本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光領(lǐng)域，具體涉及一種耐高溫有機電致發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
有機電致發(fā)光器件(英文全稱organiclight-emittingdevice，簡稱oled)采用有機電致發(fā)光材料，是主動發(fā)光器件，具有低功耗、色域廣、體積更薄等優(yōu)點，有望成為下一代主流照明和平板顯示技術(shù)。目前，有機電致發(fā)光顯示技術(shù)已經(jīng)在智能手機顯示屏等小尺寸面板上得到了廣泛的應(yīng)用。
oled技術(shù)的發(fā)展與發(fā)光材料及相關(guān)功能材料的研究進展是密不可分的。由于大部分相關(guān)材料的熱穩(wěn)定性較差，高溫環(huán)境極易影響器件的性能和壽命，因此，耐熱性是oled器件的重要性能參數(shù)之一?，F(xiàn)有技術(shù)中，一般通過改善封裝結(jié)構(gòu)以提高器件的耐熱性能。然而，該方法不但器件結(jié)構(gòu)設(shè)計復(fù)雜，而且工藝難度大，制造成本高、產(chǎn)品良率低。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
為此，本發(fā)明所要解決的是現(xiàn)有oled器件耐熱設(shè)計復(fù)雜、制造成本高的問題。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：
本發(fā)明所述的一種有機電致發(fā)光器件，包括層疊設(shè)置的第一電極、若干有機材料層和第二電極，各所述有機材料層的玻璃化溫度(tg)不小于110℃。
可選地，所述有機材料層包括至少一層發(fā)光層，還包括空穴注入層和/或空穴傳輸層。
可選地，所述發(fā)光層至少包含一種三線態(tài)能級與單線態(tài)能級差(△est)小于0.15ev的熱活化延遲熒光(tadf)材料。
可選地，所述熱活化延遲熒光材料為發(fā)光主體材料。
可選地，所述熱活化延遲熒光材料為二[2-((氧代)二苯基膦基)苯基]醚。
可選地，所述空穴注入層材料的玻璃化溫度不小于120℃。
可選地，所述空穴傳輸層材料的玻璃化溫度不小于120℃。
可選地，所述空穴傳輸層和/或空穴注入層材料為接有三苯胺類基團的芳胺類材料。
可選地，所述有機材料層還包括電子阻擋層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層中的至少一種。
可選地，所述電子傳輸層為式(et01)所示結(jié)構(gòu)，
其中，*分別與1和2結(jié)合，
x為o、s、se、te或n-ar，其中，ar為被氘、鹵素、氨基、腈基、硝基取代或未取代的c6-50的芳基，或者被氘、鹵素、氨基、腈基、硝基取代或未取代的c2-50的雜芳基；
a各自獨立地為n或c-r，其中，r各自獨立地為氫、氘，被氘、鹵素、氨基、腈基、硝基取代或未取代的cl-30的烷基，被氘、鹵素、氨基、腈基、硝基取代或未取代的c2-30的烯基，被氘、鹵素、氨基、腈基、硝基取代或未取代的c2-30的炔基，被氘、鹵素、氨基、腈基、硝基取代或未取代的cl-30的烷氧基，被氘、鹵素、氨基、腈基、硝基取代或未取代的c6-30的芳氧基，被氘、鹵素、氨基、腈基、硝基取代或未取代的c6-50的芳基，或者被氘、鹵素、氨基、腈基、硝基取代或未取代的c2-50的雜芳基，虛線的a之間可彼此連接，當(dāng)a為cr時，相鄰的r可彼此形成環(huán)；
rl和r2各自獨立地為氫、氘，被氘、鹵素、氨基、腈基、硝基取代或未取代的cl-30的烷基，被氘、鹵素、氨基、腈基、硝基取代或未取代的c2-30的烯基，被氘、鹵素、氨基、腈基、硝基取代或未取代的c2-30的炔基，被氘、鹵素、氨基、腈基、硝基取代或未取代的cl-30的烷氧基，被氘、鹵素、氨基、腈基、硝基取代或未取代的c6-30的芳氧基，被氘、鹵素、氨基、腈基、硝基取代或未取代的c6-50的芳基，或者被氘、鹵素、氨基、腈基、硝基取代或未取代的c2-50的雜芳基，虛線的rl和r2可彼此連接。
本發(fā)明的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點：
