素定義層20，造成像素定義層20的開口邊緣塌陷，因而容易導(dǎo)致發(fā)光單元出現(xiàn)不良；另一方面，由于基板與金屬掩模板30在傳送過程中會發(fā)生相對位移及摩擦，因此，容易對發(fā)光單元邊緣造成刮傷，導(dǎo)致發(fā)光單元出現(xiàn)黑點黑斑；再一方面，金屬掩模板30在使用過程中其開孔邊緣可能凝結(jié)有顆粒性物質(zhì)，這些顆粒性物質(zhì)在金屬掩模板30與基板分離過程中容易對發(fā)光單元造成壓傷。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的實施例提供一種OLED顯示面板，可減少制備 OLED顯示面板過程中，金屬掩模板對發(fā)光單元的不良影響。

為達到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術(shù)方案：

一方面，提供一種OLED顯示面板，包括襯底、設(shè)置在所述襯底上的像素定義層，還包括設(shè)置在所述像素定義層遠離所述襯底一側(cè)的絕緣介質(zhì)層；所述絕緣介質(zhì)層的開口與所述像素定義層的開口在所述襯底的正投影重疊，且所述像素定義層的開口的邊緣超出所述絕緣介質(zhì)層的開口的邊緣。

優(yōu)選的，所述絕緣介質(zhì)層的厚度為1～5μm。

優(yōu)選的，所述OLED顯示面板還包括設(shè)置在所述像素定義層遠離所述襯底一側(cè)，且靠近所述像素定義層的開口的突起結(jié)構(gòu)；所述突起結(jié)構(gòu)環(huán)繞所述像素定義層的開口設(shè)置，且所述突起結(jié)構(gòu)的高度小于所述絕緣介質(zhì)層的高度。

進一步優(yōu)選的，所述像素定義層、所述絕緣介質(zhì)層和所述突起結(jié)構(gòu)的材料均不相同；或者，所述像素定義層、所述絕緣介質(zhì)層和所述突起結(jié)構(gòu)三者中至少有兩者的材料相同。

基于上述，優(yōu)選的，所述OLED顯示面板還包括薄膜晶體管和發(fā)光單元；所述發(fā)光單元包括陽極、有機材料功能層和陰極，所述陽極與所述薄膜晶體管的漏極電連接；所述薄膜晶體管設(shè)置在所述像素定義層與所述襯底之間；所述陽極設(shè)置在所述像素定義層與所述襯底之間，且所述像素定義層的開口露出部分所述陽極；所述有機材料功能層設(shè)置在所述像素定義層的開口內(nèi)；所述陰極至少設(shè)置在所述像素定義層的開口內(nèi)。

另一方面，提供一種OLED顯示面板的制備方法，包括：在襯底上形成像素定義層，還包括：在所述像素定義層遠離所述襯底的一側(cè)形成絕緣介質(zhì)層；所述絕緣介質(zhì)層的開口與所述像素定義層的開口在所述襯底的正投影重疊，且所述像素定義層的開口的邊緣超出所述絕緣介質(zhì)層的開口的邊緣。

優(yōu)選的，所述制備方法還包括：在所述像素定義層遠離所述襯底一側(cè)，且靠近所述像素定義層的開口形成突起結(jié)構(gòu)；所述突起結(jié)構(gòu)環(huán)繞所述像素定義層的開口設(shè)置，且所述突起結(jié)構(gòu)的高度小于所述絕緣 介質(zhì)層的高度。

進一步可選的，形成所述像素定義層、所述絕緣介質(zhì)層和所述突起結(jié)構(gòu)，包括：利用第一掩模板，并采用一次光刻工藝，形成所述像素定義層；在所述像素定義層上，利用第二掩模板，并采用一次光刻工藝，形成所述絕緣介質(zhì)層；利用第三掩模板，并采用一次光刻工藝，形成所述突起結(jié)構(gòu)。

