技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于電子信息技術(shù)行業(yè)之電子線纜及數(shù)據(jù)連接線領(lǐng)域，尤其涉及一種復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套、電子線纜及其總線屏蔽結(jié)構(gòu)、數(shù)據(jù)連接線及總線屏蔽結(jié)構(gòu)的預(yù)處理方法。

背景技術(shù)：

隨著信息技術(shù)的不斷發(fā)展，電子設(shè)備之間或機(jī)內(nèi)模塊之間的數(shù)據(jù)通訊（通信）傳輸速度要求越來(lái)越高，這些傳輸都需要一根連接線實(shí)現(xiàn)，這根連接線在不同的應(yīng)用場(chǎng)合形成了諸如USB3.1規(guī)范和HDMI規(guī)范等高速數(shù)據(jù)通信的協(xié)議，協(xié)議規(guī)范的數(shù)據(jù)速率都超過(guò)了5Gbps的極速水平，實(shí)現(xiàn)這樣的傳輸速度，就要求數(shù)據(jù)通道具備高水平的抗干擾和串?dāng)_的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)。

在現(xiàn)有技術(shù)的高性能屏蔽結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中，都采用了總線屏蔽結(jié)構(gòu)和芯部各個(gè)高速數(shù)據(jù)通道線胞獨(dú)立屏蔽結(jié)構(gòu)的雙重屏蔽技術(shù)方案。

在位于數(shù)據(jù)連接線外部的總線屏蔽結(jié)構(gòu)中，現(xiàn)有技術(shù)都采用了金屬編織網(wǎng)套封+鋁麥拉復(fù)合膜繞包的高效屏蔽結(jié)構(gòu)，但是現(xiàn)有技術(shù)這種屏蔽結(jié)構(gòu)是這樣布置的：位于外側(cè)的是金屬編織網(wǎng)，鋁麥拉復(fù)合膜的鋁膜面接觸金屬編織網(wǎng)放置，依靠金屬編織網(wǎng)的接地實(shí)現(xiàn)鋁麥拉復(fù)合膜的接地。由于鋁膜面朝外放置，在線纜和連接器進(jìn)行電氣接駁時(shí)，鋁麥拉復(fù)合膜去除困難，只能采用人工或者半人工方式處理，難以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化制造。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，提供一種復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套、電子線纜及其總線、數(shù)據(jù)連接線及屏蔽結(jié)構(gòu)的預(yù)處理方法，對(duì)其屏蔽結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，使其去除方便，利于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化制造，同時(shí)方便接地。

一方面，本發(fā)明提供了一種復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套，所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套由復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶搭接繞包形成；

所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶為長(zhǎng)條形結(jié)構(gòu)，所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶包括層疊設(shè)置的基材層及導(dǎo)電屏蔽層，所述基材層在厚度方向支撐于所述導(dǎo)電屏蔽層；所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶具有相對(duì)設(shè)置的第一側(cè)表面及第二側(cè)表面；所述第一側(cè)表面裸露有所述基材層及所述導(dǎo)電屏蔽層，該側(cè)裸露的所述導(dǎo)電屏蔽層與所述基材層的表面沿所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶的寬度方向排布；所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶的第二側(cè)表面裸露有所述導(dǎo)電屏蔽層，所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶兩側(cè)裸露的導(dǎo)電屏蔽層之間導(dǎo)電連接；

所述第一側(cè)表面朝向所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的外側(cè)，位于所述第一側(cè)表面的導(dǎo)電屏蔽層完全裸露在所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的外側(cè)，裸露在所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的外側(cè)的導(dǎo)電屏蔽層與基材層之間有盡可能小的面積比；所述第二側(cè)表面朝向所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的內(nèi)側(cè)。

其中，所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶由層疊設(shè)置的基材層及導(dǎo)電屏蔽層整體朝向基材層翻折形成，其翻折線平行于所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶的長(zhǎng)度方向，所述基材層所在的一側(cè)形成所述第一側(cè)表面；或者，

所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶中的所述基材層為兩層、所述導(dǎo)電屏蔽層為兩層，兩層所述導(dǎo)電屏蔽層位于兩層所述基材層之間，兩層所述基材層與兩層所述導(dǎo)電屏蔽層分別重疊，兩層所述導(dǎo)電屏蔽層相連接且部分重疊；兩層所述導(dǎo)電屏蔽層之間未重疊的表面分別裸露在所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶的兩側(cè)，裸露基材層面積較大的一側(cè)形成所述第一側(cè)表面；或者，

所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶中的所述基材層為兩層，所述導(dǎo)電屏蔽層為一層，所述導(dǎo)電屏蔽層位于兩層基材層之間，兩層所述基材層分別覆蓋所述導(dǎo)電屏蔽層的部分表面，且兩層所述基材層沿所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶的寬度方向排布，兩層所述基材層之間設(shè)有重疊部分；所述導(dǎo)電屏蔽層兩側(cè)未被所述基材層覆蓋的表面分別裸露在所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶的兩側(cè)，裸露基材層面積較大的一側(cè)形成所述第一側(cè)表面。

其中，裸露在所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的外側(cè)的導(dǎo)電屏蔽層與基材層之間的面積比例小于1:9，盡可能的小。

第二方面，發(fā)明提供了一種電子線纜的總線屏蔽結(jié)構(gòu)，包括金屬編織網(wǎng)及前述的復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套；所述金屬編織網(wǎng)套封在所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套外側(cè)并與所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套外側(cè)裸露的導(dǎo)電屏蔽層接觸電連接。

其中，所述電子線纜的總線屏蔽結(jié)構(gòu)還包括接地裸導(dǎo)線，所述接地裸導(dǎo)線沿電子線纜的軸向延伸設(shè)置；

所述接地裸導(dǎo)線設(shè)置在所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的內(nèi)側(cè)，且與所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的內(nèi)表面多點(diǎn)電連接；或者，

所述接地裸導(dǎo)線設(shè)置在所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套與所述金屬編織網(wǎng)之間，所述接地裸導(dǎo)線與所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的外表面多點(diǎn)電連接。

第三方面，本發(fā)明提供了一種電子線纜，包括芯部總線集成及前述的電子線纜的總線屏蔽結(jié)構(gòu)，所述屏蔽結(jié)構(gòu)包在所述芯部總線集成的外側(cè)。

其中，所述芯部總線集成包括兩組以上線胞，其中至少一組所述線胞外設(shè)置由前述的復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套形成的線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套，所述線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的外表面與所述總線屏蔽結(jié)構(gòu)的內(nèi)表面接觸電連接；所有所述線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的外表面接觸電連接并接地。

第四方面，本發(fā)明提供了另一種電子線纜，包括兩組以上線胞，其中至少一組所述線胞外設(shè)置由前述的復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套形成的線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套，所有所述線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的外表面接觸電連接并接地。

第五方面，本發(fā)明提供了一種數(shù)據(jù)連接線，包括兩個(gè)連接器及前述的電子線纜，兩個(gè)所述連接器分別連接在所述電子線纜的兩端。

第六方面，本發(fā)明提供了一種電子線纜總線屏蔽結(jié)構(gòu)的預(yù)處理方法，用于對(duì)前述的電子線纜的接駁端進(jìn)行預(yù)處理，其特征在于，包括以下步驟：

去除接駁端的部分金屬編織網(wǎng)，露出總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套；以及

通過(guò)復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的斷裂方法，將裸露的總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套斷裂，并去除冗余的總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套；

所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的斷裂方法包括：

通過(guò)激光破斷所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的外側(cè)表面裸露的基材層形成環(huán)形的破斷口；以及，

通過(guò)將所述破斷口處兩側(cè)位置相對(duì)移動(dòng)使所述破斷口處的所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的導(dǎo)電屏蔽層斷裂。

