一、技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種驅(qū)動電路，尤其是一種用于半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動電路。

二、

背景技術(shù)：

由于半導(dǎo)體激光器在輸出波長范圍、輸出功率和能量轉(zhuǎn)換效率的特點，被廣泛應(yīng)用在光纖通信、光盤、激光打印機、激光掃描儀和激光指標(biāo)器的技術(shù)領(lǐng)域中，因此用于半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動電路是一種重要的電路，在現(xiàn)有的用于半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動電路中，由于負(fù)載兩端的電壓存儲于輸出電容器之中，如果負(fù)載電流突然改變，則輸出電容器中的電壓必須進行充電或放電以與新的已調(diào)節(jié)電流相匹配，在轉(zhuǎn)換期間，負(fù)載中的電流未得到良好的控制，因而導(dǎo)致了負(fù)載電流響應(yīng)時間較長，從而延長了對半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動時間。

基于現(xiàn)有的技術(shù)問題、技術(shù)特征和技術(shù)效果，做出本發(fā)明的申請技術(shù)方案。

三、

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的客體是一種用于半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動電路。

為了克服上述技術(shù)缺點，本發(fā)明的目的是提供一種用于半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動電路，因此縮短了對半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動時間。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案是：包含有具有轉(zhuǎn)化器LT的驅(qū)動電路本體，轉(zhuǎn)化器LT的型號設(shè)置為LT3743。

由于設(shè)計了驅(qū)動電路本體，通過轉(zhuǎn)化器LT的模塊化的電壓轉(zhuǎn)換，不再使用電容器對電壓進行轉(zhuǎn)換，縮短了負(fù)載電流響應(yīng)時間，因此縮短了對半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動時間。

本發(fā)明設(shè)計了，按照對電壓模塊化轉(zhuǎn)換的方式集成轉(zhuǎn)化器LT的技術(shù)特征。

本發(fā)明設(shè)計了，驅(qū)動電路本體設(shè)置為還包含有電阻R1、電容C1、電容C2、電容C3、電容C4、電容C5、電容C6、

MOS管M1、電容C7、二極管D2、電容C8、MOS管M2、電感L1、電感L2、電感L3、電阻R2、MOS管M3、二極管D1、電容C9、電阻R3和電阻R4，

轉(zhuǎn)化器LT設(shè)置有接口EN\UWLO、接口PWM、接口CTRL_-SEL、接口RT、接口SYNC、接口V_REF、接口CTRL_-H、接口CTRL_-L、接口CTRL_-T、接口SS、接口VCL、接口VCH、

接口V_in、接口HG、接口CBOOT、接口SW、接口V_incc-INT、接口LG、接口GND、接口SENSE⁺、接口SENSE^-、接口PWMGL和接口FB，

電阻R1的一端設(shè)置為與轉(zhuǎn)化器LT的接口RT連接并且電阻R1的另一端設(shè)置為與地連接，轉(zhuǎn)化器LT的接口SYNC和接口CTRL_-L分別設(shè)置為與地連接，電容C1的一端設(shè)置為與轉(zhuǎn)化器LT的接口V_REF連接并且電容C1的另一端設(shè)置為與地連接，電容C2的一端設(shè)置為與轉(zhuǎn)化器LT的接口SS連接并且電容C2的另一端設(shè)置為與地連接，電容C3的一端設(shè)置為通過電感L2與轉(zhuǎn)化器LT的接口VCL連接并且電容C3的另一端設(shè)置為與地連接，電容C4的一端設(shè)置為通過電感L3與轉(zhuǎn)化器LT的接口VCH連接并且電容C4的另一端設(shè)置為與地連接，