或者，可選的，形成所述像素定義層、所述絕緣介質(zhì)層和所述突起結(jié)構(gòu)，包括：利用第一掩模板，并采用一次光刻工藝，形成所述像素定義層；在所述像素定義層上，形成第一絕緣介質(zhì)薄膜，利用第一灰階掩模板，并采用一次光刻工藝，形成所述絕緣介質(zhì)層和所述突起結(jié)構(gòu)。

或者，可選的，形成所述像素定義層、所述絕緣介質(zhì)層和所述突起結(jié)構(gòu)，包括：形成第二絕緣介質(zhì)薄膜，利用第二灰階掩模板，并采用一次光刻工藝，形成所述像素定義層和所述突起結(jié)構(gòu)；在所述像素定義層上，利用第二掩模板，并采用一次光刻工藝，形成所述絕緣介質(zhì)層。

或者，可選的，形成所述像素定義層、所述絕緣介質(zhì)層和所述突起結(jié)構(gòu)，包括：形成第三絕緣介質(zhì)薄膜，利用第三灰階掩模板，并采用一次光刻工藝，形成所述像素定義層和絕緣介質(zhì)層；在所述像素定義層上，利用第三掩模板，并采用一次光刻工藝，形成所述突起結(jié)構(gòu)。

或者，可選的，形成所述像素定義層、所述絕緣介質(zhì)層和所述突起結(jié)構(gòu)，包括：形成第四絕緣介質(zhì)薄膜，利用第四灰階掩模板，并采用一次光刻工藝，形成所述像素定義層、所述絕緣介質(zhì)層和所述突起結(jié)構(gòu)。

基于上述，優(yōu)選的，所述制備方法還包括形成薄膜晶體管和發(fā)光單元；所述發(fā)光單元包括陽極、有機材料功能層和陰極，所述陽極與所述薄膜晶體管的漏極電連接；所述薄膜晶體管形成在所述像素定義層與所述襯底之間；所述陽極形成在所述像素定義層與所述襯底之間，且所述像素定義層的開口露出部分所述陽極；所述有機材料功能層形成在所述像素定義層的開口內(nèi)且后于所述絕緣介質(zhì)層形成；所述陰極至少形成在所述像素定義層的開口內(nèi)。

本實用新型的實施例提供一種OLED顯示面板，通過在像素定義層遠離襯底一側(cè)設(shè)置絕緣介質(zhì)層，且使像素定義層的開口的邊緣超出絕緣介質(zhì)層的開口的邊緣，可以在后續(xù)蒸鍍形成有機材料功能層以及位于有機材料功能層上方的電極例如陰極時，使金屬掩模板與絕緣介質(zhì)層貼合，而且使金屬掩模板的開孔邊緣處于懸空狀態(tài)，而不與像素定義層的開口邊緣發(fā)生直接接觸，因而，即使金屬掩模板發(fā)生皺褶變形，或者傳送時金屬掩模板發(fā)生相對位移，也可極大的減少發(fā)生壓塌或刮傷發(fā)光單元邊緣的幾率，此外，也極大的減少了金屬掩模板開孔邊緣凝結(jié)的顆粒壓傷發(fā)光單元的幾率。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種OLED顯示面板制備過程基板與金屬掩模板貼合的示意圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種OLED顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實用新型實施例提供的一種OLED顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本實用新型實施例提供的一種OLED顯示面板制備過程中基板與金屬掩模板貼合的示意圖；

圖5為本實用新型實施例提供的一種OLED顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本實用新型實施例提供的一種OLED顯示面板制備過程中基板與金屬掩模板貼合的示意圖；

圖7為本實用新型實施例提供的一種OLED顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8(a)-8(d)為本實用新型實施例提供的一種形成絕緣介質(zhì)層和突起結(jié)構(gòu)的過程示意圖；

