本發(fā)明涉及例如由金屬端子構(gòu)成的外部端子連接的電子部件。

背景技術(shù)：

作為陶瓷電容器等具有陶瓷素體的電子部件，除了以單體直接面安裝于基板等的通常的片狀部件外，還提案有在片狀部件安裝有金屬端子等外部端子的電子部件。報(bào)告有安裝有外部端子的電子部件具有在安裝后緩和片狀部件從基板受到的變形應(yīng)力，或者保護(hù)片狀部件不受沖擊等影響的效果，在要求耐久性及可靠性等的領(lǐng)域使用。

在使用有外部端子的電子部件中，外部端子的一端與片狀部件的端子電極連接，另一端通過(guò)焊料等與電路基板等的安裝面連接。作為外部端子，例如，如專利文獻(xiàn)1所示，有時(shí)為了降低電阻，使用銅或銅合金等金屬。

但是，在作為外部端子使用銅或銅合金等金屬的情況下，根據(jù)這些金屬的熱膨脹系數(shù)比陶瓷素體的熱膨脹系數(shù)大等理由，在通過(guò)焊料等將外部端子與陶瓷素體的端子電極連接后，在焊料部產(chǎn)生應(yīng)力。因此，具有在陶瓷素體的端子電極和外部端子的連接部的強(qiáng)度降低，或熱沖擊性等的可靠性變差等課題。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2000－235932號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明所要解決的課題

本發(fā)明是鑒于這種實(shí)際情況而開(kāi)發(fā)的，其目的在于，提供可以降低外部端子的連接部的應(yīng)力的電子部件。

用于解決課題的技術(shù)方案

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的第一方面提供一種電子部件，具有在內(nèi)置有內(nèi)部電極的陶瓷素體的端面形成有端子電極的片狀部件、和與所述端子電極電連接的外部端子，其特征在于，

所述外部端子具有：

端子電極連接部，其以朝向所述端子電極的方式配置；

安裝連接部，其能夠與安裝面連接，

所述端子電極連接部具有與所述端子電極連接的第一金屬、配置于該第一金屬的外側(cè)的第二金屬、和配置于所述第二金屬的外側(cè)的第三金屬的層疊構(gòu)造，

所述外部端子的熱膨脹系數(shù)比所述陶瓷素體的熱膨脹系數(shù)小。

在本發(fā)明第一方面的電子部件中，具有第一金屬、第二金屬和第三金屬的層疊構(gòu)造的外部端子的熱膨脹系數(shù)比陶瓷素體的熱膨脹系數(shù)小地設(shè)定。本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)通過(guò)采用這種構(gòu)成，可以降低外部端子的連接部(例如焊料連接部)的應(yīng)力，直至完成本發(fā)明。通過(guò)降低應(yīng)力，在陶瓷素體的端子電極和外部端子的連接部的強(qiáng)度提高，并且熱沖擊性等的可靠性提高。

優(yōu)選的是，所述第一金屬獨(dú)自的熱膨脹系數(shù)比所述陶瓷素體的熱膨脹系數(shù)大，所述第二金屬獨(dú)自的熱膨脹系數(shù)比所述陶瓷素體的熱膨脹系數(shù)小，所述第三金屬獨(dú)自的熱膨脹系數(shù)比所述陶瓷素體的熱膨脹系數(shù)大。具有比陶瓷素體的熱膨脹系數(shù)大的熱膨脹系數(shù)的第一金屬及第三金屬通常是電阻低，可以改善電子部件的等效串聯(lián)電阻(esr)。

優(yōu)選的是，所述外部端子的所述第二金屬的構(gòu)成比率為40％以上。通過(guò)這樣構(gòu)成，可以在維持esr的改善效果的同時(shí)，將外部端子的熱膨脹系數(shù)設(shè)定為比陶瓷素體的熱膨脹系數(shù)小。

也可以是，所述第一金屬獨(dú)自的熱膨脹系數(shù)比所述陶瓷素體的熱膨脹系數(shù)小，所述第二金屬獨(dú)自的熱膨脹系數(shù)比所述陶瓷素體的熱膨脹系數(shù)大，所述第三金屬獨(dú)自的熱膨脹系數(shù)比所述陶瓷素體的熱膨脹系數(shù)小。具有比陶瓷素體的熱膨脹系數(shù)大的熱膨脹系數(shù)的第二金屬通常是電阻低，可以改善電子部件的等效串聯(lián)電阻(esr)。特別是與端子電極連接的第一金屬由熱膨脹系數(shù)小的金屬構(gòu)成，由此，連接部(例如焊料連接部)的應(yīng)力的降低效果大。

在上述的情況下，優(yōu)選所述外部端子的所述第二金屬的構(gòu)成比率為50％以下。通過(guò)這樣構(gòu)成，在使外部端子的熱膨脹系數(shù)比陶瓷素體的熱膨脹系數(shù)小的范圍內(nèi)，還可以提高esr的改善效果。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第二方面提供一種電子部件，具有在內(nèi)部電極內(nèi)置的陶瓷素體的端面形成有端子電極的片狀部件、和與所述端子電極電連接的外部端子，其特征在于，