1、本發(fā)明實施例所述的一種有機電致發(fā)光器件，包括層疊設(shè)置的第一電極、若干有機材料層和第二電極，各所述有機材料層的玻璃化溫度(tg)不小于110℃。通過適配的熱活化延遲熒光材料主體材料與空穴傳輸材料組合，在高溫下實現(xiàn)器件效率與耐溫性同步提升的效果，極大提高了器件的效率與耐溫性。
2、本發(fā)明實施例所述的一種有機電致發(fā)光器件，所述發(fā)光層至少包含一種三線態(tài)能級與單線態(tài)能級差(△est)小于0.15ev的熱活化延遲熒光(tadf)材料。該類材料的單線態(tài)-三線態(tài)能隙(δest)非常小，三線態(tài)激子可以通過反向系間竄越(rist)轉(zhuǎn)變成單線態(tài)激子發(fā)光，因此器件的內(nèi)量子效率可以達到100％。而且，高溫環(huán)境能夠提高熱活化延遲熒光材料的上轉(zhuǎn)換效率，能夠進一步提高器件的效率。
3、本發(fā)明實施例所述的一種有機電致發(fā)光器件，靠近第一電極的空穴注入層和/或空穴傳輸層的玻璃化溫度不小于120℃。由于基板的散熱性能比較差，電流從第一電極注入器件，具有一定耐高溫的性能的空穴注入層和/或空穴傳輸層能夠有效提高器件的耐高溫性能。
4、本發(fā)明實施例所述的一種有機電致發(fā)光器件，熱活化延遲熒光材料為發(fā)光主體材料，發(fā)光層中的主客體間利用fet能量傳遞方式來傳遞能量，可以有效減少客體的摻雜濃度，從而減少激子猝滅，擴大復(fù)合區(qū)域，而在激子的復(fù)合界面為空穴傳輸層與主體材料界面，所以空穴傳輸層選用高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的材料，能夠保證復(fù)合界面的穩(wěn)定性，從而提高該有機電致發(fā)光器件的耐高溫性能。
具體實施方式
為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將對本發(fā)明的實施方式作進一步地詳細描述。
本發(fā)明可以以許多不同的形式實施，而不應(yīng)該被理解為限于在此闡述的實施例。相反，提供這些實施例，使得本公開將是徹底和完整的，并且將把本發(fā)明的構(gòu)思充分傳達給本領(lǐng)域技術(shù)人員，本發(fā)明將僅由權(quán)利要求來限定。
實施例1
本實施例提供一種有機電致發(fā)光器件，器件結(jié)構(gòu)為：ito(150nm)/ht01(30nm)/dpepo(30nm):ir(piq)2(acac)(3％)/et01(20nm)/lif(1nm)/al(150nm)。
其中，第一電極為ito層；空穴傳輸層式(ht01)為接有三苯胺類基團的芳胺類材料，其tg溫度大于120℃。
發(fā)光層主體材料層為dpepo(二[2-((氧代)二苯基膦基)苯基]醚)層，為熱活化延遲熒光材料，tg為115℃；
發(fā)光層摻雜材料為ir(piq)2(acac)(二(1-苯基異喹啉)(乙酰丙酮)合銥(iii))，
電子傳輸層材料為式(et01)選用分子通式為如下結(jié)構(gòu)的材料，tg大于110℃
其中，*分別與1和2結(jié)合，
x為o、s、se、te或n-ar，其中，ar為被氘、鹵素、氨基、腈基、硝基取代或未取代的c6-50的芳基，或者被氘、鹵素、氨基、腈基、硝基取代或未取代的c2-50的雜芳基；
a各自獨立地為n或c-r，其中，r各自獨立地為氫、氘，被氘、鹵素、氨基、腈基、硝基取代或未取代的cl-30的烷基，被氘、鹵素、氨基、腈基、硝基取代或未取代的c2-30的烯基，被氘、鹵素、氨基、腈基、硝基取代或未取代的c2-30的炔基，被氘、鹵素、氨基、腈基、硝基取代或未取代的cl-30的烷氧基，被氘、鹵素、氨基、腈基、硝基取代或未取代的c6-30的芳氧基，被氘、鹵素、氨基、腈基、硝基取代或未取代的c6-50的芳基，或者被氘、鹵素、氨基、腈基、硝基取代或未取代的c2-50的雜芳基，虛線的a之間可彼此連接，當(dāng)a為cr時，相鄰的r可彼此形成環(huán)；
rl和r2各自獨立地為氫、氘，被氘、鹵素、氨基、腈基、硝基取代或未取代的cl-30的烷基，被氘、鹵素、氨基、腈基、硝基取代或未取代的c2-30的烯基，被氘、鹵素、氨基、腈基、硝基取代或未取代的c2-30的炔基，被氘、鹵素、氨基、腈基、硝基取代或未取代的cl-30的烷氧基，被氘、鹵素、氨基、腈基、硝基取代或未取代的c6-30的芳氧基，被氘、鹵素、氨基、腈基、硝基取代或未取代的c6-50的芳基，或者被氘、鹵素、氨基、腈基、硝基取代或未取代的c2-50的雜芳基，虛線的rl和r2可彼此連接。
