本實(shí)用新型涉及顯示領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

平板顯示器因其具有體積小、耗電小等優(yōu)點(diǎn)受到了廣泛的應(yīng)用，平板顯示器包括陣列基板，陣列基板上設(shè)有多個(gè)像素單元和多根信號(hào)線，通過該多根信號(hào)線可以控制該多個(gè)像素單元顯示畫面。在陣列基板的工作過程中，信號(hào)線很容易產(chǎn)生靜電荷，當(dāng)靜電荷積累達(dá)到一定程度時(shí)，會(huì)使像素單元無法正常工作，所以需要在陣列基板上設(shè)置防靜電結(jié)構(gòu)，用以將信號(hào)線上的靜電荷消散。

防靜電結(jié)構(gòu)設(shè)置在陣列基板的邊緣，其包括短路環(huán)和多個(gè)防靜電電路，每個(gè)防靜電電路的一端與一根信號(hào)線連接，另一端與短路環(huán)連接；當(dāng)某根信號(hào)線上的靜電荷積累達(dá)到一定程度時(shí)，與該根信號(hào)線連接的防靜電電路導(dǎo)通，靜電荷可以通過該防靜電電路流入短路環(huán)，再通過短路環(huán)導(dǎo)通其它的防靜電電路，然后通過其他的防靜電電路將該靜電荷分散到其它的信號(hào)線，如此將該根信號(hào)線產(chǎn)生的靜電荷進(jìn)行分散和消耗。

在實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題：

防靜電結(jié)構(gòu)包括短路環(huán)和多個(gè)防靜電電路兩部分結(jié)構(gòu)，為了使靜電荷更好的消散，短路環(huán)往往設(shè)置的較寬，導(dǎo)致布板面積較大，平板顯示器的邊框較寬。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，一方面，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括：

第一信號(hào)線和第二信號(hào)線、與所述第一信號(hào)線和所述第二信號(hào)線電性連接的第一TFT和第二TFT；

所述第一TFT包括通過第一過孔電性連接的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層至少部分交疊，所述第一過孔位于所述交疊區(qū)，所述第二TFT包括通過第二過孔電性連接的第三導(dǎo)電層和第四導(dǎo)電層，所述第三導(dǎo)電層與所述第四導(dǎo)電層至少部分交疊，所述第二過孔位于所述交疊區(qū)；

所述第一導(dǎo)電層與所述第一信號(hào)線連接，所述第三導(dǎo)電層與所述第二信號(hào)線連接；所述第一TFT的柵極位于所述第一導(dǎo)電層上，源極位于所述第二導(dǎo)電層上、漏極位于所述第四導(dǎo)電層上；所述第二TFT的柵極位于所述第三導(dǎo)電層上，漏極位于所述第二導(dǎo)電層上、源極位于所述第四導(dǎo)電層上。

可選的，還包括：第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層；

所述第一透明導(dǎo)電層覆蓋部分所述第二導(dǎo)電層和所述第一過孔中露出的所述第一導(dǎo)電層，用于連接所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層；

所述第二透明導(dǎo)電層覆蓋部分所述第四導(dǎo)電層和所述第二過孔中露出的所述第三導(dǎo)電層，用于連接所述第三導(dǎo)電層和所述第四導(dǎo)電層。

可選的，所述第一TFT的源極位于所述第二導(dǎo)電層的第一引出部，漏極位于所述第四導(dǎo)電層的第一引出部；

所述第二TFT的漏極位于所述第二導(dǎo)電層的第二引出部，源極位于所述第四導(dǎo)電層的第二引出部。

可選的，所述第二導(dǎo)電層的一端和所述第四導(dǎo)電層的一端形成2字形槽，使所述第二導(dǎo)電層的一端形成有兩個(gè)端面且所述兩個(gè)端面均與所述第一信號(hào)線平行；

所述兩個(gè)端面中靠近所述第一信號(hào)線的一端面為所述第一引出部，另一端面為所述第二引出部。

可選的，所述第二導(dǎo)電層的第一引出部和第二引出部、所述第四導(dǎo)電層的第一引出部和第二引出部均為尖點(diǎn)結(jié)構(gòu)。

可選的，還包括：在所述第一導(dǎo)電層和所述第三導(dǎo)電層D上形成的柵絕緣層。

可選的，還包括：在所述柵絕緣層上形成的所述第一TFT的第一有源層和所述第二TFT的第二有源層。

可選的，還包括：公共電極線，所述公共電極線通過TFT與其最近的信號(hào)線電性連接。

可選的，所述第一導(dǎo)電層的寬度和所述第二導(dǎo)電層的寬度相等，所述第一導(dǎo)電層的寬度方向和所述第二導(dǎo)電層的寬度方向均與所述第一信號(hào)線平行。