所述外部端子具有：

端子電極連接部，其以朝向所述端子電極的方式配置；

安裝連接部，其能夠與安裝面連接，

所述端子電極連接部具有與所述端子電極連接的第一金屬、配置于該第一金屬的外側(cè)的第二金屬的層疊構(gòu)造，

所述外部端子的熱膨脹系數(shù)比所述陶瓷素體的熱膨脹系數(shù)小。

在本發(fā)明第二方面的電子部件中，具有第一金屬和第二金屬的層疊構(gòu)造的外部端子的熱膨脹系數(shù)被設(shè)定為比陶瓷素體的熱膨脹系數(shù)小。本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)通過(guò)采用這種構(gòu)成，可以降低外部端子的連接部(例如焊料連接部)的應(yīng)力，實(shí)現(xiàn)完成本發(fā)明。通過(guò)降低應(yīng)力，陶瓷素體的端子電極和外部端子的連接部的強(qiáng)度提高，并且熱沖擊性等的可靠性提高。

此外，本發(fā)明中金屬在還包含合金的概念下使用。

附圖說(shuō)明

圖1a是本發(fā)明的一實(shí)施方式的電子部件的立體圖；

圖1b是本發(fā)明的又一實(shí)施方式的電子部件的要部概略剖視圖；

圖2是沿著圖1a所示的電子部件的ii－ii線的剖視圖；

圖3是本發(fā)明的其它實(shí)施方式的電子部件的要部概略剖視圖；

圖4是本發(fā)明的又一實(shí)施方式的電子部件的要部概略剖視圖；

圖5是本發(fā)明的又一實(shí)施方式的電子部件的立體圖。

符號(hào)說(shuō)明

2…電介質(zhì)層

4…內(nèi)部電極層

10、10α、10β、10γ…電子部件

20…片狀電容器

22…端子電極

22a…端面電極部

22b…側(cè)面電極部

26…素體

26a…底側(cè)面

26b…上側(cè)面

20c…側(cè)面

20d…側(cè)面

30、30α、30β…金屬端子

30a…第一金屬

30b…第二金屬

30c…第三金屬

32…端子電極連接部

34…安裝連接部

36…連結(jié)部

50…焊料

60…安裝面

具體實(shí)施方式

以下，基于附圖所示的實(shí)施方式說(shuō)明本發(fā)明。

(第一實(shí)施方式)

圖1a是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的電子部件10的概略立體圖。電子部件10具有作為片狀部件的片狀電容器20、和分別安裝于片狀電容器20的x軸方向的兩端面的一對(duì)金屬端子(外部端子)30。

此外，在各實(shí)施方式的說(shuō)明中，以在片狀電容器20上安裝有一對(duì)金屬端子30的電子部件為例進(jìn)行說(shuō)明，但作為本發(fā)明的陶瓷電子部件不限于此，也可以是在電容器以外的片狀部件上安裝有金屬端子30的電子部件。

片狀電容器20具有電容器素體(陶瓷素體)26、和分別形成于電容器素體26的x軸方向的兩端面的一對(duì)端子電極22。電容器素體26具有與x軸方向的端面大體垂直的四個(gè)側(cè)面26a、26b、26c、26d。如圖2所示，這些側(cè)面中的一個(gè)側(cè)面26a為與電路基板的安裝面60最接近的底側(cè)面。本實(shí)施方式中，與底側(cè)面26a平行地對(duì)置的側(cè)面26b為上側(cè)面。其它側(cè)面26c、26d與安裝面60大體垂直地配置。

此外，在各附圖中，x軸、y軸及z軸相互垂直，相對(duì)于安裝面60，將垂直方向設(shè)為z軸，x軸是與素體26的端面垂直的方向，y軸是與側(cè)面26c及側(cè)面26d垂直的方向。

如圖2所示，電容器素體26在內(nèi)部具有作為陶瓷層的電介質(zhì)層2和內(nèi)部電極層4，這些電介質(zhì)層2和內(nèi)部電極層4交替層疊。鄰接的一方的內(nèi)部電極層4與和x軸方向?qū)χ玫囊环降亩俗与姌O22連接，另一方的內(nèi)部電極4與另一方的端子電極22連接。此外，圖2中，電介質(zhì)層2和內(nèi)部電極層4沿著z軸方向交替層疊，但電介質(zhì)層2和內(nèi)部電極層4也可以沿著y軸方向交替層疊。層疊方向沒(méi)有特別限定。

電介質(zhì)層2的材質(zhì)沒(méi)有特別限定，例如由鈦酸鈣、鈦酸鍶、鈦酸鋇或它們的混合物等電介質(zhì)材料構(gòu)成。各電介質(zhì)層2的厚度沒(méi)有特別限定，一般是零點(diǎn)幾μm～幾十μm的厚度。

內(nèi)部電極層中含有的導(dǎo)電體材料沒(méi)有特別限定，但在電介質(zhì)層的構(gòu)成材料具有耐還原性的情況下，可以使用較廉價(jià)的卑金屬。作為卑金屬，優(yōu)選為ni或ni合金。作為ni合金，優(yōu)選選自mn、cr、co及al的1種以上的元素和ni的合金，合金中的ni含量?jī)?yōu)選為95重量％以上。此外，在ni或ni合金中也可以含有0.1重量％左右以下的p等各種微量成分。另外，內(nèi)部電極層也可以使用市場(chǎng)經(jīng)銷的電極用膏體形成。內(nèi)部電極層的厚度只要根據(jù)用途等適當(dāng)確定即可。