圖9(a)-9(d)為本實用新型實施例提供的一種形成像素定義層和突起結(jié)構(gòu)的過程示意圖；

圖10(a)-10(e)為本實用新型實施例提供的一種形成像素定義層、絕緣介質(zhì)層和突起結(jié)構(gòu)的過程示意圖。

附圖標(biāo)記：

10-襯底；101-陽極；102-有機材料功能層；103-陰極；20-像素定義層；201-像素定義層的開口；30-金屬掩模板；40-磁鐵；50-絕緣介質(zhì)層；51-第一絕緣介質(zhì)薄膜；52-第二絕緣介質(zhì)薄膜；53-第四絕緣介質(zhì)薄膜；501-絕緣介質(zhì)層的開口；60-突起結(jié)構(gòu)；70-薄膜晶體管；80-光刻膠；801-光刻膠完全保留部分；802-光刻膠半保留部分；803-第一光刻膠半保留部分；804-第二光刻膠半保留部分；90-第一灰階掩模板；91-第二灰階掩模板；92-第四灰階掩模板。

具體實施方式

下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

本實用新型實施例提供一種OLED顯示面板，如圖3所示，包括襯底10、設(shè)置在襯底10上的像素定義層20，還包括設(shè)置在像素定義層20遠離襯底10一側(cè)的絕緣介質(zhì)層50；絕緣介質(zhì)層的開口501與像素定義層的開口201在襯底10的正投影重疊，且像素定義層的開口201的邊緣超出絕緣介質(zhì)層的開口501的邊緣。

需要說明的是，第一，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知道，所述OLED顯示面板還包括設(shè)置在像素定義層的開口201處的陽極101、有機材料功能層102和陰極103。

其中，位于像素定義層的開口201所在區(qū)域內(nèi)的陽極101、有機材料功能層102和陰極103構(gòu)成發(fā)光單元。

此外，圖3中以陰極103僅位于像素定義層的開口201處進行示意，但本實用新型實施例并不限于此，陰極103可平鋪一層設(shè)置。而 且，本實用新型實施例并不限于陽極101設(shè)置在陰極103和襯底10之間，也可以是陰極103設(shè)置在陽極101和襯底10之間。

第二，由于本實用新型實施例解決的問題為金屬掩模板與像素定義層20貼合而導(dǎo)致的一系列問題，因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員結(jié)合本實用新型實施例的內(nèi)容應(yīng)該知道，在形成像素定義層20后，如圖4所示，應(yīng)先形成絕緣介質(zhì)層50，之后才通過蒸鍍工藝形成有機材料功能層102和位于其上方的電極例如陰極103。其中，進行蒸鍍工藝時，將金屬掩模板30與絕緣介質(zhì)層50貼合。

第三，對于絕緣介質(zhì)層50的材料，可以是有機材料，也可以是無機材料。其中，絕緣介質(zhì)層50的材料可以與像素定義層20的材料相同，也可不同。

對于絕緣介質(zhì)層50的厚度，應(yīng)在后續(xù)蒸鍍工藝中避免產(chǎn)生陰影效應(yīng)。

第四，像素定義層的開口201的邊緣超出絕緣介質(zhì)層的開口501的邊緣，即為，絕緣介質(zhì)層的開口501尺寸大于像素定義層的開口201尺寸。

由于像素定義層的開口201尺寸是固定的，因而可通過合理設(shè)置絕緣介質(zhì)層的開口501的尺寸，來保證金屬掩模板30不與像素定義層20接觸。

本實用新型實施例提供一種OLED顯示面板，通過在像素定義層20遠離襯底10一側(cè)設(shè)置絕緣介質(zhì)層50，且使像素定義層的開口201的邊緣超出絕緣介質(zhì)層的開口501的邊緣，可以在后續(xù)蒸鍍形成有機材料功能層102以及位于有機材料功能層102上方的電極例如陰極103時，使金屬掩模板30與絕緣介質(zhì)層50貼合，而且使金屬掩模板30的開孔邊緣處于懸空狀態(tài)，而不與像素定義層的開口201邊緣發(fā)生直接接觸，因而，即使金屬掩模板30發(fā)生皺褶變形，或者傳送時金屬掩模板30發(fā)生相對位移，也可極大的減少發(fā)生壓塌或刮傷發(fā)光單元邊緣的幾率，此外，也極大的減少了金屬掩模板30開孔邊緣凝結(jié)的顆粒壓傷發(fā)光單元的幾率。