作為本發(fā)明的一個實施例，本實施例中，電子傳輸層材料為：
電子注入層為lif層；
第二電極為al層。
經(jīng)測試，有機電致發(fā)光器件的亮度為1000cd/m2時，電壓為4.1v；高溫(85℃)下電流效率為20cd/a，外量子效率為17％，色坐標(biāo)為(0.66,0.33)；高溫85℃壽命lt80為280h。
實施例2
本實施例提供一種有機電致發(fā)光器件，器件結(jié)構(gòu)為同實施例1，不同的是，電子傳輸層為nabpy(5,5'-(2-(naphthalen-2-yl)anthracene-9,10-diyl)bis(2-phenylpyridine))，tg為158℃。
經(jīng)測試，有機電致發(fā)光器件的亮度為1000cd/m2時，電壓為4.0v；高溫(85℃)下電流效率為20cd/a，外量子效率為16％，色坐標(biāo)為(0.66,0.33)；高溫85℃壽命lt80為230h。
對比例1
本對比例提供一種有機電致發(fā)光器件，器件結(jié)構(gòu)為：ito(150nm)/npb(30nm)/cbp(30nm):ir(piq)2(acac)(3％)/bphen(20nm)/lif(1nm)/al(150nm)。
其中發(fā)光層主體材料為cbp(n′-二咔唑基聯(lián)苯)，非熱活化延遲熒光材料，tg為100℃。
空穴注入層為npb(n,n’-二(1-萘基)-n,n’-二苯基-1,1’-聯(lián)苯-4,4’-二胺)，tg為95℃；
電子傳輸層為bphen(4,7-二苯基-1,10-菲羅啉)層，tg為60℃；
電子注入層為lif層；
第二電極為al層。
經(jīng)測試，有機電致發(fā)光器件的亮度為1000cd/m2時，電壓為4.5v；高溫(85℃)下電流效率為16cd/a，外量子效率為14％，色坐標(biāo)為(0.66,0.33)；高溫85℃壽命lt80為100h。
對比例2
本對比例提供一種有機電致發(fā)光器件，器件結(jié)構(gòu)為：ito(150nm)/npb(30nm)/dpepo(30nm):ir(piq)2(acac)(3％)/nabpy(20nm)/lif(1nm)/al(150nm)。
其中，第一電極為ito層；
空穴注入層為npb(n,n’-二(1-萘基)-n,n’-二苯基-1,1’-聯(lián)苯-4,4’-二胺)，tg為95℃；
發(fā)光層主體材料層為dpepo(二[2-((氧代)二苯基膦基)苯基]醚)層，為熱活化延遲熒光材料，tg為115℃；
發(fā)光層摻雜材料為ir(piq)2(acac)(二(1-苯基異喹啉)(乙酰丙酮)合銥(iii))，
電子傳輸層為nabpy(5,5'-(2-(naphthalen-2-yl)anthracene-9,10-diyl)bis(2-phenylpyridine))，tg為158℃。
電子注入層為lif層；
第二電極為al層。
經(jīng)測試，有機電致發(fā)光器件的亮度為1000cd/m2時，電壓為4.3v；高溫(85℃)下電流效率為18cd/a，外量子效率為16％，色坐標(biāo)為(0.66,0.33)；高溫85℃壽命lt80為110h。
對比例3
本對比例提供一種有機電致發(fā)光器件，器件結(jié)構(gòu)為：ito(150nm)/ht01(30nm)/cbp(30nm):ir(piq)2(acac)(3％)/bphen(20nm)/lif(1nm)/al(150nm)。
其中，第一電極為ito層；
空穴傳輸材料層為ht01：
tg溫度大于120℃
發(fā)光層主體材料層為cbp(n′-二咔唑基聯(lián)苯)，非熱活化延遲熒光材料，tg為100℃；
發(fā)光層摻雜材料為ir(piq)2(acac)(二(1-苯基異喹啉)(乙酰丙酮)合銥(iii))，
電子傳輸層為bphen(4,7-二苯基-1,10-菲羅啉)層，tg為60℃；
電子注入層為lif層；
第二電極為al層。
經(jīng)測試，有機電致發(fā)光器件的亮度為1000cd/m2時，電壓為4.5v；高溫(85℃)下電流效率為16cd/a，外量子效率為14％，色坐標(biāo)為(0.66,0.33)；高溫85℃壽命lt80為100h。
顯然，上述實施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而并非對實施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本發(fā)明的保護范圍之中。