端子電極22的材質(zhì)也沒(méi)有特別限定，通常使用銅或銅合金、鎳或鎳合金等，但也可以使用銀或銀和鈀的合金等。端子電極22的厚度也沒(méi)有特別限定，通常為10～50μm左右。此外，在端子電極22的表面也可以形成選自ni、cu、sn等中的至少1種金屬被膜。特別優(yōu)選為cu燒結(jié)層/ni鍍層/sn鍍層的多層構(gòu)造。

另外，在本實(shí)施方式中，端子電極22也可以至少由具有樹脂電極層的多層電極膜構(gòu)成。作為具有樹脂電極層的端子電極22，優(yōu)選由例如從與素體26接觸側(cè)起的燒結(jié)層/樹脂電極層/ni鍍層/sn鍍層構(gòu)成。

另外，如圖2所示，端子電極22具有：端面電極部22a，其分別位于素體26的x軸方向的兩端面并覆蓋端面；側(cè)面電極部22b，其從素體26的端面起以規(guī)定覆蓋寬度l1覆蓋接近該端面的多個(gè)側(cè)面26a～26d的方式與端面電極部22a一體形成。本實(shí)施方式中，實(shí)際上也可以不形成側(cè)面電極部22b，端子電極22實(shí)際上也可以僅由端面電極部22a構(gòu)成。

如圖1a及圖2所示，各金屬端子30具有以與形成于素體26的x軸方向的端面的端子電極22的端面電極部22a面對(duì)的方式配置的端子電極連接部32、和能夠與安裝面60連接的安裝連接部34。如圖2所示，端子電極連接部32和安裝連接部34通過(guò)與其一體成形的連結(jié)部36連結(jié)，以從安裝面60以規(guī)定距離隔開(kāi)距安裝面60最近的素體26的底側(cè)面26a。

連結(jié)部36具有按照安裝連接部34以規(guī)定距離與底側(cè)面26a相對(duì)的方式從端子電極連接部32向底側(cè)面26a方向(內(nèi)側(cè))折彎的彎曲形狀。但是，作為本實(shí)施方式的變形，如圖1b所示，安裝連接部34也可以從端子電極連接部32向底側(cè)面26a方向的相反方向(外側(cè))折彎。

如圖2所示，各金屬端子30由具有經(jīng)由焊料50與端面電極部22a連接的第一金屬30a、配置于該第一金屬30a的外側(cè)的第二金屬30b、配置于其外側(cè)的第三金屬30c這三層層疊構(gòu)造的包覆材料構(gòu)成。本實(shí)施方式中，第一金屬30a及第三金屬30c的熱膨脹系數(shù)比陶瓷素體26的熱膨脹系數(shù)大。

優(yōu)選第一金屬30a及第三金屬30c的熱膨脹系數(shù)、和陶瓷素體26的熱膨脹系數(shù)的差異，優(yōu)選為0.5ppm以上，進(jìn)一步優(yōu)選為1ppm以上，特別優(yōu)選為2ppm以上。陶瓷素體26的熱膨脹系數(shù)還取決于電介質(zhì)層2的材質(zhì)，但一般為(6～14)×10^－6/k。第一金屬30a及第三金屬30c優(yōu)選由相同的金屬構(gòu)成，但也可以由不同的金屬構(gòu)成。無(wú)論任何情況，由第一金屬30a、第二金屬30b及第三金屬30c構(gòu)成的三層構(gòu)造的金屬端子30的熱膨脹系數(shù)只要比陶瓷素體26的熱膨脹系數(shù)小即可。

作為第一金屬30a及第三金屬30c，例如優(yōu)選為銅、銅合金、鋁、鋁合金、鋅、鋅合金等非鐵金屬。

或者，作為第一金屬30a及第三金屬30c，使用比第二金屬30b電阻小的金屬。例如使用銅、銅合金、鋁、鋁合金、鋅、鋅合金等金屬。優(yōu)選第一金屬30a及第三金屬30c的電阻和第二金屬30b的電阻的差為3×10^－8ω·m以上。此外，第二金屬的電阻以體電阻率計(jì)，優(yōu)選為(5～100)×10^－8ω·m。

本實(shí)施方式中，第二金屬30b其熱膨脹系數(shù)比陶瓷素體26的熱膨脹系數(shù)小。優(yōu)選第二金屬30b的熱膨脹系數(shù)和陶瓷素體26的熱膨脹系數(shù)之差，優(yōu)選為0.5ppm以上，進(jìn)一步優(yōu)選為1ppm以上，特別優(yōu)選為2ppm以上。

作為具有比陶瓷素體的熱膨脹系數(shù)小的熱膨脹系數(shù)的第二金屬30b，優(yōu)選使用例如42ni－fe、36ni－fe、52ni－fe、50ni－fe、30ni－fe、32ni－5co－fe、29ni－16co－fe等鐵系合金。另外，作為第二金屬30b，只要其熱膨脹系數(shù)比陶瓷素體26的熱膨脹系數(shù)小，則不限于鐵系金屬，可以使用sus410、sus430、ni等。

作為優(yōu)選的組合，第一金屬30a為銅或銅合金，第二金屬30b是42ni－fe或36ni－fe，第三金屬30c是銅或銅合金。由第一金屬30a、第二金屬30b和第三金屬30c這三層的層疊構(gòu)造構(gòu)成的金屬端子30的總體厚度t0沒(méi)有特別限制，優(yōu)選為0.1～0.2mm。