優(yōu)選的，絕緣介質(zhì)層50的厚度為1～5μm。這樣，可避免在后續(xù)蒸鍍工藝中產(chǎn)生陰影效應(yīng)。

優(yōu)選的，如圖5所示，所述OLED顯示面板還包括設(shè)置在像素定義層20遠離襯底10一側(cè)，且靠近像素定義層的開口201的突起結(jié)構(gòu)60；突起結(jié)構(gòu)60環(huán)繞像素定義層的開口201設(shè)置，且突起結(jié)構(gòu)60的高度小于絕緣介質(zhì)層50的高度。

需要說明的是，不對突起結(jié)構(gòu)60的高度進行限定，只要使金屬掩模板除發(fā)生形變下垂時，不與突起結(jié)構(gòu)60接觸即可。

此外，在形成絕緣介質(zhì)層50后，先形成突起結(jié)構(gòu)60，再進行蒸鍍工藝形成有機材料功能層102以位于其上方的電極。

一方面，突起結(jié)構(gòu)60可以在金屬掩模板30的掩模條邊緣由于形變發(fā)生下垂時，起到支撐作用，從而進一步避免金屬掩模板30與像素定義層的開口201邊緣發(fā)生直接接觸。另一方面，由于金屬掩模板30在長時間的制程中，金屬掩模板30的掩模條容易聚集異物，當(dāng)金屬掩模板30位于絕緣介質(zhì)層50的上方(圖6所示)進行蒸鍍工藝時，異物容易掉落，而突起結(jié)構(gòu)60可以阻擋掉落的異物向發(fā)光單元移動，因而可避免造成對發(fā)光單元的不良影響。

可選的，像素定義層20、絕緣介質(zhì)層50和突起結(jié)構(gòu)60的材料均不相同?；蛘?，像素定義層20、絕緣介質(zhì)層50和突起結(jié)構(gòu)60三者中至少有兩者的材料相同。

其中，像素定義層20的材料可以為有機材料，例如可以采用聚酰亞胺、酚醛樹脂等材料。

絕緣介質(zhì)層50的材料可以為有機材料，也可以為無機材料。當(dāng)絕緣介質(zhì)層50的材料為有機材料時，可采用聚酰亞胺、酚醛樹脂等材料。當(dāng)絕緣介質(zhì)層50的材料為無機材料時，可采用三氧化二鋁(Al₂O₃)、氧化鋅(ZnO)、二氧化鈦(TiO₂)等無機材料。

突起結(jié)構(gòu)60的材料可以為有機材料，也可以為無機材料。當(dāng)突起結(jié)構(gòu)60的材料為有機材料時，可采用聚酰亞胺、酚醛樹脂等材料。當(dāng)突起結(jié)構(gòu)60的材料為無機材料時，可采用Al₂O₃、ZnO、TiO₂等無機材料。

本實用新型實施例中，不管是絕緣介質(zhì)層50的材料，還是突起結(jié)構(gòu)60的材料，均可采用常規(guī)材料制成，因而不會導(dǎo)致成本的大幅 增加。

基于上述，如圖7所示，所述OLED顯示面板還包括薄膜晶體管70和發(fā)光單元；所述發(fā)光單元包括陽極101、有機材料功能層102和陰極103，陽極101與薄膜晶體管70的漏極電連接；薄膜晶體管70設(shè)置在像素定義層20與襯底10之間。

