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一種大導(dǎo)電面積的溝槽式肖特基芯片的制作方法

文檔序號:12451081閱讀:來源:國知局
技術(shù)總結(jié)
一種大導(dǎo)電面積的溝槽式肖特基芯片,屬于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。其特征在于:包括外延層(4),在外延層(4)的表面設(shè)置有多個(gè)溝槽,在溝槽的側(cè)壁下部以及溝槽的底部設(shè)置有溝槽底部氧化層(3),在溝槽底部氧化層(3)內(nèi)部填充有多晶硅(2),在外延層(4)的上表面、溝槽側(cè)壁上部以及多晶硅(2)的上表面上設(shè)置有肖特基界面(1)。本大導(dǎo)電面積的溝槽式肖特基芯片,在相同芯片面積的前提下,兼顧了芯片的耐壓能力以及導(dǎo)電面積,提高了導(dǎo)電效率同時(shí)不會(huì)對增大正向壓降。

技術(shù)研發(fā)人員:薛濤;關(guān)仕漢
受保護(hù)的技術(shù)使用者:淄博漢林半導(dǎo)體有限公司
文檔號碼:201620604017
技術(shù)研發(fā)日:2016.06.20
技術(shù)公布日:2016.12.14

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