本發(fā)明屬于太陽能電池組件
技術(shù)領(lǐng)域：
，具體涉及一種提高多晶硅片刻蝕絨面均勻性的預處理裝置及其處理方法。
背景技術(shù)：
：多晶硅電池片的工藝制造流程一般是清洗制作絨面，然后擴散制作pn結(jié)、腐蝕去磷硅玻璃、pecvd鍍膜、絲網(wǎng)印刷電極燒結(jié)，最后測試包裝。清洗刻蝕是制造太陽能電池的第一道工藝，如何在p型硅片表面獲得均勻的刻蝕絨面和保持每批硅片絨面的一致性是清洗工段考慮的重要問題。現(xiàn)有的多晶硅片一般都是直接上料進入刻蝕槽，硅片表面溫度在20-25℃，進入刻蝕槽后，由于刻蝕槽內(nèi)藥液溫度在8-10℃，硅片表面溫度與刻蝕槽藥液溫度差距大，導致硅片表面刻蝕不均勻。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明提供了一種提高多晶硅片刻蝕絨面均勻性的預處理裝置及其處理方法。本發(fā)明的目的通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)：提高多晶硅片刻蝕絨面均勻性的預處理裝置，包括一容納有恒溫水的恒溫槽及設置于恒溫槽內(nèi)的傳輸滾輪，所述傳輸滾輪置于所述恒溫水下，待刻蝕硅片置于所述傳輸滾輪上，所述傳輸滾輪轉(zhuǎn)動，帶動所述待刻蝕硅片運動，所述裝置還包括一與所述恒溫槽的出口端聯(lián)通的恒溫風干機構(gòu)。優(yōu)選地，所述恒溫風干機構(gòu)包括與恒溫槽內(nèi)的傳輸滾輪同一平面的傳輸輥，所述傳輸輥上方設置有恒溫風刀。優(yōu)選地，所述傳輸滾輪設置有上、下層傳輸滾輪，待刻蝕硅片設置于所述上、下層傳輸滾輪之間，所述上、下層傳輸滾輪轉(zhuǎn)動，帶動待刻蝕硅片進行傳輸。優(yōu)選地，所述恒溫槽下方設置有溶液槽，所述恒溫槽與所述溶液槽通過水泵循環(huán)連接，所述溶液槽內(nèi)設置有恒溫控制機構(gòu)，所述恒溫槽與所述溶液槽內(nèi)均設置有與所述恒溫控制機構(gòu)電性連接的溫度傳感器。優(yōu)選地，所述恒溫水的溫度為8-10℃，所述恒溫水為去離子水。優(yōu)選地，所述傳輸滾輪上設置有分隔帶，同一傳輸滾輪上的相鄰分隔帶之間的距離與待刻蝕硅片的寬度相當。優(yōu)選地，所述裝置還包括有用于驅(qū)動所述滾輪轉(zhuǎn)動的驅(qū)動電機。優(yōu)選地，所述裝置的出料端與刻蝕裝置的進料端封閉連接。提高多晶硅片刻蝕絨面均勻性的預處理方法，包括如下步驟，s1、溶液槽內(nèi)溶液的恒溫調(diào)節(jié)，控制；通過恒溫控制機構(gòu)將溶液槽內(nèi)的溶液控制在溫度為8-10℃；s2、多晶硅片放入恒溫槽，將多晶硅片放入恒溫槽的上、下層傳輸滾輪之間；s3、恒溫槽內(nèi)注入溶液，并保持溫度在8-10℃，通過聯(lián)通的水泵將溶液槽內(nèi)的溶液注入到恒溫槽，并浸沒恒溫槽內(nèi)的傳輸滾輪和多晶硅片表面；s4、恒溫槽內(nèi)通入8-10℃的去離子水，沒過傳輸滾輪，從而給硅片降溫，使硅片表面的溫度降到8-10℃；s5、硅片出恒溫槽的水浴后，進入到恒溫風干機構(gòu)，恒溫風刀啟動，將硅片表面吹干，進一步的進入到刻蝕槽，所述恒溫風刀的溫度為8-10℃。本發(fā)明的有益效果體現(xiàn)在：將需要刻蝕的多晶硅片預先保持在溫度為8-10℃，與刻蝕槽溫度相當，可以大大提高多晶硅片絨面的片內(nèi)均勻性與片間均勻性，降低電池片的色差片比例，提高電池片的合格率。