相關(guān)申請本申請是2014年3月6日提交的序列號no.14/199833的美國專利申請的部分延續(xù)，該美國專利申請是2011年11月22日提交的序列號no.13/303062的美國專利申請的部分延續(xù)。通過引用將上面提及的申請中的每個申請并入本文。
背景技術(shù)：
：使多個切換式子轉(zhuǎn)換器并聯(lián)電耦合以提高切換式功率轉(zhuǎn)換器容量和/或改善切換式功率轉(zhuǎn)換器性能是已知的。多相切換式功率轉(zhuǎn)換器通常具有比在其它方面相似的設(shè)計的單相切換式功率轉(zhuǎn)換器更好的性能。具體而言，多相轉(zhuǎn)換器中的異相切換在轉(zhuǎn)換器輸出濾波器處引起紋波電流抵消，并且允許多相轉(zhuǎn)換器具有比在其它方面相似的單相轉(zhuǎn)換器更好的瞬態(tài)響應(yīng)。如schultz等人在美國專利no.6362986(通過引用將其并入本文)中教導(dǎo)的，能夠通過對兩個或更多相位的能量存儲電感器進(jìn)行磁耦合而改善多相切換式功率轉(zhuǎn)換器的性能。這樣的磁耦合在電感器中引起波紋電流抵消并且提高了紋波切換頻率，由此相對于在其它方面等同但不具有磁耦合電感器的轉(zhuǎn)換器改善了轉(zhuǎn)換器瞬態(tài)響應(yīng)，降低了輸入和輸出濾波要求，和/或提高了轉(zhuǎn)換器效率。兩個或更多磁耦合電感器經(jīng)常被統(tǒng)稱為“耦合電感器”，并且具有相關(guān)漏電感和磁化電感值。磁化電感與繞組之間的磁耦合相關(guān)；因而磁化電感越大，繞組之間的磁耦合就越強(qiáng)。另一方面，漏電感與能量存儲相關(guān)。因而，漏電感越大，電感內(nèi)存儲的能量越多。如schultz等所教導(dǎo)的，可取的是較大的磁化電感，從而更好地實(shí)現(xiàn)在切換式功率轉(zhuǎn)換器中使用耦合電感器代替分立電感器的優(yōu)點(diǎn)。另一方面，漏電感通常必須處于相對小的值范圍內(nèi)。具體而言，漏電感必須足夠大，以避免過大的紋波電流幅度，但是又不要大到使轉(zhuǎn)換器瞬態(tài)響應(yīng)變差。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：在實(shí)施例中，一種耦合電感器陣列包括磁芯和n個繞組，其中，n是大于一的整數(shù)。磁芯具有相對的第一側(cè)和第二側(cè)，第一側(cè)和第二側(cè)之間的直線間隔距離定義了磁芯的長度。n個繞組至少部分地在長度方向上穿過所述磁芯，并且n個繞組中的每者圍繞相應(yīng)的繞組軸在磁芯中形成環(huán)。每個繞組軸大致垂直于長度方向，并且每個繞組軸可以與每個其它繞組軸平行但偏移開。每個繞組具有至少分別朝磁芯的第一側(cè)和第二側(cè)延伸的相對的第一端部和第二端部。在實(shí)施例中，多相切換式功率轉(zhuǎn)換器包括耦合電感器和n個切換電路，其中，n是大于一的整數(shù)。耦合電感器包括具有相對的第一側(cè)和第二側(cè)的磁芯，并且第一側(cè)和第二側(cè)之間的直線間隔距離定義了磁芯的長度。n個繞組至少部分地在長度方向上穿過磁芯，并且n個繞組中的每者圍繞相應(yīng)的繞組軸在磁芯中形成環(huán)。每個繞組軸大致垂直于長度方向，并且每個繞組軸與每個其它繞組軸平行但偏移開。每個繞組具有至少分別朝磁芯的第一側(cè)和第二側(cè)延伸的相對的第一端部和第二端部。每個切換電路適于能夠使n個繞組中的相應(yīng)繞組的第一端部在至少兩個不同的電壓電平之間切換。在實(shí)施例中，一種電子裝置包括集成電路封裝體、容納在集成電路封裝體中的半導(dǎo)體管芯以及容納在集成電路封裝體中并電耦合至半導(dǎo)體管芯的耦合電感器。耦合電感器包括具有相對的第一側(cè)和第二側(cè)的磁芯，第一側(cè)和第二側(cè)之間的直線間隔距離定義了磁芯的長度。耦合電感器還包括至少部分地在長度方向上穿過磁芯的n個繞組，其中，n是大于一的整數(shù)。n個繞組中的每者圍繞相應(yīng)的繞組軸在磁芯中形成環(huán)，并且每個繞組軸大致垂直于長度方向，并且每個繞組軸與每個其它繞組軸平行但偏移開。每個繞組具有至少分別朝磁芯的第一側(cè)和第二側(cè)延伸的相對的第一端部和第二端部。在實(shí)施例中，一種耦合電感器陣列具有長度、寬度和高度。耦合電感器陣列包括由具有分布式間隙的磁性材料形成的單片式磁芯、以及嵌入單片式磁芯中的多個繞組。每個繞組圍繞相應(yīng)的繞組軸形成相應(yīng)的一匝或多匝的繞組環(huán)，并且每個繞組軸在高度方向上延伸。單片式磁芯的被繞組環(huán)包圍的面積可以大于該單片式磁芯在繞組環(huán)之外的面積，如在高度方向上通過截面觀察耦合電感器陣列時所見。在實(shí)施例中，用于形成包括磁芯的耦合電感器陣列的方法包括以下步驟，其中所述磁芯具有至少一個嵌入于其中的非磁性結(jié)構(gòu)：(1)在高度方向上將至少兩個導(dǎo)體層設(shè)置在磁芯部分上，以使導(dǎo)體層至少部分地形成至少兩個繞組環(huán)，如在高度方向上觀察時所見；(2)將一個或多個非磁性結(jié)構(gòu)設(shè)置在磁芯部分上并在繞組環(huán)之外，如在高度方向上觀察時所見；以及(3)將磁性材料設(shè)置在磁芯部分、導(dǎo)體層以及一個或多個非磁性結(jié)構(gòu)上。在實(shí)施例中，一種具有長度、寬度和高度的耦合電感器陣列包括由具有分布式間隙的一種或多種磁性材料形成的單片式磁芯、第一和第二繞組以及低磁導(dǎo)率磁性結(jié)構(gòu)。第一和第二繞組圍繞在高度方向上延伸的公共繞組軸形成相應(yīng)的第一和第二繞組匝，并且第一和第二繞組匝中的每者嵌入單片式磁芯中。低磁導(dǎo)率磁性結(jié)構(gòu)嵌入單片式磁芯中并圍繞公共繞組軸形成環(huán)。低磁導(dǎo)率磁性結(jié)構(gòu)在高度方向上將第一和第二繞組匝隔開，并且低磁導(dǎo)率磁性結(jié)構(gòu)由磁導(dǎo)率比形成單片式磁芯的一種或多種磁性材料低的磁性材料形成。在實(shí)施例中，一種具有長度、寬度和高度的耦合電感器陣列包括由具有分布式間隙的一種或多種磁性材料形成的單片式磁芯、第一繞組和第二繞組。第一繞組嵌入單片式磁芯中，并且第一繞組圍繞在高度方向上延伸的相應(yīng)繞組軸形成一個或多個第一繞組匝。每個繞組軸在寬度方向上與每個其它繞組軸偏移開。第二繞組嵌入單片式磁芯中，并且第二繞組針對一個或多個第一繞組匝中的每者形成相應(yīng)的第二繞組匝。每個第二繞組匝及其相應(yīng)的第一繞組匝集體包圍單片式磁芯的相應(yīng)的公共部分，如在高度方向上通過截面觀察耦合電感器陣列時所見。附圖說明圖1示出了根據(jù)實(shí)施例的耦合電感器陣列的透視圖。圖2示出了圖1耦合電感器陣列的透視圖，其中，耦合電感器陣列的磁芯被示為是透明的。圖3示出了去除了頂板的圖1耦合電感器陣列的頂視平面圖。圖4示出了去除了頂板并且具有比圖3實(shí)施例中更長的繞組環(huán)的圖1耦合電感器陣列的替代實(shí)施例的頂視平面圖。圖5示出了去除了頂板并且具有比圖3實(shí)施例中更小的繞組環(huán)的圖1耦合電感器陣列的替代實(shí)施例的頂視平面圖。圖6示出了去除了頂板并且具有圓形繞組環(huán)的圖1耦合電感器陣列的替代實(shí)施例的頂視平面圖。圖7示出了圖1耦合電感器陣列的截面圖。圖8示出了包括耦合齒的圖1耦合電感器陣列的替代實(shí)施例的截面圖。圖9示出了包括漏齒(leakageteeth)和耦合齒二者的圖1耦合電感器陣列的替代實(shí)施例的截面圖。圖10示出了包括漏齒和耦合齒二者的圖1耦合電感器陣列的另一個替代實(shí)施例的截面圖。圖11示出了包括漏齒、耦合齒和將耦合齒與頂板隔開的非磁性間隔體的圖1耦合電感器陣列的替代實(shí)施例的截面圖。圖12示出了根據(jù)實(shí)施例的包括圖1的耦合電感器陣列的三相降壓轉(zhuǎn)換器的示意圖。圖13示出了根據(jù)實(shí)施例的用于將圖1的耦合電感器陣列應(yīng)用到多相降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的一種可能的印刷電路板覆蓋區(qū)。圖14示出了根據(jù)實(shí)施例的與圖1的耦合電感器陣列類似、但其中繞組第二端部電耦合至公共舌片的耦合電感器陣列的透視圖。圖15示出了根據(jù)實(shí)施例的用于將圖14的耦合電感器陣列應(yīng)用到多相降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的一種可能的印刷電路板覆蓋區(qū)。圖16示出了根據(jù)實(shí)施例的與圖1的耦合電感器陣列類似、但其中繞組是具有大體上為弧形的截面的導(dǎo)線繞組的耦合電感器陣列的透視圖。圖17示出了根據(jù)實(shí)施例的用于將圖16的耦合電感器陣列應(yīng)用到多相降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的一種可能的印刷電路板覆蓋區(qū)。圖18示出了根據(jù)實(shí)施例的與圖16的耦合電感器陣列類似、但其中繞組端部從相對的芯側(cè)延伸出來的耦合電感器陣列的透視圖。圖19示出了根據(jù)實(shí)施例的用于將圖18的耦合電感器陣列應(yīng)用到多相降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的一種可能的印刷電路板覆蓋區(qū)。圖20示出了根據(jù)實(shí)施例的雙繞組耦合電感器陣列的透視圖。圖21示出了去除了頂板并且具有圓形繞組環(huán)的圖20耦合電感器陣列的替代實(shí)施例的頂視平面圖。圖22示出了去除了頂板并且具有由導(dǎo)電膜形成的繞組的圖20耦合電感器陣列的替代實(shí)施例的頂視平面圖。圖23示出了根據(jù)實(shí)施例的與圖1的耦合電感器陣列類似、但是在其頂表面和底表面兩者上具有焊接舌片的耦合電感器陣列的透視圖。圖24示出了根據(jù)實(shí)施例的電子裝置。圖25示出了根據(jù)實(shí)施例的另一電子裝置。圖26是包括由鐵氧體磁性材料形成的梯狀磁芯的現(xiàn)有技術(shù)耦合電感器的側(cè)面立視圖。圖27示出了現(xiàn)有技術(shù)磁裝置的側(cè)視截面圖。圖28示出了圖27現(xiàn)有技術(shù)磁裝置的頂視截面圖。圖29示出了其中繞組緊密靠攏的磁裝置的頂視截面圖。圖30是根據(jù)實(shí)施例的包括由具有分布式間隙的磁性材料形成的單片式磁芯的耦合電感器陣列的頂視平面圖。圖31是圖30耦合電感器陣列的側(cè)面立視圖。圖32是沿圖30的線30a-30a取得的截面圖。圖33是沿圖31的線31a-31a取得的截面圖。圖34是磁裝置的截面圖。圖35示出了具有投射于其上的等價電模型的圖34的磁裝置。圖36是表示流過圖34磁裝置的截面的磁通的電模型。圖37是示出圖34磁裝置的截面中的相對磁通密度的圖表。圖38是根據(jù)實(shí)施例的包括多層膜磁芯的耦合電感器陣列的頂視平面圖，多層膜磁芯包括包含在單片式磁芯中的非磁性結(jié)構(gòu)。圖39是圖38耦合電感器陣列的側(cè)面立視圖。圖40是沿圖38的線38a-38a取得的圖38耦合電感器陣列的截面圖。圖41是沿圖39的線39a-39a取得的圖38耦合電感器陣列的截面圖。圖42是根據(jù)實(shí)施例的包括由導(dǎo)電材料形成的非磁性結(jié)構(gòu)的耦合電感器陣列的截面圖。圖43示出了根據(jù)實(shí)施例的用于形成包括具有嵌入于其中的非磁性結(jié)構(gòu)的磁芯的耦合電感器陣列的方法。圖44是根據(jù)實(shí)施例的與圖33的耦合電感器陣列類似、但是具有比圖33耦合電感器陣列的繞組環(huán)更大的繞組環(huán)的耦合電感器陣列的截面圖。圖45是圖33的截面圖的再現(xiàn)。圖46示出了根據(jù)實(shí)施例的不存在繞組的交錯接合的耦合電感器陣列的截面圖。圖47示出了根據(jù)實(shí)施例的包括繞組的交錯接合的耦合電感器陣列的頂視平面圖。圖48示出了圖47耦合電感器陣列的側(cè)面立視圖。圖49示出了沿圖47的線47a-47a取得的圖47耦合電感器陣列的截面圖。圖50示出了沿圖48的線48a-48a取得的圖48耦合電感器陣列的截面圖。圖51是根據(jù)實(shí)施例的包括兩個豎直堆疊的繞組的耦合電感器陣列的透視圖。圖52是圖51耦合電感器陣列的頂視平面圖。圖53是圖51耦合電感器陣列的側(cè)面立視圖。圖54是圖51耦合電感器陣列的豎直截面圖。圖55是圖51耦合電感器陣列的水平截面圖。圖56在分解圖中示出了沒有磁芯的圖51耦合電感器陣列。圖57是與圖54類似的豎直截面圖，只是該截面圖示出了單片式磁芯內(nèi)的近似的磁通通路。圖58是根據(jù)實(shí)施例的其中每個繞組形成多個繞組匝的耦合電感器陣列的透視圖。圖59是圖58耦合電感器陣列的頂視平面圖。圖60是圖58耦合電感器陣列的側(cè)面立視圖。圖61是圖58耦合電感器陣列的豎直截面圖。圖62是圖58耦合電感器陣列的另一豎直截面圖。圖63是圖58耦合電感器陣列的水平截面圖。圖64是圖58耦合電感器陣列的另一水平截面圖。圖65示出了圖58耦合電感器陣列的繞組，其與該耦合電感器陣列的磁芯分離。圖66是根據(jù)實(shí)施例的與圖58的耦合電感器陣列類似、但是具有包括并聯(lián)電耦合的多個電導(dǎo)體的繞組的耦合電感器陣列的透視圖。圖67示出了圖66耦合電感器陣列的繞組，其與該耦合電感器陣列的磁芯分離。圖68示出了根據(jù)實(shí)施例的與圖67的耦合電感器陣列類似、但是具有包括交錯的電導(dǎo)體的繞組的耦合電感器陣列的透視圖。圖69示出了圖68耦合電感器陣列的繞組，其與該耦合電感器陣列的磁芯分離。圖70是根據(jù)實(shí)施例的與圖66的耦合電感器陣列類似、但是每個繞組僅形成單個繞組匝的耦合電感器陣列的透視圖。圖71示出了圖70耦合電感器陣列的繞組，其與該耦合電感器陣列的磁芯分離。圖72是圖70耦合電感器陣列的豎直截面圖。圖73是根據(jù)實(shí)施例的與圖68的耦合電感器陣列類似、但是每個繞組僅形成單個繞組匝的耦合電感器陣列的透視圖。圖74示出了圖73的耦合電感器陣列的繞組，其與耦合電感器陣列的磁芯分離。圖75是圖73耦合電感器陣列的豎直截面圖。圖76是根據(jù)實(shí)施例的與圖62的截面圖類似的截面圖，只是該截面圖示出了耦合電感器陣列的被劃分成若干區(qū)段的單片式磁芯。圖77是根據(jù)實(shí)施例的與圖72的截面圖類似的截面圖，但是該截面圖示出了耦合電感器陣列的被劃分成六個層的單片式磁芯。圖78-83分別是圖77耦合電感器陣列的層1-6的頂視平面圖。圖84是根據(jù)實(shí)施例的與圖75的截面圖類似的截面圖，只是該截面圖示出了耦合電感器陣列的被劃分成六個層的單片式磁芯。圖85-90分別是圖84耦合電感器陣列的層1-6的頂視平面圖。具體實(shí)施方式文中公開了可以用作(例如)多相切換式功率轉(zhuǎn)換器中的能量存儲電感器的耦合電感器陣列。