1.一種半導體光放大器，特別涉及一種具有拋物線形曲面波導結(jié)構(gòu)的GaAs基半導體光放大器，包括N型GaAs襯底、N型AlxGa1-xAs緩沖層、N型AlGaAsSb下限制層、N型AlxGa1-xAs下波導層、InxGa1-xAs量子阱有源區(qū)、P型AlxGa1-xAs上波導層、P型AlGaAsSb上限制層，其特征在于，該光放大器為GaAs基半導體光放大器，該光放大器的P型波導層為具有拋物線形曲面的波導結(jié)構(gòu)，可提高半導體光放大器的模式體積，使半導體光放大器具有更高的增益，同時該拋物線形曲面波導結(jié)構(gòu)有利于壓縮半導體光放大器的發(fā)散角，實現(xiàn)高光輸出功率、提高與光纖耦合的效率。
2.如權(quán)利要求1所述的半導體光放大器，其特征在于，半導體光放大器材料體系為GaAs基材料，限制層為AlGaAsSb材料，波導層為AlxGa1-xAs材料，量子阱有源區(qū)為InxGa1-xAs材料。
3.如權(quán)利要求1所述的半導體光放大器，其特征在于，InxGa1-xAs量子阱有源區(qū)位于AlxGa1-xAs上下波導層之間，N-AlxGa1-xAs下波導層位于N型AlGaAsSb下限制層上，下限制層位于N型GaAs襯底上，P-AlxGa1-xAs上波導層位于InxGa1-xAs量子阱有源區(qū)之上，P型上限制層位于上波導層上，量子阱有源區(qū)用于對信號光的放大。
4.如權(quán)利要求1所述的半導體光放大器，其特征在于，所述半導體光放大器上波導層采用拋物線形曲面結(jié)構(gòu)，用來增加半導體光放大器的模式體積，壓縮發(fā)散角，實現(xiàn)高光增益和高光輸出功率并可提高與光纖耦合的效率。
5.如權(quán)利要求1所述的拋物線形曲面波導結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述拋物線形曲面波導結(jié)構(gòu)，通過電子束曝光或紫外光刻，然后采用干法刻蝕與濕法刻蝕相結(jié)合的工藝將上限制層、上波導層和有源區(qū)進行刻蝕，刻蝕深度到達下波導層上，獲得具有拋物線形曲面波導結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求5所述的干法刻蝕與濕法刻蝕相結(jié)合的工藝，其特征在于，采用電感耦合等離子體刻蝕（ICP）或反應(yīng)離子刻蝕（RIE）與濕法酸刻蝕相結(jié)合，提高刻蝕所要結(jié)構(gòu)的精確度，實現(xiàn)對刻蝕深度及刻蝕速率的有效控制。