可選的，還包括：在所述第二導(dǎo)電層和所述第四導(dǎo)電層上形成的鈍化層。

另一方面，本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種顯示面板，所述顯示面板包括所述陣列基板。

另一方面，本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括所述顯示面板。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：

通過在任意相鄰的兩根信號(hào)線之間設(shè)有第一TFT和第二TFT，第一TFT連接第一信號(hào)線和第二信號(hào)線且其柵極與第一信號(hào)線連接，第二TFT連接第一信號(hào)線和第二信號(hào)線且其柵極與第二信號(hào)線連接。這樣當(dāng)?shù)谝恍盘?hào)線上產(chǎn)生較多的靜電荷時(shí)，第一TFT導(dǎo)通并將靜電荷分散到第二信號(hào)線，當(dāng)?shù)诙盘?hào)線上產(chǎn)生較多的靜電荷時(shí)，第二TFT導(dǎo)通并將靜電荷分散到第一信號(hào)線，如此可以實(shí)現(xiàn)將靜電荷分散到多根信號(hào)線上，同時(shí)第一TFT和第二TFT會(huì)消耗一部分靜電荷，可以防止靜電荷積累，達(dá)到將靜電荷消散的目的，無需在陣列基板的邊緣設(shè)置短路環(huán)，可以減小陣列基板的邊框的寬度。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的第一防靜電電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的第一防靜電電路的電路圖；

圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的第一防靜電電路的A1-A2向剖視圖；

圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的第一導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的第二導(dǎo)電層和第四導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本實(shí)用新型實(shí)施例二提供的第一防靜電電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是本實(shí)用新型實(shí)施例二提供的第二導(dǎo)電層和第四導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)示意圖。

其中，

C第一導(dǎo)電層；

D第三導(dǎo)電層；

E柵絕緣層；

F第二導(dǎo)電層，F(xiàn)1第二導(dǎo)電層的第一引出部，F(xiàn)2第二導(dǎo)電層的第二引出部，F(xiàn)3第二導(dǎo)電層的第三引出部，F(xiàn)4第二導(dǎo)電層的第四引出部；

G第四導(dǎo)電層，G1第四導(dǎo)電層的第一引出部，G2第四導(dǎo)電層的第二引出部，G3第四導(dǎo)電層的第三引出部，G4第四導(dǎo)電層的第四引出部；

H鈍化層；

I第一過孔；

J第一透明導(dǎo)電層；

Q第二透明導(dǎo)電層；

N玻璃基板；

S1第一信號(hào)線；S2第二信號(hào)線；S3第三信號(hào)線；S4第四信號(hào)線；

1第一TFT，11第一TFT的源極，12第一TFT的漏極，13第一TFT的柵極，14第一有源層；

2第二TFT，21第二TFT的漏極，22第二TFT的源極，23第二TFT的柵極，24第二有源層；

3第三TFT，31第三TFT的源極，32第三TFT的漏極；

4第四TFT，41第四TFT的漏極，42第四TFT的漏極；

5第五TFT，51第五TFT的源極；

6第六TFT。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

實(shí)施例一

如圖1所示，且參見圖2，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板，該陣列基板包括：

第一信號(hào)線S1和第二信號(hào)線S2、與第一信號(hào)線S1和第二信號(hào)線S2電性連接的第一TFT1和第二TFT2；

第一TFT1包括通過第一過孔I電性連接的第一導(dǎo)電層C和第二導(dǎo)電層F，第一導(dǎo)電層C與第二導(dǎo)電層F至少部分交疊，第一過孔I位于該交疊區(qū)，第二TFT2包括通過第二過孔Q電性連接的第三導(dǎo)電層D和第四導(dǎo)電層G，第三導(dǎo)電層D與第四導(dǎo)電層G至少部分交疊，第二過孔Q位于該交疊區(qū)；

第一導(dǎo)電層C與第一信號(hào)線S1連接，第三導(dǎo)電層D與第二信號(hào)線S2連接；第一TFT1的柵極位于第一導(dǎo)電層C上，源極位于第二導(dǎo)電層F上、漏極位于第四導(dǎo)電層G上；第二TFT2的柵極位于第三導(dǎo)電層D上，漏極位于第二導(dǎo)電層F上、源極位于第四導(dǎo)電層G上。