這樣的耦合電感器可以實(shí)現(xiàn)一個或多個顯著的優(yōu)點(diǎn)，如下文所討論的。例如，這些電感器的某些實(shí)施例在小封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)了相對較強(qiáng)的磁耦合、相對較大的漏電感值和/或相對較低的芯損耗。作為另一個示例，在某些實(shí)施例的設(shè)計和/或制造過程中，可容易地調(diào)整漏電感和/或磁化電感。在下述公開內(nèi)容當(dāng)中，可以通過使用括號內(nèi)的數(shù)字(例如，繞組118(1))指代項目的特定實(shí)例，而不帶括號的數(shù)字則指代任何這樣的項目(例如，繞組118)。圖1示出了耦合電感器陣列100的透視圖。陣列100包括由磁性材料形成的磁芯102，磁性材料例如鐵氧體材料、粘合劑內(nèi)的鐵粉材料或者若干層的磁膜。磁芯102包括設(shè)置在底板106上的頂板104并且具有相對的第一側(cè)108和第二側(cè)110，第一側(cè)108和第二側(cè)110隔開直線間隔距離，所述直線間隔距離定義了芯長度112。磁芯102還具有與長度112垂直的寬度114以及與長度112和寬度114二者垂直的高度116。圖2示出了磁芯102被示為透明的陣列100。圖3示出了去除了頂板104的陣列100的頂視平面圖。耦合電感器陣列100還包括設(shè)置在磁芯102中、在頂板104和底板106之間的兩個或更多繞組118。盡管本公開的附圖將陣列100示為具有三個繞組118，但是應(yīng)當(dāng)理解可以將這樣的陣列修改為具有大于1的任何數(shù)量的繞組。換言之，文中公開的耦合電感器陣列可以適于具有n個繞組，其中，n是任何大于一的整數(shù)。每個繞組118在長度方向112上穿過磁芯102，并在磁芯102中形成環(huán)120。在典型實(shí)施例中，環(huán)120大致是平面的。盡管環(huán)120被示為形成單匝，但是環(huán)120可以替代地形成兩個或更多匝，以促進(jìn)低磁通密度和相關(guān)的低的芯損耗。繞組118的相對的第一和第二端部122、124分別朝著芯的第一和第二側(cè)108、110延伸。每個第一端部122形成相應(yīng)的第一焊接舌片123，并且每個第二端部124形成相應(yīng)的第二焊接舌片125。焊接舌片123/125被配置為用于至印刷電路板(pcb)的表面安裝附接。每個環(huán)120圍繞相應(yīng)的繞組軸126纏繞，并且每個繞組軸126在寬度方向114上大致與每個其它繞組軸126平行，但是偏移開。相應(yīng)地，每個環(huán)圍繞磁芯102內(nèi)的相應(yīng)區(qū)域128，并且每個環(huán)區(qū)域128沿磁芯的寬度114與每個其它環(huán)區(qū)域128不重疊。這樣的構(gòu)造使得耦合電感器陣列100具有“負(fù)”或“反”磁耦合。反磁耦合的特征在于陣列100(例如)通過在第一方向上流經(jīng)繞組118之一的幅度越來越大的電流來感生出在第一方向上流經(jīng)其余繞組118的幅度越來越大的電流。例如，從芯第一側(cè)108流入繞組118(2)中的幅度越來越大的電流將感生出從芯第一側(cè)108流入繞組118(1)、118(3)中的幅度越來越大的電流。陣列100的構(gòu)造促進(jìn)了大的磁化電感值和漏電感值、以及低磁阻磁通通路。具體而言，繞組118典型地在長度方向112上比在寬度方向114上更長，使得繞組118的大的部分緊密相鄰，并為耦合相鄰繞組的磁通提供寬通路。在圖3中通過實(shí)線箭頭130表示耦合相鄰繞組的磁通，為了說明的清楚起見只對其中的一些進(jìn)行標(biāo)記。這樣的寬通路為磁通提供了低磁阻通路，由此促進(jìn)了繞組之間的強(qiáng)磁耦合和低芯損耗。此外，磁芯102典型地延伸到環(huán)120以外，以使得在與環(huán)相同的平面內(nèi)每個環(huán)區(qū)域128小于磁芯102的面積。結(jié)果，磁芯102為圍繞每個環(huán)120的周界的大部分或整個周界的漏磁通提供了通路，其中，漏磁通是通過改變流經(jīng)不耦合其余繞組118的一個繞組118的電流而生成的磁通。在圖3中通過虛線箭頭132表示漏磁通，為了說明的清楚起見只對其中的一些進(jìn)行標(biāo)記。結(jié)果，每個繞組118具有相對較寬的低磁阻漏磁通通路，由此促進(jìn)了低芯損耗和與繞組118相關(guān)的大漏電感值。在耦合電感器陣列100的設(shè)計和/或制造過程中能夠通過控制繞組118的尺寸和/或形狀、和/或磁芯102延伸到繞組環(huán)120之外的程度而對磁化電感和漏電感進(jìn)行單獨(dú)控制。具體而言，可以通過增大繞組118的緊密相鄰的部分和/或減小繞組118之間的間距而提高磁化電感。例如，圖4示出了包括繞組環(huán)420來取代繞組環(huán)120的替代實(shí)施例的與圖3類似的頂視平面圖。繞組環(huán)420在長度方向112上比圖3實(shí)施例的繞組環(huán)120長。相應(yīng)地，假設(shè)其它方面等同的話，圖4實(shí)施例將具有比圖3實(shí)施例更大的磁化電感。但是，繞組環(huán)420的相對較長的長度減小了磁芯102的可用于耦合漏磁通的部分。因此，假設(shè)其它方面等同的話，圖4實(shí)施例將具有比圖3實(shí)施例更小的漏電感值。作為另一示例，圖5示出了包括繞組環(huán)520來取代繞組環(huán)120的替代實(shí)施例的與圖3類似的截面圖。繞組環(huán)520比圖3實(shí)施例的繞組環(huán)120小。因而，與在圖3實(shí)施例中相比，在圖5實(shí)施例中磁芯102有更大的部分處于繞組環(huán)外，使得在圖5實(shí)施例中芯的更大部分可用于漏磁通。因而，假設(shè)其它方面等同的話，圖5實(shí)施例將具有比圖3實(shí)施例更大的漏電感值。但是，與在圖3實(shí)施例中相比，繞組環(huán)的緊密相鄰的部分在圖5實(shí)施例中更小。因而，假設(shè)其它方面等同的話，圖5實(shí)施例將具有比圖3實(shí)施例更小的磁化電感。上文討論的實(shí)施例具有矩形繞組環(huán)，其有助于使各環(huán)的緊密相鄰的部分最大化，由此促進(jìn)大的磁化電感值。但是，繞組環(huán)可以具有其它形狀。例如，圖6示出了包括圓形繞組環(huán)620來取代矩形繞組環(huán)120的替代實(shí)施例的與圖3類似的截面圖。圓形形狀減小了環(huán)的長度，由此促進(jìn)了低繞組電阻。但是，圓形形狀也減小了繞組環(huán)620的緊密相鄰的部分，由此降低了磁化電感。也可以在耦合電感器陣列100的設(shè)計和/或制造過程中改變磁芯102的構(gòu)造，以控制磁化電感和/或漏電感。圖7示出了沿圖2的線段a-a取得的耦合電感器陣列100的截面圖。繞組環(huán)120內(nèi)的部分134為漏磁通和耦合繞組118的磁通兩者提供通路，而繞組環(huán)120外的部分136只為漏磁通提供通路。磁化電感和漏電感都大致與部分134的橫截面積成比例，并且漏電感還大致與部分136的橫截面積成比例。因而，能夠通過(例如)調(diào)整部分134的寬度135來調(diào)整磁化電感和漏電感，并且能夠通過(例如)調(diào)整部分136的寬度137來單獨(dú)調(diào)整漏電感。寬度135的每個實(shí)例未必都是相同的，并且寬度137的每個實(shí)例也未必都是相同的。例如，在一些實(shí)施例中，一個部分136具有比其它部分136大的寬度137，以建立不對稱的漏電感值。還可以通過改變頂板和底板104、106之間的間距139而使磁化電感和漏電感一起變化。一般而言，間距139越小，磁化電感和漏電感越大。此外，可以通過控制部分134和/或136的磁阻來控制磁化電感和/或漏電感。例如，可以通過向部分134添加磁性材料以降低漏磁通通路和耦合繞組118的磁通通路的磁阻，來提高磁化電感和漏電感。類似地，可以通過向部分136添加磁性材料以降低漏磁通通路的磁阻，來提高漏電感。圖8示出了包括耦合齒838的替代實(shí)施例的與圖7類似的截面圖，耦合齒838在頂板104和底板106之間設(shè)置在繞組120內(nèi)的部分134中。由磁性材料形成的耦合齒838減小了部分134中的磁通通路的磁阻，由此增大了磁化電感和漏電感。作為另一示例，圖9示出了包括部分134中的耦合齒838和漏齒940的替代實(shí)施例的與圖7類似的截面圖，漏齒940在頂板104和底板106之間設(shè)置在部分136中。同樣由磁性材料形成的漏齒940減小了部分136中的磁通通路的磁阻，由此增大了漏電感值。漏齒940(2)、940(3)中的每者設(shè)置在相鄰繞組環(huán)之間，而漏齒940(1)、940(4)分別設(shè)置在繞組環(huán)的行的相對端部。形成耦合齒838和漏齒940的磁性材料未必是相同的并且可以被單獨(dú)選擇，以實(shí)現(xiàn)預(yù)期的磁化和漏電感值。例如，在某些實(shí)施例中，耦合齒838由具有比漏齒940高的磁導(dǎo)率的材料形成。替代地，耦合齒838和漏齒940可以由相同磁性材料形成，以簡化芯102的構(gòu)造，并且兩種齒甚至可以由與頂板和底板104、106相同的材料形成，以進(jìn)一步簡化芯構(gòu)造。在一些實(shí)施例中，形成耦合齒838和/或繞組齒940的磁性材料是非同質(zhì)的?？梢酝ㄟ^填充有非磁性材料的間隙將一個或多個耦合齒838與頂板104和/或底板106隔開，以對磁化電感和漏電感進(jìn)行控制和/或有助于避免磁飽和。例如，這樣的間隙可以填充有空氣、塑料、紙和/或粘合劑。類似地，可以通過填充有非磁性材料(例如空氣、塑料、紙和/或粘合劑)的間隙將一個或多個漏齒940與頂板104和/或底板106隔開，以控制漏電感。例如，圖10示出了包括通過空氣間隙1042與頂板104隔開的耦合齒1038的替代實(shí)施例的與圖7類似的截面圖。圖10的實(shí)施例還包括通過空氣間隙1044與頂板104隔開的漏齒1040?？諝忾g隙1042和1044的厚度任選地被單獨(dú)優(yōu)化并且不必相同。作為另一示例，圖11示出了替代實(shí)施例的與圖7類似的截面圖，在該替代實(shí)施例中，通過由非磁性材料形成的間隔體1146將每個耦合齒1138與頂板104隔開，并且通過相應(yīng)的空氣間隙1144以及間隔體1146將每個漏齒1140與頂板104隔開。在某些實(shí)施例中，間隔體1146由與將繞組118的重疊部分隔開的絕緣體(未示出)相同的材料形成。在某些實(shí)施例中，磁芯102由具有分布式空氣間隙的材料(例如粘合劑內(nèi)的鐵粉末)形成。在這樣的實(shí)施例中，還可以通過改變材料成分以改變分布式空氣間隙性質(zhì)，來調(diào)整漏電感和/或磁化電感。耦合電感器陣列100的一種可能的應(yīng)用是切換式功率轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，包括但不限于多相降壓轉(zhuǎn)換器、多相升壓轉(zhuǎn)換器或者多相升降壓轉(zhuǎn)換器。例如，圖12示出了耦合電感器陣列100在多相降壓轉(zhuǎn)換器中的一種可能的應(yīng)用。具體而言，圖12示出了使用耦合電感器陣列100作為耦合電感器的三相降壓轉(zhuǎn)換器1200的示意圖。每個繞組的第一端部122電耦合至相應(yīng)的切換節(jié)點(diǎn)vx，并且每個繞組的第二端部124電耦合至公共輸出節(jié)點(diǎn)vo。相應(yīng)的切換電路1248電耦合至每個切換節(jié)點(diǎn)vx。每個切換電路1248電耦合至輸入端口1250，而輸入端口1250又電耦合至電源1252。輸出端口1254電耦合至輸出節(jié)點(diǎn)vo。每個切換電路1248和相應(yīng)的電感器被統(tǒng)稱為轉(zhuǎn)換器的“相”1255。因而，多相降壓轉(zhuǎn)換器1200是三相轉(zhuǎn)換器?？刂破?256引起每個切換電路1248使其相應(yīng)的繞組第一端部122反復(fù)地在電源1252和地之間進(jìn)行切換，由此使其第一端部在兩個不同的電壓電平之間進(jìn)行切換，以從電源1252向電耦合在輸出端口1254兩端的負(fù)載(未示出)轉(zhuǎn)移功率。控制器1256典型地引起切換電路1248以相對較高的頻率(例如100khz或更高)進(jìn)行切換，以促進(jìn)低紋波電流幅度和快速瞬態(tài)響應(yīng)，并且確保切換感生的噪聲處于人可感知的頻率之上的頻率。每個切換電路1248包括控制切換裝置1258，其在控制器1256的命令下交替地在其導(dǎo)電狀態(tài)和非導(dǎo)電狀態(tài)之間切換。每個切換電路1248還包括續(xù)流裝置1260，其適于在切換電路的控制切換裝置1258由其導(dǎo)電狀態(tài)轉(zhuǎn)變至非導(dǎo)電狀態(tài)時為流經(jīng)其相應(yīng)繞組118的電流提供通路。續(xù)流裝置1260可以是如圖所示的二極管，以促進(jìn)系統(tǒng)簡化。不過，在某些替代實(shí)施例中，續(xù)流裝置1260可以由在控制器1256的命令下工作的切換裝置來補(bǔ)充或替代，以改進(jìn)轉(zhuǎn)換器性能。例如，可以通過切換裝置來補(bǔ)充續(xù)流裝置1260中的二極管，以降低續(xù)流裝置1260的正向電壓降。在本公開的背景下，切換裝置包括但不限于雙極結(jié)型晶體管、場效應(yīng)晶體管(例如，n溝道或p溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、結(jié)型場效應(yīng)晶體管、金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、絕緣柵雙極結(jié)型晶體管、閘流晶體管或硅可控整流器?？刂破?256任選地被配置為對切換電路1248進(jìn)行控制，以調(diào)節(jié)多相降壓轉(zhuǎn)換器1200的一個或多個參數(shù)，例如輸入電壓、輸入電流、輸入功率、輸出電壓、輸出電流或輸出功率。降壓轉(zhuǎn)換器1200典型地包括電耦合在輸入端口1250兩端的一個或多個輸入電容器1262，以用于提供切換電路1248輸入電流的紋波分量。此外，一個或多個輸出電容器1264通常電耦合在輸出端口1254兩端，以使切換電路1248生成的紋波電流分流?？梢詫⒔祲恨D(zhuǎn)換器1200修改為具有不同數(shù)量的相，并且可以相應(yīng)地將耦合電感器陣列100修改為具有對應(yīng)數(shù)量的繞組118。此外，可以將降壓轉(zhuǎn)換器1200修改為并入耦合電感器陣列100的兩個或更多實(shí)例。例如，轉(zhuǎn)換器1200的一個替代實(shí)施例包括六個相1255以及耦合電感器陣列100的兩個實(shí)例。陣列100的第一實(shí)例服務(wù)于第一到第三相，并且陣列100的第二實(shí)例服務(wù)于第四到第六相。