附圖說明圖1：本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式以下結(jié)合實施例具體闡述本發(fā)明的技術(shù)方案，本發(fā)明揭示了一種提高多晶硅片刻蝕絨面均勻性的預處理裝置，如圖1所示，包括一容納有恒溫水的恒溫槽2及與所述恒溫槽的出口端聯(lián)通的恒溫風干機構(gòu)。所述裝置的出料端與刻蝕裝置的進料端封閉連接，進一步的，是指恒溫風干機構(gòu)與刻蝕裝置的進料端封閉連接。所述恒溫槽2內(nèi)設置有置于所述恒溫水下的傳輸滾輪，所述傳輸滾輪包括有上層傳輸滾輪3、下層傳輸滾輪4。待刻蝕硅片設置于所述上、下層傳輸滾輪之間；所述裝置還包括有用于驅(qū)動所述滾輪轉(zhuǎn)動的驅(qū)動電機，所述上、下層傳輸滾輪轉(zhuǎn)動，帶動待刻蝕硅片進行傳輸。所述恒溫水的溫度為8-10℃，所述恒溫水為去離子水。所述恒溫風干機構(gòu)包括與恒溫槽內(nèi)的傳輸滾輪同一平面的傳輸輥6，所述傳輸輥6上方設置有恒溫風刀7。本發(fā)明中，同一平面進一步的限制為同一水平面，當恒溫槽內(nèi)的多晶硅片在出口端時，可以很好的進入到恒溫風干機構(gòu)內(nèi)，實現(xiàn)無縫對接。為了更好的對恒溫槽2內(nèi)的去離子水進行水溫及水量的控制，所述恒溫槽下方設置有溶液槽1，所述恒溫槽2與所述溶液槽1通過水泵循環(huán)連接，所述溶液槽1內(nèi)設置有恒溫控制機構(gòu)，所述恒溫槽2與所述溶液槽1內(nèi)均設置有與所述恒溫控制機構(gòu)電性連接的溫度傳感器。為了能進行更量化的硅片傳輸，所述傳輸滾輪上設置有分隔帶5，同一傳輸滾輪上的相鄰分隔帶之間的距離與待刻蝕硅片的寬度相當。本發(fā)明中采用的分隔帶5為4個，將傳輸滾輪分為5個區(qū)域，可以同時五排硅片同時輸送。以下闡述下利用本裝置進行提高多晶硅片刻蝕絨面均勻性的預處理方法，包括如下步驟，s1、溶液槽內(nèi)溶液的恒溫調(diào)節(jié)，控制；通過恒溫控制機構(gòu)將溶液槽內(nèi)的溶液控制在溫度為8-10℃；s2、多晶硅片放入恒溫槽，將多晶硅片放入恒溫槽的上、下層傳輸滾輪之間；s3、恒溫槽內(nèi)注入溶液，并保持溫度在8-10℃，通過聯(lián)通的水泵將溶液槽內(nèi)的溶液注入到恒溫槽，并浸沒恒溫槽內(nèi)的傳輸滾輪和多晶硅片表面；s4、恒溫槽內(nèi)通入8-10℃的去離子水，沒過傳輸滾輪，從而給硅片降溫，使硅片表面的溫度降到8-10℃；s5、硅片出恒溫槽的水浴后，進入到恒溫風干機構(gòu)，恒溫風刀啟動，將硅片表面吹干，進一步的進入到刻蝕槽，所述恒溫風刀的溫度為8-10℃。表1為采用本發(fā)明中的預處理對最后產(chǎn)品反射率的影響與現(xiàn)有技術(shù)的對比表：實施例現(xiàn)有技術(shù)反射率發(fā)明技術(shù)反射率120.5620.36221.2319.46321.8919.54422.4719.47520.1420.39621.5820.58719.5820.14822.3619.78921.820.621019.0819.68標準偏差1.170.47。以上充分顯示了本發(fā)明的方法保證產(chǎn)品進入刻蝕槽前，使硅片表面的溫度降到與刻蝕槽藥液一樣的溫度，不僅不會影響刻蝕槽藥液的濃度，而且能均勻地與藥液發(fā)生反應。本發(fā)明尚有多種具體的實施方式。凡采用等同替換或者等效變換而形成的所有技術(shù)方案，均落在本發(fā)明要求保護的范圍之內(nèi)。當前第1頁12