本發(fā)明提供的復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套、電子線纜及其總線屏蔽結(jié)構(gòu)、數(shù)據(jù)連接線及總線屏蔽結(jié)構(gòu)的預(yù)處理方法，復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套由復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶搭接繞包形成，復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的內(nèi)外表面電導(dǎo)通，方便實(shí)現(xiàn)與金屬編織網(wǎng)、接地裸導(dǎo)線等結(jié)構(gòu)的接地連接；位于所述第一側(cè)表面的導(dǎo)電屏蔽層完全裸露在所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的外側(cè)，可以有效利用外側(cè)的導(dǎo)電屏蔽層與其他結(jié)構(gòu)電連接實(shí)現(xiàn)接地，實(shí)現(xiàn)可靠接地；復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶的第一側(cè)外表面裸露有盡可能大面積的基材層，該基材層位于復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的外側(cè)，可以利用激光切割對(duì)該基材層進(jìn)行切割，從而方便對(duì)電子線纜屏蔽結(jié)構(gòu)的后期處理，可以實(shí)現(xiàn)復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套處理的自動(dòng)化。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的電子線纜的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1中電子線纜的端面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明的復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶第一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是由圖3中的復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶繞包形成金屬?gòu)?fù)構(gòu)屏蔽膜封套以及搭接處示意圖；

圖5是本發(fā)明的復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶第二實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是由圖5中的復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶繞包形成金屬?gòu)?fù)構(gòu)屏蔽膜封套以及搭接處示意圖；

圖7是本發(fā)明的復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶第三實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8是由圖7中的復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶繞包形成金屬?gòu)?fù)構(gòu)屏蔽膜封套以及搭接處示意圖；

圖9為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的電子線纜的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為圖9中電子線纜的端面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11為本發(fā)明第三實(shí)施例提供的電子線纜的線胞為雙線線胞時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12為圖11中電子線纜的端面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13為本發(fā)明第三實(shí)施例中電子線纜中的線胞為單線線胞時(shí)的端面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖14為本發(fā)明第四實(shí)施例中電子線纜中的線胞為雙線線胞時(shí)的端面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖15為本發(fā)明第五實(shí)施例中電子線纜的端面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖16為本發(fā)明中對(duì)電子線纜的絕緣外被進(jìn)行環(huán)切后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖17是本發(fā)明中將外被冗余段沿電子線纜軸線向線尾挪移后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖18是本發(fā)明中使金屬編織網(wǎng)隆起成一個(gè)紡錘體輪廓后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖19是本發(fā)明中將金屬編織網(wǎng)環(huán)向切斷后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖20是本發(fā)明中使外被冗余段和冗余金屬編織網(wǎng)從電子線纜上脫落后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖21是本發(fā)明中將紡錘體輪廓位置剩余的金屬編織網(wǎng)外翻后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖22是本發(fā)明中將外翻的金屬編織網(wǎng)包扎固定后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖23是本發(fā)明中去除電子線纜接駁端的總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖24是本發(fā)明中去除電子線纜接駁端的線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套后的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記：

1-總線屏蔽結(jié)構(gòu)，11-金屬編織網(wǎng)，12-總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套，13-接地裸導(dǎo)線，120-復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶，121-導(dǎo)電屏蔽層，122-基材層，120a-第一側(cè)表面，120b-第二側(cè)表面；

124-第一翻折部，125-第二翻折部，123-翻折線；

110-編織網(wǎng)破斷切口，111-冗余金屬編織網(wǎng)，

2-線胞，20-帶屏蔽雙線線胞，21-帶絕緣芯線， 22-線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套22，23-地線；

5-銅箔包扎帶

9-絕緣外被，90-外被破斷口，91-待去除的外被冗余段；

X-長(zhǎng)度方向，Y寬度方向。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。

本發(fā)明提供的數(shù)據(jù)連接線，包括電子線纜及兩個(gè)連接器，兩個(gè)連接器分別連接在電子線纜的兩端，以插接至對(duì)應(yīng)的端口，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸。

數(shù)據(jù)傳輸線可以為USB數(shù)據(jù)連接線、HDMI數(shù)據(jù)連接線、DP數(shù)據(jù)連接線、LVDS數(shù)據(jù)連接線、VGA數(shù)據(jù)連接線、及DVI數(shù)據(jù)連接線等其中的任一種。電子線纜的芯部總線配置結(jié)構(gòu)符合各種通訊協(xié)議的要求，再接駁相應(yīng)的連接器，就可以形成各種各樣的數(shù)據(jù)連接線。當(dāng)芯部總線集成配置和連接器均符合USB通信協(xié)議進(jìn)行配置時(shí)，構(gòu)成具有高效屏蔽結(jié)構(gòu)的USB數(shù)據(jù)連接線；當(dāng)芯部總線集成配置和連接器均符合HDMI通信協(xié)議進(jìn)行配置時(shí)，構(gòu)成具有高效屏蔽結(jié)構(gòu)的HDMI數(shù)據(jù)連接線；當(dāng)芯部總線集成配置和連接器均符合DP通信協(xié)議進(jìn)行配置時(shí)，構(gòu)成具有高效屏蔽結(jié)構(gòu)的DP數(shù)據(jù)連接線；當(dāng)芯部總線集成配置和連接器均符合VGA通信協(xié)議進(jìn)行配置時(shí)，構(gòu)成具有高效屏蔽結(jié)構(gòu)的VGA數(shù)據(jù)連接線；當(dāng)芯部總線集成配置和連接器均符合DVI通信協(xié)議進(jìn)行配置時(shí)，構(gòu)成具有高效屏蔽結(jié)構(gòu)的DVI數(shù)據(jù)連接線。當(dāng)然，本發(fā)明提供的電子線纜并不局限于上述應(yīng)用，還可以應(yīng)用到其他數(shù)據(jù)連接線中。

以下對(duì)本發(fā)明提供的電子線纜的各個(gè)實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。

參見(jiàn)圖1-2，為本發(fā)明中第一實(shí)施例提供的電子線纜，其在徑向上由外向內(nèi)依次包括絕緣外被9、總線屏蔽結(jié)構(gòu)1及至少兩組線胞2。所有線胞2整體構(gòu)成芯部總線集成。各線胞2內(nèi)包括若干芯線，用于構(gòu)成高速數(shù)據(jù)通道的信道回路或者電源回路?？偩€屏蔽結(jié)構(gòu)1包封在芯部總線集成外側(cè)，絕緣外被9包封在總線屏蔽結(jié)構(gòu)1的外側(cè)。各線胞2之間獨(dú)立屏蔽，芯部總線集成通過(guò)總線屏蔽結(jié)構(gòu)1與線纜外界形成屏蔽，從而形成雙重電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，屏蔽結(jié)構(gòu)在連接器處接地。

本實(shí)施例中，線胞2為三線線胞，為通用的三線線胞結(jié)構(gòu)，其中含有三根導(dǎo)線，包括兩個(gè)帶絕緣芯線21及地線23，三者整體外包覆有屏蔽材料。當(dāng)然在其他實(shí)施方式中，線胞也可以是雙線線胞或單線線胞。

總線屏蔽結(jié)構(gòu)1包括金屬編織網(wǎng)11、總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12及接地裸導(dǎo)線13。沿電子線纜的截面徑向看，由此向外的排布順序?yàn)榻饘倬幙椌W(wǎng)11、總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12及接地裸導(dǎo)線13。其中，總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12由復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120搭接繞包形成，其內(nèi)外兩側(cè)面均裸露有導(dǎo)電屏蔽層121，且兩側(cè)的導(dǎo)電屏蔽層121之間導(dǎo)電連通，同時(shí)總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12的外側(cè)表面裸露有基材層122，以便于激光切割使總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12破斷。