第一金屬30a的厚度t1優(yōu)選最小為10μm以上。另外，第一金屬30a的厚度t1的最大值根據(jù)與總體厚度t0的均衡決定，優(yōu)選確定為t1/t0為1/2以下。第二金屬30b的厚度t2優(yōu)選最小為20μm以上。另外，第二金屬30b的厚度t2的最大值根據(jù)和總體厚度t0的均衡確定，優(yōu)選確定為t2/t0為9/10以下，進(jìn)一步優(yōu)選為8/10以下。即，如果換算為第二金屬30b的構(gòu)成比率，則優(yōu)選為90％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為80％以下。

另外，第三金屬30c的厚度t3優(yōu)選最小為10μm以上。另外，第三金屬30c的厚度t3的最大值根據(jù)與總體厚度t0的均衡確定，優(yōu)選確定為t3/t0為1/2以下。第三金屬30c的厚度t3即可以與第一金屬30a的厚度t1相同，也可以不同，優(yōu)選設(shè)定為它們的厚度的合計(jì)t1+t3為總體厚度t0的60％以下。如果換算為第二金屬30b的構(gòu)成比率，則優(yōu)選為40％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為50％以上。

即，外部端子30中的第二金屬30b的構(gòu)成比率(t2/t0)優(yōu)選為40％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為50％以上，其上限優(yōu)選為90％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為80％以下。另外，第一金屬30a及第三金屬30c的構(gòu)成比率之和((t1+t3)/t0)優(yōu)選為全體的60％以下，優(yōu)選為50％以下。此外，在與端子電極22連接的第一金屬30a的體電阻比第二金屬30b的體電阻高的情況下，厚度t1優(yōu)選比厚度t2薄，也可以比厚度t3薄。

通過(guò)如上那樣設(shè)定，降低外部端子的連接部(例如根據(jù)焊料50的連接部)的應(yīng)力的效果提高，并且esr的改善效果提高。

片狀電容器20的形狀及尺寸只要根據(jù)目的及用途適當(dāng)確定即可。片狀電容器20為長(zhǎng)方體形狀的情況下，通常是縱(0.6～7.5mm)×橫(0.3～6.3mm)×厚度(0.1～3.2mm)左右。

電子部件10的制造方法

以下，對(duì)電子部件10的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。首先，制造片狀電容器20。為了在燒成后形成成為電介質(zhì)層的生片，準(zhǔn)備生片用涂料。生片用涂料在本實(shí)施方式中由混煉電介質(zhì)材料的原料和有機(jī)載體而得的有機(jī)溶劑系膏體或水系膏體構(gòu)成。

作為電介質(zhì)材料的原料，從燒成后成為鈦酸鈣、鈦酸鍶、鈦酸鈀的各種化合物，例如碳酸鹽、硝酸鹽、氫氧化物、有機(jī)金屬化合物等中適宜選擇，可以混合使用。

接著，使用上述的生片用涂料，在載體板上形成生片。接著，在生片的一方的表面形成在燒成后成為內(nèi)部電極層的電極圖形。作為電極圖形的形成方法，沒(méi)有特別限定，例示印刷法、轉(zhuǎn)印法、薄膜法等。在生片上形成了電極圖形后，通過(guò)干燥，得到形成了電極圖形的生片。

作為制造內(nèi)部電極層用涂料時(shí)使用的導(dǎo)電體材料，優(yōu)選使用ni或ni合金、進(jìn)而它們的混合物。這種導(dǎo)電體材料是球狀、鱗片狀等，其形狀上沒(méi)有特別限制，另外，也可以是混合了這些形狀的形狀。

接著，從載體板剝離形成有內(nèi)部電極圖形的生片，并層疊至希望的層疊數(shù)，得到生片層疊體。此外，在層疊的最初和最后，層疊未形成有內(nèi)部電極圖形的外層用生片。

之后，對(duì)該生片層疊體進(jìn)行最終加壓，根據(jù)需要進(jìn)行研磨處理，進(jìn)行去除粘合劑處理。接著，實(shí)施生片的燒成。燒成條件沒(méi)有特別限定。燒成后根據(jù)需要實(shí)施退火處理、研磨等，從而得到圖1a所示的電容器素體26。

之后，在電容器素體26上形成端子電極22。端子電極22在例如將端子電極用涂料進(jìn)行燒結(jié)而形成基底電極后，通過(guò)在基底電極的表面形成通過(guò)鍍敷的金屬被膜而制作。此外，端子電極用涂料可以與上述的內(nèi)部電極層用涂料同樣地制備。

另外，在形成具有樹脂電極層的端子電極22的情況下，例如在素體26的端面形成由燒結(jié)層構(gòu)成基底電極后，涂布樹脂電極膏體膜而形成樹脂電極層。之后，形成ni鍍層及sn鍍層即可。

在金屬端子30的制造中，首先，準(zhǔn)備平板狀的三層層疊包覆金屬板材。接著，通過(guò)對(duì)金屬板材進(jìn)行機(jī)械加工，得到圖1a及圖2所示的金屬端子30。具體的加工方法沒(méi)有特別限定，優(yōu)選使用例如沖壓加工。在金屬端子30的表面也可以形成基于鍍敷的金屬被膜。

