本實(shí)用新型涉及基本電子元件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種熔斷器。

背景技術(shù)：

熔斷器是指當(dāng)電流超過(guò)規(guī)定值時(shí)，以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷、斷開(kāi)電路的一種電器，廣泛應(yīng)用于配電系統(tǒng)和控制系統(tǒng)，主要進(jìn)行短路保護(hù)或嚴(yán)重過(guò)載保護(hù)?，F(xiàn)有的熔斷器一般包括底座、固定于所述底座上的外套筒和收容于所述外套筒內(nèi)的熔體，所述底座設(shè)有與熔體相連的接線端子。由于熔體通過(guò)底座與接線端子相連，熔體與底座的連接穩(wěn)定性直接影響到熔體與接線端子的連接可靠性，通常熔體與底座為平面與平面光滑接觸連接，采用該種連接方式穩(wěn)定性較差，接觸電阻也比較大。

因此，急需提供一種新結(jié)構(gòu)的熔斷器來(lái)解決上述技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是克服上述技術(shù)問(wèn)題，提供一種熔體與底座的出線銅排接觸可靠、接觸電阻小的熔斷器。

本實(shí)用新型提供的熔斷器，包括底座、具開(kāi)口的絕緣支架和收容于所述絕緣支架內(nèi)的熔體，所述底座包括具安裝面的凸柱，所述凸柱形狀與所述開(kāi)口形狀相適配，所述絕緣支架套設(shè)于所述凸柱上，所述熔體包括本體和設(shè)于所述本體一端的導(dǎo)電桿，所述導(dǎo)電桿與所述安裝面相抵接，且所述安裝面和/或所述導(dǎo)電桿與所述安裝面相抵接的表面為壓花面。

優(yōu)選的，，所述底座還包括用于連接外部電路的出線銅排，所述出線銅排通過(guò)螺栓與所述凸柱連接。

優(yōu)選的，所述壓花面的花紋均勻排布。

優(yōu)選的，所述壓花面的花紋密度為50～90目/英寸，花紋深度為5～30微米。

優(yōu)選的，所述安裝面的壓花的凹凸深度與所述導(dǎo)電桿與所述安裝面相抵接的表面的壓花的凹凸深度相同。

優(yōu)選的，所述安裝面的壓花形狀與所述導(dǎo)電桿與所述安裝面相抵接的表面的壓花形狀相匹配。

優(yōu)選的，所述熔體還包括設(shè)于所述本體內(nèi)部的銅熔絲，所述銅熔絲與所述導(dǎo)電桿連接。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型提供的熔斷器通過(guò)將熔體的導(dǎo)電桿與底座的凸柱的接觸面其中一方或兩方設(shè)置為壓花面，可以使二者之間的接觸更穩(wěn)定，從而使得所述熔體與所述底座的出線銅排的接觸更可靠，減少接觸電阻，延長(zhǎng)熔斷器使用壽命。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖，其中：

圖1為本實(shí)用新型提供的熔斷器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1所示熔斷器壓花面的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

請(qǐng)參閱圖1，其中圖1為本實(shí)用新型提供的熔斷器的結(jié)構(gòu)示意圖。所述熔斷器100包括底座1、絕緣支架2和熔體3。所述底座1包括具安裝面的凸柱11、出線銅排12和螺栓13。所述出線銅排12用于連接外部電路，其通過(guò)所述螺栓13與所述凸柱11連接。所述絕緣支架2呈中空結(jié)構(gòu)，其一端具有開(kāi)口(未標(biāo)號(hào))，所述開(kāi)口形狀與所述凸柱11形狀相適配，所述絕緣支架2通過(guò)該開(kāi)口套設(shè)于所述凸柱11上。所述熔體3收容于所述絕緣支架2內(nèi)，其包括本體31、設(shè)于所述本體31一端的導(dǎo)電桿32及設(shè)于所述本體31內(nèi)部的銅熔絲33。所述銅熔絲33與所述導(dǎo)電桿32連接。所述導(dǎo)電桿32與所述凸柱11的安裝面相抵接，且所述安裝面和/或所述導(dǎo)電桿32與所述安裝面相抵接的表面為壓花面。通過(guò)將所述導(dǎo)電桿32與所述凸柱11的接觸面其中一方或兩方設(shè)置為壓花面，可以使二者之間的接觸更穩(wěn)定，從而使得所述熔體3與所述出線銅排12的接觸更可靠，減少接觸電阻，延長(zhǎng)熔斷器使用壽命。

優(yōu)選的，所述壓花面的花紋均勻排布，如圖2所示。

優(yōu)選的，所述壓花面的花紋密度為50～90目/英寸，花紋深度為5～30微米。

優(yōu)選的，所述安裝面的壓花的凹凸深度與所述導(dǎo)電桿32與所述安裝面相抵接的表面的壓花的凹凸深度相同。更優(yōu)的，所述安裝面的壓花形狀與所述導(dǎo)電桿32與所述安裝面相抵接的表面的壓花形狀相匹配。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型提供的熔斷器通過(guò)將熔體3的導(dǎo)電桿32與底座1的凸柱11的接觸面其中一方或兩方設(shè)置為壓花面，可以使二者之間的接觸更穩(wěn)定，從而使得所述熔體3與所述底座1的出線銅排12的接觸更可靠，減少接觸電阻，延長(zhǎng)熔斷器使用壽命。

以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專(zhuān)利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其它相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實(shí)用新型的專(zhuān)利保護(hù)范圍內(nèi)。