金屬編織網(wǎng)11套封在總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12外側(cè)，總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12的外表面與金屬編織網(wǎng)11相接觸，使得裸露在總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12的導(dǎo)電屏蔽層121與金屬編織網(wǎng)11接觸電連接，總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12和金屬編織網(wǎng)11在全電子線纜的長(zhǎng)度上徑向電導(dǎo)通。位于總線屏蔽結(jié)構(gòu)1內(nèi)側(cè)的接地裸導(dǎo)線13與總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12的內(nèi)表面接觸，總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12內(nèi)表面裸露的導(dǎo)電屏蔽層121即可與接地裸導(dǎo)線13導(dǎo)電連通，從而使得外側(cè)的金屬編織網(wǎng)11和內(nèi)側(cè)的接地裸導(dǎo)線13全線纜長(zhǎng)度上徑向電導(dǎo)通。 此處需要說(shuō)明的是，本發(fā)明所指總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12是復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套應(yīng)用到電子線纜總線整體屏蔽時(shí)的具體化名稱(chēng)。

在總線屏蔽結(jié)構(gòu)1中，外部使用屏蔽效果差但機(jī)械增強(qiáng)效果好的金屬編織網(wǎng)11做護(hù)套，金屬編織網(wǎng)11可以是鍍錫銅編織網(wǎng)，也可以是鋁鎂合金絲編織網(wǎng)；中間使用機(jī)械性能稍差但屏蔽效果好的膜材料復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120承擔(dān)主要屏蔽功能，復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120的搭接繞包鋪放結(jié)構(gòu)能夠滿足線纜彎曲變形時(shí)的屏蔽完整性要求，內(nèi)側(cè)采用易于通過(guò)連接器接地的裸導(dǎo)體材料。在總線屏蔽結(jié)構(gòu)1的外部是線纜絕緣外被9、內(nèi)部是芯部總線集成。

復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120為長(zhǎng)條形結(jié)構(gòu)，復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120包括層疊設(shè)置的基材層及導(dǎo)電屏蔽層。導(dǎo)電屏蔽層用于實(shí)現(xiàn)屏蔽效果。基材層在厚度方向支撐于所述導(dǎo)電屏蔽層。由于簡(jiǎn)單的金屬箔形成的導(dǎo)電屏蔽層的強(qiáng)韌度差容易破損導(dǎo)致屏蔽失效，利用基材層能夠保證復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶整體的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，基材層在厚度方向支撐于所述導(dǎo)電屏蔽層，即可以使得導(dǎo)電屏蔽層在厚度方向上均與基材層122存在重疊，以保證其結(jié)構(gòu)強(qiáng)度及屏蔽的有效性。

導(dǎo)電屏蔽層可以采用鋁膜、鋁箔或銅箔或其他金屬箔，為避免氧化，本實(shí)施例中導(dǎo)電屏蔽層采用鋁膜或鋁箔，同時(shí)鋁膜或鋁箔的內(nèi)外兩個(gè)側(cè)面均可以導(dǎo)電接地，以方便設(shè)置接地裸導(dǎo)線13?；膶觾?yōu)選采用麥拉層，其即可以提高鋁膜的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，還方便進(jìn)行激光切割，同時(shí)激光切割時(shí)的斷口比較齊整。此處，在其他實(shí)施方式中，基材層還可以選用其他材質(zhì)的塑料絕緣層，其可以提高導(dǎo)電屏蔽層的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度即可。復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120可以是鋁膜和麥拉熱壓復(fù)合結(jié)構(gòu)、或者在塑料膜上沉積金屬層結(jié)構(gòu)，或其它不同工藝制造出來(lái)的具有不同鋁膜厚度或麥拉膜厚度的復(fù)合膜。

復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120具有相對(duì)設(shè)置的第一側(cè)表面120a及第二側(cè)表面120b，第一側(cè)表面120a裸露有基材層及導(dǎo)電屏蔽層，且該側(cè)裸露的基材層與導(dǎo)電屏蔽層的表面沿復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶的寬度方向Y排布；復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120的第二側(cè)表面120b裸露有導(dǎo)電屏蔽層，復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120兩側(cè)裸露的導(dǎo)電屏蔽層之間導(dǎo)電連接。裸露的基材層可以用于方便破裂，兩側(cè)均裸露導(dǎo)電屏蔽層且電連接，可以使得將復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120的內(nèi)外兩側(cè)電連接，利于與金屬編織網(wǎng)11電連接。

復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120搭接繞包形成總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12后，其第一側(cè)表面120a朝向總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12的外側(cè)，第二側(cè)表面120b朝向所述總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12的內(nèi)側(cè)。位于所述第一側(cè)表面120a的導(dǎo)電屏蔽層完全裸露在總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12的外側(cè)，以保證外側(cè)的導(dǎo)電屏蔽層能夠有效與其他結(jié)構(gòu)進(jìn)行電連接導(dǎo)通。裸露在所述總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12的外側(cè)的導(dǎo)電屏蔽層與基材層之間的面積比例小于或等于1:5，以保證外側(cè)具有足夠大面積的基材層，方便利用激光進(jìn)行切割破斷。由于復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120整體為長(zhǎng)條形，導(dǎo)電屏蔽層與基材層也都相應(yīng)是長(zhǎng)條形，在長(zhǎng)度方向上的各位置寬幅相同，搭接繞包后，通過(guò)確定露在所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的外側(cè)的導(dǎo)電屏蔽層與基材層之間在復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套軸向上的尺寸比例即為二者的面積比例。

在搭接繞包時(shí)，復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120第一側(cè)表面120a上導(dǎo)電屏蔽層所在邊緣疊加在基材層所在邊緣之上，即可使得第一側(cè)表面120a上的導(dǎo)電屏蔽層完全裸露在總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12的外側(cè)，同時(shí)第一側(cè)表面120a上的基材層的一部分被覆蓋，會(huì)減小基材層裸露的面積，為保證裸露在所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的外側(cè)的導(dǎo)電屏蔽層與基材層之間的面積比例小于或等于1:5，復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120第一側(cè)表面120a上裸露的導(dǎo)電屏蔽層與基材層的面積比例小于或等于1:5，第一側(cè)表面120a的基材層被覆蓋一小部分，其裸露面積減小，從而保證復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的外側(cè)的導(dǎo)電屏蔽層與基材層之間的面積比例達(dá)到上述標(biāo)準(zhǔn)。第一側(cè)表面120a的基材層被覆蓋重疊的面積大小，可根據(jù)實(shí)際情況確定。因?yàn)榭紤]到后續(xù)加工工藝中需要將此復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套采用激光切割，所以，復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的外側(cè)面需要是基材層，搭接比例越?。盎膶?22被覆蓋重疊的面積越?。┘す饽軌驘g掉的基材層燒蝕線就越長(zhǎng)，復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套就越容易去除。同樣，由于復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的搭接重疊會(huì)影響激光照射切割被覆蓋的鋁麥拉，所以，搭接重疊的幅度也是越小越好，其原則就是，保證在線纜承受?chē)?yán)酷彎曲變形時(shí)，仍然能夠有足夠的搭接量存在為準(zhǔn)。

本發(fā)明提供了三種復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120的具體結(jié)構(gòu)，以下對(duì)這三種復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120的結(jié)構(gòu)進(jìn)行具體描述。