也可以將降壓轉(zhuǎn)換器1200修改為具有不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，例如，具有多相升壓轉(zhuǎn)換器或多相升降壓轉(zhuǎn)換器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，或者具有隔離的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，例如反激式轉(zhuǎn)換器或正向轉(zhuǎn)換器。圖13示出了印刷電路板(pcb)覆蓋區(qū)1300，其是將耦合電感器陣列100應(yīng)用到多相降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用(例如，降壓轉(zhuǎn)換器1200(圖12))中的一種可能的覆蓋區(qū)。覆蓋區(qū)1300包括用于將每個第一焊接舌片123耦合至相應(yīng)的切換節(jié)點(diǎn)vx的焊盤1366以及用于將每個第二焊接舌片125耦合至公共輸出節(jié)點(diǎn)vo的焊盤1368。由于陣列100的反磁耦合的原因，所有的切換節(jié)點(diǎn)vx都處于覆蓋區(qū)1300的第一側(cè)1308上，這促進(jìn)了包括覆蓋區(qū)1300的pcb的布局簡化。在某些替代實(shí)施例中，每個繞組的第二端部124電耦合至公共導(dǎo)體，例如公共舌片，以提供至外部電路的低阻抗連接。例如，圖14示出了耦合電感器陣列1400的透視圖，陣列1400與陣列100(圖1)相同，只是其中繞組的第二端部124電耦合至公共舌片1470而不是形成相應(yīng)的焊接舌片。舌片1470例如被配置為用于至印刷電路板的表面安裝附接。圖15示出了pcb覆蓋區(qū)1500，其是將耦合電感器陣列1400應(yīng)用到多相降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用(例如降壓轉(zhuǎn)換器1200(圖12))中的一種可能的覆蓋區(qū)。覆蓋區(qū)1500包括用于將每個第一焊接舌片123耦合至相應(yīng)的切換節(jié)點(diǎn)vx的焊盤1566以及用于將公共舌片1470耦合至公共輸出節(jié)點(diǎn)vo的焊盤1568。從圖15能夠認(rèn)識到公共舌片1470提供了用于連接至pcb焊盤的大表面區(qū)域，由此促進(jìn)舌片和pcb之間的低阻抗連接，并且有助于使電感器1400和附近的部件冷卻。盡管磁芯102被示為包括分立的頂板和底板104、106，但是磁芯102可以具有其它構(gòu)造。例如，頂板和底板104、106可以替代地是單件磁元件的部分，該磁元件任選包括耦合齒838和/或漏齒940。作為另一示例，在一些替代實(shí)施例中，磁芯102是具有嵌入其中的繞組118的單件單片式結(jié)構(gòu)，例如通過對包括粘合劑中的磁性材料的成分進(jìn)行模制而形成的芯。在這樣的實(shí)施例中，在各個芯區(qū)段之間不存在間隙或間隔，并且可以通過改變磁性材料成分和/或繞組構(gòu)造而改變磁化電感和漏電感，如上文所討論的。作為又一示例，在某些替代實(shí)施例中，磁芯102是通過設(shè)置多個磁性材料層或磁性材料膜形成的。在這樣的實(shí)施例中，非磁性材料任選地設(shè)置在部分134和/或136的至少一部分中，以建立類似于圖10中的間隙1042、1044的間隙。此外，在一些替代實(shí)施例中，磁芯102完全環(huán)繞繞組環(huán)120。在包括耦合齒838和/或漏齒940的實(shí)施例中，這樣的齒可以是分立的磁元件和/或是另一件磁芯102的部分。例如，在一些實(shí)施例中，耦合齒838和/或漏齒940的至少其中之一是頂板104或底板106的部分。例如，繞組118與芯102分開形成，并且接下來例如在接合頂板104和底板106之前設(shè)置在芯中。在通過對包括粘合劑中的磁性材料的成分進(jìn)行模制而形成芯102的實(shí)施例中，例如，繞組118分開形成，并在向模具添加成分之前被放置到模具中。還可以通過向磁芯102的部分或者設(shè)置在磁芯102上的襯底施加導(dǎo)電膜，例如通過施加諸如銀的厚膜導(dǎo)電材料，來形成繞組118。絕緣膜可以設(shè)置在相鄰的導(dǎo)電膜層之間，以避免繞組118的不同部分被短接到一起。在繞組118中的一個或多個是多匝繞組的實(shí)施例中，磁性材料任選地使兩個或更多繞組匝相互隔開，以為漏磁通提供額外的通路，由此促進(jìn)大的漏電感值。陣列100和1400被示為具有為箔繞組的繞組118。箔繞組的矩形截面有助于降低趨膚效應(yīng)感生的損耗，因而促進(jìn)高頻處的低繞組電阻。但是，文中公開的耦合電感器陣列不限于箔繞組。例如，繞組118可以替代地具有弧形或者方形截面，或者可以替代地是由多條導(dǎo)線形成的電纜。此外，盡管陣列100和1400被示為包括被配置為用于至pcb的表面安裝附接的焊接舌片，但是可以將文中公開的耦合電感器陣列修改為以其它方式連接至外部電路，例如通過使用通孔連接或者通過耦合至插口來連接至外部電路。例如，圖16示出了耦合電感器陣列1600的透視圖，陣列1600與耦合電感器100(圖1)相似，只是其中用具有大致弧形截面的導(dǎo)線繞組1618替代箔繞組118。在圖16中，磁芯102被示為透明的，以示出繞組1618。繞組1618的相對的第一端部和第二端部1622、1624分別形成延伸穿過磁芯102的底表面1672的第一和第二通孔引腳1623、1625。圖17示出了pcb覆蓋區(qū)1700，其是將耦合電感器陣列1600應(yīng)用到多相降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用(例如，降壓轉(zhuǎn)換器1200(圖12))中的一種可能的覆蓋區(qū)。覆蓋區(qū)1700包括用于將每個通孔引腳1623耦合至相應(yīng)的切換節(jié)點(diǎn)vx的通孔1766以及用于將通孔引腳1625耦合至公共輸出節(jié)點(diǎn)vo的通孔1768。作為另一示例，圖18示出了耦合電感器陣列1800的透視圖，其與耦合電感器陣列1600(圖16)類似，但包括具有相對的第一端部和第二端部1822、1824的導(dǎo)線繞組1818，第一端部和第二端部1822、1824分別從芯側(cè)108、110延伸出來以形成第一和第二通孔引腳1823、1825。圖19示出了pcb覆蓋區(qū)1900，其是將耦合電感器陣列1800應(yīng)用到多相降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用(例如降壓轉(zhuǎn)換器1200(圖12))中的一種可能的覆蓋區(qū)。覆蓋區(qū)1900包括用于將每個通孔引腳1823耦合至相應(yīng)的切換節(jié)點(diǎn)vx的通孔1966以及用于將通孔引腳1825耦合至公共輸出節(jié)點(diǎn)vo的通孔1968。由于陣列1800的繞組從磁芯102的側(cè)面延伸出來，而不是從磁芯102的底部延伸出來，因而陣列1800在機(jī)械魯棒性上通常不如陣列1600(圖16)。但是，通孔引腳1823、1825從磁芯側(cè)108、110延伸出來的事實(shí)可以消除在磁芯102下面對pcb導(dǎo)電跡線進(jìn)行布線的需求，由此縮短了跡線長度。縮短跡線長度又降低了跡線阻抗和相關(guān)損耗。在只有兩個繞組的實(shí)施例中，繞組環(huán)可以至少部分重疊，由此有助于使電感器覆蓋區(qū)尺寸最小化。例如，圖20示出了包括至少部分重疊的繞組環(huán)的雙繞組耦合電感器陣列2000的透視圖。耦合電感器陣列2000包括磁芯2002，磁芯2002包括頂板和底板2004、2006。磁芯2002具有相對的第一側(cè)和第二側(cè)2008、2010，第一側(cè)和第二側(cè)2008、2010隔開定義了芯長度2012的直線間隔距離。磁芯2002還具有與長度2012垂直的寬度2014以及與長度2012和寬度2014二者垂直的高度2016。在圖20中，磁芯2002被示為透明的。耦合電感器陣列2000還包括在頂板和底板2004、2006之間設(shè)置于磁芯2002中的兩個繞組2018。盡管通過虛線示出繞組2018(2)以幫助觀察者區(qū)分繞組2018(1)和2018(2)，但是在現(xiàn)實(shí)中兩個繞組通常具有相同的構(gòu)造。每個繞組2018在長度方向2012上穿過磁芯2002，并在磁芯2002中形成環(huán)2020。在典型實(shí)施例中，環(huán)2020一般是平面的。盡管環(huán)2020被示為形成單匝，但是環(huán)2020可以替代地形成兩個或更多匝，以促進(jìn)低磁通密度和相關(guān)的低芯損耗。繞組2018的相對的第一側(cè)和第二側(cè)2022、2024分別朝芯的第一側(cè)和第二側(cè)2008、2010延伸。每個第一端部2022形成相應(yīng)的第一通孔引腳2023，并且每個第二端部2024形成相應(yīng)的第二通孔引腳2025。在某些替代實(shí)施例中，繞組端部2022、2024適于以其它方式連接至外部電路。例如，在一些替代實(shí)施例中，繞組端部2022、2024形成相應(yīng)的焊接舌片，所述焊接舌片被配置為用于至pcb的表面安裝附接。每個環(huán)2020是圍繞相應(yīng)的繞組軸2026纏繞的。環(huán)2020以相反方向纏繞，以獲得反磁耦合。這樣的反磁耦合的特征在于陣列2000(例如)通過從芯的第一側(cè)2008流入繞組2018(1)的幅度越來越大的電流來感生出從芯的第一側(cè)2008流入繞組2018(2)的幅度越來越大的電流。每個繞組軸2026與每個其它繞組軸2026大致平行但是在寬度方向2014上偏移開。兩個環(huán)2020部分重疊，以使這兩個環(huán)包圍磁芯2002內(nèi)的公共區(qū)域2028。可以在耦合電感器陣列2000的設(shè)計和/或制造過程中通過調(diào)整繞組環(huán)2020的重疊程度，或者換言之通過調(diào)整兩個環(huán)包圍的區(qū)域2028的尺寸而對磁化電感值和漏電感值進(jìn)行調(diào)整。具體而言，隨著繞組環(huán)2020相互分開以使區(qū)域2028尺寸減小，漏電感將增大并且磁化電感將減小。反之，隨著繞組環(huán)2020向一起靠攏以使區(qū)域2028的尺寸增大，漏電感將減小并且磁化電感將增大。還可以在電感器的設(shè)計和/或制造過程中通過按照與上文關(guān)于圖8-11討論的方式類似的方式添加一個或多個耦合齒和/或一個或多個漏齒而對漏電感和/或磁化電感進(jìn)行調(diào)整。例如，可以通過在由兩個繞組環(huán)2020包圍的區(qū)域2028中添加連接頂板和底板2004、2006的漏齒而增大磁化電感和漏電感。作為另一示例，可以通過在區(qū)域2028之外添加連接頂板和底板2004、2006的耦合齒而增大漏電感。還可以在陣列設(shè)計和/或制造過程中通過使用與上文關(guān)于陣列100討論的技術(shù)類似的技術(shù)，例如通過改變繞組環(huán)2020的尺寸、繞組環(huán)2020的幾何形狀、磁芯2002的成分和/或頂板和底板2004、2006之間的間距而改變漏電感和/或磁化電感。例如，圖21示出了去除了頂板的耦合電感器陣列2100的頂視平面圖。陣列2100與圖20的陣列2000類似，只是陣列2100具有大體上為圓形形狀而不是大體上為矩形形狀的繞組環(huán)2120。圓形形狀有助于降低繞組2118的長度，由此降低繞組阻抗。但是，圓形形狀降低了繞組環(huán)2120的重疊部分，由此減小了磁化電感并增大了漏電感。盡管以虛線示出繞組2118(2)以幫助觀察者區(qū)分繞組2118(1)和2118(2)，但是在實(shí)際中，兩個繞組通常具有相同的構(gòu)造。陣列2100與陣列2000的區(qū)別還在于相對的繞組端部2122、2124電耦合至相應(yīng)的焊接舌片2123、2125，而不是形成通孔引腳?？梢园凑张c上文關(guān)于陣列1000討論的方式類似的方式改變磁芯2002(圖20)的構(gòu)造。例如，頂板和底板2004、2006可以替代地是單件磁元件的部分。作為另一示例，在一些替代實(shí)施例中，磁芯2002是具有嵌入于其中的繞組2018的單件單片式結(jié)構(gòu)，例如通過對包括粘合劑中的磁性材料的成分進(jìn)行模制而形成的芯。作為又一示例，在某些替代實(shí)施例中，磁芯2002是通過設(shè)置多個磁性材料層或磁性材料膜而形成的。此外，在一些替代實(shí)施例中，磁芯2002完全環(huán)繞繞組環(huán)2020。此外，還可以改變繞組2018的構(gòu)造。例如，可以用箔繞組或?qū)щ娔ご鎸?dǎo)線繞組2018。例如，圖22示出了去除了頂板的耦合電感器陣列2200的頂視平面圖。陣列2200與圖20的陣列2000相似，只是包括由導(dǎo)電膜形成的繞組2218。至少繞組2218的重疊部分是通過例如設(shè)置在重疊的繞組部分之間的絕緣膜(未示出)而互相絕緣的。與陣列2000相對比，繞組端部2222、2224電耦合至相應(yīng)的焊接舌片2223、2225，而不是形成通孔引腳。文中公開的耦合電感器陣列的構(gòu)造促進(jìn)陣列的低高度，以使得可以將某些實(shí)施例看作是“芯片型”耦合電感器陣列。例如，某些實(shí)施例具有0.8毫米或更小的高度116(圖1)。這樣的陣列的相對較低的高度可以使其能夠與半導(dǎo)體管芯或半導(dǎo)體條一起容納在集成電路封裝體中，并任選地電耦合至半導(dǎo)體管芯或半導(dǎo)體條。例如，陣列的某些實(shí)施例可以與半導(dǎo)體管芯容納在公共集成電路封裝體中，但是與封裝體內(nèi)的管芯物理隔開。此外，文中公開的耦合電感器陣列的某些其它實(shí)施例例如通過將若干磁性材料層和導(dǎo)電材料層設(shè)置在半導(dǎo)體管芯上以分別形成磁芯和繞組來形成在半導(dǎo)體管芯上。半導(dǎo)體管芯和耦合電感器陣列又任選地容納在公共集成電路封裝體中，并且耦合電感器任選地電耦合至半導(dǎo)體管芯。例如，圖24示出了包括集成電路封裝體2402、容納在集成電路封裝體2402中的半導(dǎo)體管芯2404以及容納在集成電路封裝體2402中的耦合電感器2406的電子裝置2400。耦合電感器2406電耦合至半導(dǎo)體管芯2404，如虛線2408象征性圖示的。作為另一示例，例如，圖25示出了包括集成電路封裝體2502、容納在集成電路封裝體2502中的半導(dǎo)體管芯2504以及容納在集成電路封裝體2502中的耦合電感器2506的電子裝置2500。耦合電感器2506設(shè)置在半導(dǎo)體管芯2504上，并且耦合電感器2506電耦合至半導(dǎo)體管芯2504，如虛線2508象征性圖示的。上文討論的示例示出了設(shè)置在耦合電感器陣列底表面上而非陣列頂表面上的焊接舌片。