轉(zhuǎn)化器LT的接口V_in、電容C5的一端、電容C6的一端和MOS管M1的S極設(shè)置為相互連接并且電容C5的一端和電容C6的一端分別設(shè)置為與地連接，轉(zhuǎn)化器LT的接口HG 設(shè)置為與MOS管M1的G極連接并且轉(zhuǎn)化器LT的接口CBOOT、二極管D2的負(fù)極和電容C7的一端設(shè)置為相互連接，MOS管M1的D極、電容C7的另一端、MOS管M2的S極和轉(zhuǎn)化器LT的接口SW設(shè)置為相互連接并且轉(zhuǎn)化器LT的接口SW、二極管D2的正極、電感L1的一端、轉(zhuǎn)化器LT的接口V_incc-INT和電容C8的一端設(shè)置為相互連接，轉(zhuǎn)化器LT的接口LG、電容C8的另一端和MOS管M2的G極設(shè)置為相互連接并且轉(zhuǎn)化器LT的接口LG和接口GND和MOS管M2的D極設(shè)置為相互連接，MOS管M2的D極設(shè)置為與地連接并且電感L1的另一端、電阻R2的一端和轉(zhuǎn)化器LT的接口SENSE⁺設(shè)置為相互連接，電阻R2的另一端、轉(zhuǎn)化器LT的接口SENSE^-、MOS管M3的S極、二極管D1的負(fù)極、電阻R3的一端和電容C9的一端設(shè)置為相互連接并且二極管D1的正極和電容C9的另一端分別設(shè)置為與地連接，MOS管M3的G極設(shè)置為與轉(zhuǎn)化器LT的接口PWMGL連接并且MOS管M3的D極設(shè)置為與地連接，電阻R3的另一端、轉(zhuǎn)化器LT的接口FB和電阻R4的一端設(shè)置為相互連接并且電阻R4的另一端設(shè)置為與地連接。

本發(fā)明的技術(shù)效果在于：LT3743運用固定頻率、平均電流模式控制，以通過一個與電感器相串聯(lián)的檢測電阻器準(zhǔn)確地調(diào)節(jié)電感器電流。在一個0V到低于輸入電壓軌2V的輸出電壓范圍內(nèi)，通過LT3743能夠以6%的準(zhǔn)確度來調(diào)節(jié)任意負(fù)載中的電流。并把準(zhǔn)確的模擬調(diào)光與PWM調(diào)光組合起來，實現(xiàn)了精準(zhǔn)、寬范圍的負(fù)載電流控制，模擬調(diào)光通過CTRL_L、CTRL_H、和CTRL_T引腳來控制；PWM調(diào)光則通過PWM和CTRL_SEL引腳控制。通過采用在外部進行開關(guān)操作的負(fù)載電容器這種獨特的做法，通過LT3743實現(xiàn)了高和低模擬狀態(tài)之間的快速變換，從而能夠在幾秒的時間內(nèi)改變已調(diào)負(fù)載電流水平。開關(guān)頻率可以在200KHz的內(nèi)進行設(shè)置和同步至一個頻率范圍為300KHz至1MHz的外部時鐘。

在本技術(shù)方案中，模塊化電壓轉(zhuǎn)換的轉(zhuǎn)化器LT為重要技術(shù)特征，在用于半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動電路的技術(shù)領(lǐng)域中，具有新穎性、創(chuàng)造性和實用性，在本技術(shù)方案中的術(shù)語都是可以用本技術(shù)領(lǐng)域中的專利文獻(xiàn)進行解釋和理解。

四、附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明的示意圖：

圖2為本發(fā)明的負(fù)載電流PWM和CTRL_SEL調(diào)光波形圖：

圖3為本發(fā)明的0A～2A至20A負(fù)載電流階躍圖。

五、具體實施方式

根據(jù)審查指南，對本發(fā)明所使用的諸如“具有”、“包含”以及“包括”術(shù)語應(yīng)當(dāng)理解為不配出一個或多個其它元件或其組合的存在或添加。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，術(shù)語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為一般表述的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

此外，下面所描述的本發(fā)明不同實施方式中所涉及的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互結(jié)合。

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

圖1為本發(fā)明的一個實施例，結(jié)合附圖具體說明本實施例，包含有轉(zhuǎn)化器LT、電阻R1、電容C1、電容C2、電容C3、電容C4、電容C5、電容C6、