如圖3及圖4所示，在第一種復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120的實(shí)施方式中，復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120由層疊設(shè)置的基材層122及導(dǎo)電屏蔽層121整體朝向基材層122翻折形成，其翻折線123平行于所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120的長(zhǎng)度方向X，基材層122所在的一側(cè)形成復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120的第一側(cè)表面120a。為了便于描述，翻折的兩部分分別為第一翻折部124和第二翻折部125，通過(guò)確定第一翻折部124與第二翻折部125的寬幅比例即可使得第一側(cè)表面120a裸露的導(dǎo)電屏蔽層121與基材層122面積達(dá)到一定比例，再結(jié)合搭接繞包的搭接幅度，即可使得裸露在總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12的外側(cè)的導(dǎo)電屏蔽層121與基材層122之間的面積比例小于或等于1:5。

本實(shí)施例中，第一翻折部124的寬度小于第二翻折部125的寬度，使得第二翻折部125的基材層122的一部分被第一翻折部124所覆蓋，第二翻折部125的另一部分基材層122外露在復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120的第一側(cè)表面，第一翻折部124的導(dǎo)電屏蔽層121露在復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120的第一側(cè)表面，第一側(cè)表面120a的基材層與導(dǎo)電屏蔽層121即可復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶的寬度方向Y排布。第二翻折部125的導(dǎo)電屏蔽層121裸露在復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120的第二側(cè)，即復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120的第二側(cè)全部由第二翻折部125的導(dǎo)電屏蔽層121形成。由于為翻折形成，第一翻折部124與第二翻折部125二者的導(dǎo)電屏蔽層121之間仍保持完整性，從而使得二者的導(dǎo)電屏蔽層121處于導(dǎo)電連通狀態(tài)，同時(shí)，在復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120的長(zhǎng)度方向的任意位置，其兩側(cè)的導(dǎo)電屏蔽層121處于直接連接狀態(tài)，以保證復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120兩側(cè)可以保持有效的導(dǎo)電連通。

具體實(shí)施過(guò)程中，可以將單張鋁麥拉復(fù)合膜翻折形成，鋁麥拉復(fù)合膜包括層疊的單層鋁膜及單層麥拉，鋁麥拉復(fù)合膜整體為長(zhǎng)條形，為便于加工制備，鋁膜與麥拉完全重疊，即二者的寬度相同。鋁麥拉復(fù)合膜翻折的方向?yàn)槌螓溊粋?cè)，翻折后形成的復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120的兩側(cè)面均帶有鋁膜形成的導(dǎo)電屏蔽層121，且實(shí)現(xiàn)了內(nèi)外導(dǎo)電屏蔽層121的相互電連接導(dǎo)通，這種結(jié)構(gòu)表觀上看形成【鋁|麥拉|麥拉|鋁】的四層構(gòu)造。

進(jìn)一步優(yōu)選，翻折的幅寬比例小于1:10，即第一翻折部124與第二翻折部125之間的寬度比小于1:10為宜，使得復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120第一側(cè)裸露的導(dǎo)電屏蔽層121與基材層122之間的比例小于1:9。復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120的第一側(cè)表面120a在搭接繞包后位于復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的外側(cè)，搭接繞包的搭接寬幅比也為1:10為宜。復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120在搭接繞包后，第一翻折部124所在邊緣搭接在第二翻折部125的外側(cè)，復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120第二側(cè)表面120b的導(dǎo)電屏蔽層121搭接于第一側(cè)表面120a的基材層122，使得第一側(cè)表面120a的基材層122的一部分被覆蓋，而第一側(cè)表面120上的導(dǎo)電屏蔽層121完全裸露在總線金屬屏蔽膜的外側(cè)。由于搭接幅寬比優(yōu)選為1:10，使得基材層122被覆蓋的表面比較小，基材層122被覆蓋的表面僅占第一側(cè)表面整體表面積的1/10。該比例可根據(jù)設(shè)計(jì)時(shí)的關(guān)注點(diǎn)而異，因?yàn)榭紤]到后續(xù)加工工藝中需要將此鋁麥拉復(fù)合膜采用激光切割去除，所以，搭接繞包層外側(cè)面需要是盡可能多的麥拉層，對(duì)折比例越小激光能夠燒蝕掉的麥拉燒蝕線就越長(zhǎng)，冗余鋁麥拉就越容易去除。同樣，由于鋁麥拉的搭接重疊會(huì)影響激光照射切割被覆蓋的鋁麥拉，所以，搭接重疊長(zhǎng)度也是越小越好，其原則就是，保證在線纜承受?chē)?yán)酷彎曲變形時(shí)，仍然能夠有足夠的搭接量存在為準(zhǔn)。

如圖5、圖6所示，在第二種復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120的實(shí)施方式中，復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120中的基材層122為兩層、導(dǎo)電屏蔽層121為兩層，兩層導(dǎo)電屏蔽層121位于兩層所述基材層122之間，兩層基材層122與兩層導(dǎo)電屏蔽層121分別重疊，兩層所述導(dǎo)電屏蔽層121相連接且部分重疊以使二者導(dǎo)電連通，兩層所述導(dǎo)電屏蔽層121沿寬度方向Y分布設(shè)置；兩層所述導(dǎo)電屏蔽層121之間未重疊的表面分別裸露在所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120的兩側(cè)。裸露基材層122面積較大的一側(cè)形成所述第一側(cè)表面120a，以便于利用激光對(duì)基材層122進(jìn)行切割，相應(yīng)另一側(cè)形成第二側(cè)表面120b。

在具體實(shí)施過(guò)程中，采用兩張鋁麥拉復(fù)合膜疊置搭接使用，鋁麥拉復(fù)合膜包括層疊的單層鋁膜及單層麥拉，鋁麥拉復(fù)合膜整體為長(zhǎng)條形，為便于加工制備，鋁膜與麥拉完全重疊，即二者的寬度相同。鋁膜形成導(dǎo)電屏蔽層121，麥拉形成基材層122。重疊方式是兩張鋁麥拉復(fù)合膜的鋁膜接觸在一起，且兩層鋁膜之間部分重疊，二者均有部分表面裸露，二者的裸露部分分別位于復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120的兩側(cè)，使得復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120的兩側(cè)表面形成有導(dǎo)電屏蔽層121，且兩側(cè)的導(dǎo)電屏蔽層121之間電連接導(dǎo)通，這種結(jié)構(gòu)表觀上是【麥拉|鋁|鋁|麥拉】的4層結(jié)構(gòu)。

作為優(yōu)選，兩張疊置的鋁麥拉復(fù)合膜的寬度相異，寬度較大的鋁麥拉復(fù)合膜的麥拉裸露在復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120的第一側(cè)表面120a。根據(jù)兩張鋁麥拉復(fù)合膜的寬度、二者之間的重疊寬幅、以及搭接繞包后的搭接重疊寬幅，即可使得裸露在金屬屏蔽膜外側(cè)表面的鋁膜與麥拉的面積之比達(dá)到小于或等于1:5。

搭接繞包后，寬度較窄的鋁麥拉復(fù)合膜搭接于寬度較大的鋁麥拉復(fù)合膜的外側(cè)，使得寬度較窄的鋁膜位于復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的外側(cè)，用于接觸金屬編織網(wǎng)11，可以使得第一側(cè)表面120a的鋁膜完全裸露在復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的外側(cè)，充分利用第一側(cè)表面120a的鋁膜用于電連接金屬編織網(wǎng)11。寬度較大的麥拉位于復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的外側(cè)，以方便激光切割，寬度較大的鋁膜位于復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的內(nèi)側(cè)，用于與接觸接地裸導(dǎo)線13。