作為用于鍍敷的材料，沒(méi)有特別限定，例如可舉出ni、cu、sn等。鍍敷的金屬被膜的厚度優(yōu)選為第一金屬30a的厚度的1/3以下。

在形成于如上述得到的片狀電容器20的x軸方向的兩端面的端子電極22的端面電極部22a連接金屬端子30的端子電極連接部32。如圖2所示，在本實(shí)施方式中，通過(guò)焊料50將它們連接。

本實(shí)施方式中，三層層疊構(gòu)造的金屬端子30的熱膨脹系數(shù)比陶瓷素體26的熱膨脹系數(shù)小。因此，本實(shí)施方式中，可以降低金屬端子30的連接部(例如根據(jù)焊料50的連接部)的應(yīng)力。通過(guò)降低應(yīng)力，在陶瓷素體26的端子電極22和金屬端子30的連接部的強(qiáng)度提高，并且熱沖擊性等可靠性提高。

另外，本實(shí)施方式中，第一金屬30a及第三金屬30c的熱膨脹系數(shù)比陶瓷素體26的熱膨脹系數(shù)大。具有比陶瓷素體26的熱膨脹系數(shù)大的熱膨脹系數(shù)的第一金屬30a及第三金屬30c通常是電阻低，可以改善電子部件10的等效串聯(lián)電阻(esr)。特別是通過(guò)使用如例如銅或銅合金等那種電阻低的金屬，可以改善電子部件10的等效串聯(lián)電阻(esr)。

另外，本實(shí)施方式中，將第一金屬30a、第二金屬30b及第三金屬30c的構(gòu)成比率設(shè)定在特定的范圍。通過(guò)這樣構(gòu)成，降低金屬端子30的連接部(例如根據(jù)焊料50的連接部)的應(yīng)力的效果提高，并且esr的改善效果提高。

另外，本實(shí)施方式中，由于金屬端子30通過(guò)三層構(gòu)造的包覆材料構(gòu)成，所以與二層的包覆材料比較，溫度變化等引起的翹曲等少，故而優(yōu)選。另外，本實(shí)施方式中，作為位于兩側(cè)的第一金屬30a及第二金屬30c，使用銅系金屬等電阻較低的低電阻金屬，因此，特別是在用于高頻用途的情況下，esr的降低效果大。這認(rèn)為是因?yàn)楦哳l電流易在金屬端子30的表面?zhèn)攘魍ā?/p>

(第二實(shí)施方式)

圖3是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的電子部件10α的立體圖。本實(shí)施方式的電子部件10α除下述表示的以外，具有和圖1a及圖2所示的第一實(shí)施方式的電子部件10同樣的構(gòu)成，起到同樣的作用效果，所以在共通的部分附加共通的部件符號(hào)，共通的部的說(shuō)明省略。

如圖3所示，在本實(shí)施方式中，配置于x軸方向的兩端的金屬端子30α的z軸方向的高度增加，沿z軸方向并列配置兩個(gè)以上的片狀電容器20的端子電極22分別經(jīng)由焊料50與端子電極連接部32連接。此外，圖3中，焊料50在每個(gè)端子電極22上沿z軸方向不連續(xù)，但也可以連續(xù)形成。

本實(shí)施方式的電子部件10α除片狀電容器20沿z軸方向并列配置以外，具有與第一實(shí)施方式的電子部件10同樣的構(gòu)成，起到同樣的作用效果。

(第三實(shí)施方式)

圖4是本發(fā)明的第三實(shí)施方式的電子部件10β的立體圖。本實(shí)施方式的電子部件10β除下述所示的以外，具有與圖1a～圖3所示的實(shí)施方式同樣的構(gòu)成，起到同樣的作用效果，所以在共通的部分附加共通的部件符號(hào)，共通的部分的說(shuō)明省略。

如圖4所示，在本實(shí)施方式中，金屬端子30β中的僅與端子電極連接部32對(duì)應(yīng)的部分通過(guò)由第一金屬30a、第二金屬30b及第三金屬30c構(gòu)成的三層層疊的包覆構(gòu)成，安裝連接部34及連結(jié)部36僅由第二金屬30b構(gòu)成。在作為第二金屬30b，由電阻小的金屬材料構(gòu)成的情況下，第二金屬30b的體積增加，因此，可以期待esr的提高，并且還可以期待基于焊料50的連接部的應(yīng)力降低的效果。

其它的構(gòu)成與第一實(shí)施方式或第二實(shí)施方式同樣，起到同樣的作用效果。

(第四實(shí)施方式)

圖5是本發(fā)明的第四實(shí)施方式的電子部件10γ的立體圖。本實(shí)施方式的電子部件10γ除下述所示的以外，具有與圖1a～圖4所示的實(shí)施方式同樣的構(gòu)成，起到同樣的作用效果，因此在共通的部分附加共通的部件符號(hào)，共通的部分的說(shuō)明省略。

如圖5所示，在本實(shí)施方式中，金屬端子30γ通過(guò)由第一金屬30a、第二金屬30b構(gòu)成的二層層疊的包覆構(gòu)成。金屬端子30γ的熱膨脹系數(shù)比陶瓷素體26的熱膨脹系數(shù)小。本實(shí)施方式的第一金屬30a由與前述的實(shí)施方式的第一金屬30a同樣的材質(zhì)構(gòu)成，第二金屬30b由與前述的實(shí)施方式的第二金屬30b同樣的材質(zhì)構(gòu)成。