在希望陣列頂表面被電隔離的應(yīng)用中，例如在任選的熱沉要設(shè)置在頂表面上的情況下，這樣的構(gòu)造可以是有利的。然而，某些替代實(shí)施例在陣列的頂表面和底表面上均包括焊接舌片。例如，圖23示出了耦合電感器陣列2300的透視圖，陣列2300與耦合電感器陣列100(圖1)類似，只是進(jìn)一步包括設(shè)置在頂表面2378上的焊接舌片2374、2376以及設(shè)置在底表面2372上的焊接舌片123(在圖23的透視圖中不可見)。申請人還另外發(fā)現(xiàn)，在磁芯由具有分布式間隙的磁性材料(例如包括粘合劑內(nèi)的磁性粉末的材料)形成的實(shí)施例中，必須格外注意繞組幾何形狀和相對繞組位置，以確保繞組的顯著磁耦合。如上文所討論的以及在schultz的文獻(xiàn)中討論的，在切換式功率轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中必須使繞組具有強(qiáng)的磁耦合，以實(shí)現(xiàn)使用耦合電感器代替多個分立電感器的優(yōu)勢。為了幫助認(rèn)識到在使用由分布式間隙磁性材料形成的磁芯時必須做出的特殊考慮，首先考慮圖26的現(xiàn)有技術(shù)耦合電感器2600，其包括由鐵氧體材料形成的磁芯2602，而不是由具有分布式空氣間隙的磁性材料形成的磁芯。磁芯2602是“梯狀”磁芯，其包括相對的梯欄(rail)2604、2606以及三個梯級2608。相應(yīng)的繞組2610圍繞每個梯級2608纏繞。如磁領(lǐng)域已知的，鐵氧體磁性材料具有非常高的相對磁導(dǎo)率，其往往處于2000到3000的范圍內(nèi)，并且因此鐵氧體磁性材料具有低磁阻。結(jié)果，磁芯2602具有低磁阻，并且由流經(jīng)一個或多個繞組2610的電流生成的磁通將幾乎完全被局限于磁芯2602。例如，圖26中的箭頭2612象征性地圖示由流經(jīng)繞組2610(2)的電流生成的磁通將如何幾乎完全在磁芯2602內(nèi)流動，以耦合至繞組2610(1)和2610(3)。因此，即使相鄰梯級之間的間距2614或梯欄2604和2606之間的間距2616大，也能夠使繞組2610發(fā)生強(qiáng)的磁耦合?，F(xiàn)在考慮圖27和圖28所示的現(xiàn)有技術(shù)磁裝置2700，其包括由具有分布式間隙的磁性材料形成的單片式磁芯2702。圖27示出了磁裝置2700的側(cè)視截面圖，并且圖28示出了磁裝置2700的頂視截面圖。三個繞組2704被嵌入單片式磁芯2702中，并且每個繞組2704形成圓形環(huán)。分布式間隙磁性材料具有比空氣大的磁導(dǎo)率。但是，分布式間隙使得這些磁性材料具有比鐵氧體磁性材料的磁導(dǎo)率小得多的磁導(dǎo)率。結(jié)果，磁芯2702具有相對較大的磁阻，并且由流經(jīng)一個繞組2704的電流生成的磁通因此將在離繞組非常近的地方流動，并且不會顯著地耦合至其它繞組2704。例如，圖27中的箭頭2706和圖28中的符號2708象征性地圖示了由流經(jīng)繞組2704(2)的電流生成的磁通如何不顯著耦合至繞組2704(1)和2704(3)。相應(yīng)地，磁裝置2700只是三個獨(dú)立的未發(fā)生明顯的磁耦合的電感器的集合，并且不能認(rèn)為磁裝置2700是耦合電感器陣列。此外，即使將磁裝置2700修改為使繞組2704靠攏到一起，繞組2704還是不發(fā)生顯著的磁耦合。例如，圖29示出了磁裝置2900的頂視截面圖，其與圖27和圖28的磁裝置2700類似，只是繞組2704在寬度方向2901上非常緊密的靠攏。符號2908象征性地圖示了由流經(jīng)繞組2704(2)的電流生成的磁通的通路。如所示，來自繞組2704(2)的磁通很少耦合至其余繞組2704(1)和2704(3)，盡管繞組2704是緊密靠攏的。因此，磁裝置2900仍然只是三個獨(dú)立的未發(fā)生明顯的磁耦合的電感器的集合，并且因此不能認(rèn)為磁裝置2900是耦合電感器陣列。然而，申請人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在包括具有分布式間隙的單片式磁芯的裝置中，如果(1)繞組在長度方向上比在寬度方向上長(例如關(guān)于圖1-4所討論的)以使繞組形成包圍大體上為矩形的環(huán)區(qū)域的繞組環(huán)，并且(2)在磁芯的給定的長度方向乘寬度方向截面(lengthwisebywidthwisecross-section)中繞組環(huán)包圍的區(qū)域大體上大于繞組環(huán)之外的區(qū)域，則能夠?qū)崿F(xiàn)強(qiáng)的磁耦合和相對較大的漏電感值二者。圖30到圖33示出了滿足這些要求的磁裝置的一個示例。具體而言，圖30是具有長度3002、寬度3004和高度3006的耦合電感器陣列3000的頂視平面圖，圖31是其側(cè)面立視圖。圖32是沿圖30的線30a-30a取得的截面圖，圖33是沿圖31的線31a-31a取得的截面圖。耦合電感器陣列3000的一種可能的應(yīng)用是在切換式功率轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中，例如在圖12的三相降壓轉(zhuǎn)換器1200當(dāng)中。耦合電感器陣列3000包括由具有分布式間隙的磁性材料形成的單片式磁芯3008。例如，在一些實(shí)施例中，單片式磁芯3008由粘合劑內(nèi)的粉末狀磁性材料的單個塊形成。作為另一示例，在一些其它實(shí)施例中，單片式磁芯3008由堆疊在一起以形成單片式磁芯的多個磁膜層形成，其中，每個磁膜層由粘合劑內(nèi)的磁性材料粉末形成。單片式磁芯3008的分布式間隙使得磁芯3008具有比典型的鐵氧體磁性材料的磁導(dǎo)率低得多的磁導(dǎo)率。耦合電感器陣列3000包括嵌入單片式磁芯3008內(nèi)的多個繞組3010，其中，每個繞組圍繞相應(yīng)的繞組軸3016形成一個或多個匝的相應(yīng)繞組環(huán)3012，其中，每個繞組軸3016在高度方向上延伸。每個繞組環(huán)3012包括在高度方向上相互隔開的多個導(dǎo)體層3014，使得每個繞組環(huán)3012在高度方向上具有厚度t。在圖32中僅對一些導(dǎo)體層3014進(jìn)行標(biāo)記，以促進(jìn)說明的清楚。每個繞組環(huán)3012的導(dǎo)體層3014通過電連接器(未示出)串聯(lián)電耦合，例如，所述電連接器是在高度方向上在相鄰導(dǎo)體層3014之間延伸的導(dǎo)電通孔。相鄰繞組環(huán)3012相互隔開寬度方向間隔距離d。每個繞組環(huán)3012包圍相應(yīng)的長度方向乘寬度方向的環(huán)區(qū)域ain，該區(qū)域具有在長度方向上伸長的大體上為矩形的形狀(參考圖33)。繞組環(huán)3012包圍的磁芯3008的區(qū)域大體上大于磁芯3008的在繞組環(huán)3012之外的區(qū)域，如在高度方向上通過截面觀察耦合電感器陣列3000時所見。換言之，在包括繞組環(huán)3012的給定的長度方向乘寬度方向的截面平面內(nèi)，繞組環(huán)3012包圍的磁芯區(qū)域ain的總體尺寸顯著大于繞組環(huán)3012之外的磁芯區(qū)域aout的總體尺寸。繞組環(huán)幾何形狀、繞組環(huán)位置和磁芯3008之間的這種關(guān)系允許磁芯3008在相鄰繞組環(huán)3012之間提供低磁阻通路，即使磁芯3008具有相對較低的磁導(dǎo)率。結(jié)果，繞組環(huán)3012發(fā)生強(qiáng)的磁耦合，以使它們是耦合電感器陣列的部分，而不是僅為獨(dú)立電感器的集合的部分。此外，磁芯3008在長度乘寬度方向上延伸到繞組環(huán)3012以外的事實(shí)使得磁芯3008能夠?yàn)榇篌w上圍繞每個繞組環(huán)3012的整個相應(yīng)周界的漏磁通提供通路。因而，耦合電感器陣列3000具有寬的或者大截面面積的漏磁通通路。漏磁通通路的大截面面積使得所述通路具有低磁阻，由此促進(jìn)了低芯損耗和與繞組3010相關(guān)的大漏電感值。相應(yīng)地，耦合電感器陣列3000實(shí)現(xiàn)了繞組3010的強(qiáng)磁耦合以及與繞組3010相關(guān)的顯著的漏電感值，即使磁芯3008具有相對較低的磁導(dǎo)率。在不背離本文的范圍的情況下可以對耦合電感器陣列3000做出修改。例如，可以改變繞組3010的數(shù)量，只要耦合電感器陣列3000包括至少兩個繞組3010即可。作為另一示例，可以改變每個繞組環(huán)3012中的導(dǎo)體層3014的數(shù)量，只要每個繞組環(huán)3012包括至少一個導(dǎo)體層3014即可。此外，盡管磁芯3008被示為同質(zhì)的，但是磁芯3008可以替代地是具有兩個或更多由不同成分構(gòu)成的部分的復(fù)合磁芯，只要磁芯3008的體積中的大部分是由具有分布式間隙的磁性材料形成的即可。此外，盡管可以預(yù)計耦合電感器陣列3000典型地是對稱的，但是在一些替代實(shí)施例中，耦合電感器陣列3000具有非對稱構(gòu)造，以例如實(shí)現(xiàn)非對稱耦合電感器陣列。申請人還進(jìn)一步確定了，如果寬度方向繞組環(huán)間隔距離與繞組環(huán)高度具有某種關(guān)系，則促進(jìn)了分布式間隙磁裝置中的強(qiáng)的磁耦合和顯著的漏電感。為了幫助認(rèn)識這種關(guān)系，考慮圖34中的截面圖中所示的磁裝置3400。磁裝置3400包括由具有分布式間隙的磁性材料(例如粘合劑內(nèi)的粉末狀磁性材料)形成的矩形單片式磁芯3402。磁裝置3400具有長度3404和高度3406，并且磁裝置3400包括嵌入在單片式磁芯3402中的多匝繞組環(huán)3408，其中，繞組環(huán)3408具有高度t?？梢酝ㄟ^將長度乘高度截面劃分成假想的正方形(例如長度乘高度截面3410包括正方形1-5)而對磁芯3402建模。盡管這樣的模型是近似的，并且只考慮單片式磁芯3402的一部分，但是在使人了解磁通密度隨著與繞組環(huán)3408的距離的增大而下降的速度有多快的意義上，該模型是說明性的。忽略邊界條件和二階效應(yīng)，能夠通過等價電模型(如圖35所示)對各正方形的頂點(diǎn)之間的磁阻建模，其中，每個電阻器表示兩個頂點(diǎn)之間的歸一化磁阻。例如，從點(diǎn)a到點(diǎn)b的通路的磁阻大約是從點(diǎn)a到點(diǎn)c的通路的磁阻的兩倍，如通過具有兩倍于電阻器3504的電阻的電阻器3502所示?？梢匀鐖D36所示對通過截面3410的磁通進(jìn)行近似建模，其中，通過具有幅度1的電流源3602表示流經(jīng)截面3410的總磁通。在通過正方形1-5的邊界定義的離散通路來對截面3410進(jìn)行近似時，流經(jīng)圖36中的每個電分支的電流代表流經(jīng)磁芯3402的對應(yīng)通路的相對磁通。例如，截面3410內(nèi)的總磁通的大約55.7％在點(diǎn)a和點(diǎn)b之間流動，而總磁通中僅有大約30.9％在點(diǎn)c和點(diǎn)d之間流動。圖37是截面3410中的相對磁通密度的圖表3700，并且是由圖36導(dǎo)出的，其中，曲線3702下的面積代表截面3410內(nèi)的總磁通。橫軸3704表示磁通流過截面3410中的哪一個正方形(例如，正方形1)，并且縱軸3706表示該正方形內(nèi)的估算出的相對磁通密度。如圖37所示，流過截面3410的大部分磁通在正方形1內(nèi)流動。結(jié)果，任何額外的繞組環(huán)(未示出)也必須要位于正方形1內(nèi)，才能使額外的繞組環(huán)強(qiáng)烈地磁耦合至繞組環(huán)3408。如果d小于t，則在圖30-33的耦合電感器陣列3000中滿足該約束。相應(yīng)地，在耦合電感器陣列3000的一些實(shí)施例中，每個寬度方向間隔距離d小于繞組環(huán)3012的厚度t，以進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)各繞組環(huán)3012的強(qiáng)磁耦合。盡管在耦合電感器陣列中需要強(qiáng)的磁耦合，但是對于能量存儲而言，一些漏電感也是必需的。因而，在典型的實(shí)施例中，間隔距離d應(yīng)當(dāng)至少是繞組環(huán)厚度t的10％，以為漏磁通提供足夠的長度方向乘寬度方向截面積。此外，間隔距離d應(yīng)當(dāng)足夠大，以避免與間隔距離d的非常小的值相關(guān)的制造困難。例如，如果制造過程具有+/-dd的機(jī)械精度容差，那么d應(yīng)當(dāng)至少是dd的兩倍，以促進(jìn)魯棒的制造。相應(yīng)地，在耦合電感器陣列3000的一些實(shí)施例中，d小于t，并且d大于0.1*t或2*dd中較大者，以實(shí)現(xiàn)強(qiáng)的磁耦合、顯著的漏電感值和魯棒的制造。在一些耦合電感器陣列應(yīng)用中，可能希望具有繞組的非常強(qiáng)的磁耦合。相應(yīng)地，申請人借助于與增大的漏磁通通路磁阻之間的權(quán)衡而開發(fā)出了額外的技術(shù)，其促進(jìn)具有分布式間隙磁芯的耦合電感器陣列中的繞組的強(qiáng)磁耦合。具體而言，申請人發(fā)現(xiàn)通過將非磁性結(jié)構(gòu)嵌入磁芯中來阻礙磁通圍繞繞組環(huán)的流動能夠進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)具有分布式間隙磁芯的耦合電感器陣列中的繞組環(huán)的強(qiáng)磁耦合。例如，圖38是包括嵌入單片式磁芯中的非磁性結(jié)構(gòu)的耦合電感器陣列3800的頂視平面圖，圖39是其側(cè)視平面圖。耦合電感器陣列3800具有長度3802、寬度3804和高度3806。圖40是沿圖38的線38a-38a取得的截面圖，圖41是沿圖39的線39a-39a取得的截面圖。耦合電感器陣列3800的一種可能的應(yīng)用是在切換式功率轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中，例如，在圖12的三相降壓轉(zhuǎn)換器1200中。耦合電感器陣列3800包括由具有分布式間隙的單片式磁芯3808。在例示的示例中，單片式磁芯3808由在高度方向上堆疊的多個磁膜層3809形成(見圖40)，其中，每個磁膜層由具有分布式間隙的磁性材料(例如粘合劑內(nèi)的粉末狀磁性材料)形成。不過，在一些替代實(shí)施例中，單片式磁芯3808是由分布式間隙材料(例如粘合劑內(nèi)的粉末狀磁性材料)形成的塊狀磁芯。耦合電感器陣列3800包括嵌入單片式磁芯3808內(nèi)的多個繞組3810，其中，每個繞組形成圍繞相應(yīng)的軸3816纏繞的一匝或多匝的相應(yīng)繞組環(huán)3812，其中，每個繞組軸3816在高度方向上延伸。每個繞組環(huán)3812包括在高度方向上相互隔開的多個導(dǎo)體層3814，使得每個繞組環(huán)3812在高度方向上具有厚度t。