進(jìn)一步優(yōu)選的，兩張重疊設(shè)置的鋁麥拉復(fù)合膜的幅寬比例小于1：10為宜，在搭接繞包的搭接幅寬比例也為1：10為宜，可以使得搭接繞包形成的總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套外側(cè)裸露的導(dǎo)電屏蔽層與基材層之間的面積比例小于或等于1:9。這個(gè)比例可根據(jù)設(shè)計(jì)時(shí)的關(guān)注點(diǎn)而異，因?yàn)榭紤]到后續(xù)加工工藝中需要將此鋁麥拉復(fù)合膜采用激光切割去除，所以，總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的外側(cè)面需要是麥拉，搭接比例越小激光能夠燒蝕掉的麥拉燒蝕線就越長(zhǎng)，鋁麥拉就越容易去除。同樣，由于鋁麥拉的搭接重疊會(huì)影響激光照射切割被覆蓋的鋁麥拉，所以，搭接重疊長(zhǎng)度也是越小越好，其原則就是，保證在線纜承受?chē)?yán)酷彎曲變形時(shí)，仍然能夠有足夠的搭接量存在為準(zhǔn)。

如圖7及圖8所示，在第三種復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120的實(shí)施方式中，所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120中的所述基材層122為兩層，所述導(dǎo)電屏蔽層121為一層，所述導(dǎo)電屏蔽層121位于兩層基材層122之間，兩層所述基材層122分別覆蓋所述導(dǎo)電屏蔽層121的部分表面，且兩層所述基材層122沿所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120的寬度方向Y排布，兩層所述基材層122之間設(shè)有重疊部分；所述導(dǎo)電屏蔽層121兩側(cè)未被所述基材層122覆蓋的表面分別裸露在所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120的兩側(cè)。裸露基材層122面積較大的一側(cè)形成所述第一側(cè)表面120a。在復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120的第一側(cè)表面120a上，通過(guò)設(shè)置基材層122與導(dǎo)電屏蔽層121之間的寬幅比例，并在搭接繞包時(shí)控制搭接幅度，即可使得裸露在所述復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的外側(cè)的導(dǎo)電屏蔽層121與基材層122之間的面積比例小于或等于1:5。在復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120的第二側(cè)表面120b上設(shè)置基材層122，主要是為了對(duì)第一側(cè)表面120a處的導(dǎo)電屏蔽層121進(jìn)行支撐，以保證其結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。由于導(dǎo)電屏蔽層121的強(qiáng)韌性差，所以兩側(cè)的基材層122要有一定的重疊寬度，通常重疊寬度大于1mm即可。

在本實(shí)施方式中，麥拉形成基材層122，鋁膜形成導(dǎo)電屏蔽層121，整體形成【麥拉|鋁|麥拉】的3層結(jié)構(gòu)關(guān)系，這就構(gòu)成第3種內(nèi)外側(cè)電導(dǎo)通的膜結(jié)構(gòu)，具有這樣構(gòu)造的復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120具備內(nèi)外側(cè)面都有鋁膜的技術(shù)特征。位于鋁膜兩側(cè)的麥拉具有不同寬度，幅寬比例小于1:10為宜。搭接繞包時(shí)的搭接狀態(tài)下，寬幅較小的麥拉搭接于寬幅較大的麥拉外側(cè)，且寬幅較大的麥拉位于總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的外側(cè)，裸露較小面積的鋁膜完全位于總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12的外側(cè)。同樣，總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12外側(cè)面需要是麥拉層，搭接比例越小激光能夠燒蝕掉的麥拉燒蝕線就越長(zhǎng)，鋁麥拉就越容易去除。同樣，由于鋁麥拉的搭接重疊會(huì)影響激光照射切割被覆蓋的鋁麥拉，所以，搭接重疊長(zhǎng)度也是越小越好，其原則就是，保證在線纜承受?chē)?yán)酷彎曲變形時(shí)，仍然能夠有足夠的搭接量存在為準(zhǔn)。

概括以上三種復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120的實(shí)施方式，均實(shí)現(xiàn)了復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120兩側(cè)面均裸露有導(dǎo)電屏蔽層121，且兩側(cè)的導(dǎo)電屏蔽層121之間導(dǎo)電連通，同時(shí)，兩側(cè)的導(dǎo)電屏蔽層121之間在長(zhǎng)度方向X的任意位置均直接導(dǎo)電連通，保證導(dǎo)電的可靠性，有效將符合屏蔽膜的兩側(cè)電導(dǎo)通。復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120的至少一側(cè)裸露有基材層122，該面積較大的基材層122在搭接繞包后位于外側(cè)，以方便切割。復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120搭接繞包形成的總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12的外側(cè)面具有基材層122和導(dǎo)電屏蔽層121的面積比大于等于5的配置效果以便激光切割破斷復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套，比值盡可能的大以便最大限度破斷復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120。且第一側(cè)表面120a的導(dǎo)電屏蔽層完全裸露在總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12的外側(cè)，以便充分利用導(dǎo)電屏蔽層的表面積與金屬編織網(wǎng)電連接。

由以上三種復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120搭接繞包形成的總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12包封在芯部總線集成的外圍，完全能夠形成對(duì)芯部總線集成完整覆蓋的全膜屏蔽封套，因此其屏蔽效果自然不容置疑。至于此種屏蔽結(jié)構(gòu)的接地效果，縱觀沿整條線纜的長(zhǎng)度上，由于搭接繞包的螺旋結(jié)構(gòu)，使得這三種總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的內(nèi)側(cè)面可以和內(nèi)側(cè)的接地裸導(dǎo)線13有無(wú)數(shù)個(gè)間歇出現(xiàn)的電接觸點(diǎn)，只要這根裸導(dǎo)線能夠通過(guò)連接器良好接地，整個(gè)總線屏蔽結(jié)構(gòu)1就完全良好接地了，不會(huì)存在懸浮的自由電荷或電勢(shì)。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)秀的總線電磁屏蔽和屏蔽接地。由于總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的外表面裸露有大面積的基材層，方便進(jìn)行激光切割，使其最終滿足了自動(dòng)化生產(chǎn)的需要。

如圖9及圖10所示，在本發(fā)明提供的電子線纜的第二實(shí)施例中，電子線纜包括絕緣外被9、總線屏蔽結(jié)構(gòu)1及至少兩組線胞2，至少兩組線胞2形成芯部總線集成。絕緣外被9與芯部總線集成與第一實(shí)施例相同，此處不再贅述。

總線屏蔽結(jié)構(gòu)1包括金屬編織網(wǎng)11、總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12及接地裸導(dǎo)線13，三者各自的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例相同，區(qū)別在于三者的位置關(guān)系。沿電子線纜的截面徑向看，由此向外的排布順序?yàn)榻饘倬幙椌W(wǎng)11、接地裸導(dǎo)線13及總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12，即使得接地裸導(dǎo)線13設(shè)置在總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12與金屬編織網(wǎng)11之間，所述接地裸導(dǎo)線13與所述總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12的外表面多點(diǎn)電連接。由于總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12的外表面亦裸露有導(dǎo)電屏蔽層121，導(dǎo)電屏蔽層121與接地裸導(dǎo)線13接觸即可實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)通。由于搭接繞包的螺旋結(jié)構(gòu)，使得這三種總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12的外側(cè)面可以和位于其外側(cè)的接地裸導(dǎo)線13有無(wú)數(shù)個(gè)間歇出現(xiàn)的電接觸點(diǎn)，只要這根裸導(dǎo)線能夠通過(guò)連接器良好接地，整個(gè)總線屏蔽結(jié)構(gòu)1就完全良好接地了。

如圖11及圖12所示，在本發(fā)明提供的電子線纜的第三實(shí)施例中，其與其與第一實(shí)施例的不同之處僅在于內(nèi)部的芯部總線集成，其中的絕緣外被9及總線屏蔽結(jié)構(gòu)1與第一實(shí)施例相同，此處不再贅述。