作為優(yōu)選的組合，第一金屬30a是銅或銅合金，第二金屬30b是42ni－fe或36ni－fe。由第一金屬30a和第二金屬30b的二層的層疊構(gòu)造構(gòu)成的金屬端子30的總體厚度t0，沒(méi)有特別限定，優(yōu)選為0.1～0.2mm。

第一金屬30a的厚度t1優(yōu)選最小為10μm以上。另外，第一金屬30a的厚度t1的最大值根據(jù)和總體厚度t0的均衡確定，優(yōu)選確定為t1/t0為1/2以下。第二金屬30b的厚度t2優(yōu)選最小為20μm以上。另外，第二金屬30b的厚度t2的最大值根據(jù)和總體厚度t0的均衡確定，優(yōu)選設(shè)定為t2/t0為9.5/10以下，進(jìn)一步優(yōu)選為9/10以下。即，如果換算成第二金屬30b的構(gòu)成比率，優(yōu)選為95％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為90％以下。

外部端子30中的第二金屬30b的構(gòu)成比率(t2/t0)優(yōu)選為40％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為50％以上，其上限優(yōu)選為95％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為90％以下。此外，在與端子電極22連接的第一金屬30a的體電阻比第二金屬30b的體電阻高的情況下，優(yōu)選厚度t1比厚度t2薄。

通過(guò)如上那樣設(shè)定，降低外部端子的連接部(例如焊料50的連接部)的應(yīng)力的效果提高，esr的改善效果提高。

其它的構(gòu)成與第一實(shí)施方式或第二實(shí)施方式同樣，起到同樣的作用效果。

(其它實(shí)施方式)

此外，本發(fā)明不限定于上述的實(shí)施方式，在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以進(jìn)行各種改變。例如，在上述的實(shí)施方式中，使用焊料50連接端子電極22和金屬端子30、30α、30β、30γ，但也可以通過(guò)導(dǎo)電性粘接劑或其它的連接裝置進(jìn)行連接。

另外，在上述的實(shí)施方式中，由熱膨脹系數(shù)比陶瓷素體26小的金屬構(gòu)成第二金屬30b，由熱膨脹系數(shù)比陶瓷素體26大的金屬(或低電阻金屬)構(gòu)成第一金屬30a和第三金屬30c，反之亦然。即，也可以由熱膨脹系數(shù)比陶瓷素體26大的金屬(或低電阻金屬)構(gòu)成第二金屬30b，由熱膨脹系數(shù)比陶瓷素體26小的金屬構(gòu)成第一金屬30a和第三金屬30c。

但是，該情況下，外部端子30中的第二金屬30b的構(gòu)成比率(t2/t0)優(yōu)選為50％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為40％以下。其下限沒(méi)有特別限定，優(yōu)選為5％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為10％以上。另外，該情況下，預(yù)想第二金屬30b由電阻比第一金屬30a及第三金屬30c低的金屬構(gòu)成。

因此，在圖4所示的實(shí)施方式中，在由熱膨脹系數(shù)比陶瓷素體26大的金屬(或低電阻金屬)構(gòu)成第二金屬30b的情況下，因第二金屬30b的體積增加，所以可以期待esr的提高。此外，在圖4所示的第三實(shí)施方式中，第二金屬30b構(gòu)成連結(jié)部36和安裝連接部34，但構(gòu)成端子電極連接部32的第一金屬30a或第三金屬30c也可以連續(xù)地構(gòu)成連結(jié)部36和安裝連接部34。第一金屬30a或第三金屬30c這一方與第二金屬30b比較電阻低的情況下，利于esr的降低。

【實(shí)施例】

以下，基于更詳細(xì)的實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明不限定于這些實(shí)施例。

(實(shí)施例1)

準(zhǔn)備圖1a及圖2所示陶瓷素體26，在陶瓷素體26的兩端面形成端子電極22。作為陶瓷素體26，使用由長(zhǎng)度5.7mm、寬度5.0mm、高度2.3mm尺寸構(gòu)成陶瓷素體。另外，準(zhǔn)備由具有第一金屬30a、第二金屬30b及第三金屬30c三層的層疊構(gòu)造的包覆材料構(gòu)成的外部端子(金屬端子)30，使用焊料50將第一金屬30a與端子電極22連接，制作實(shí)施例1的樣品。

作為外部端子30，使用第一金屬30a為銅，第二金屬30b為36nife合金，第三金屬30c為銅的外部端子。此外，各金屬30a、30b、30c的厚度t1、t2、t3、總體厚度t0、外部端子30的第二金屬30b的構(gòu)成比率(t2/t0)如表1所示。

以下述的要領(lǐng)測(cè)定外部端子30及陶瓷素體26的熱膨脹系數(shù)，結(jié)果是外部端子30的熱膨脹系數(shù)為5.5×10^-6/k，陶瓷素體26的熱膨脹系數(shù)是11.4×10^-6/k。此外，第一金屬30a單獨(dú)的熱膨脹系數(shù)比陶瓷素體26的熱膨脹系數(shù)大，第二金屬30b單獨(dú)的熱膨脹系數(shù)比陶瓷素體26的熱膨脹系數(shù)小，第三金屬30c單獨(dú)的熱膨脹系數(shù)比陶瓷素體30的熱膨脹系數(shù)大。

a.外部端子30的熱膨脹系數(shù)