在圖40中僅標(biāo)記了一些導(dǎo)體層3814，以促進(jìn)說明的清楚性。每個繞組環(huán)3812的導(dǎo)體層3814通過電連接器串聯(lián)電耦合，所述電連接器例如是在高度方向上在相鄰導(dǎo)體層3814之間延伸的導(dǎo)電通孔3813。在圖41中通過虛線部分示出了繞組環(huán)3812的輪廓，其中，繞組環(huán)的導(dǎo)體層3814在圖41的截面圖中不可見。相鄰繞組環(huán)3812相互間隔開寬度方向間隔距離d。每個繞組環(huán)3812包圍相應(yīng)的長度方向乘寬度方向環(huán)區(qū)域ain，該區(qū)域具有在長度方向伸長的大體上為矩形的形狀(見圖41)。磁芯3808的被繞組環(huán)3812包圍的區(qū)域大體上大于磁芯3808的在繞組環(huán)3812之外的區(qū)域，如在沿高度方向通過截面觀察耦合電感器陣列3800時看到的。換言之，在包括繞組環(huán)3812的給定長度乘寬度截面平面中，環(huán)區(qū)域ain的總體尺寸大體上大于磁芯3808的在繞組環(huán)3812之外的區(qū)域aout的總體尺寸。因此，繞組環(huán)3812按照與上文關(guān)于圖30-33討論的類似的方式被強(qiáng)磁耦合，使得繞組3810是耦合電感器陣列的部分，而不是僅為獨(dú)立電感器的集合的部分。此外，在一些實(shí)施例中，d小于t，并且d大于0.1*t或2*dd中較大者，以按照與上文討論的類似的方式實(shí)現(xiàn)強(qiáng)磁耦合、顯著的漏電感值和魯棒的制造。非磁性結(jié)構(gòu)3815嵌入在單片式磁芯內(nèi)并設(shè)置在繞組環(huán)3812之外，如沿高度方向通過截面觀察耦合電感器陣列3800所看出的。具體而言，一個或多個非磁性結(jié)構(gòu)3815設(shè)置為在與繞組環(huán)共同的長度方向乘寬度方向平面中與每個繞組環(huán)3812相鄰，使得磁芯3808在繞組環(huán)3812之外的長度方向乘寬度方向區(qū)域至少基本上被非磁性結(jié)構(gòu)3815覆蓋。非磁性結(jié)構(gòu)3815在磁芯3808內(nèi)阻礙磁通在繞組環(huán)外部流動，由此進(jìn)一步促進(jìn)繞組3810的強(qiáng)磁耦合。盡管可以預(yù)計非磁性結(jié)構(gòu)3815通常將基本上覆蓋繞組環(huán)3812之外的整個長度方向乘寬度方向區(qū)域，如沿高度方向通過截面觀察耦合電感器陣列3800時看到的，但是在不背離本發(fā)明范圍的情況下，非磁性結(jié)構(gòu)3815可以替代地覆蓋磁芯3808的較小的長度方向乘寬度方向區(qū)域。在不背離本文的范圍的情況下可以對耦合電感器陣列3800做出修改。例如，可以改變磁膜層3809的數(shù)量。作為另一示例，可以改變非磁性結(jié)構(gòu)3815的數(shù)量。例如，可以將給定非磁性結(jié)構(gòu)3815分成若干較小磁性結(jié)構(gòu)。作為又一示例，可以改變繞組3810的數(shù)量，只要耦合電感器陣列3800包括至少兩個繞組3810即可。此外，可以改變每個繞組環(huán)3812中的導(dǎo)體層3814的數(shù)量，只要每個繞組環(huán)3812包括至少一個導(dǎo)體層3814即可。此外，盡管可以預(yù)計耦合電感器陣列3800通常是對稱的，但是在一些替代實(shí)施例中，耦合電感器陣列3800具有非對稱構(gòu)造，以例如實(shí)現(xiàn)非對稱耦合電感器陣列。非磁性結(jié)構(gòu)3815由磁導(dǎo)率比形成磁膜層3809的材料低的材料形成。在一些實(shí)施例中，非磁性結(jié)構(gòu)3815由具有一左右的相對磁導(dǎo)率的材料形成，以使通過繞組環(huán)3812的磁通的流量最大化。理想情況下，非磁性結(jié)構(gòu)3815由電絕緣的材料形成，以避免在非磁性結(jié)構(gòu)3815內(nèi)的渦電流的流動。但是，將與用于導(dǎo)體層3814的材料不同的材料用于非磁性結(jié)構(gòu)3815可能使制造復(fù)雜化。例如，在一些實(shí)施例中，需要兩個不同的印刷步驟和相關(guān)掩模來形成具有不同的相應(yīng)材料的導(dǎo)體層3814和非磁性結(jié)構(gòu)3815。因此，在一些替代實(shí)施例中，非磁性結(jié)構(gòu)3815和導(dǎo)體層3814兩者均由共同的導(dǎo)電材料形成，其中，非磁性結(jié)構(gòu)3815與繞組3810電隔離，并因此還與繞組環(huán)3812及其構(gòu)成導(dǎo)體層3814電隔離。例如，圖42是耦合電感器陣列4200的與圖41的截面圖類似的截面圖。耦合電感器陣列4200是耦合電感器陣列3800的替代實(shí)施例，在耦合電感器陣列4200中，用由導(dǎo)電材料(例如，與形成導(dǎo)體層3814的導(dǎo)電材料相同類型的導(dǎo)電材料)形成的非磁性結(jié)構(gòu)4215代替非磁性結(jié)構(gòu)3815。一個或多個非磁性結(jié)構(gòu)4215設(shè)置為在與繞組環(huán)共同的長度方向乘寬度方向平面中與每個繞組環(huán)3812相鄰，使得磁芯3808在繞組環(huán)3812之外的長度方向乘寬度方向區(qū)域至少基本上被非磁性結(jié)構(gòu)4215覆蓋。非磁性結(jié)構(gòu)4215與繞組3810及相關(guān)繞組環(huán)3812電隔離?？梢灶A(yù)計，多個單獨(dú)的非磁性結(jié)構(gòu)4215將代替單個非磁性結(jié)構(gòu)4215設(shè)置在給定寬度方向乘長度方向平面內(nèi)，以降低渦電流的流動并促進(jìn)可制造性。圖43示出了用于形成包括具有嵌入于其中的非磁性結(jié)構(gòu)的磁芯的耦合電感器陣列的方法4300。在步驟4302中，將至少兩個導(dǎo)體層沿高度方向設(shè)置在磁芯部分上，以使導(dǎo)體層至少部分地形成至少兩個繞組環(huán)，如沿高度方向觀察時所見。在步驟4302的一個示例中，將導(dǎo)體層3814(1)、3814(4)和3814(7)印刷到磁膜層3809(5)上，以分別部分地形成繞組環(huán)3812(1)、3812(2)和3812(3)。(見圖40)。在步驟4304中，將一個或多個非磁性結(jié)構(gòu)設(shè)置在磁芯部分上并且在繞組環(huán)之外，如沿高度方向觀察時所見。在步驟4304的一個示例中，將非磁性結(jié)構(gòu)3815(1)印刷到磁膜層3809(5)上，在繞組環(huán)3812(1)、3812(2)、3812(3)之外。在步驟4306中，將磁性材料設(shè)置在磁芯部分、導(dǎo)體層和非磁性結(jié)構(gòu)上。在步驟4306的一個示例中，將磁膜層3809(6)設(shè)置在磁膜層3809(5)、導(dǎo)體層3814(1)、3814(4)、3814(7)以及非磁性結(jié)構(gòu)3815(1)上。判決步驟4308判斷是否需要額外的導(dǎo)體層。如果需要，那么重復(fù)步驟4302到4306；否則方法4300結(jié)束。還可以增大繞組環(huán)尺寸，以阻礙漏磁通的流動，由此借助于與增大的漏磁通通路磁阻的權(quán)衡來增大繞組的磁耦合。例如，圖44是具有長度4402和寬度4404的耦合電感器陣列4400的截面圖。繞組環(huán)4412嵌入到由具有分布式間隙的磁性材料形成的單片式磁芯4408中。耦合電感器陣列4400與圖30-33的耦合電感器陣列3000類似，只是具有更大的繞組環(huán)。將圖33所示的耦合電感器陣列3000的截面圖再現(xiàn)為圖45，以便于耦合電感器陣列3000和4400的比較。從圖44和45的比較中可以觀察到，在耦合電感器陣列4400中繞組環(huán)覆蓋的磁芯的長度方向乘寬度方向部分比在耦合電感器陣列3000中要大。因此，假設(shè)其它方面等同，與耦合電感器陣列3000相比，耦合電感器陣列4400將借助于與增大的漏磁通磁阻之間的權(quán)衡而具有更強(qiáng)的繞組的磁耦合。此外，假設(shè)其它方面等同，那么相對于耦合電感器陣列3000，耦合電感器陣列4400中的繞組環(huán)的增大的尺寸使得耦合電感器陣列4400中的繞組具有比耦合電感器陣列3000中的對應(yīng)繞組更低的電阻。申請人還發(fā)現(xiàn)繞組環(huán)的交錯接合能夠促進(jìn)繞組的強(qiáng)磁耦合。為了幫助認(rèn)識該發(fā)現(xiàn)，首先考慮不存在繞組環(huán)的交錯接合的耦合電感器陣列4600，如圖46中的截面圖所示。耦合電感器陣列4600具有長度4602和寬度4604。耦合電感器陣列4600包含嵌入到由具有分布式間隙的磁性材料形成的單片式磁芯4608中的兩個繞組環(huán)4612。分別通過箭頭4601和4603來象征性地圖示耦合磁通和漏磁通。只有漏磁通流過繞組環(huán)4612之間的區(qū)域4605。因而，區(qū)域4605通過允許磁通繞過繞組環(huán)4612而降低了繞組環(huán)4612的磁耦合。但是不可能消除區(qū)域4605，因?yàn)槔@組環(huán)4612必須在寬度方向上相互隔開，以避免繞組環(huán)被電短接到一起。申請人已經(jīng)確定繞組環(huán)的交錯接合能夠減少或消除歸因于繞組環(huán)分隔的漏磁通通路。例如，考慮圖47的頂視圖和圖48的側(cè)面立視圖中所示的耦合電感器陣列4700。圖49是沿圖47的線47a-47a取得的截面圖，圖50是沿圖48的線48a-48a取得的截面圖。耦合電感器陣列4700具有長度4702、寬度4704和高度4706。耦合電感器陣列4700的一種可能的應(yīng)用是在切換式功率轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中，例如在與圖12的三相降壓轉(zhuǎn)換器1200相似的多相降壓轉(zhuǎn)換器中。耦合電感器陣列4700包括由具有分布式間隙的磁性材料形成的單片式磁芯4708。例如，在一些實(shí)施例中，單片式磁芯4708由粘合劑內(nèi)的粉末狀磁性材料的單塊形成。作為另一示例，在一些其它實(shí)施例中，單片式磁芯4708由多個磁膜層形成，多個磁膜層被堆疊以形成單片式磁芯，其中，每個磁膜層由粘合劑內(nèi)的磁性材料粉末形成。單片式磁芯4708的分布式間隙使得單片式磁芯4708具有比典型鐵氧體磁性材料的磁導(dǎo)率低得多的磁導(dǎo)率。耦合電感器陣列4700包括嵌入到單片式磁芯4708內(nèi)的繞組4710，其中，每個繞組形成圍繞相應(yīng)的繞組軸4716纏繞的一匝或多匝的相應(yīng)繞組環(huán)4712，其中，每個繞組軸4716在高度方向上延伸。每個繞組環(huán)4712包括在高度方向上相互隔開的多個導(dǎo)體層4714，使得每個繞組環(huán)4712在高度方向上具有厚度t。在圖49中僅標(biāo)記了一些導(dǎo)體層4714，以促進(jìn)說明的清楚性。每個繞組環(huán)4712的導(dǎo)體層4714通過電連接器而串聯(lián)電耦合，所述電連接器例如是在高度方向上在相鄰導(dǎo)體層4714之間延伸的導(dǎo)電通孔4713。在圖50中通過虛線而部分示出了繞組環(huán)4712的輪廓，其中，繞組環(huán)的導(dǎo)體層4714在圖50的截面圖中不可見。每個繞組環(huán)4712包圍相應(yīng)的長度方向乘寬度方向環(huán)區(qū)域ain，該區(qū)域具有沿長度方向伸長的大體上為矩形的形狀(見圖50)。磁芯4708的由繞組環(huán)4712包圍的區(qū)域大體上大于磁芯4708的在繞組環(huán)4712之外的區(qū)域，如在高度方向上通過截面觀察耦合電感器陣列4700時所見。換言之，在包括繞組環(huán)4712的給定長度乘寬度截面平面中，由繞組環(huán)4712包圍的磁芯區(qū)域ain的總體尺寸顯著大于在繞組環(huán)4712之外的磁芯區(qū)域的總體尺寸。與上文關(guān)于耦合電感器陣列3000和3800討論的類似，繞組環(huán)幾何形狀、繞組環(huán)位置和磁芯4708之間的這種關(guān)系允許磁芯4708在相鄰繞組環(huán)4712之間提供低磁阻通路，即使磁芯4708具有相對較低的磁導(dǎo)率。此外，在耦合電感器陣列4700中使繞組環(huán)4712交錯接合，或者換言之，使繞組環(huán)4712部分重疊，如在高度方向上通過截面觀察耦合電感器陣列4700時所見。繞組環(huán)4712的這種交錯接合使得相鄰繞組環(huán)4712之間的長度方向乘寬度方向區(qū)域4705被這兩個繞組環(huán)包圍。結(jié)果，區(qū)域4705是耦合磁通通路的部分，而不是漏磁通通路的部分。因此，假設(shè)其它方面等同，則耦合電感器陣列4700具有比耦合電感器陣列4600更強(qiáng)的繞組的磁耦合。使繞組環(huán)4712交錯接合的事實(shí)要求繞組環(huán)4712相互交叉。因此，可能需要在兩個不同的層上實(shí)施給定的繞組匝，以允許繞組環(huán)4712在不電短接到一起的情況下相互交叉。在不背離本文的范圍的情況下可以對耦合電感器陣列4700做出修改。例如，可以改變繞組4710的數(shù)量，只要耦合電感器陣列4700包括至少兩個繞組4710即可。作為另一示例，可以改變每個繞組環(huán)4712中的導(dǎo)體層4714的數(shù)量，只要每個繞組環(huán)4712包括至少一個導(dǎo)體層4714即可。此外，盡管磁芯4708被示為同質(zhì)的，但是磁芯4708可以替代地是具有由不同成分構(gòu)成的兩個或更多部分的復(fù)合磁芯，只要磁芯4708的體積中的大部分是由具有分布式間隙的磁性材料形成的即可。此外，盡管可以預(yù)計耦合電感器陣列4700通常是對稱的，但是在一些替代實(shí)施例中，耦合電感器陣列4700具有非對稱構(gòu)造，以例如實(shí)現(xiàn)非對稱耦合電感器陣列。申請人還額外開發(fā)出了包括具有強(qiáng)磁耦合的兩個豎直堆疊的繞組的耦合電感器陣列。豎直堆疊的繞組促進(jìn)了小的裝置覆蓋區(qū)，在用于安裝部件的空間有限的應(yīng)用中這一點(diǎn)尤為有利。圖51-56示出了這樣的耦合電感器陣列的一個示例。具體而言，圖51是包括具有強(qiáng)磁耦合的兩個豎直堆疊的繞組的耦合電感器陣列5100的透視圖。在圖51中通過線圖示出了耦合電感器陣列5100的磁芯，即，僅示出了磁芯的輪廓，以示出耦合電感器陣列的內(nèi)部。圖52是耦合電感器陣列5100的頂視平面圖，圖53是耦合電感器陣列5100的側(cè)面立視圖，圖54是沿圖52的線52a-52a取得的耦合電感器陣列5100的豎直截面圖，圖55是沿圖53的線53a-53a取得的耦合電感器陣列5100的水平截面圖。圖56通過分解圖示出了沒有磁芯的耦合電感器陣列5100。