其中，第一導(dǎo)電層C的寬度和第二導(dǎo)電層F的寬度相等或基本相等，第一導(dǎo)電層C的寬度方向和第二導(dǎo)電層F的寬度方向均與第一信號(hào)線S1平行；第三導(dǎo)電層D的寬度和第四導(dǎo)電層G的寬度相等或基本相等，第三導(dǎo)電層D的寬度方向和第四導(dǎo)電層G的寬度方向均與第二信號(hào)線S2平行。

本實(shí)用新型實(shí)施例中的陣列基板中，任意相鄰的兩根信號(hào)線之間設(shè)有第一TFT1和第二TFT2，第一TFT1連接第一信號(hào)線S1和第二信號(hào)線S2，第二TFT2也連接第一信號(hào)線S1和第二信號(hào)線S2。當(dāng)?shù)谝恍盘?hào)線S1上產(chǎn)生較多的靜電荷時(shí)，由于第一TFT1的柵極與第一信號(hào)線S1相連，第一TFT1導(dǎo)通將靜電荷分散到第二信號(hào)線S2；當(dāng)?shù)诙盘?hào)線S2上產(chǎn)生較多的靜電荷時(shí)，由于第二TFT2的柵極與第二信號(hào)線S2相連，第二TFT2導(dǎo)通將靜電荷分散到第一信號(hào)線S1，如此可以實(shí)現(xiàn)將靜電荷分散到多根信號(hào)線上，同時(shí)第一TFT1或第二TFT2會(huì)消耗一部分靜電荷，如此可以防止靜電荷積累，達(dá)到將靜電荷消散的目的，無需在陣列基板的邊緣設(shè)置短路環(huán)，可以減小陣列基板的邊框的寬度。

如圖2所示，陣列基板包括多組相鄰的信號(hào)線，例如第一信號(hào)線S1與第二信號(hào)線S2相鄰，第三信號(hào)線S3與第一信號(hào)線S1相鄰，第四信號(hào)線S4與第二信號(hào)線S2相鄰，每兩根相鄰的信號(hào)線之間都設(shè)有TFT，若第一信號(hào)線S1上積累了一定量的靜電荷后，位于第一信號(hào)線S1與第二信號(hào)線S2之間的TFT和位于第一信號(hào)線S1與第三信號(hào)線S3之間的TFT會(huì)消耗一部分靜電荷，同時(shí)將靜電荷分散到第二信號(hào)線S2和第三信號(hào)線S3上，此過程不斷進(jìn)行，將靜電荷分散到第四信號(hào)線S4和與第三信號(hào)線S3相鄰的另一根信號(hào)線上，如此將靜電荷分散和消耗，防止靜電荷積累的現(xiàn)象發(fā)生。

可選地，陣列基板還包括公共電極線，公共電極線位于陣列基板上，可以與陣列基板上的信號(hào)線平行設(shè)置，公共電極線通過TFT與公共電極線最近的信號(hào)線連接。

為了保證信號(hào)線上產(chǎn)生的靜電荷可以更好的消散，可以通過一個(gè)TFT將公共電極線和與公共電極線最近的信號(hào)線連接起來，當(dāng)靜電荷分散到該根信號(hào)線上時(shí)，通過該TFT將靜電荷分散到公共電極線上，更好的起到將靜電荷消散的作用。

可選地，信號(hào)線包括數(shù)據(jù)線或者掃描線。

如圖1所示，且參見圖3和圖4，可以在玻璃基板N上形成第一導(dǎo)電層C和第三導(dǎo)電層D；

第一TFT1的柵極13和第一信號(hào)線S1位于第一導(dǎo)電層C，第二TFT2的柵極23和第二信號(hào)線S2位于第三導(dǎo)電層D；

第一導(dǎo)電層C和第三導(dǎo)電層D位于同一平面上。

可以通過構(gòu)圖工藝形成第一導(dǎo)電層C和第三導(dǎo)電層D的形狀，使第一導(dǎo)電層C同時(shí)作為第一信號(hào)線S1和第一TFT1的柵極13，使第三導(dǎo)電層D同時(shí)作為第二信號(hào)線S2和第二TFT2的柵極23。