陽極101設(shè)置在像素定義層20與襯底10之間，且像素定義層的開口201露出部分陽極101；有機材料功能層102設(shè)置在像素定義層的開口201內(nèi)；陰極103至少設(shè)置在像素定義層的開口201內(nèi)。

其中，薄膜晶體管70包括柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體有源層、源極和漏極。圖7僅以底柵型薄膜晶體管70為例進行示意。

對于有機材料功能層102，其可以至少包括發(fā)光層，在此基礎(chǔ)上為了能夠提高電子和空穴注入發(fā)光層的效率，所述有機材料功能層102進一步還可以包括電子傳輸層、空穴傳輸層和設(shè)置在陰極103與電子傳輸層之間的電子注入層，以及設(shè)置在空穴傳輸層與陽極101之間的空穴注入層。

陽極101的材料可以為透明導(dǎo)電材料；也可以包括透明導(dǎo)電材料和不透明導(dǎo)電材料，此時為多層結(jié)構(gòu)，例如為透明導(dǎo)電層/不透明導(dǎo)電層/透明導(dǎo)電層。

陰極103的材料可以為不透明導(dǎo)電材料，其厚度可根據(jù)發(fā)光方向而定，當(dāng)厚度較薄時，陰極103呈半透明，當(dāng)厚度較厚時，陰極103呈不透明。

本實用新型實施例通過薄膜晶體管驅(qū)動發(fā)光單元，可使所述OLED顯示面板應(yīng)用于大尺寸高分辨率顯示裝置，應(yīng)用范圍更廣。

本實用新型實施例還提供一種OLED顯示面板的制備方法，如圖3所示，包括：在襯底10上形成像素定義層20，還包括：在像素定義層20遠離襯底10的一側(cè)形成絕緣介質(zhì)層50；絕緣介質(zhì)層的開口501與像素定義層的開口201在襯底10的正投影重疊，且像素定義層的開口201的邊緣超出絕緣介質(zhì)層的開口501的邊緣。

參考圖3所示，所述制備方法還包括形成發(fā)光單元，發(fā)光單元包括位于像素定義層的開口201處的陽極101、有機材料功能層102和 陰極103。

其中，在形成像素定義層20后，如圖4所示，應(yīng)先形成絕緣介質(zhì)層50，之后才通過蒸鍍工藝形成有機材料功能層102和位于其上方的電極例如陰極103。進行蒸鍍工藝時，將金屬掩模板30與絕緣介質(zhì)層50貼合。

像素定義層20和絕緣介質(zhì)層50優(yōu)選通過光刻工藝形成。此處光刻工藝包括曝光、顯影、刻蝕等工藝。

本實用新型實施例提供一種OLED顯示面板的制備方法，通過在像素定義層20遠離襯底10一側(cè)形成絕緣介質(zhì)層50，且使像素定義層的開口201的邊緣超出絕緣介質(zhì)層的開口501的邊緣，可以在后續(xù)蒸鍍形成有機材料功能層102以及位于有機材料功能層102上方的電極例如陰極103時，使金屬掩模板30與絕緣介質(zhì)層50貼合，而且使金屬掩模板30的開孔邊緣處于懸空狀態(tài)，而不與像素定義層的開口201邊緣發(fā)生直接接觸，因而，即使金屬掩模板30發(fā)生皺褶變形，或者傳送時金屬掩模板30發(fā)生相對位移，也可極大的減少發(fā)生壓塌或刮傷發(fā)光單元邊緣的幾率，此外，也極大的減少了金屬掩模板30開孔邊緣凝結(jié)的顆粒壓傷發(fā)光單元的幾率。

優(yōu)選的，絕緣介質(zhì)層50的厚度為1～5μm。這樣，可避免在后續(xù)蒸鍍工藝中產(chǎn)生陰影效應(yīng)。

優(yōu)選的，如圖5所示，所述制備方法還包括：在像素定義層20遠離襯底10一側(cè)，且靠近像素定義層的開口201形成突起結(jié)構(gòu)60；突起結(jié)構(gòu)60環(huán)繞像素定義層的開口201設(shè)置，且突起結(jié)構(gòu)60的高度小于絕緣介質(zhì)層50的高度。