耦合電感器陣列5100具有長度5102、寬度5104和高度5106。耦合電感器陣列5100的一種可能的應(yīng)用是在切換式功率轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中，例如在與圖12的降壓轉(zhuǎn)換器1200相似但僅具有兩個相1255的降壓轉(zhuǎn)換器中。耦合電感器陣列5100包括由具有分布式間隙的磁性材料形成的單片式磁芯5108。例如，在一些實(shí)施例中，單片式磁芯5108由粘合劑內(nèi)的粉末狀磁性材料的單塊形成。作為另一示例，在一些其它實(shí)施例中，單片式磁芯5108由在高度5106方向上堆疊以形成單片式磁芯的多個磁膜層形成，其中，每個磁膜層由粘合劑內(nèi)的磁性材料粉末形成。單片式磁芯5108的分布式間隙使得單片式磁芯5108具有比典型鐵氧體磁性材料的磁導(dǎo)率低得多的磁導(dǎo)率。在一些實(shí)施例中，單片式磁芯5108包括一個或多個非磁性材料層(未示出)，例如用于在耦合電感器陣列的制造過程中支撐耦合電感器陣列5800的特征以及用于提供耦合電感器陣列內(nèi)的電介質(zhì)絕緣的一個或多個襯底。耦合電感器陣列5100包括第一繞組5110和第二繞組5112。第一繞組5110形成了嵌入到單片式磁芯5108中的第一繞組匝5114，并且第二繞組5112形成了嵌入到單片式磁芯中的第二繞組匝5116(見圖51、54和56)。圍繞在高度5106方向上延伸的公共繞組軸5118纏繞第一和第二繞組匝5114和5116中的每者。盡管將第一和第二繞組匝5114和5116中的每者示為形成單匝，但是這些繞組匝中的一者或多者可以形成多匝。任選使第一和第二繞組5110、5112在單片式磁芯5108內(nèi)相互電隔離。第一繞組5110的相對端部5120和5122終止于單片式磁芯5108的第一側(cè)5124附近，并且第二繞組5112的相對端部5126和5128終止于單片式磁芯5108的相對的第二側(cè)5130附近(見圖51和圖56)。使單片式磁芯5108的第一側(cè)和第二側(cè)5124和5130在長度5102方向上相互隔開。盡管繞組端部5120、5122、5126和5128被示為形成用于至電路板的表面安裝焊接的相應(yīng)的焊接舌片，但是這些繞組端部中的一者或多者可以形成另一類型的連接器，例如通孔引腳，而不背離本文的范圍。耦合電感器陣列5100還包括由磁導(dǎo)率比形成單片式磁芯5108的一種或多種磁性材料低的磁性材料形成的低磁導(dǎo)率磁性結(jié)構(gòu)5132。低磁導(dǎo)率磁性結(jié)構(gòu)5132被嵌入到單片式磁芯5108中，并在高度5106方向上將第一繞組匝5114與第二繞組匝5116隔開。低磁導(dǎo)率磁性結(jié)構(gòu)5132形成了圍繞公共繞組軸5118的環(huán)，以使低磁導(dǎo)率磁性結(jié)構(gòu)5132形成與公共繞組軸5118對準(zhǔn)的孔徑5134(見圖51以及圖54-56)。相應(yīng)地，第一繞組匝5114、第二繞組匝5116和低磁導(dǎo)率磁性結(jié)構(gòu)5132共同包圍單片式磁芯5108的第一部分5136，如在高度5106方向上通過截面觀察耦合電感器陣列5100時所見。在一些實(shí)施例中，第一繞組匝5114、第二繞組匝5116和低磁導(dǎo)率磁性結(jié)構(gòu)5132是矩形的，以使得單片式磁芯5108的第一部分5136具有矩形形狀，如在高度5106方向上通過截面觀察耦合電感器陣列5100時所見，以促進(jìn)第一和第二繞組5110、5112的強(qiáng)磁耦合。在第一和第二繞組匝5114和5116之間包括低磁導(dǎo)率磁性結(jié)構(gòu)5132有利地促進(jìn)第一和第二繞組5110和5112的強(qiáng)磁耦合，同時仍然為漏磁通提供通路，以獲得顯著的漏電感值。為了幫助認(rèn)識到這些特征，考慮圖57，其為與圖54類似的豎直截面圖，但是示出了近似的耦合磁通5138通路和漏磁通5140通路。耦合磁通5138鏈接第一和第二繞組匝5114和5116兩者，并且因此耦合磁通5138流過單片式磁芯5108的第一部分5136并圍繞第一和第二繞組匝外部流動。另一方面，漏磁通5140僅鏈接繞組匝5114和5116之一，并且因此漏磁通5140必須流過低磁導(dǎo)率磁性結(jié)構(gòu)5132。形成單片式磁芯5108的第一部分5136的磁性材料具有比低磁導(dǎo)率磁性結(jié)構(gòu)5132的磁導(dǎo)率更高的磁導(dǎo)率。因此，通過第一部分5136的磁通通路的磁阻將低于通過低磁導(dǎo)率磁性結(jié)構(gòu)5132的磁通通路的磁阻，以使得流過第一和第二繞組匝5114和5116的磁通中的大部分為耦合磁通，其促進(jìn)第一和第二繞組5110和5112的強(qiáng)磁耦合。如果不存在低磁導(dǎo)率磁性結(jié)構(gòu)5132，并且反而采取單片式磁芯5108的相對較高磁導(dǎo)率的材料分隔第一和第二繞組匝5114和5116，那么漏磁通通路的磁阻將相對較低。結(jié)果，流過第一和第二繞組匝5114和5116的磁通中相對很少的磁通是耦合磁通，導(dǎo)致第一和第二繞組5110和5112的相對較弱的磁耦合。重要的是注意，盡管形成低磁導(dǎo)率磁性結(jié)構(gòu)5132的磁性材料具有比形成單片式磁芯5108的第一部分5136的磁性材料低的磁導(dǎo)率，但是形成低磁導(dǎo)率磁性結(jié)構(gòu)5132的材料必須是能夠獲得顯著的漏電感值的磁性材料。如果低磁導(dǎo)率磁性結(jié)構(gòu)5132替代地由非磁性材料形成，則難以或甚至不可能獲得典型的切換式功率轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中需要的顯著的漏電感值?？梢栽隈詈想姼衅麝嚵?100的設(shè)計和/或制造過程中通過調(diào)整低磁導(dǎo)率磁性結(jié)構(gòu)5132的成分和/或通過調(diào)整低磁導(dǎo)率磁性結(jié)構(gòu)5132在高度5106方向上的厚度來改變漏電感值。例如，可以通過增大低磁導(dǎo)率磁性結(jié)構(gòu)5132的厚度或者通過增大低磁導(dǎo)率磁性結(jié)構(gòu)5132的磁導(dǎo)率來增大漏電感值。在不背離本文的范圍的情況下可以對耦合電感器陣列5100做出修改。例如，可以對第一和第二繞組5110和5112做出修改，使得它們的端部5120、5122、5126和5128終止于單片式磁芯5108的不同部分。例如，在一個替代實(shí)施例中，用朝相反方向纏繞的并且具有終止于相對的磁芯側(cè)的端部的繞組(例如，與圖22所示的繞組類似)來替換第一和第二繞組5110和5112。此外，盡管磁芯5108被示為同質(zhì)的，但是單片式磁芯5108可以替代地是具有由不同成分構(gòu)成的兩個或更多部分的復(fù)合磁芯，只要單片式磁芯5108的體積中的大部分由具有分布式間隙的磁性材料形成即可。申請人還開發(fā)出了這樣的耦合電感器陣列，其中，每個繞組形成多個繞組匝，并且給定繞組的每個繞組匝是圍繞不同的繞組軸纏繞的，以促進(jìn)繞組的強(qiáng)磁耦合以及耦合電感器陣列的低高度。例如，圖58是每個繞組形成多個繞組匝的耦合電感器陣列5800的透視圖。在圖58中通過線圖示出了耦合電感器陣列5800的磁芯，即，僅示出了磁芯的輪廓，以示出耦合電感器陣列的內(nèi)部。圖59是耦合電感器陣列5800的頂視平面圖，圖60是耦合電感器陣列5800的側(cè)面立視圖，圖61是沿圖59的線59a-59a取得的耦合電感器陣列5800的豎直截面圖，圖62是沿圖59的線59b-59b取得的耦合電感器陣列5800的豎直截面圖，圖63是沿圖60的線60a-60a取得的耦合電感器陣列5800的水平截面圖，圖64是沿圖60的線60b-60b取得的耦合電感器陣列5800的水平截面圖。圖65是耦合電感器陣列5800的與該陣列的磁芯隔開的繞組的透視圖。耦合電感器陣列5800具有長度5802、寬度5804和高度5806。耦合電感器陣列5800的一種可能的應(yīng)用是在切換式功率轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中，例如在與圖12的降壓轉(zhuǎn)換器1200相似但是只有兩個相1255的降壓轉(zhuǎn)換器中。耦合電感器陣列5800包括由具有分布式間隙的磁性材料形成的單片式磁芯5808。例如，在一些實(shí)施例中，單片式磁芯5808由粘合劑內(nèi)的粉末狀磁性材料的單塊形成。作為另一示例，在一些其它實(shí)施例中，單片式磁芯5808由在高度5806方向上堆疊以形成單片式磁芯的多個磁膜層形成，其中，每個磁膜層由粘合劑內(nèi)的粉末狀磁性材料形成。單片式磁芯5808的分布式間隙使得單片式磁芯5808具有比典型鐵氧體磁性材料的磁導(dǎo)率低得多的磁導(dǎo)率。在一些實(shí)施例中，單片式磁芯5808包括一個或多個非磁性材料層(未示出)，例如用于在耦合電感器陣列的制造過程中支撐耦合電感器陣列5800的特征以及用于提供耦合電感器陣列內(nèi)的電介質(zhì)絕緣的一個或多個襯底。耦合電感器陣列5800包括第一繞組5810和第二繞組5812。第一繞組5810形成嵌入到單片式磁芯5808中的多個第一繞組匝5814。每個第一繞組匝圍繞在高度5806方向上延伸的相應(yīng)繞組軸5816形成，并且每個繞組軸5816在寬度5804方向上與每個其它繞組軸5816偏移開(見圖58、61、64、65)。結(jié)果，第一繞組匝5814在寬度5804方向上相互偏移開。第二繞組5812形成嵌入到單片式磁芯5808中的多個第二繞組匝5818。每個第二繞組匝5818圍繞繞組軸5816中的相應(yīng)的繞組軸形成，使得每個第二繞組匝5818與相應(yīng)的第一繞組匝5814同軸(見圖58、61、63、65)。結(jié)果，每個第二繞組匝5818和第一繞組匝5814中的相應(yīng)的繞組匝共同包圍單片式磁芯5808的相應(yīng)的公共部分5819，如在高度5806方向上通過截面觀察耦合電感器陣列5800時所見(見圖58)。第一和第二繞組5810和5812在單片式磁芯5808內(nèi)任選地通過例如繞組上的絕緣材料或者嵌入到單片式磁芯5808內(nèi)的一個或多個電介質(zhì)襯底而相互電隔離。第一和第二繞組5810、5812形成為使得第一繞組匝5814在第一方向上圍繞繞組軸5816纏繞，并且第二繞組匝5818在與第一方向相反的第二方向上圍繞繞組軸5816纏繞，如在高度5806方向上通過截面觀察耦合電感器陣列5800時所見，以實(shí)現(xiàn)第一和第二繞組5810和5812的反磁耦合。這種反磁耦合的特征在于耦合電感器陣列5800(例如)通過從耦合電感器陣列的第一側(cè)5820流入第一繞組5810的幅度越來越大的電流來感生出從第一側(cè)5820流入第二繞組5812的幅度越來越大的電流(見圖58)。多個第一繞組匝5814與相應(yīng)的第二繞組匝5818同軸，這在單片式磁芯5808中為耦合磁通提供了多條通路，由此促進(jìn)第一和第二繞組5810和5812的強(qiáng)磁耦合。此外，第一繞組匝5814在寬度5804方向上相互偏移開，并且第二繞組匝5818在寬度5804方向上相互偏移開的事實(shí)，促進(jìn)耦合電感器陣列5800的低高度5806。耦合電感器陣列5800的一些實(shí)施例還包括低磁導(dǎo)率磁性結(jié)構(gòu)(未示出)，其與上文討論的耦合電感器陣列5100的低磁導(dǎo)率磁性結(jié)構(gòu)類似，在高度5806方向上將第一繞組匝5814與第二繞組匝5818隔開，以進(jìn)一步促進(jìn)第一和第二繞組5810和5812的強(qiáng)磁耦合，同時為漏磁通提供通路。在不背離本文的范圍的情況下可以對耦合電感器陣列5800做出修改。例如，可以將耦合電感器陣列5800修改為在長度方向乘寬度方向內(nèi)具有與第一和第二繞組5810和5812偏移開的額外繞組。作為另一示例，可以將第一和第二繞組匝5814和5818修改為具有不同的形狀，例如具有圓形形狀而不是矩形形狀。此外，在耦合電感器陣列5800的一些替代實(shí)施例中，第一繞組匝5814在長度5802方向或?qū)挾?804方向中的一個或多個方向上與第二繞組匝5818偏移開，以借助于與第一和第二繞組5810和5812的較弱的磁耦合之間的權(quán)衡來為漏磁通提供額外的通路，并由此促進(jìn)大的漏電感值。在這些替代實(shí)施例中，第二繞組匝5818不與第一繞組匝5814同軸。相反，第二繞組匝5818圍繞在高度方向上延伸的相應(yīng)繞組軸纏繞，并且第一繞組軸5814圍繞在高度5806方向上延伸的不同的相應(yīng)繞組軸纏繞。還可以修改耦合電感器陣列5800以使得第一繞組5810和第二繞組5812均包括并聯(lián)電耦合的多個電導(dǎo)體，以促進(jìn)繞組的低阻抗。例如，圖66是耦合電感器陣列6600的透視圖，耦合電感器陣列6600與圖58的耦合電感器陣列5800類似，只是其中每個繞組包括并聯(lián)電耦合的兩個電導(dǎo)體。耦合電感器陣列6600具有長度6602、寬度6604和高度6606，并且耦合電感器陣列6600包括單片式磁芯6608、第一繞組6610和第二繞組6612。在圖66中通過線圖示出了單片式磁芯6608，即，僅示出了磁芯的輪廓。圖67是與單片式磁芯6608隔開的第一和第二繞組6610、6612的透視圖。第一繞組6610形成了嵌入到單片式磁芯6608中的多個第一繞組匝6614，并且每個第一繞組匝6614圍繞在高度6606方向上延伸的相應(yīng)繞組軸6616形成。第二繞組6612形成了嵌入到單片式磁芯6608中的多個第二繞組匝6618。每個第二繞組匝6618圍繞繞組軸6616中的相應(yīng)繞組軸形成，使得每個第二繞組匝6618與相應(yīng)的第一繞組匝6614同軸。在圖66中僅標(biāo)記出第一繞組匝6614、軸6616和第二繞組匝6618的一些實(shí)例，以促進(jìn)說明的清楚性。第一繞組6610包括并聯(lián)電耦合的兩個第一電導(dǎo)體6630，并且第二繞組6612包括并聯(lián)電耦合的兩個第二電導(dǎo)體6632。第二電導(dǎo)體6632在高度6606方向上堆疊在第一電導(dǎo)體6630上。在不背離本文的范圍的情況下可以將第一繞組6610和第二繞組6612中的一者或多者修改為包括額外的電導(dǎo)體。可以對耦合電感器陣列6600進(jìn)行修改，以使第一電導(dǎo)體6630與第二電導(dǎo)體6632在高度6606方向上交錯，以進(jìn)一步促進(jìn)第一和第二繞組6610和6612的強(qiáng)磁耦合。例如，圖68是具有長度6802、寬度6804和高度6806的耦合電感器陣列6800的透視圖。耦合電感器陣列6800與圖66的耦合電感器陣列6600類似，只是包括第一和第二繞組6810和6812來代替第一和第二繞組6610和6612。圖69是與單片式磁芯6608隔開的第一和第二繞組6810和6812的透視圖。