可選地，第一導(dǎo)電層C和第三導(dǎo)電層D可以通過一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成。

其中，位于第一信號(hào)線S1和第二信號(hào)線S2之間的第一導(dǎo)電層C用于形成第一TFT1的柵極13，而位于第一信號(hào)線S1和第三信號(hào)線S3之間的第一導(dǎo)電層C用于形成第三TFT3的柵極，同理，第三導(dǎo)電層D分別用于形成第二TFT2的柵極23和第五TFT5的柵極。

形成了第一TFT1的柵極13和第二TFT2的柵極23后，在第一導(dǎo)電層C和第三導(dǎo)電層D上形成柵絕緣層E的圖形，在柵絕緣層E上形成第一TFT1的第一有源層14的圖形和第二TFT2的第二有源層24的圖形，再在第一有源層14上形成第一TFT1的源極11和漏極12，在第二有源層24上形成第二TFT2的源極21和漏極22。

可選地，可以通過如下結(jié)構(gòu)形成第一TFT1的源極11、漏極12和第二TFT2的源極21、漏極22：

如圖1所示，且參見圖3和圖5，通過構(gòu)圖工藝形成第二導(dǎo)電層F和第四導(dǎo)電層G的圖形；

第一TFT1的源極11位于第二導(dǎo)電層F的第一引出部F1，第一TFT1的漏極12位于第四導(dǎo)電層G的第一引出部G1；

第二TFT2的漏極21位于第二導(dǎo)電層F的第二引出部F2，第二TFT2的源極22位于第四導(dǎo)電層G的第二引出部G2；

第二導(dǎo)電層F與第一信號(hào)線S1線相連，第四導(dǎo)電層G與第二信號(hào)線S2相連。

如圖1所示，且參見圖3和圖5，第二導(dǎo)電層F包括四個(gè)引出部，分別為第一引出部F1、第二引出部F2、第三引出部F3和第四引出部F4；

第四導(dǎo)電層G包括四個(gè)引出部，分別為第一引出部G1、第二引出部G2、第三引出部G3和第四引出部G4；

其中第二導(dǎo)電層F的第一引出部F1和第二引出部F2，第四導(dǎo)電層G的第一引出部G1和第二引出部G2位于第一信號(hào)線S1和第二信號(hào)線S2之間，且第二導(dǎo)電層F的第一引出部F1位于第一有源層14的一端上的部分形成第一TFT1的源極11，第四導(dǎo)電層G的第一引出部G1位于第一有源層14的另一端上的部分形成第一TFT1的漏極12，第二導(dǎo)電層F的第二引出部F2位于第二有源層24的一端上的部分形成第二TFT2的漏極21，第四導(dǎo)電層G的第二引出部G2位于第二有源層24的另一端上的部分形成第二TFT2的源極22。

同理，如圖1所示，且參見圖2和圖5，第二導(dǎo)電層F的第三引出部F3和第四引出部F4位于第一信號(hào)線S1和第三信號(hào)線S3之間，第二導(dǎo)電層F的第三引出部F3用于形成第三TFT3的源極31，第二導(dǎo)電層F的第四引出部F4用于形成第四TFT4的漏極41；第四導(dǎo)電層G的第三引出部G3用于形成第五TFT5的源極51，第四導(dǎo)電層G的第四引出部G4用于形成第六TFT6的漏極，在此不在重復(fù)敘述。

可選的，參見圖5，第二導(dǎo)電層F的一端和第四導(dǎo)電層G的一端形成2字形槽，使第二導(dǎo)電層F的一端形成有兩個(gè)端面且該兩個(gè)端面均與第一信號(hào)線S1平行，以及使第四導(dǎo)電層G的一端形成有兩個(gè)端面且該兩個(gè)端面均與第二信號(hào)線S2平行。

其中，第二導(dǎo)電層F上的兩個(gè)端面中靠近第一信號(hào)線S1的一端面為第一引出部F1，另一端面為第二引出部F2。第四導(dǎo)電層G上的兩個(gè)端面中靠近第二信號(hào)線S2的一端面為第二引出部G2，另一端面為第一引出部G1。