如圖所示，總線屏蔽結(jié)構(gòu)1與第一實(shí)施例相同，其中，金屬編織網(wǎng)11套封在總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12外側(cè)，位于總線屏蔽結(jié)構(gòu)1內(nèi)側(cè)的接地裸導(dǎo)線13與總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12的內(nèi)表面接觸，復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套外側(cè)裸露有大面積的基材層122，可以采用激光切割，從而利于自動(dòng)化生產(chǎn)。芯部總線集成中，多組線胞分為數(shù)組帶屏蔽雙線線胞20和數(shù)組芯部非屏蔽結(jié)構(gòu)信號(hào)回路或電源回路。在帶屏蔽雙線線胞20內(nèi)部有兩條帶絕緣芯線21，通常這兩根帶絕緣芯線21対絞或平行并在一起，構(gòu)成一個(gè)數(shù)據(jù)信道回路。帶屏蔽雙線線胞20外部繞包線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套22，即使得多組線胞中至少一組線胞外側(cè)設(shè)置有線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套22。線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套22結(jié)構(gòu)等同總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12，是復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的不同應(yīng)用方式。線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套22亦為復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120搭接繞包形成，并確保其內(nèi)外兩個(gè)側(cè)面是電導(dǎo)通的，這樣一來(lái)，所有的兩線結(jié)構(gòu)線胞屏蔽即線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套22和線纜總線屏蔽結(jié)構(gòu)1就可以緊密接觸電導(dǎo)通，并通過(guò)總線屏蔽結(jié)構(gòu)1的接地裸導(dǎo)線13接地。于是，這種整體屏蔽的線纜就可以省卻數(shù)根線胞2接地線。此處的復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120可以采用第一實(shí)施例中復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶120三種實(shí)施方式中的任一種。

對(duì)于線纜芯部總線集成中的每組線胞形成一個(gè)高速數(shù)據(jù)通道時(shí)，也需要有一個(gè)獨(dú)立的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)層，現(xiàn)有技術(shù)都是一種三線結(jié)構(gòu)的信道線胞，其中兩根是有絕緣皮的數(shù)據(jù)線（対絞設(shè)置或平行設(shè)置），第三根是接地裸導(dǎo)線，用于外部屏蔽膜的接地。這三根芯線外圍繞包鋁麥拉復(fù)合膜構(gòu)成數(shù)據(jù)信道回路的電磁屏蔽，鋁麥拉復(fù)合膜的鋁膜面朝向內(nèi)側(cè)的接地裸導(dǎo)線。該接地裸導(dǎo)線通過(guò)連接器接地。本發(fā)明實(shí)施例中，可以對(duì)這種三線線胞結(jié)構(gòu)進(jìn)行簡(jiǎn)化改良，成為一種兩線結(jié)構(gòu)信道線胞2，因?yàn)橐脒@種內(nèi)外側(cè)面電導(dǎo)通的復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套后，線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套22的外側(cè)就可以和線纜總線屏蔽結(jié)構(gòu)1的內(nèi)側(cè)面導(dǎo)電接觸，電連接貫通成為一個(gè)整體，就不再需要這個(gè)多余的接地線了，因此，只要通過(guò)總線屏蔽結(jié)構(gòu)1中的地線接地就可以了，因此，電子線纜可以節(jié)約數(shù)根屏蔽地線導(dǎo)體，降低了電子線纜的成本。更進(jìn)一步地拓展，作為同樣的屏蔽應(yīng)用，進(jìn)一步對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的兩線結(jié)構(gòu)信道線胞結(jié)構(gòu)進(jìn)行簡(jiǎn)化改良，可以成為一種單線結(jié)構(gòu)信道線胞，如圖13所示，事實(shí)上相當(dāng)于是極細(xì)同軸線，由這樣的兩根單線結(jié)構(gòu)信道線胞就可以組成一個(gè)具有同軸線屏蔽效果的信道回路，因?yàn)橐脒@種內(nèi)外側(cè)面電導(dǎo)通的復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套層后，金屬屏蔽屏蔽結(jié)構(gòu)的外側(cè)就可以和線纜總線屏蔽結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)面導(dǎo)電接觸，電連接貫通成為一個(gè)整體，就不再需要這個(gè)多余的接地線了，線胞內(nèi)僅包含一根芯線21和包覆在其外的線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套22。

這種新的總線屏蔽結(jié)構(gòu)1和芯部信道屏蔽的線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套22一體化的屏蔽結(jié)構(gòu)，稱(chēng)謂線纜的整體屏蔽，效果上簡(jiǎn)化了電子線纜，本發(fā)明稱(chēng)此種電子線纜為整體屏蔽線纜，此種屏蔽結(jié)構(gòu)為整體屏蔽結(jié)構(gòu)。這種電子線纜和連接器的接駁方式?jīng)]有額外的工作量和成本付出。同時(shí)，利用外側(cè)裸露有大面積基材層122的復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套形成總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12及線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套22，使得復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套可以從外部利用激光對(duì)基材層122進(jìn)行切割，利于復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的破斷，使得復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的處理可以采用自動(dòng)化設(shè)備進(jìn)行處理，無(wú)需人工處理，從而提高接駁端處的加工處理，提高與連接器的連接效率。

如圖14所示，在本發(fā)明提供的電子線纜的第四實(shí)施例中，其與其與前述第二實(shí)施例的不同之處僅在于內(nèi)部的芯部總線集成，其中的絕緣外被9及總線屏蔽結(jié)構(gòu)1與第二實(shí)施例相同。

如圖14所示，此處總線屏蔽結(jié)構(gòu)1與第二實(shí)施例相同，其中，金屬編織網(wǎng)11套封在總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12外側(cè)，位于總線屏蔽結(jié)構(gòu)1外側(cè)的接地裸導(dǎo)線13與總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12的外表面接觸，總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12外側(cè)裸露有大面積的基材層122，可以采用激光切割，從而利于自動(dòng)化生產(chǎn)。本實(shí)施例中的芯部總線集成的結(jié)構(gòu)與第三實(shí)施例相同，此處亦不再贅述。線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套22外側(cè)也裸露有大面積的基材層122，同樣可以采用激光切割，使得線胞2的處理也可以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化。

本實(shí)施例中，通過(guò)將接地裸導(dǎo)線13設(shè)置在金屬編織網(wǎng)11與總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12之間，芯部總線集成的至少一組線胞2外套封線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套22，總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12的內(nèi)側(cè)表面可以與線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套22的外表面接觸電導(dǎo)通，使得二者形成一體化的屏蔽結(jié)構(gòu)，效果上簡(jiǎn)化了電子線纜。各線胞2之間獨(dú)立屏蔽，芯部總線集成通過(guò)總線屏蔽結(jié)構(gòu)1與線纜外界形成屏蔽，從而形成雙重電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，屏蔽結(jié)構(gòu)在連接器處接地。，整個(gè)電子線纜只使用一根裸導(dǎo)線在連接器處接地即可，無(wú)需每個(gè)線胞2均設(shè)置裸導(dǎo)線，簡(jiǎn)化了電子線纜的結(jié)構(gòu)，降低成本。

如圖15所示，在本發(fā)明第五實(shí)施例提供的電子線纜中，電子線纜包括兩組以上線胞2，其中至少兩組線胞2外設(shè)置由復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套形成的線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套22，所有所述線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套22的外表面接觸電連接并接地。線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套22的具體結(jié)構(gòu)與前述實(shí)施方式相同，此處不再贅述。此處線胞可以為雙線線胞或單線線胞。