第一繞組6810包括并聯(lián)電耦合的兩個第一電導(dǎo)體6830，并且第二繞組6812包括并聯(lián)電耦合的兩個第二電導(dǎo)體6832。第二電導(dǎo)體6832與第一電導(dǎo)體6830在高度6806方向上交錯，以促進(jìn)第一和第二繞組6810和6812的強(qiáng)磁耦合。在圖68中通過線圖示出了單片式磁芯6608，即，僅示出了磁芯的輪廓?？梢詫︸詈想姼衅麝嚵?800、6600和6800中的每者進(jìn)行修改，以使每個繞組僅形成單個繞組匝，以借助于與繞組的減小的磁耦合之間的權(quán)衡來使耦合電感器陣列尺寸和成本最小化。例如，圖70是具有長度7002、寬度7004和高度7006的耦合電感器陣列7000的透視圖。耦合電感器陣列7000與圖66的耦合電感器陣列6600類似，只是其中每個繞組僅形成單個繞組匝。耦合電感器陣列7000包括單片式磁芯7008、第一繞組7010和第二繞組7012。在圖70中通過線圖示出了單片式磁芯7008，即，僅示出了磁芯的輪廓。圖71是與單片式磁芯7008隔開的第一和第二繞組7010和7012的透視圖，并且圖72是沿圖70的線70a-70a取得的耦合電感器陣列7000的豎直截面圖。第一繞組7010形成了第一繞組匝7014，其嵌入到單片式磁芯7008中并且圍繞在高度7006方向上延伸的繞組軸7016形成。第二繞組7012形成了嵌入到單片式磁芯7008中的第二繞組匝7018。第二繞組匝7018圍繞繞組軸7016形成，以使第二繞組匝7018與第一繞組匝7014同軸。第一繞組7010包括并聯(lián)電耦合的兩個第一電導(dǎo)體7030，并且第二繞組7012包括并聯(lián)電耦合的兩個第二電導(dǎo)體7032。第二電導(dǎo)體7032在高度方向上堆疊在第一電導(dǎo)體7030上。在不背離本文的范圍的情況下可以將第一繞組7010和第二繞組7012中的一者或多者修改為包括額外的電導(dǎo)體。圖73示出了另一耦合電感器陣列，其中，每個繞組僅形成單匝。具體而言，圖73是具有長度7302、寬度7304和高度7306的耦合電感器陣列7300的透視圖。耦合電感器陣列7300與圖68的耦合電感器陣列6800類似，只是其中每個繞組僅形成單個繞組匝。耦合電感器陣列7300包括單片式磁芯7308、第一繞組7310和第二繞組7312。在圖73中通過線圖示出了單片式磁芯7308，即，僅示出了磁芯的輪廓。圖74是與單片式磁芯7308隔開的第一和第二繞組7310和7312的透視圖，并且圖75是沿圖73的線73a-73a取得的耦合電感器陣列7300的豎直截面圖。第一繞組7310形成第一繞組匝7314，其嵌入到單片式磁芯7308中并且圍繞在高度7306方向上延伸的繞組軸7316形成。第二繞組7312形成了嵌入到單片式磁芯7308中的第二繞組匝7318。第二繞組匝7318圍繞繞組軸7316形成，使得第二繞組匝7318與第一繞組匝7314同軸。第一繞組7310包括并聯(lián)電耦合的兩個第一電導(dǎo)體7330，并且第二繞組7312包括并聯(lián)電耦合的兩個第二電導(dǎo)體7332。第二導(dǎo)電體7332與第一導(dǎo)電體7330在高度7306方向上交錯。在不背離本文的范圍的情況下，可以將第一繞組7310和第二繞組7312中的一者或多者修改為包括額外的電導(dǎo)體。耦合電感器陣列5800、6600、6800、7000和7300中的每者中的單片式磁芯任選是由至少兩種不同類型的磁性材料形成的復(fù)合磁芯，以實(shí)現(xiàn)耦合電感器陣列的期望的性質(zhì)。例如，在圖58的耦合電感器陣列5800的一些實(shí)施例中，第一和第二繞組5810和5812中的每者終止于單片式磁芯5808的公共外表面上，使得第一和第二繞組5810和5812具有不等的長度。這些不等的繞組長度使得第一和第二繞組5810和5812默認(rèn)具有非對稱的漏電感值。但是，如果期望的是對稱漏電感值，那么可以將單片式磁芯5808實(shí)施為復(fù)合磁芯以補(bǔ)償繞組長度上的差異。例如，單片式磁芯5808的包圍較長繞組的漏通路的部分可以比單片式磁芯5808的包圍較短繞組的部分具有更小的相對磁導(dǎo)率，以使兩個繞組的相應(yīng)漏電感通路具有相等的磁阻，由此使繞組具有對稱的漏電感值。作為另一示例，形成單片式磁芯5808的磁性材料的相對磁導(dǎo)率可以沿單片式磁芯5808的尺寸發(fā)生變化，以實(shí)現(xiàn)第一和第二繞組5810和5812的磁耦合與繞組的漏電感值之間的期望權(quán)衡。例如，圖76是與圖62的截面圖類似的截面圖，但是示出被劃分成若干區(qū)段7602-7628的單片式磁芯5808，其中，單片式磁芯5808的磁導(dǎo)率在各區(qū)段之間存在變化。下面是用于獲得繞組的磁耦合與漏電感值之間的各種權(quán)衡的區(qū)段7602-7628的可能構(gòu)造的幾個示例。但是，應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到單片式磁芯5808的構(gòu)造不限于這些示例。示例1——具有復(fù)合磁芯的耦合電感器陣列5800。區(qū)段7602-7628具有下面的表1中所示的相對磁導(dǎo)率。單片式磁芯5808在第一和第二繞組匝5814和5818內(nèi)的部分由磁導(dǎo)率比單片式磁芯5808在第一和第二繞組匝之外的至少一些部分的磁導(dǎo)率大的磁性材料形成，如在高度5806方向上通過截面觀察耦合電感器陣列5800時所見。該構(gòu)造通過沿繞組軸5816提供低磁阻通路而促進(jìn)了第一和第二繞組5810和5812的強(qiáng)磁耦合。但是，漏電感值相對較小。區(qū)段相對磁導(dǎo)率7602低7604高7606低7608低7610高7612低7614低7616低7618低7620高7622低7624低7626高7628低表1示例2——具有另一復(fù)合磁芯的耦合電感器陣列5800。區(qū)段7602-7628具有下面的表2中所示的相對磁導(dǎo)率。與示例1的構(gòu)造相比，該構(gòu)造借助于與第一和第二繞組5810和5812的減弱的磁耦合之間的權(quán)衡而通過降低漏電感通路的磁阻來促進(jìn)更大的漏電感值。表2示例3——具有又一復(fù)合磁芯的耦合電感器陣列5800。區(qū)段7602-7628具有下面的表3中所示的相對磁導(dǎo)率。與示例2的構(gòu)造相比，該構(gòu)造借助于與第一和第二繞組5810和5812的磁耦合的進(jìn)一步減弱之間的權(quán)衡而通過進(jìn)一步降低漏電感通路的磁阻來促進(jìn)更大的漏電感值。該構(gòu)造還促進(jìn)了第一和第二繞組5810和5812的均衡漏電感值，假設(shè)繞組終止于單片式磁芯5808的底部外表面上。表3示例4——具有復(fù)合磁芯的耦合電感器陣列7000。圖77-83示出了單片式磁芯7008為復(fù)合磁芯的耦合電感器陣列7000(圖70)的實(shí)施例。具體而言，圖77是與圖72的截面圖類似的截面圖，但是示出了被劃分成豎直堆疊的層1-6的單片式磁芯7008。圖78-83分別是層1-6的頂視平面圖。如圖78-83所示，層1-6被劃分成區(qū)段7702-7768。下面的表4列舉了在一個示例性實(shí)施例中的這些不同區(qū)段的相對磁導(dǎo)率。表4的配置有利地促進(jìn)了第一和第二繞組7010和7012的強(qiáng)磁耦合，以及結(jié)構(gòu)上非對稱的繞組的均衡漏電感值。表4示例5——具有復(fù)合磁芯的耦合電感器陣列7300。圖84-90示出了單片式磁芯7308為復(fù)合磁芯的耦合電感器陣列7300(圖73)的實(shí)施例。具體而言，圖84是與圖75的截面圖類似的截面圖，但是示出了被劃分成豎直堆疊的層1-6的單片式磁芯7308。圖85-90分別是層1-6的頂視平面圖。如圖85-90所示，層1-6被劃分成區(qū)段8402-8468。下面的表5列舉了在一個示例性實(shí)施例中的這些不同區(qū)段的相對磁導(dǎo)率。表5的配置有利地促進(jìn)了第一和第二繞組7310和7312的強(qiáng)磁耦合，以及結(jié)構(gòu)上非對稱的繞組的均衡漏電感值。表5特征的組合在不背離本文的范圍的情況下可以通過各種方式對上文描述的特征以及下面主張保護(hù)的特征進(jìn)行組合。以下示例例示了一些可能的組合：(a1)耦合電感器陣列可以包括磁芯和n個繞組，其中，n是大于1的整數(shù)。磁芯可以具有相對的第一側(cè)和第二側(cè)，第一側(cè)和第二側(cè)之間的直線間隔距離定義了磁芯的長度。所述n個繞組可以至少部分地在長度方向上穿過磁芯。n個繞組中的每者可以在磁芯中圍繞相應(yīng)的繞組軸形成環(huán)，并且每個繞組軸可以大致垂直于長度方向，并且每個繞組軸平行于每個其它繞組軸但是與它們偏移開。每個繞組可以具有至少分別朝磁芯的第一側(cè)和第二側(cè)延伸的相對的第一端部和第二端部。(a2)在被標(biāo)示為(a1)的耦合電感器陣列中，每個環(huán)可以包圍磁芯內(nèi)的相應(yīng)的第一區(qū)域，其中，磁芯內(nèi)的每個第一區(qū)域在垂直于長度方向的寬度方向上至少部分地與每個其它第一區(qū)域不重疊。(a3)在被標(biāo)示為(a2)的耦合電感器陣列中，每個第一區(qū)域可以在寬度方向上與每個其它第一區(qū)域完全不重疊。(a4)在被標(biāo)示為(a2)或(a3)的耦合電感器陣列的任一者中，每個環(huán)可以大致為平面，并且每個第一區(qū)域可以小于在相應(yīng)的第一區(qū)域的平面內(nèi)在第一側(cè)和第二側(cè)之間的磁芯區(qū)域。(a5)在被標(biāo)示為(a2)到(a4)的耦合電感器陣列中的任何耦合電感器陣列中，每個繞組軸在磁芯內(nèi)可以在寬度方向上與每個其它繞組軸偏移開。(a6)在被標(biāo)示為(a1)到(a5)的耦合電感器陣列中的任何耦合電感器陣列中，磁芯可以包括頂板和底板，并且每個環(huán)可以設(shè)置在頂板和底板之間。(a7)在被標(biāo)示為(a6)的耦合電感器陣列中，磁芯還可以包括設(shè)置在頂板和底板之間的n個耦合齒，并且所述n個繞組中的每者可以圍繞n個耦合齒中的相應(yīng)的一個耦合齒纏繞。(a8)在被標(biāo)示為(a6)或(a7)的耦合電感器陣列的任一者中，所述磁芯還可以包括設(shè)置在頂板和底板之間的至少一個漏齒，其中，所述至少一個漏齒設(shè)置在相應(yīng)的環(huán)中的兩個相鄰環(huán)之間。(a9)在被標(biāo)示為(a8)的耦合電感器陣列中，n個耦合齒的至少其中之一可以由與所述至少一個漏齒的至少一個實(shí)例不同的磁性材料形成。(a10)被標(biāo)示為(a7)到(a9)的耦合電感器陣列中的任何耦合電感器陣列還可以包括設(shè)置在n個耦合齒的至少其中之一與頂板和底板之一之間的非磁性間隔體。(a11)在被標(biāo)示為(a1)到(a5)的耦合電感器陣列中的任何耦合電感器陣列中，磁芯可以是單件磁芯，其中，所述環(huán)中的每者嵌入到所述單件磁芯內(nèi)。(a12)在被標(biāo)示為(a1)到(a11)的耦合電感器陣列中的任何耦合電感器陣列中，n個繞組可以被布置在磁芯內(nèi)，以使得從磁芯的第一側(cè)流入n個繞組中的第一繞組中的幅度越來越大的電流能夠感生出從磁芯的第一側(cè)流入n個繞組中的另一個繞組中的幅度越來越大的電流。(a13)在被標(biāo)示為(a1)到(a12)的耦合電感器陣列中的任何耦合電感器陣列中，n可以是大于2的整數(shù)。(a14)在被標(biāo)示為(a1)到(a13)的耦合電感器陣列中的任何耦合電感器陣列中，每個環(huán)可以大體上設(shè)置在磁芯中的公共平面內(nèi)。(a15)在被標(biāo)示為(a1)到(a14)的耦合電感器陣列中的任何耦合電感器陣列中，所述環(huán)中的每者可以是在長度方向上比在寬度方向上長。(a16)在被標(biāo)示為(a1)到(a15)的耦合電感器陣列中的任何耦合電感器陣列中，所述環(huán)中的每者可以具有大體上為矩形的形狀。(a17)在被標(biāo)示為(a1)到(a14)的耦合電感器陣列中的任何耦合電感器陣列中，每個環(huán)可以具有大體上為圓形的形狀。(a18)被標(biāo)示為(a1)到(a17)的耦合電感器陣列中的任何耦合電感器陣列還可以包括公共導(dǎo)體，所述公共導(dǎo)體將n個繞組的第二端部中的至少兩個第二端部電耦合。(a19)在被標(biāo)示為(a18)的耦合電感器陣列中，所述公共導(dǎo)體可以形成被配置為用于至印刷電路板的表面安裝附接的焊接舌片。(a20)在被標(biāo)示為(a1)到(a19)的耦合電感器陣列中的任何耦合電感器陣列中，所述n個繞組的至少其中之一可以形成多匝。(a21)被標(biāo)示為(a1)到(a20)的耦合電感器陣列中的任何耦合電感器陣列可以與半導(dǎo)體管芯共同封裝到一起。(a22)被標(biāo)示為(a1)到(a20)的耦合電感器陣列中的任何耦合電感器陣列可以設(shè)置在半導(dǎo)體管芯上。(a23)被標(biāo)示為(a1)到(a20)的耦合電感器陣列中的任何耦合電感器陣列可以設(shè)置在半導(dǎo)體管芯上，并與該半導(dǎo)體管芯封裝到共同的集成電路封裝體中。(a24)被標(biāo)示為(a1)到(a20)的耦合電感器陣列中的任何耦合電感器陣列可以與半導(dǎo)體管芯共同封裝到一起并與該半導(dǎo)體管芯電耦合。(a25)被標(biāo)示為(a1)到(a20)的耦合電感器陣列中的任何耦合電感器陣列可以設(shè)置在半導(dǎo)體管芯上并電耦合至該半導(dǎo)體管芯。(a26)被標(biāo)示為(a1)到(a20)的耦合電感器陣列中的任何耦合電感器陣列可以設(shè)置在半導(dǎo)體管芯上并電耦合至該半導(dǎo)體管芯，并且與該半導(dǎo)體管芯封裝到共同的集成電路封裝體中。(b1)多相切換式功率轉(zhuǎn)換器可以包括耦合電感器和n個切換電路，其中，n是大于1的整數(shù)。所述耦合電感器可以包括磁芯和n個繞組。磁芯可以具有相對的第一側(cè)和第二側(cè)，第一側(cè)和第二側(cè)之間的直線間隔距離定義了磁芯的長度。所述n個繞組可以至少部分地在長度方向上穿過磁芯，并且所述n個繞組中的每者可以在磁芯中圍繞相應(yīng)的繞組軸形成環(huán)。每個繞組軸可以大致垂直于長度方向，并且每個繞組軸可以平行于每個其它繞組軸但偏移開。每個繞組可以具有至少分別朝磁芯的第一側(cè)和第二側(cè)延伸的相對的第一和第二端部。每個切換電路可以適于能夠使n個繞組中的相應(yīng)的一個繞組的第一端部在至少兩個不同的電壓電平之間切換。(b2)被標(biāo)示為(b1)的多相切換式功率轉(zhuǎn)換器還可以包括控制器，該控制器適于控制所述n個切換電路以使所述n個切換電路中的每者能夠相對于所述n個切換電路中的至少一個其它切換電路切換到不同相。(b3)在被標(biāo)示為(b1)或(b2)的多相切換式功率轉(zhuǎn)換器的任一者中，每個環(huán)可以包圍磁芯內(nèi)的相應(yīng)的第一區(qū)域，其中，磁芯內(nèi)的每個第一區(qū)域在垂直于長度方向的寬度方向上至少部分地與每個其它第一區(qū)域不重疊。