可選地，如圖1所示，且參見圖3和圖5，第二導(dǎo)電層F的第一引出部F1可以形成在第一有源層14的一端之上，此時(shí)第二導(dǎo)電層F形成階梯結(jié)構(gòu)，或者，第二導(dǎo)電層F的第一引出部F1的一端可以與第一有源層14的一端相接觸，此時(shí)第二導(dǎo)電層F為一個(gè)平面結(jié)構(gòu)。第四導(dǎo)電層G的第一引出部G1可以形成在第一有源層14的另一端之上，此時(shí)第四導(dǎo)電層G形成階梯結(jié)構(gòu)，或者，第四導(dǎo)電層G的第一引出部G1的一端可以與第一有源層14的另一端相接觸，此時(shí)第四導(dǎo)電層G為一個(gè)平面結(jié)構(gòu)。

可選地，如圖3所示，在第二導(dǎo)電層F和第四導(dǎo)電層G上形成鈍化層H的圖形，保護(hù)第一TFT1的源極11、漏極12和第二TFT2的漏極21、源極22。

可選地，可通過如下結(jié)構(gòu)來使第一TFT1的源極11與第一信號(hào)線S1相連、漏極12與第二信號(hào)線S2相連，第二TFT2的漏極21與第一信號(hào)線S1相連，源極22與第二信號(hào)線S2相連：

如1圖所示，且參見圖3，在位于第一信號(hào)線S1和第二信號(hào)線S2之間、位于第一導(dǎo)電層C之上的柵絕緣層E、位于該柵絕緣層E之上的第二導(dǎo)電層F和鈍化層H上形成第一過孔I，露出部分第一導(dǎo)電層C，可通過構(gòu)圖工藝形成第一過孔I，在通過構(gòu)圖工藝刻蝕鈍化層H時(shí)，同時(shí)露出部分第二導(dǎo)電層F，再在第一過孔I處形成第一透明導(dǎo)電層J，使第一透明導(dǎo)電層J通過第一過孔I覆蓋在露出的第一導(dǎo)電層C上且與露出的第二導(dǎo)電層F相連；因?yàn)榈谝恍盘?hào)線S1是用第一導(dǎo)電層C形成的，第一TFT1的源極11是使用第二導(dǎo)電層F形成的，因此通過第一透明導(dǎo)電層J將第二導(dǎo)電層F和第一導(dǎo)電層C連接起來可以實(shí)現(xiàn)將第一TFT1的源極11與第一信號(hào)線S1相連；因?yàn)榈诙FT2的漏極21是使用第二導(dǎo)電層F形成的，因此通過第一透明導(dǎo)電層J將第二導(dǎo)電層F和第一導(dǎo)電層C連接起來可以實(shí)現(xiàn)將第二TFT2的漏極21與第一信號(hào)線S1相連；

在位于第一信號(hào)線S1和第二信號(hào)線S2之間的柵絕緣層E、位于第三導(dǎo)電層D之上的柵絕緣層E、位于該柵絕緣層E之上的第四導(dǎo)電層G和鈍化層上形成第二過孔Q，露出部分第三導(dǎo)電層D，可通過構(gòu)圖工藝形成第二過孔Q，在通過構(gòu)圖工藝刻蝕鈍化層時(shí)，同時(shí)露出部分第四導(dǎo)電層G，再在第二過孔Q處形成第二透明導(dǎo)電層P，使第二透明導(dǎo)電層P通過第二過孔覆蓋在露出的第三導(dǎo)電層D上且與露出的第四導(dǎo)電層G相連；因?yàn)榈诙盘?hào)線S2是用第三導(dǎo)電層D形成的，第二TFT2的源極22是使用第四導(dǎo)電層G形成的，因此通過第二透明導(dǎo)電層P將第四導(dǎo)電層G和第三導(dǎo)電層D連接起來可以實(shí)現(xiàn)將第二TFT2的源極22與第二信號(hào)線S2相連；因?yàn)榈谝籘FT1的漏極12是使用第四導(dǎo)電層G形成的，因此通過第二透明導(dǎo)電層P將第四導(dǎo)電層G和第三導(dǎo)電層D連接起來可以實(shí)現(xiàn)將第一TFT1的漏極12與第二信號(hào)線S2相連。

同理，在第二導(dǎo)電層F上形成第三過孔，在第三過孔上形成第三透明導(dǎo)電層，通過該第三透明導(dǎo)電層將第二導(dǎo)電層F和第一導(dǎo)電層C連接起來實(shí)現(xiàn)將第三TFT3的源極31與第一信號(hào)線S1相連；在第四導(dǎo)電層G層形成第四過孔，在第四過孔上形成第四透明導(dǎo)電層，通過該第四透明導(dǎo)電層將第四導(dǎo)電層G和第三導(dǎo)電層D連接起來實(shí)現(xiàn)將第五TFT5的源極51與第二信號(hào)線S2相連。