將本實(shí)施例的樣品的外部端子30切出為長(zhǎng)度5mm、寬度5mm、高度0.1mm的棱柱狀制作試驗(yàn)片，對(duì)該試驗(yàn)片進(jìn)行tma(熱機(jī)械分析)，測(cè)定熱膨脹系數(shù)。tma中，在氮?dú)夥罩谢?5～200℃的溫度范圍以長(zhǎng)度方向?yàn)榇怪钡姆绞奖３衷囼?yàn)片，測(cè)定其長(zhǎng)度變動(dòng)，并且根據(jù)基于其測(cè)定結(jié)果算出的變化率算出上述外部端子30的熱膨脹系數(shù)。

b.陶瓷素體26的熱膨脹系數(shù)

對(duì)于本實(shí)施例的樣品的陶瓷素體26，在安裝了端子電極22的狀態(tài)下進(jìn)行tma，測(cè)定熱膨脹系數(shù)。tma時(shí)，在氮?dú)夥罩谢?5～200℃的溫度范圍以高度方向?yàn)榇怪钡姆绞奖３衷囼?yàn)片，測(cè)定其高度變動(dòng)，根據(jù)并且基于該測(cè)定結(jié)果算出的變化率算出上述陶瓷素體26的熱膨脹系數(shù)。此外，表中的熱膨脹系數(shù)的數(shù)字省略了(×10^-6/k)。

對(duì)于各樣品，以下述的要領(lǐng)測(cè)定(1)熱沖擊性、(2)固定強(qiáng)度、(3)esr、(4)溫度變化δt。

(1)熱沖擊性

對(duì)各樣品進(jìn)行熱沖擊試驗(yàn)，并進(jìn)行熱沖擊性的評(píng)價(jià)。在熱沖擊試驗(yàn)中，在電路基板上安裝了各樣品之后，對(duì)各樣品反復(fù)2000次由下述(i)工序～(iv)工序構(gòu)成的1個(gè)熱處理周期。此外，電路基板使用環(huán)氧玻璃(將玻璃纖維片作為芯材的環(huán)氧樹脂)基板。

(i)在各樣品的溫度為－55℃的溫度條件下保持各樣品30分鐘的工序

(ii)在上述保持時(shí)間的10％的時(shí)間(3分鐘)以內(nèi)使各樣品的溫度升溫至125℃的工序

(iii)在各樣品的溫度為125℃的溫度條件下保持各樣品30分鐘的工序

(iv)在上述保持時(shí)間的10％的時(shí)間(3分鐘)以內(nèi)使各樣品的溫度降溫至－55℃的工序

熱沖擊試驗(yàn)后，根據(jù)外觀判定在各樣品的陶瓷素體26的裂紋產(chǎn)生的有無(wú)，基于其判定結(jié)果，進(jìn)行耐熱沖擊性的評(píng)價(jià)。評(píng)價(jià)方法在各樣品中，將200個(gè)中觀察到10個(gè)以上的裂紋的樣品作為ng，5個(gè)以下作為g。結(jié)果示于表1及表3。

(2)固定強(qiáng)度

對(duì)于各樣品進(jìn)行固定強(qiáng)度試驗(yàn)，并測(cè)定固定強(qiáng)度。固定強(qiáng)度試驗(yàn)中，在將樣品安裝于電路基板的狀態(tài)下，使超硬的加壓夾具(例如，棒狀的夾具)以30mm/min的速度朝向樣品的側(cè)面移動(dòng)，一邊向樣品的側(cè)面推壓一邊加壓。這時(shí)，測(cè)定外部端子30變形之前的外力，將該測(cè)定值作為固定強(qiáng)度。結(jié)果示于表1及表3。

(3)esr

在安裝基板上焊接了各樣品的外部端子30的狀態(tài)下，進(jìn)行esr的測(cè)定。對(duì)于esr的測(cè)定各樣品，將構(gòu)成芯片端面的長(zhǎng)方形的長(zhǎng)邊以與安裝面水平的方式配置。esr的測(cè)定使用阻抗分析儀進(jìn)行。結(jié)果示于表2及表4。

(4)溫度變化δt

對(duì)于各樣品通交流電流，測(cè)定esr引起的各樣品的自身發(fā)熱產(chǎn)生的升溫δt。結(jié)果示于表2及表4。

(實(shí)施例2)

除將構(gòu)成外部端子30的第一金屬30a～第三金屬30c的厚度t1～t3變成表1及表2所示的值，使外部端子30的熱膨脹系數(shù)變化以外，與上述實(shí)施例1同樣地制作樣品，并進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的測(cè)定。結(jié)果示于表1及表2。

(實(shí)施例3)

除將構(gòu)成外部端子30的第一金屬30a～第三金屬30c的厚度t1～t3變成表1及表2所示的值，使外部端子30的熱膨脹系數(shù)變化以外，與上述實(shí)施例1同樣地制作樣品，并進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的測(cè)定。結(jié)果示于表1及表2。

(比較例1)

除將構(gòu)成外部端子30的第一金屬30a～第三金屬30c的厚度t1～t3變成表1及表2所示的值，使外部端子30的熱膨脹系數(shù)變化以外，與上述實(shí)施例1同樣地制作樣品，并進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的測(cè)定。結(jié)果示于表1及表2。

(實(shí)施例4)

