1.一種提高非晶測(cè)試效率的測(cè)試裝置，包括示波器(10)和與示波器(10)聯(lián)接的測(cè)試治具(20)，所述測(cè)試治具(20)上設(shè)置有一用于固定待測(cè)單片非晶的測(cè)試區(qū)域(21)，其特征在于，所述測(cè)試治具(20)一側(cè)設(shè)置有一擋板(30)；所述擋板(30)上從左向右依次設(shè)置有與所述測(cè)試治具(20)上表面平行的第一傳動(dòng)輥(31)、第一導(dǎo)向柱(32)、第二導(dǎo)向柱(33)和第二傳動(dòng)輥(36)，所述第二傳動(dòng)輥(36)的下方設(shè)置有一導(dǎo)向輥(35)；所述第一傳動(dòng)輥(31)上固定有料帶卷，且從該料帶卷延伸出的料帶(40)依次穿過(guò)第一導(dǎo)向柱(32)下方、第二導(dǎo)向柱(33)上方之后，穿過(guò)第二傳動(dòng)輥(36)與導(dǎo)向輥(35)之間。
2.如權(quán)利要求1所述的提高非晶測(cè)試效率的測(cè)試裝置，所述第二傳動(dòng)輥(36)上設(shè)置有一手柄(34)，轉(zhuǎn)動(dòng)手柄(34)可帶動(dòng)第二傳動(dòng)輥(36)相對(duì)導(dǎo)向輥(35)轉(zhuǎn)動(dòng)，以帶動(dòng)料帶(40)前進(jìn)。
3.如權(quán)利要求2所述的提高非晶測(cè)試效率的測(cè)試裝置，所述第一導(dǎo)向柱(32)位于第一傳動(dòng)輥(31)、第二導(dǎo)向柱(33)的下方。
4.如權(quán)利要求3所述的提高非晶測(cè)試效率的測(cè)試裝置，所述測(cè)試區(qū)域(21)位于第一導(dǎo)向柱(32)和第二導(dǎo)向柱(33)在測(cè)試治具(20)上表面垂直投影之間。
5.如權(quán)利要求4所述的提高非晶測(cè)試效率的測(cè)試裝置，所述料帶(40)上均勻間隔設(shè)置有若干待測(cè)單片非晶。
6.如權(quán)利要求5所述的提高非晶測(cè)試效率的測(cè)試裝置，所述待測(cè)單片非晶為鐵基非晶合金片材。
7.如權(quán)利要求6所述的提高非晶測(cè)試效率的測(cè)試裝置，所述測(cè)試區(qū)域(21)中設(shè)置有一用于吸附待測(cè)單片非晶的磁鐵。
8.如權(quán)利要求7所述的提高非晶測(cè)試效率的測(cè)試裝置，所述擋板(30)垂直設(shè)置于測(cè)試治具(20)一側(cè)。