MOS管M1、電容C7、二極管D2、電容C8、MOS管M2、電感L1、電感L2、電感L3、電阻R2、MOS管M3、二極管D1、電容C9、電阻R3和電阻R4，

轉(zhuǎn)化器LT設(shè)置有接口EN\UWLO、接口PWM、接口CTRL_-SEL、接口RT、接口SYNC、接口V_REF、接口CTRL_-H、接口CTRL_-L、接口CTRL_-T、接口SS、接口VCL、接口VCH、接口V_in、接口HG、接口CBOOT、接口SW、接口V_incc-INT、接口LG、接口GND、接口SENSE⁺、接口SENSE^-、接口PWMGL和接口FB，

電阻R1的一端設(shè)置為與轉(zhuǎn)化器LT的接口RT連接并且電阻R1的另一端設(shè)置為與地連接，轉(zhuǎn)化器LT的接口SYNC和接口CTRL_-L分別設(shè)置為與地連接，電容C1的一端設(shè)置為與轉(zhuǎn)化器LT的接口V_REF連接并且電容C1的另一端設(shè)置為與地連接，電容C2的一端設(shè)置為與轉(zhuǎn)化器LT的接口SS連接并且電容C2的另一端設(shè)置為與地連接，電容C3的一端設(shè)置為通過電感L2與轉(zhuǎn)化器LT的接口VCL連接并且電容C3的另一端設(shè)置為與地連接，電容C4的一端設(shè)置為通過電感L3與轉(zhuǎn)化器LT的接口VCH連接并且電容C4的另一端設(shè)置為與地連接，

轉(zhuǎn)化器LT的接口V_in、電容C5的一端、電容C6的一端和MOS管M1的S極設(shè)置為相互連接并且電容C5的一端和電容C6的一端分別設(shè)置為與地連接，轉(zhuǎn)化器LT的接口HG 設(shè)置為與MOS管M1的G極連接并且轉(zhuǎn)化器LT的接口CBOOT、二極管D2的負(fù)極和電容C7的一端設(shè)置為相互連接，MOS管M1的D極、電容C7的另一端、MOS管M2的S極和轉(zhuǎn)化器LT的接口SW設(shè)置為相互連接并且轉(zhuǎn)化器LT的接口SW、二極管D2的正極、電感L1的一端、轉(zhuǎn)化器LT的接口V_incc-INT和電容C8的一端設(shè)置為相互連接，轉(zhuǎn)化器LT的接口LG、電容C8的另一端和MOS管M2的G極設(shè)置為相互連接并且轉(zhuǎn)化器LT的接口LG和接口GND和MOS管M2的D極設(shè)置為相互連接，MOS管M2的D極設(shè)置為與地連接并且電感L1的另一端、電阻R2的一端和轉(zhuǎn)化器LT的接口SENSE⁺設(shè)置為相互連接，電阻R2的另一端、轉(zhuǎn)化器LT的接口SENSE^-、MOS管M3的S極、二極管D1的負(fù)極、電阻R3的一端和電容C9的一端設(shè)置為相互連接并且二極管D1的正極和電容C9的另一端分別設(shè)置為與地連接，MOS管M3的G極設(shè)置為與轉(zhuǎn)化器LT的接口PWMGL連接并且MOS管M3的D極設(shè)置為與地連接，電阻R3的另一端、轉(zhuǎn)化器LT的接口FB和電阻R4的一端設(shè)置為相互連接并且電阻R4的另一端設(shè)置為與地連接。

在本實施例中，轉(zhuǎn)化器LT的型號設(shè)置為LT3743。

PWM和CTRL_SEL引腳各種不同狀態(tài)的定時波形：當(dāng)PWM為低電平時，所有的開關(guān)操作將被終止，而且兩個輸出電容器均與負(fù)載斷接。