除變成熱膨脹系數(shù)為8.1×10^-6/k的陶瓷素體26以外，與上述實(shí)施例1同樣地制作樣品，并進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的測(cè)定。結(jié)果示于表1。

(實(shí)施例5)

除變成熱膨脹系數(shù)為8.1×10^-6/k的陶瓷素體26以外，與上述實(shí)施例2同樣地制作樣品，并進(jìn)行與實(shí)施例2同樣的測(cè)定。結(jié)果示于表1。

(比較例2)

除變成熱膨脹系數(shù)為8.1×10^-6/k的陶瓷素體26以外，與上述實(shí)施例3同樣地制作樣品，并進(jìn)行與實(shí)施例3同樣的測(cè)定。結(jié)果示于表1。

(比較例3)

除變成熱膨脹系數(shù)為8.1×10^-6/k的陶瓷素體26以外，與上述比較例1同樣地制作樣品，并進(jìn)行與比較例1同樣的測(cè)定。結(jié)果示于表1。

(實(shí)施例11)

除變成第一金屬30a為36nife合金，第二金屬30b為銅，第三金屬30c為36nife合金，將它們的厚度設(shè)為表3所示的關(guān)系，外部端子30的熱膨脹系數(shù)設(shè)為6.6×10^-6/k的外部端子30以外，與上述實(shí)施例1同樣制作實(shí)施例11的樣品，并進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的測(cè)定。結(jié)果示于表3及表4。

另外，第一金屬30a單獨(dú)的熱膨脹系數(shù)比陶瓷素體26的熱膨脹系數(shù)小，第二金屬30b單獨(dú)的熱膨脹系數(shù)比陶瓷素體26的熱膨脹系數(shù)大，第三金屬30c單獨(dú)的熱膨脹系數(shù)比陶瓷素體26的熱膨脹系數(shù)小。

(實(shí)施例12)

除將構(gòu)成外部端子30的第一金屬30a～第三金屬30c的厚度t1～t3變成表3及表4所示的值，使外部端子30的熱膨脹系數(shù)變化以外，與上述實(shí)施例11同樣地制作樣品，并進(jìn)行與實(shí)施例11同樣的測(cè)定。結(jié)果示于表3及表4。

(比較例11)

除將構(gòu)成外部端子30的第一金屬30a～第三金屬30c的厚度t1～t3變成表3及表4所示的值，使外部端子30的熱膨脹系數(shù)變化以外，與上述實(shí)施例11同樣地制作樣品，并進(jìn)行與實(shí)施例11同樣的測(cè)定。結(jié)果示于表3及表4。

(實(shí)施例13)

除變成熱膨脹系數(shù)為8.1×10^-6/k的陶瓷素體26以外，與上述實(shí)施例11同樣地制作實(shí)施例13的樣品，并進(jìn)行與實(shí)施例11同樣的測(cè)定。結(jié)果示于表3。

(比較例12)

除將第一金屬30a～第三金屬30c的厚度t1～t3變成表3所示的值，使外部端子30的熱膨脹系數(shù)變化以外，與上述實(shí)施例13同樣地制作樣品，并進(jìn)行與實(shí)施例13同樣的測(cè)定。結(jié)果示于表3。

(比較例13)

除將第一金屬30a～第三金屬30c的厚度t1～t3變成表3所示的值，使外部端子30的熱膨脹系數(shù)變化以外，與上述實(shí)施例13同樣地制作樣品，并進(jìn)行與實(shí)施例13同樣的測(cè)定。結(jié)果示于表3。

評(píng)價(jià)

如表1所示，根據(jù)實(shí)施例1～實(shí)施例5可以確認(rèn)在第二金屬為鐵系金屬的情況，外部端子30的總體的熱膨脹系數(shù)比陶瓷素體26的熱膨脹系數(shù)小的情況下，熱膨脹系數(shù)之差優(yōu)選為0.5ppm以上，進(jìn)一步優(yōu)選為1ppm以上，特別優(yōu)選為2ppm以上的情況下，能夠得到良好的熱沖擊性。另外，可以確認(rèn)對(duì)于實(shí)施例1～實(shí)施例3，能夠得到比比較例1高的固定強(qiáng)度，對(duì)于實(shí)施例4及實(shí)施例5，能夠得到比比較例2及比較例3高的固定強(qiáng)度，且可靠性提高。

另外，如表1及表2所示，根據(jù)實(shí)施例，可以確認(rèn)確保合適的esr及⊿t，并得到良好的熱沖擊性及固定強(qiáng)度。

如表3所示，根據(jù)實(shí)施例11～實(shí)施例13，可以確認(rèn)第二金屬為銅系金屬的情況下，在外部端子30的總體的熱膨脹系數(shù)比陶瓷素體26的熱膨脹系數(shù)小的情況下，熱膨脹系數(shù)之差優(yōu)選為0.5ppm以上，進(jìn)一步優(yōu)選為1ppm以上，特別優(yōu)選為2ppm以上的情況下，也能夠得到良好的熱沖擊性。另外，可以確認(rèn)對(duì)于實(shí)施例11及實(shí)施例12，能夠得到比比較例11高的固定強(qiáng)度，對(duì)于實(shí)施例13，能夠得到比比較例13高的固定強(qiáng)度，且可靠性提高。

另外，如表3及表4所示，可以確認(rèn)根據(jù)實(shí)施例，確保esr及⊿t，并得到良好的熱沖擊性及固定強(qiáng)度。