本發(fā)明涉及芯片封裝技術領域,特別涉及一種扇出型封裝結構的制作方法。
背景技術:
近年來,晶圓級封裝結構(WLP,Wafer Level Package)憑借其較小封裝尺寸與較佳電性表現(xiàn)的優(yōu)勢,廣泛應用于低腳數(shù)的芯片封裝中。傳統(tǒng)的晶圓級封裝結構大多采用扇入型封裝,然而隨著芯片信號輸出接腳數(shù)目的增加,對球距要求趨于嚴格,扇入型封裝難以滿足需求,因此變化衍生出了扇出型封裝。扇出型封裝結構,需要在封裝基板上制作出基板壩體,利用基板壩體與基板阻焊的高度差控制芯片的堆疊數(shù)量?,F(xiàn)有的基板壩體制作過程采用干膜阻焊,缺點是基板壩體容易脫落,制作成本高。
技術實現(xiàn)要素:
基于此,本發(fā)明在于克服現(xiàn)有技術的缺陷,提供一種扇出型封裝結構的制作方法,減小基板壩體脫落的可能性,同時降低制作成本。
其技術方案如下:
一種扇出型封裝結構的制作方法,包括以下步驟:
提供封裝基板,使用液態(tài)油墨在封裝基板上進行印刷,形成基板阻焊層;
對基板阻焊層進行第一次曝光,曝光區(qū)域包括基板阻焊的設計位置區(qū)域和基板壩體的設計位置區(qū)域;
使用液態(tài)油墨在基板阻焊層上進行印刷,形成壩體阻焊層;
對壩體阻焊層進行第二次曝光,曝光區(qū)域包括基板壩體的設計位置區(qū)域;
對封裝基板進行顯影處理和固化處理,得到基板阻焊和基板壩體;
利用基板壩體貼裝芯片。
具體地,基板阻焊層通過絲網(wǎng)印刷形成,壩體阻焊層通過輥涂印刷形成。
優(yōu)選地,所述絲網(wǎng)印刷采用的絲網(wǎng)目數(shù)為100-200,所述輥涂印刷采用的滾輪目數(shù)為250-650。
進一步地,使用液態(tài)油墨在封裝基板上進行印刷,形成基板阻焊層后,先對封裝基板進行第一次預烘,再對基板阻焊層進行第一次曝光。
進一步地,使用液態(tài)油墨在封裝基板上進行印刷,形成壩體阻焊層后,先對封裝基板進行第二次預烘,再對基板阻焊層進行第二次曝光。
具體地,所述固化處理包括依次進行的加熱固化和UV固化。
優(yōu)選地,所述第一次曝光采用UV曝光機進行曝光。
優(yōu)選地,所述第二次曝光采用UV曝光機進行曝光。
優(yōu)選地,第一次曝光的能量為200-300兆焦耳/平方厘米,第二次曝光的能量為200-300兆焦耳/平方厘米。
下面對前述技術方案的優(yōu)點或原理進行說明:
上述扇出型封裝結構的制作方法,先對封裝基板的基板阻焊層進行第一次曝光,曝光區(qū)域包括基板壩體的設計位置區(qū)域,為基板壩體提供支撐基礎。然后對基板阻焊層上的壩體阻焊層進行第二次曝光,經(jīng)顯影處理和固化處理得到基板阻焊和基板壩體,最后利用基板壩體實現(xiàn)芯片貼裝。相對于現(xiàn)有技術采用干膜阻焊制作基板壩體,本發(fā)明采用液態(tài)油墨印刷基板阻焊層和壩體阻焊層,并通過一次顯影處理和固化處理即可同時得到基板阻焊和基板壩體,基板壩體不易脫落,制作成本低,制作效率高。
附圖說明
圖1為本發(fā)明實施例所述的扇出型封裝結構的制作方法的流程圖;
圖2為本發(fā)明實施例封裝基板的結構示意圖;
圖3為本發(fā)明實施例對封裝基板進行絲網(wǎng)印刷后的示意圖;
圖4為本發(fā)明實施例對封裝基板上的基板阻焊層進行第一次曝光后的示意圖;
圖5為本發(fā)明實施例對封裝基板進行輥涂印刷后的示意圖;
圖6為本發(fā)明實施例對封裝基板上的壩體阻焊層進行第二次曝光后的示意圖;
圖7為本發(fā)明實施例對封裝基板進行顯影處理和固化處理后的示意圖。
附圖標記說明:
1、封裝基板,2、基板阻焊層,3、壩體阻焊層,4、基板阻焊,5、基板壩體。