(b4)在被標(biāo)示為(b3)的多相切換式功率轉(zhuǎn)換器中，每個第一區(qū)域可以在寬度方向上與每個其它第一區(qū)域完全不重疊。(b5)在被標(biāo)示為(b3)或(b4)的多相切換式功率轉(zhuǎn)換器的任一者中，每個環(huán)可以大致為平面，并且每個第一區(qū)域可以小于在相應(yīng)的第一區(qū)域的平面中在第一側(cè)和第二側(cè)之間的磁芯區(qū)域。(b6)在被標(biāo)示為(b1)到(b5)的多相切換式功率轉(zhuǎn)換器中的任何多相切換式功率轉(zhuǎn)換器中，每個繞組軸在磁芯內(nèi)可以在寬度方向上與每個其它繞組軸偏移開。(b7)在被標(biāo)示為(b1)到(b6)的多相切換式功率轉(zhuǎn)換器中的任何多相切換式功率轉(zhuǎn)換器中，磁芯可以包括頂板和底板，并且每個環(huán)可以設(shè)置在頂板和底板之間。(b8)在被標(biāo)示為(b7)的多相切換式功率轉(zhuǎn)換器中，磁芯還可以包括設(shè)置在頂板和底板之間的n個耦合齒，并且所述n個繞組中的每者可以圍繞n個耦合齒中的相應(yīng)的一個耦合齒纏繞。(b9)在被標(biāo)示為(b7)或(b8)的多相切換式功率轉(zhuǎn)換器的任一者中，磁芯還可以包括設(shè)置在頂板和底板之間的至少一個漏齒，其中，至少一個漏齒設(shè)置在相應(yīng)的環(huán)中的兩個相鄰環(huán)之間。(b10)在被標(biāo)示為(b9)的多相切換式功率轉(zhuǎn)換器中，所述n個耦合齒的至少其中之一可以由不同于所述至少一個漏齒的至少一個實(shí)例的磁性材料形成。(b11)被標(biāo)示為(b8)到(b10)的多相切換式功率轉(zhuǎn)換器中的任何多相切換式功率轉(zhuǎn)換器還可以包括設(shè)置在n個耦合齒的至少其中之一與頂板和底板之一之間的非磁性間隔體。(b12)在被標(biāo)示為(b1)到(b6)的多相切換式功率轉(zhuǎn)換器中的任何多相切換式功率轉(zhuǎn)換器中，磁芯可以是單件磁芯，其中，所述環(huán)中的每者嵌入到所述單件磁芯內(nèi)。(b13)在被標(biāo)示為(b1)到(b12)的多相切換式功率轉(zhuǎn)換器中的任何多相切換式功率轉(zhuǎn)換器中，所述多相切換式功率轉(zhuǎn)換器可以包括多相降壓轉(zhuǎn)換器、多相升壓轉(zhuǎn)換器和多相升降壓轉(zhuǎn)換器的至少其中之一。(b14)在被標(biāo)示為(b1)到(b13)的多相切換式功率轉(zhuǎn)換器中的任何多相切換式功率轉(zhuǎn)換器中，n個繞組可以被布置在磁芯內(nèi)，以使得從磁芯的第一側(cè)流入n個繞組中的第一繞組中的幅度越來越大的電流能夠感生出從磁芯的第一側(cè)流入n個繞組中的另一個繞組中的幅度越來越大的電流。(b15)在被標(biāo)示為(b1)到(b14)的多相切換式功率轉(zhuǎn)換器中的任何多相切換式功率轉(zhuǎn)換器中，n可以是大于2的整數(shù)。(b16)在被標(biāo)示為(b1)到(b15)的多相切換式功率轉(zhuǎn)換器中的任何多相切換式功率轉(zhuǎn)換器中，每個環(huán)可以大體上布置在磁芯中的公共平面內(nèi)。(b17)在被標(biāo)示為(b1)到(b16)的多相切換式功率轉(zhuǎn)換器中的任何多相切換式功率轉(zhuǎn)換器中，所述環(huán)中的每者可以在長度方向上比在寬度方向上長。(b18)在被標(biāo)示為(b1)到(b17)的多相切換式功率轉(zhuǎn)換器中的任何多相切換式功率轉(zhuǎn)換器中，所述環(huán)中的每者可以具有大體上為矩形的形狀。(b19)在被標(biāo)示為(b1)到(b16)的多相切換式功率轉(zhuǎn)換器中的任何多相切換式功率轉(zhuǎn)換器中，每個環(huán)可以具有大體上為圓形的形狀。(b20)被標(biāo)示為(b1)到(b19)的多相切換式功率轉(zhuǎn)換器中的任何多相切換式功率轉(zhuǎn)換器還可以包括公共導(dǎo)體，所述公共導(dǎo)體將n個繞組的第二端部中的至少兩個端部電耦合。(b21)在被標(biāo)示為(b20)的多相切換式功率轉(zhuǎn)換器中，所述公共導(dǎo)體可以形成被配置為用于至印刷電路板的表面安裝附接的焊接舌片。(b22)在被標(biāo)示為(b1)到(b21)的多相切換式功率轉(zhuǎn)換器中的任何多相切換式功率轉(zhuǎn)換器中，所述n個繞組的至少其中之一可以形成多匝。(c1)一種具有長度、寬度和高度的耦合電感器陣列可以包括由具有分布式間隙的磁性材料形成的單片式磁芯以及嵌入到所述單片式磁芯中的多個繞組。每個繞組可以形成圍繞相應(yīng)的繞組軸的一匝或多匝的相應(yīng)繞組環(huán)，其中，每個繞組軸在高度方向上延伸。單片式磁芯的被繞組環(huán)包圍的區(qū)域可以大于該單片式磁芯在繞組環(huán)之外的區(qū)域，如在高度方向上通過截面觀察耦合電感器陣列時所見。(c2)在被標(biāo)示為(c1)的耦合電感器陣列中：繞組環(huán)可以在寬度方向上相互隔開，并且每個繞組環(huán)可以包圍在長度方向上伸長的相應(yīng)環(huán)區(qū)域。(c3)在被標(biāo)示為(c2)的耦合電感器陣列中，每個環(huán)區(qū)域可以具有大體上為矩形的形狀。(c4)在被標(biāo)示為(c1)到(c3)的耦合電感器陣列中的任何耦合電感器陣列中：(1)每個繞組環(huán)可以在高度方向上具有厚度t，(2)相鄰繞組環(huán)可以相互隔開寬度方向間隔距離d，并且(3)d可以小于t。(c5)在被標(biāo)示為(c4)的耦合電感器陣列中，d可以大于0.1*t。(c6)被標(biāo)示為(c1)到(c5)的耦合電感器陣列中的任何耦合電感器陣列還可以包括嵌入到單片式磁芯中的一個或多個非磁性結(jié)構(gòu)，其中，所述一個或多個非磁性結(jié)構(gòu)設(shè)置在繞組環(huán)之外，如在高度方向上通過截面觀察耦合電感器陣列時所見。(c7)在被標(biāo)示為(c6)的耦合電感器陣列中，所述一個或多個非磁性結(jié)構(gòu)可以包括至少一個非磁性結(jié)構(gòu)，其被設(shè)置為與每個繞組環(huán)相鄰并與該繞組環(huán)處于共同的長度方向乘寬度方向平面內(nèi)。(c8)在被標(biāo)示為(c6)或(c7)的耦合電感器陣列中的任一者中，所述一個或多個非磁性結(jié)構(gòu)可以具有低于具有分布式間隙的磁性材料的磁導(dǎo)率的磁導(dǎo)率。(c9)在被標(biāo)示為(c6)到(c8)的耦合電感器陣列中的任何耦合電感器陣列中，所述一個或多個非磁性結(jié)構(gòu)可以由導(dǎo)電材料形成，并且所述一個或多個非磁性結(jié)構(gòu)可以與所述多個繞組電隔離。(c10)在被標(biāo)示為(c9)的耦合電感器陣列中，所述一個或多個非磁性結(jié)構(gòu)和所述多個繞組可以由共同的材料形成。(c11)在被標(biāo)示為(c1)的耦合電感器陣列中，所述繞組環(huán)中的至少兩個繞組環(huán)可以相互重疊，如在高度方向上通過截面觀察耦合電感器陣列時所見。(c12)在被標(biāo)示為(c11)的耦合電感器陣列中，所述繞組環(huán)中的兩個繞組環(huán)可以包圍單片式磁芯內(nèi)的共同的長度方向乘寬度方向區(qū)域。(c13)在被標(biāo)示為(c11)或(c12)的耦合電感器陣列中的任一者中，每個繞組環(huán)可以包圍在長度方向上伸長的相應(yīng)環(huán)區(qū)域。(c14)在被標(biāo)示為(c13)的耦合電感器陣列中，每個環(huán)區(qū)域可以具有大體上為矩形的形狀。(c15)在被標(biāo)示為(c1)到(c14)的耦合電感器陣列中的任何耦合電感器陣列中，具有分布式間隙的磁性材料可以包括粘合劑內(nèi)的粉末狀磁性材料。(c16)在被標(biāo)示為(c15)的耦合電感器陣列中，所述單片式磁芯可以是塊體磁芯。(c17)在被標(biāo)示為(c15)的耦合電感器陣列中，所述單片式磁芯可以包括在高度方向上堆疊的多個磁膜層。(d1)一種用于形成包括具有至少一個嵌入于其中的非磁性結(jié)構(gòu)的磁芯的耦合電感器陣列的方法可以包括下述步驟：(1)在高度方向上將至少兩個導(dǎo)體層設(shè)置在磁芯部分上，以使所述至少兩個導(dǎo)體層至少部分地形成至少兩個繞組環(huán)，如在高度方向上觀察時所見，(2)將一個或多個非磁性結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述磁芯部分上并且在所述至少兩個繞組環(huán)之外，如在高度方向上觀察時所見，以及(3)將磁性材料設(shè)置在所述磁芯部分、所述至少兩個導(dǎo)體層以及所述一個或多個非磁性結(jié)構(gòu)上。(d2)在被標(biāo)示為(d1)的方法中，所述非磁性結(jié)構(gòu)可以具有低于設(shè)置在磁芯部分上的磁性材料的磁導(dǎo)率的磁導(dǎo)率。(d3)在被標(biāo)示為(d1)或(d2)的方法的任一者中，所述一個或多個非磁性結(jié)構(gòu)可以由導(dǎo)電材料形成，并且所述一個或多個非磁性結(jié)構(gòu)可以與所述至少兩個繞組環(huán)電隔離。(d4)在被標(biāo)示為(d3)的方法中，所述一個或多個非磁性結(jié)構(gòu)和所述至少兩個導(dǎo)體層可以由共同的材料形成。(e1)一種具有長度、寬度和高度的耦合電感器陣列可以包括由具有分布式間隙的一種或多種磁性材料形成的單片式磁芯、第一和第二繞組以及低磁導(dǎo)率磁性結(jié)構(gòu)。第一和第二繞組可以圍繞在高度方向上延伸的公共繞組軸形成相應(yīng)的第一和第二繞組匝，并且第一和第二繞組匝中的每者可以嵌入到所述單片式磁芯中。所述低磁導(dǎo)率磁性結(jié)構(gòu)可以嵌入到所述單片式磁芯中，并圍繞公共繞組軸形成環(huán)。所述低磁導(dǎo)率磁性結(jié)構(gòu)可以在高度方向上將第一和第二繞組匝隔開，并且所述低磁導(dǎo)率磁性結(jié)構(gòu)可以由磁導(dǎo)率比形成所述單片式磁芯的所述一種或多種磁性材料的磁導(dǎo)率更低的磁性材料形成。(e2)在被標(biāo)示為(e1)的耦合電感器陣列中，第一和第二繞組匝以及低磁導(dǎo)率磁性結(jié)構(gòu)可以共同包圍單片式磁芯的第一部分，如在高度方向上通過截面觀察耦合電感器陣列時所見。(e3)在被標(biāo)示為(e2)的耦合電感器陣列中，單片式磁芯的第一部分可以由磁導(dǎo)率比形成低磁導(dǎo)率磁性結(jié)構(gòu)的磁性材料高的磁性材料形成。(e4)在被標(biāo)示為(e2)或(e3)的耦合電感器陣列中的任一者中，單片式磁芯的第一部分可以具有大體上為矩形的形狀，如在高度方向上通過截面觀察耦合電感器陣列時所見。(e5)在被標(biāo)示為(e1)到(e4)的耦合電感器陣列中的任何耦合電感器陣列中，第一和第二繞組中的每者可以在單片式磁芯內(nèi)相互電隔離。(e6)在被標(biāo)示為(e1)到(e5)的耦合電感器陣列中的任何耦合電感器陣列中，形成單片式磁芯的一種或多種磁性材料可以包括粘合劑內(nèi)的粉末狀磁性材料。(e7)在被標(biāo)示為(e1)到(e6)的耦合電感器陣列中的任何耦合電感器陣列中，所述單片式磁芯可以是塊體磁芯。(e8)在被標(biāo)示為(e1)到(e6)的耦合電感器陣列中的任何耦合電感器陣列中，所述單片式磁芯可以包括在高度方向上堆疊的多個磁膜層。(f1)一種具有長度、寬度和高度的耦合電感器陣列可以包括由具有分布式間隙的一種或多種磁性材料形成的單片式磁芯、第一繞組和第二繞組。第一繞組可以嵌入到單片式磁芯中，并且第一繞組可以圍繞在高度方向上延伸的相應(yīng)繞組軸形成一個或多個第一繞組匝。每個繞組軸可以在寬度方向上與每個其它繞組軸偏移開。第二繞組可以嵌入到單片式磁芯中，并且第二繞組可以針對一個或多個第一繞組匝中的每者形成相應(yīng)的第二繞組匝。每個第二繞組匝及其相應(yīng)的第一繞組匝可以共同包圍單片式磁芯的相應(yīng)的公共部分，如在高度方向上通過截面觀察耦合電感器陣列時所見。(f2)在被標(biāo)示為(f1)的耦合電感器陣列中，每個第二繞組匝可以圍繞繞組軸中的相應(yīng)的一個繞組軸形成，以使每個第二繞組匝與多個第一繞組匝中的相應(yīng)的一個繞組匝同軸。(f3)在被標(biāo)示為(f1)或(f2)的耦合電感器陣列中的任一者中，第一繞組可以包括并聯(lián)電耦合的多個第一電導(dǎo)體，第二繞組可以包括并聯(lián)電耦合的多個第二電導(dǎo)體，并且所述多個第二電導(dǎo)體可以在高度方向上堆疊在所述多個第一電導(dǎo)體上。(f4)在被標(biāo)示為(f1)或(f2)的耦合電感器陣列中的任一者中，第一繞組可以包括并聯(lián)電耦合的多個第一電導(dǎo)體，第二繞組可以包括并聯(lián)電耦合的多個第二電導(dǎo)體，并且所述多個第二電導(dǎo)體可以在高度方向上與所述多個第一電導(dǎo)體交錯。(f5)在被標(biāo)示為(f1)到(f4)的耦合電感器陣列中的任何耦合電感器陣列中，每個第一繞組匝可以在第一方向上纏繞，并且每個第二繞組匝可以在與第一方向相反的第二方向上纏繞，如在高度方向上通過截面觀察耦合電感器陣列時所見。(f6)在被標(biāo)示為(f1)到(f5)的耦合電感器陣列中的任何耦合電感器陣列中，單片式磁芯可以由至少兩種不同的磁性材料形成。(f7)在被標(biāo)示為(f5)的耦合電感器陣列中，單片式磁芯的在繞組匝內(nèi)的部分可以由具有比該磁芯在第一和第二繞組匝之外的至少一些部分高的磁導(dǎo)率的磁性材料形成，如在高度方向上通過截面觀察耦合電感器陣列時所見。(f8)在被標(biāo)示為(f1)到(f7)的耦合電感器陣列中的任何耦合電感器陣列中，第一和第二繞組中的每者可以在單片式磁芯內(nèi)相互電隔離。(f9)在被標(biāo)示為(f1)到(f8)的耦合電感器陣列中的任何耦合電感器陣列中，形成單片式磁芯的一種或多種磁性材料可以包括粘合劑內(nèi)的粉末狀磁性材料。(f10)在被標(biāo)示為(f9)的耦合電感器陣列中，所述單片式磁芯可以是塊體磁芯。(f11)在被標(biāo)示為(f9)的耦合電感器陣列中，所述單片式磁芯可以包括在高度方向上堆疊的多個磁膜層?？梢栽谏衔牡姆椒ê拖到y(tǒng)中做出改變而不背離本文的范圍。例如，可以改變每個陣列中繞組的數(shù)量。因此，應(yīng)當(dāng)將上文的描述中包含的以及附圖所示的內(nèi)容解釋為說明性的，而不應(yīng)從限定意義上進(jìn)行解釋。下面的權(quán)利要求旨在涵蓋文中描述的一般特征和具體特征以及所呈現(xiàn)的方法和系統(tǒng)的范圍的所有陳述(作為語言問題可以說其落在所述范圍內(nèi))。當(dāng)前第1頁12