此處，在形成絕緣介質(zhì)層50后，緊接著形成突起結(jié)構(gòu)60，之后再進行蒸鍍工藝形成機材料功能層102以位于其上方的電極。

像素定義層20、絕緣介質(zhì)層50、突起結(jié)構(gòu)60優(yōu)選通過光刻工藝形成。

一方面，突起結(jié)構(gòu)60可以在金屬掩模板30的掩模條邊緣由于形變發(fā)生下垂時，起到支撐作用，從而進一步避免金屬掩模板30與像素定義層的開口201邊緣發(fā)生直接接觸。另一方面，由于金屬掩模板 30在長時間的制程中，金屬掩模板30的掩模條容易聚集異物，當(dāng)金屬掩模板30位于絕緣介質(zhì)層50的上方(圖6所示)進行蒸鍍工藝時，異物容易掉落，而突起結(jié)構(gòu)60可以阻擋掉落的異物向發(fā)光單元移動，因而可避免造成對發(fā)光單元的不良影響。

基于上述，像素定義層20、絕緣介質(zhì)層50和突起結(jié)構(gòu)60可通過如下幾種方式形成：

方式一

形成像素定義層20、絕緣介質(zhì)層50和突起結(jié)構(gòu)60包括如下步驟：

S10、利用第一掩模板，并采用一次光刻工藝，形成像素定義層20。

像素定義層20的材料可以為有機材料，例如可以采用聚酰亞胺、酚醛樹脂等材料。

具體的，可以先在形成有陽極101的襯底10上形成有機絕緣薄膜，并形成光刻膠，利用第一掩模板對光刻膠進行曝光、顯影后形成光刻膠完全保留部分和光刻膠完全去除部分，光刻膠完全保留部分與待形成的像素定義層20對應(yīng)，采用刻蝕工藝對露出的有機絕緣薄膜進行刻蝕，形成像素定義層20。

S11、在像素定義層20上，利用第二掩模板，并采用一次光刻工藝，形成絕緣介質(zhì)層50。

其中，絕緣介質(zhì)層50的材料可以為有機材料，也可以為無機材料。當(dāng)絕緣介質(zhì)層50的材料為有機材料時，可采用聚酰亞胺、酚醛樹脂等材料。當(dāng)絕緣介質(zhì)層50的材料為無機材料時，可采用Al₂O₃、ZnO、TiO₂等無機材料。

具體的，在形成有像素定義層20的襯底10上形成有機或無機絕緣介質(zhì)薄膜，并形成光刻膠，利用第二掩模板對光刻膠進行曝光、顯影后形成光刻膠完全保留部分和光刻膠完全去除部分，光刻膠完全保留部分與待形成的絕緣介質(zhì)層50對應(yīng)，采用刻蝕工藝對露出的有機或無機絕緣介質(zhì)薄膜進行刻蝕，形成絕緣介質(zhì)層50。

S12、在像素定義層20上，利用第三掩模板，并采用一次光刻工 藝，形成突起結(jié)構(gòu)60。

其中，突起結(jié)構(gòu)60的材料可以為有機材料，也可以為無機材料。當(dāng)突起結(jié)構(gòu)60的材料為有機材料時，可采用聚酰亞胺、酚醛樹脂等材料。當(dāng)突起結(jié)構(gòu)60的材料為無機材料時，可采用Al₂O₃、ZnO、TiO₂等無機材料。

具體的，在形成有像素定義層20和絕緣介質(zhì)層50的襯底10上形成有機或無機絕緣介質(zhì)薄膜，并形成光刻膠，利用第三掩模板對光刻膠進行曝光、顯影后形成光刻膠完全保留部分和光刻膠完全去除部分，光刻膠完全保留部分與待形成的突起結(jié)構(gòu)60對應(yīng)，采用刻蝕工藝對露出的有機或無機絕緣介質(zhì)薄膜進行刻蝕，形成突起結(jié)構(gòu)60。

