技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種氮化鎵半導(dǎo)體器件及其制備方法，所述氮化鎵半導(dǎo)體器件包括依次層疊的基板、緩沖層、高阻抗層、非有意摻雜氮化鎵層、通道層以及電極；所述高阻抗層包括多層交替生長(zhǎng)的非摻雜氮化鎵層和碳摻雜氮化鎵層。該氮化鎵半導(dǎo)體器件為了改善擊穿電壓及漏電(leakage)的特性，將多層的非摻雜氮化鎵層(Un?doped?GaN)和碳摻雜氮化鎵層(C?doped?GaN)交叉生長(zhǎng)，能改善高阻抗層的品質(zhì)使其能生長(zhǎng)得更厚，可以使底部上升的位錯(cuò)彎曲。

技術(shù)研發(fā)人員：李東鍵;金榮善;駱薇薇;孫在亨
受保護(hù)的技術(shù)使用者：英諾賽科（珠海）科技有限公司
文檔號(hào)碼：201611180049
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.19
技術(shù)公布日：2017.05.31