本實(shí)用新型實(shí)施例中的陣列基板包括多個(gè)防靜電電路，其中任意相鄰的兩根信號(hào)線之間設(shè)有TFT，該TFT連接第一信號(hào)線S1和第二信號(hào)線S2，當(dāng)?shù)谝恍盘?hào)線S1上產(chǎn)生較多的靜電荷時(shí)，該TFT將靜電荷分散到第二信號(hào)線S2，如此可以實(shí)現(xiàn)將靜電荷分散到多根信號(hào)線上，同時(shí)防靜電電路會(huì)消耗一部分靜電荷，如此可以防止靜電荷積累，達(dá)到將靜電荷消散的目的，無需在陣列基板的邊緣設(shè)置短路環(huán)，可以減小陣列基板的邊框的寬度。

實(shí)施例二

如圖6所示，且參見圖7，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板，該陣列基板包括多根信號(hào)線，以及位于多根信號(hào)線中的任意相鄰的兩根信號(hào)線之間的TFT；

對(duì)于該任意相鄰的兩根信號(hào)線，為了便于表述，將該任意相鄰的兩根信號(hào)線分別稱為第一信號(hào)線S1和第二信號(hào)線S2，連接第一信號(hào)線S1和第二信號(hào)線S2之間的TFT稱為第一TFT和第二TFT。

本實(shí)施例中的陣列基板所包含的具體部件與實(shí)施例一中的陣列基板所包含的具體部件相同，在此不再重復(fù)。

與實(shí)施例一中不同的是，本實(shí)施例中的第二導(dǎo)電層F的第一引出部F1、第二引出部F2、第三引出部F3和第四引出部F4，以及第四導(dǎo)電層G的第一引出部G1、第二引出部G2、第三引出部G3和第四引出部G4均為尖點(diǎn)結(jié)構(gòu)。

由于尖點(diǎn)處可以聚集大量電荷，因此將第二導(dǎo)電層F的第一引出部F1、第二引出部F2、第三引出部F3和第四引出部F4；第四導(dǎo)電層G的第一引出部G1、第二引出部G2、第三引出部G3和第四引出部G4設(shè)計(jì)成尖點(diǎn)結(jié)構(gòu)，可以使TFT在形成相同電流的情況下，尖點(diǎn)結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的溝道尺寸更小，進(jìn)而減小第一防靜電電路A的尺寸，降低位于任意相鄰的兩根信號(hào)線之間的防靜電電路的尺寸。

本實(shí)用新型實(shí)施例中的陣列基板中，任意相鄰的兩根信號(hào)線之間設(shè)有TFT，該TFT連接第一信號(hào)線S1和第二信號(hào)線S2，當(dāng)?shù)谝恍盘?hào)線S1上產(chǎn)生較多的靜電荷時(shí)，該TFT將靜電荷分散到第二信號(hào)線S2，如此可以實(shí)現(xiàn)將靜電荷分散到多根信號(hào)線上，同時(shí)防靜電電路會(huì)消耗一部分靜電荷，如此可以防止靜電荷積累，達(dá)到將靜電荷消散的目的，無需在陣列基板的邊緣設(shè)置短路環(huán)，可以減小陣列基板的邊框的寬度。

實(shí)施例三

本實(shí)用新型實(shí)施了提供了一種平板顯示器，該平板顯示器包括上述任一實(shí)施例中描述的陣列基板。

本實(shí)用新型實(shí)施例中的陣列基板中，任意相鄰的兩根信號(hào)線之間設(shè)有TFT，該TFT連接第一信號(hào)線S1和第二信號(hào)線S2，當(dāng)?shù)谝恍盘?hào)線S1上產(chǎn)生較多的靜電荷時(shí)，該TFT將靜電荷分散到第二信號(hào)線S2，如此可以實(shí)現(xiàn)將靜電荷分散到多根信號(hào)線上，同時(shí)防靜電電路會(huì)消耗一部分靜電荷，如此可以防止靜電荷積累，達(dá)到將靜電荷消散的目的，無需在陣列基板的邊緣設(shè)置短路環(huán)，可以減小陣列基板的邊框的寬度。

上述本實(shí)用新型實(shí)施例序號(hào)僅僅為了描述，不代表實(shí)施例的優(yōu)劣。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。