方式二

形成像素定義層20、絕緣介質(zhì)層50和突起結(jié)構(gòu)60包括如下步驟：

S20、利用第一掩模板，并采用一次光刻工藝，形成像素定義層20。

此處，具體工藝過程與上述S10相同，在此不再贅述。

S21、在像素定義層20上，形成第一絕緣介質(zhì)薄膜，利用第一灰階掩模板，并采用一次光刻工藝，形成絕緣介質(zhì)層50和突起結(jié)構(gòu)60。

具體的，如圖8(a)所示，在形成有像素定義層20的襯底10上形成第一絕緣介質(zhì)薄膜51，并形成光刻膠80，利用第一灰階掩模板90對光刻膠80進行曝光、顯影，形成如圖8(b)所示的光刻膠完全保留部分801、光刻膠半保留部分802、光刻膠完全去除部分；光刻膠完全保留部分801與待形成的絕緣介質(zhì)層50對應(yīng)，光刻膠半保留部分802與待形成的突起結(jié)構(gòu)60對應(yīng)，光刻膠完全去除部分與其他部分對應(yīng)。

采用刻蝕工藝對露出的第一絕緣介質(zhì)薄膜51進行刻蝕，形成如圖8(c)所示的結(jié)構(gòu)。如圖8(d)所示,采用灰化工藝去除光刻膠半保留部分802，并對露出的第一絕緣介質(zhì)薄膜51進行刻蝕，形成絕緣介質(zhì)層50和突起結(jié)構(gòu)60。最后，將光刻膠完全保留部分801去除。

其中，第一絕緣介質(zhì)薄膜51的材料可以為有機材料，也可以為 無機材料。

當(dāng)然，當(dāng)?shù)谝唤^緣介質(zhì)薄膜51的材料為有機感光材料時，則無需形成光刻膠80，直接采用第一灰階掩模板90對第一絕緣介質(zhì)薄膜51進行曝光，并顯影即可形成絕緣介質(zhì)層50和突起結(jié)構(gòu)60。

方式三

形成像素定義層20、絕緣介質(zhì)層50和突起結(jié)構(gòu)60包括如下步驟：

S30、形成第二絕緣介質(zhì)薄膜，利用第二灰階掩模板，并采用一次光刻工藝，形成像素定義層20和突起結(jié)構(gòu)60。

具體的：如圖9(a)所示，在襯底10上形成第二絕緣介質(zhì)薄膜52，并形成光刻膠80，利用第二灰階掩模板91對光刻膠進行曝光、顯影，形成如圖9(b)所示的光刻膠完全保留部分801、光刻膠半保留部分802、光刻膠完全去除部分；光刻膠完全保留部分801與待形成的突起結(jié)構(gòu)60對應(yīng)，光刻膠半保留部分802與待形成的像素定義層20對應(yīng)，光刻膠完全去除部分與其他部分對應(yīng)。

采用刻蝕工藝對露出的第二絕緣介質(zhì)薄膜52進行刻蝕，形成如圖9(c)所示的結(jié)構(gòu)。如圖9(d)所示,采用灰化工藝去除光刻膠半保留部分802，并對露出的第二絕緣介質(zhì)薄膜52進行刻蝕，形成像素定義層20和突起結(jié)構(gòu)60。最后，將光刻膠完全保留部分801去除。

其中，第二絕緣介質(zhì)薄膜52的材料可以為有機材料。

當(dāng)然，當(dāng)?shù)诙^緣介質(zhì)薄膜52的材料為有機感光材料時，則無需形成光刻膠80，直接采用第二灰階掩模板91對第二絕緣介質(zhì)薄膜52進行曝光，并顯影即可形成像素定義層20和突起結(jié)構(gòu)60。

