技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
揭露鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件及其形成方法。一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件包括具有至少一個(gè)鰭片的襯底、第一柵堆疊以及第二柵堆疊、第一應(yīng)變層以及第二應(yīng)變層、遮蔽層、第一連接件以及第二連接件。第一柵堆疊以及第二柵堆疊橫跨至少一個(gè)鰭片。第一應(yīng)變層以及第二應(yīng)變層分別在第一柵堆疊以及第二柵堆疊側(cè)邊。遮蔽層在第二柵堆疊上方以及在第一柵堆疊的頂表面及側(cè)壁上方，且在第一柵堆疊的頂角周圍不連續(xù)。第一連接件通過遮蔽層且電連接到第一應(yīng)變層。第二連接件通過遮蔽層且電連接到第二應(yīng)變層。此外，第二連接件的寬度大于第一連接件的寬度。

技術(shù)研發(fā)人員：張哲誠(chéng);林志翰;曾鴻輝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.06
技術(shù)公布日：2017.08.11