1.一種近紅外響應(yīng)的硅基雪崩光電探測器，其特征在于：所述近紅外響應(yīng)的硅基雪崩光電探測器由襯底層（1）、光敏區(qū)（2）、雪崩區(qū)（3）、保護(hù)環(huán)（4）、截止環(huán)（5）、增透膜（6）、陽極接觸層（7）、反射鏡層（8）和陰極電極（9）組成；
所述光敏區(qū)（2）形成在襯底層（1）上端面的表層中；所述雪崩區(qū)（3）形成在襯底層（1）內(nèi)光敏區(qū)（2）的下側(cè)；所述保護(hù)環(huán)（4）形成在襯底層（1）內(nèi)光敏區(qū)（2）的外圍，所述截止環(huán)（5）形成在襯底層（1）內(nèi)保護(hù)環(huán)（4）的外圍；所述增透膜（6）設(shè)置在襯底層（1）的上表面上；
所述襯底層（1）的下端面為微納結(jié)構(gòu)，所述微納結(jié)構(gòu)由如下方式形成：先在SF6和O2氛圍下對襯底層（1）的下端面進(jìn)行等離子刻蝕，然后用氫氟酸、硝酸和醋酸的混合溶液對襯底層（1）的下端面進(jìn)行腐蝕，從而獲得微納結(jié)構(gòu)；
所述陽極接觸層（7）形成在襯底層（1）下端面的表層中，陽極接觸層（7）的形貌與所述微納結(jié)構(gòu)匹配；
所述反射鏡層（8）設(shè)置在襯底層（1）的下表面上，所述反射鏡層（8）的形貌與所述微納結(jié)構(gòu)匹配；所述反射鏡層（8）的材料采用鋁、銀或金；
所述增透膜（6）上設(shè)置有電極孔，電極孔的位置與保護(hù)環(huán)（4）匹配，陰極電極（9）設(shè)置在電極孔內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的近紅外響應(yīng)的硅基雪崩光電探測器，其特征在于：所述SF6和O2的比例為4~10：1，等離子刻蝕時的直流偏壓為30~100V，等離子刻蝕時，襯底層（1）被減去的厚度為100~300nm；所述混合溶液中，氫氟酸、硝酸和醋酸按1~3:10:8~12的比例混合，襯底層（1）下端面在所述混合溶液中的浸泡時間為10~30分鐘。
3.一種近紅外響應(yīng)的硅基雪崩光電探測器的制作方法，所述近紅外響應(yīng)的硅基雪崩光電探測器由襯底層（1）、光敏區(qū)（2）、雪崩區(qū)（3）、保護(hù)環(huán)（4）、截止環(huán)（5）、增透膜（6）、陽極接觸層（7）、反射鏡層（8）和陰極電極（9）組成；
所述光敏區(qū)（2）形成在襯底層（1）上端面的表層中；所述雪崩區(qū)（3）形成在襯底層（1）內(nèi)光敏區(qū)（2）的下側(cè)；所述保護(hù)環(huán)（4）形成在襯底層（1）內(nèi)光敏區(qū)（2）的外圍，所述截止環(huán)（5）形成在襯底層（1）內(nèi)保護(hù)環(huán)（4）的外圍；所述增透膜（6）設(shè)置在襯底層（1）的上表面上；
所述襯底層（1）的下端面為微納結(jié)構(gòu)，所述微納結(jié)構(gòu)由如下方式形成：先在SF6和O2氛圍下對襯底層（1）的下端面進(jìn)行等離子刻蝕，然后用氫氟酸、硝酸和醋酸的混合溶液對襯底層（1）的下端面進(jìn)行腐蝕，從而獲得微納結(jié)構(gòu)；
所述陽極接觸層（7）形成在襯底層（1）下端面的表層中，陽極接觸層（7）的形貌與所述微納結(jié)構(gòu)匹配；
所述反射鏡層（8）設(shè)置在襯底層（1）的下表面上，所述反射鏡層（8）的形貌與所述微納結(jié)構(gòu)匹配；
所述增透膜（6）上設(shè)置有電極孔，電極孔的位置與保護(hù)環(huán)（4）匹配，陰極電極（9）設(shè)置在電極孔內(nèi)；
其特征在于：所述制作方法包括：
1）提供襯底層（1）；
2）采用離子注入工藝在襯底層（1）上形成截止環(huán)（5）；
3）采用離子注入工藝和高溫推結(jié)工藝在襯底層（1）上形成保護(hù)環(huán)（4）；
4）采用離子注入工藝在襯底層（1）上形成雪崩區(qū)（3）；
5）采用離子注入工藝在襯底層（1）上形成光敏區(qū)（2）；
6）在襯底層（1）上淀積增透膜（6）；
7）在增透膜（6）上刻蝕出電極孔，然后制作出陰極電極（9）；
8）對襯底層（1）下端面進(jìn)行減薄處理，減薄后，襯底層（1）厚度為130μm～300μm；
9）采用等離子刻蝕工藝，在SF6和O2氛圍下對襯底層（1）下端面進(jìn)行刻蝕；
10）將襯底層（1）下端浸泡在所述混合溶液中，待微納結(jié)構(gòu)成形后，將襯底層（1）取出并清洗干凈；
11）采用離子注入工藝在襯底層（1）上形成陽極接觸層（7）；
12）在襯底層（1）上淀積反射鏡層（8），所述反射鏡層（8）的材料采用鋁、銀或金，近紅外響應(yīng)的硅基雪崩光電探測器制作完成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的近紅外響應(yīng)的硅基雪崩光電探測器的制作方法，其特征在于：所述SF6和O2的比例為4~10：1，等離子刻蝕時的直流偏壓為30~100V，等離子刻蝕時，襯底層（1）被減去的厚度為100~300nm；所述混合溶液中，氫氟酸、硝酸和醋酸按1~3:10:8~12的比例混合，襯底層（1）下端面在混合溶液中的浸泡時間為10~30分鐘。