S31、在像素定義層20上，利用第二掩模板，并采用一次光刻工藝，形成絕緣介質(zhì)層50。

此處，具體工藝過程與上述S11相同，在此不再贅述。

方式四

形成像素定義層20、絕緣介質(zhì)層50和突起結(jié)構(gòu)60包括如下步驟：

S40、形成第三絕緣介質(zhì)薄膜，利用第三灰階掩模板，并采用一次光刻工藝，形成像素定義層20和絕緣介質(zhì)層50。

此處，具體工藝與上述S30類似，在此不再贅述。

S41、在像素定義層20上，利用第三掩模板，并采用一次光刻工藝，形成突起結(jié)構(gòu)60。

此處，具體工藝過程與上述S12相同，在此不再贅述。

方式五

形成像素定義層20、絕緣介質(zhì)層50和突起結(jié)構(gòu)60包括：形成第四絕緣介質(zhì)薄膜，利用第四灰階掩模板，并采用一次光刻工藝，形成像素定義層20、絕緣介質(zhì)層50和突起結(jié)構(gòu)60。

具體的，如圖10(a)所示，在襯底10上形成第四絕緣介質(zhì)薄膜53，并形成光刻膠80，利用第四灰階掩模板92對光刻膠進行曝光、顯影，形成如圖10(b)所示的光刻膠完全保留部分801、第一光刻膠半保留部分803、第二光刻膠半保留部分804、光刻膠完全去除部分；其中，第一光刻膠半保留部分803的厚度大于第二光刻膠半保留部分804的厚度；光刻膠完全保留部分801與待形成的絕緣介質(zhì)層50對應(yīng)，第一光刻膠半保留部分803與待形成的突起結(jié)構(gòu)60對應(yīng)，第二光刻膠半保留部分804對應(yīng)絕緣介質(zhì)層50與突起結(jié)構(gòu)60之間的區(qū)域，光刻膠完全去除部分與其他部分對應(yīng)。

采用刻蝕工藝對露出的第四絕緣介質(zhì)薄膜53進行刻蝕，形成如圖10(c)所示的結(jié)構(gòu)。如圖10(d)所示,采用灰化工藝去除第二光刻膠半保留部分804，并對露出的第四絕緣介質(zhì)薄膜53進行刻蝕，形成像素定義層20和絕緣介質(zhì)層50；之后，如圖10(e)所示,采用灰化工藝去除第一光刻膠半保留部分803，并對露出的第四絕緣介質(zhì)薄膜53進行刻蝕，形成突起結(jié)構(gòu)60；最后，將光刻膠完全保留部分801去除。

當(dāng)然，當(dāng)?shù)谒慕^緣介質(zhì)薄膜53的材料為有機感光材料時，則無需形成光刻膠80，直接采用第四灰階掩模板92對第四絕緣介質(zhì)薄膜53進行曝光，并顯影即可形成像素定義層20、絕緣介質(zhì)層50和突起結(jié)構(gòu)60。

基于上述，如圖7所示，所述制備方法還包括形成薄膜晶體管70和發(fā)光單元；所述發(fā)光單元包括陽極101、有機材料功能層102和陰極103，陽極101與薄膜晶體管70的漏極電連接；薄膜晶體管70形成在像素定義層20與襯底10之間。

陽極101形成在像素定義層20與襯底10之間，且像素定義層的開口201露出部分陽極101；有機材料功能層102形成在像素定義層的開口201內(nèi)且后于絕緣介質(zhì)層50形成；陰極103至少形成在像素定義層的開口201內(nèi)。

本實用新型實施例通過薄膜晶體管驅(qū)動發(fā)光單元，可使所述OLED顯示面板應(yīng)用于大尺寸高分辨率顯示裝置，應(yīng)用范圍更廣。

以上所述，僅為本實用新型的具體實施方式，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。