開關(guān)周期同步：LT3743使所有的開關(guān)脈沖邊沿同步至PWM和CTRL_SEL上升沿。同步賦予了系統(tǒng)設(shè)計師采用任意周期或非周期PWM調(diào)光脈沖寬度和占空比的自由度。對于大電流負(fù)載驅(qū)動而言，這是從零電流或低電流狀態(tài)恢復(fù)同電流狀態(tài)過程中必不可少的特點。通過在CTRL_SEL或PWM信號變至高電平時重新走動時鐘，電感器電流將立即開始斜坡上升，而無須等待一個時鐘上升沿。未采用同步時，時鐘脈沖沿和PWM脈沖沿的相伴關(guān)系將不受控制，因而有可能在負(fù)載光輸出中引起明顯抖動。當(dāng)采用一個具有SYNC引腳的外部時鐘時，開關(guān)周期將在8個開關(guān)周期之內(nèi)重新同步至外部時鐘。

軟啟動開關(guān)：為了減小大啟動電流，LT3743采用了一種可壓制已調(diào)電流的獨特軟起動電路，從而在軟走動引腳充電至1.5V時提供全驅(qū)動。為了最大限度地縮短不同電流水平之間的轉(zhuǎn)換時間，LT3743運用了針對每種電流水平的單獨補償，這樣電流控制環(huán)路就可以盡可能快地恢復(fù)穩(wěn)態(tài)操作。

一款采用開關(guān)輸出電容器的2V、10A半導(dǎo)體激光器驅(qū)動器，為調(diào)整激光功率，需要電流在2A至10A間進行快速切換的能力，以保持PWM調(diào)光脈沖沿。450KHz的較低開關(guān)頻率允許使用一個非常小的1.0μH的電感器。在25%紋波電流條件下，高電流狀態(tài)和低電流狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換時間大約為2μS。1mF的大輸出電容器存儲了兩種不同電流狀態(tài)下負(fù)載兩端的電壓降，并提供了MOSFET調(diào)光開關(guān)接通時瞬間電流。對于實現(xiàn)快速負(fù)載電流轉(zhuǎn)換來說，采用幾個并聯(lián)的低ESR電容器是到頭緊要的。已調(diào)高電流和低電流由連接在VREF引腳與CTRL_L和CTRL_H引腳的基準(zhǔn)信號。

本發(fā)明具有下特點：

1、由于設(shè)計了驅(qū)動電路本體，通過轉(zhuǎn)化器LT的模塊化的電壓轉(zhuǎn)換，不再使用電容器對電壓進行轉(zhuǎn)換，縮短了負(fù)載電流響應(yīng)時間，因此縮短了對半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動時間。

2、由于設(shè)計了電阻R1、電容C1、電容C2、電容C3、電容C4、電容C5、電容C6、MOS管M1、電容C7、二極管D2、電容C8、MOS管M2、電感L1、電阻R2、MOS管M3、二極管D1、電容C9、電阻R3和電阻R4，與轉(zhuǎn)化器LT的連接，優(yōu)化了電路，提高了電路的性能。

3、由于設(shè)計了。

4、由于設(shè)計了對結(jié)構(gòu)形狀進行了數(shù)值范圍的限定，使數(shù)值范圍為本發(fā)明的技術(shù)方案中的技術(shù)特征，不是通過公式計算或通過有限次試驗得出的技術(shù)特征，試驗表明該數(shù)值范圍的技術(shù)特征取得了很好的技術(shù)效果。

5、由于設(shè)計了本發(fā)明的技術(shù)特征，在技術(shù)特征的單獨和相互之間的集合的作用，通過試驗表明，本發(fā)明的各項性能指標(biāo)為現(xiàn)有的各項性能指標(biāo)的至少為1.7倍，通過評估具有很好的市場價值。

還有其它的與模塊化電壓轉(zhuǎn)換的轉(zhuǎn)化器LT相同或相近似的技術(shù)特征都是本發(fā)明的實施例之一，并且以上所述實施例的各技術(shù)特征可以進行任意的組合，為滿足專利法、專利實施細(xì)則和審查指南的要求，不再對上述實施例中的各個技術(shù)特征所有可能的組合的實施例都進行描述。

因此在內(nèi)，凡是包含有具有轉(zhuǎn)化器LT的驅(qū)動電路本體，轉(zhuǎn)化器LT的型號設(shè)置為LT3743的技術(shù)內(nèi)容都在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。