需要屏蔽的線胞2均通過(guò)線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套22實(shí)現(xiàn)屏蔽，設(shè)置有線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套22的線胞2之間的外表面，可以通過(guò)外側(cè)裸露的導(dǎo)電屏蔽層121電連接，只要任意一個(gè)線胞2的導(dǎo)電屏蔽層121接地，就可以實(shí)現(xiàn)所有帶屏蔽結(jié)構(gòu)的線胞2接地。在具體處理過(guò)程中，只要使用一根裸導(dǎo)線13即可實(shí)現(xiàn)整體屏蔽結(jié)構(gòu)接地，從而簡(jiǎn)化了電子線纜的結(jié)構(gòu)，方便實(shí)現(xiàn)接地。所有線胞2外若無(wú)需要?jiǎng)t可以不必在整體外側(cè)再設(shè)置總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套，直接在多個(gè)線胞2整體外套封金屬編織網(wǎng)11及絕緣外被9。由于各線胞2均通過(guò)線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套22實(shí)現(xiàn)屏蔽，線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套22的外表面裸露有大面積的基材層122，可以利用激光切割進(jìn)行破斷，從而利于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化處理。

在上述各實(shí)施例中，均通過(guò)在總線內(nèi)部設(shè)置一根接地裸導(dǎo)線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套中導(dǎo)電屏蔽層相連接，裸導(dǎo)線連接至連接器實(shí)現(xiàn)接地，當(dāng)然在其他實(shí)施方式中，也可以不設(shè)置裸導(dǎo)線，由于電子線纜內(nèi)部的復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套外側(cè)均裸露有導(dǎo)電屏蔽層，利用導(dǎo)電屏蔽層可以與金屬編制網(wǎng)導(dǎo)電連接，在電子線纜的接駁端，將金屬編制網(wǎng)與連接器電連接，即可實(shí)現(xiàn)復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的接地，此時(shí)則無(wú)需設(shè)置裸導(dǎo)線。設(shè)置裸導(dǎo)線的作用是為方便電子線纜與連接器之間接地連接，保證接地的可靠性，在上述實(shí)施例中，優(yōu)選地，裸導(dǎo)線貫穿電子線纜的整體長(zhǎng)度，裸導(dǎo)線的兩端分別與兩連接器電連接，利用裸導(dǎo)線的整體長(zhǎng)度，可以在電子線纜內(nèi)部與復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套實(shí)現(xiàn)整體長(zhǎng)度上多點(diǎn)電連接，從而保證接地的可靠性。在制備形成電子線纜的時(shí)候，可以無(wú)需在電子線纜內(nèi)部設(shè)置裸導(dǎo)線，在與連接器進(jìn)行連接時(shí)，可以僅在電子線纜的接駁端處插入一小段裸導(dǎo)線，使其與復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套電連接，裸導(dǎo)線與連接器接地連接，同樣可以使得電子線纜接地。

在上述第一至第四電子線纜的實(shí)施例中，總線屏蔽結(jié)構(gòu)位于線纜的絕緣外被和芯部總線集成之間，在第一、第二實(shí)施例中，沿線纜截面的徑向從外向內(nèi)依次有金屬編織網(wǎng)、總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套、接地裸導(dǎo)線三個(gè)層次，金屬編織網(wǎng)、總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套、接地裸導(dǎo)線三個(gè)層次在線纜截面徑向上電接觸導(dǎo)通，在整個(gè)線纜長(zhǎng)度上，位于中間的搭接繞包的總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套和金屬編織網(wǎng)之間、以及總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套和內(nèi)側(cè)的接地裸導(dǎo)線之間處于規(guī)則間隔的多點(diǎn)電接觸導(dǎo)通狀態(tài)。

在實(shí)際應(yīng)用中，總線屏蔽結(jié)構(gòu)可能存在變換了的實(shí)施例，比如改變配置順序，例如第三、第四實(shí)施例中的電子線纜，形成沿線纜截面的徑向從外向內(nèi)依次有金屬編織網(wǎng)、接地裸導(dǎo)線、總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套三個(gè)層次構(gòu)成總線屏蔽結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)同樣可以實(shí)現(xiàn)規(guī)則間隔的多點(diǎn)電接觸導(dǎo)通狀態(tài)。

作為技術(shù)方案闡述的個(gè)例，以上各實(shí)施例解析說(shuō)明借以鋁麥拉復(fù)合膜作為復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶一種最具體的實(shí)施方式，是最佳商品化的電磁屏蔽膜材料，所述的鋁麥拉復(fù)合膜可以等效采用通過(guò)變形或修飾構(gòu)造出的其它的【金屬|(zhì)塑料】復(fù)合膜層。

本發(fā)明所述的鋁麥拉復(fù)合膜作為復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶一種最具體的實(shí)施方式，是一種鋁膜（或鋁箔）和麥拉膜復(fù)合疊置在一起并結(jié)合成一體的復(fù)合膜?？梢允卿X箔和麥拉熱壓復(fù)合結(jié)構(gòu)、或者在塑料膜上沉積金屬層結(jié)構(gòu)，或其它不同工藝制造出來(lái)的具有不同鋁膜厚度或麥拉膜厚度的復(fù)合膜。

本發(fā)明所指總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套是復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套應(yīng)用到電子線纜總線整體屏蔽時(shí)的具體化名稱(chēng)，所指線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套是復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套應(yīng)用到線胞屏蔽時(shí)的具體結(jié)構(gòu)，復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套為前述任一種復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶繞包形成。

本發(fā)明所述電子線纜的成型組裝方案是：先成型線纜內(nèi)部信道線胞（帶屏蔽單線線胞、或者帶屏蔽雙線線胞，或者獨(dú)立屏蔽三線線胞，然后將多組線胞2束形成芯部總線集成，同時(shí)放置接地裸導(dǎo)線，然后搭接繞包復(fù)構(gòu)屏蔽膜帶形成復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套，然后編織金屬屏蔽網(wǎng)，然后在最外側(cè)注塑線纜絕緣外被9。

進(jìn)一步地，結(jié)合本發(fā)明的目的，提出在制造數(shù)據(jù)連接線時(shí)本發(fā)明所述電子線纜（適用于前述實(shí)施例中的電子線纜）的接駁端屏蔽結(jié)構(gòu)的預(yù)處理方法，主要包括金屬編織網(wǎng)11的處理、總線屏蔽結(jié)構(gòu)1中總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12的處理、以及信道線胞的線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套22處理三個(gè)部分，這種處理方法可以實(shí)現(xiàn)處理過(guò)程的完全自動(dòng)化。以下對(duì)本發(fā)明的電子線纜屏蔽結(jié)構(gòu)的預(yù)處理方法進(jìn)行詳細(xì)描述。

本發(fā)明實(shí)施例提供的電子線纜屏蔽結(jié)構(gòu)的預(yù)處理方法，主要包括以下步驟。

步驟S10，去除接駁端的部分金屬編織網(wǎng)11，露出總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12。該步驟為對(duì)金屬編織網(wǎng)11的處理，以方便對(duì)總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12進(jìn)行破斷處理。

為了能夠有效去除接駁端的部分金屬編織網(wǎng)11，該步驟具體包括如下子步驟。

步驟S11，如圖16所示，在接駁端的預(yù)設(shè)位置環(huán)切絕緣外被9，形成外被破斷口90及待去除的外被冗余段91。

步驟S12，如圖17所示，將外被冗余段91沿電子線纜軸線向線尾挪移，且挪移后所述外被冗余段91未脫落，以利用外被冗余段91對(duì)金屬編織網(wǎng)11形成束縛，避免金屬編織網(wǎng)11的散亂。