具體實施方式
下面對本發(fā)明的實施例進行詳細說明:
參照圖1所示,本實施例所述的扇出型封裝結構的制作方法,包括以下步驟:
S10:參照圖2-3所示,提供封裝基板1,使用液態(tài)油墨在封裝基板1上進行印刷,形成基板阻焊層2;
基板阻焊層2通過絲網(wǎng)印刷形成,封裝基板1上的孔會被液態(tài)油墨封堵。優(yōu)選地,所述絲網(wǎng)印刷采用的絲網(wǎng)目數(shù)為100-200,圖像邊緣較光滑,精度較高。
S20:對封裝基板1進行第一次預烘;
促進液態(tài)油墨中的溶劑揮發(fā),達到干燥的目的。
S30:參照圖4所示,對基板阻焊層2進行第一次曝光,曝光區(qū)域包括基板阻焊4的設計位置區(qū)域和基板壩體5的設計位置區(qū)域;
在為封裝基板1制作基板阻焊4的同時,也為基板壩體5提供支撐基礎。需要說明的是,基板壩體5可以以基板阻焊4為支撐基礎,也可以另外設置阻焊為基板壩體5提供支撐基礎。在本實施例中,基板壩體5以基板阻焊4為支撐基礎。
優(yōu)選地,第一次曝光采用UV曝光機進行曝光,能耗低,節(jié)省生產成本。第一次曝光的能量為200-300兆焦耳/平方厘米,得到的阻焊質量好。
S40:參照圖5所示,使用液態(tài)油墨在基板阻焊層2上進行印刷,形成壩體阻焊層3;
壩體阻焊層3通過輥涂印刷形成,平整度好。優(yōu)選地,所述輥涂印刷采用的滾輪目數(shù)為250-650,可根據(jù)所需基板壩體5的高度進行選擇。
S50:對封裝基板1進行第二次預烘;
促進液態(tài)油墨中的溶劑揮發(fā),達到干燥的目的。
S60:參照圖6所示,對壩體阻焊層3進行第二次曝光,曝光區(qū)域包括基板壩體5的設計位置區(qū)域;
第二次曝光實現(xiàn)基板壩體5的制作。
優(yōu)選地,第二次曝光采用UV曝光機進行曝光,能耗低,節(jié)省生產成本。第二次曝光的能量為200-300兆焦耳/平方厘米,得到的阻焊質量好。
S70:參照圖7所示,對封裝基板1進行顯影處理和固化處理,得到基板阻焊4和基板壩體5;
具體地,所述固化處理包括依次進行的加熱固化和UV固化,縮短固化時間,固化效果好。
S80:利用基板壩體5貼裝芯片。
上述扇出型封裝結構的制作方法,先對封裝基板1的基板阻焊層2進行第一次曝光,曝光區(qū)域包括基板壩體5的設計位置區(qū)域,為基板壩體5提供支撐基礎。然后對基板阻焊層2上的壩體阻焊層3進行第二次曝光,經(jīng)顯影處理和固化處理得到基板阻焊4和基板壩體5,最后利用基板壩體5實現(xiàn)芯片貼裝。相對于現(xiàn)有技術采用干膜阻焊制作基板壩體5,本實施例采用液態(tài)油墨印刷基板阻焊層2和壩體阻焊層3,并通過一次顯影處理和固化處理即可同時得到基板阻焊4和基板壩體5,基板壩體5不易脫落,制作成本低,制作效率高。
以上所述實施例的各技術特征可以進行任意的組合,為使描述簡潔,未對上述實施例中的各個技術特征所有可能的組合都進行描述,然而,只要這些技術特征的組合不存在矛盾,都應當認為是本說明書記載的范圍。
以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式,其描述較為具體和詳細,但并不能因此而理解為對發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是,對于本領域的普通技術人員來說,在不脫離本發(fā)明構思的前提下,還可以做出若干變形和改進,這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此,本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。