步驟S13，如圖18所示，徑向夾持外被冗余段91并擠壓夾緊內(nèi)側(cè)的金屬編織網(wǎng)11，將外壁冗余段攜帶金屬編織網(wǎng)11反方向再回移，使金屬編織網(wǎng)11在軸向失穩(wěn)屈曲變形向徑向隆起成一個(gè)紡錘體輪廓。外被冗余段91向線尾挪移后使外被破斷口的長(zhǎng)度變大，再次回移后外被破斷口縮小。于是金屬編織網(wǎng)11和光滑的總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12之間完全可以沿線纜軸線相對(duì)滑移，又由于金屬編織網(wǎng)11編織約束狀態(tài)特有的可軸線壓縮變形特性，于是金屬編織網(wǎng)11就會(huì)在軸向失穩(wěn)屈曲變形向徑向隆起成一個(gè)紡錘體輪廓，但內(nèi)部的總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12由于繞包在芯部總線上卻不會(huì)隆起，此時(shí)，在紡錘體輪廓位置，金屬編織網(wǎng)11就和內(nèi)部的總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12分離；其中外被冗余段91兩次移動(dòng)距離的差值大小，決定了紡錘體隆起的高度。這種狀態(tài)下，無(wú)論采用激光熱刀還是機(jī)械方式的冷刀切割分?jǐn)嘟饘倬幙椌W(wǎng)11都變成了可能。

步驟S14，如圖19所示，在隆起的紡錘體輪廓位置，將金屬編織網(wǎng)11環(huán)向切斷，形成金屬編織網(wǎng)分?jǐn)嗲锌?10及待去除的冗余金屬編織網(wǎng)111。此處，可以采用激光切割或者刀片機(jī)械剪切。

步驟S15，徑向夾持外被冗余段91，將外被冗余段91攜帶內(nèi)部的冗余金屬編織網(wǎng)111一起沿電子線纜軸線向線尾挪移并拔出；外被冗余段91和冗余金屬編織網(wǎng)111從電子線纜上脫落，可以拋棄不要，如圖20所示。

步驟S16，如圖21將紡錘體輪廓位置剩余的金屬編織網(wǎng)11外翻到絕緣外被9的切口外側(cè)；以避免金屬編織網(wǎng)11對(duì)后續(xù)的加工造成影響。

步驟S17，如圖22所示，將外翻的金屬編織網(wǎng)11包扎固定，以防止金屬編織網(wǎng)11的散開(kāi)。此處，可以通過(guò)銅箔帶5或者束緊帶或者其他物品將外翻的金屬編織網(wǎng)11包扎固定。

通過(guò)以上步驟，完成對(duì)金屬編織網(wǎng)11的處理。以下接續(xù)對(duì)電子線纜的總線金屬屏蔽套進(jìn)行處理。

步驟S20，如圖23所示，通過(guò)復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的斷裂方法，將裸露的總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12斷裂，并去除冗余的總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12。此處，復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的斷裂方法依次包括以下步驟。

步驟S21，通過(guò)激光破斷總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12的外側(cè)表面裸露的基材層122形成環(huán)形的破斷口。由于本發(fā)明提供的總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12的外側(cè)表面裸露有較大面積的基材層122，該基材層122可以通過(guò)激光進(jìn)行破裂。

步驟S22，通過(guò)將所述破斷口處兩側(cè)相對(duì)移動(dòng)使所述破斷口處的所述總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12的導(dǎo)電屏蔽層斷裂。通過(guò)該步驟，可以將導(dǎo)電屏蔽層斷裂，從而使得整個(gè)總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12破裂。破裂后可以將冗余的總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12去除。

在該步驟中，可以通過(guò)旋轉(zhuǎn)搖擺使得所述破斷口處兩側(cè)相對(duì)移動(dòng)。通過(guò)使冗余部分的總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12旋轉(zhuǎn)同時(shí)搖擺，可以快速使得破裂口處的導(dǎo)電屏蔽層斷裂。當(dāng)然，在其他實(shí)施方式中，可以僅通過(guò)旋轉(zhuǎn)、或者僅通過(guò)搖擺使得導(dǎo)電屏蔽層斷裂，還可以通過(guò)拉拽方式使得導(dǎo)電屏蔽層斷裂。

脫除冗余的總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12后，可以露出芯部總線集成，其中有數(shù)組帶屏蔽的芯部信道線胞2，此處線胞2有三種不同的形態(tài)，三線線胞、雙線線胞、及單線線胞。以下接續(xù)是對(duì)芯部總線集成中的線胞2的屏蔽結(jié)構(gòu)進(jìn)行處理。

如線胞2上的屏蔽結(jié)構(gòu)采用前述的復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套，即前述第三、第四實(shí)施例中電子線纜的結(jié)構(gòu)，線胞2外套封有線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套22。則還需要進(jìn)行以下步驟。

S30，如圖24所示，通過(guò)復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的斷裂方法，將各線胞2的線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套22斷裂，并去除冗余的線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套22。線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套22與總線復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套12均是復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套的不用應(yīng)用，其結(jié)構(gòu)相同，故二者所采用的斷裂方式相同。其具體包括以下步驟。

步驟S21，通過(guò)激光破斷線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套22的外側(cè)表面裸露的基材層122形成環(huán)形的破斷口。由于本發(fā)明提供的線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套22的外側(cè)表面裸露有基材層122，該基材層122可以通過(guò)激光進(jìn)行破裂。

步驟S22，通過(guò)將所述破斷口處兩側(cè)相對(duì)移動(dòng)使所述破斷口處的所述線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套22的導(dǎo)電屏蔽層121斷裂。通過(guò)該步驟，可以將導(dǎo)電屏蔽層121斷裂，從而使得整個(gè)線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套22破裂。破裂后可以將冗余的線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套22去除。

在該步驟中，可以通過(guò)旋轉(zhuǎn)搖擺使得所述破斷口處兩側(cè)相對(duì)移動(dòng)。通過(guò)使冗余部分的線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套22旋轉(zhuǎn)同時(shí)搖擺，可以快速使得破裂口處的導(dǎo)電屏蔽層121斷裂。當(dāng)然，在其他實(shí)施方式中，可以僅通過(guò)旋轉(zhuǎn)、或者僅通過(guò)搖擺使得導(dǎo)電屏蔽層121斷裂，還可以通過(guò)拉拽方式使得導(dǎo)電屏蔽層121斷裂。

此處，如線胞2外的屏蔽結(jié)構(gòu)采用現(xiàn)有技術(shù)的鋁麥拉復(fù)合膜，其搭接繞包后麥拉位于繞包的外側(cè)面，則同樣可以采用本實(shí)施例中的方法進(jìn)行去除。

線胞復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套22破斷去除后，全部的線纜屏蔽材料整理和去除完畢。

通常，金屬編織網(wǎng)11采用刀片機(jī)械切斷或者采用YAG激光切斷，而總線和芯線中的鋁麥拉復(fù)合膜形成的復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套采用二氧化碳激光切割。正因?yàn)樵诰€纜中，無(wú)論總線屏蔽還是整體屏蔽中，配置的復(fù)構(gòu)屏蔽膜封套具有外部麥拉膜面即基材層122，所以，使得采用激光破斷成為可能。

在此指出，盡管上述方法適用于本發(fā)明的線纜的端部屏蔽處理，但是，對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的電子線纜同樣適用。所以，本發(fā)明涉及的線纜屏蔽處理方法是通用的方法。

本發(fā)明通過(guò)改變線纜的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)包括總線屏蔽結(jié)構(gòu)1或整體屏蔽結(jié)構(gòu)的線纜，實(shí)現(xiàn)了能夠滿足數(shù)據(jù)連接線總線屏蔽結(jié)構(gòu)1制造過(guò)程線纜處理的自動(dòng)化。大大提高了制造過(guò)程的自動(dòng)化水平和制造質(zhì)量。

以上的實(shí)施方式，并不構(gòu)成對(duì)該技術(shù)方案保護(hù)范圍的限定。任何在上述實(shí)施方式的精神和原則之內(nèi)所作的修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在該技術(shù)方案的保護(hù)范圍之內(nèi)。