1.一種適用于印刷工藝制備顯示器的像素Bank結構，包括基板、圖案化像素電極和像素Bank層，其特征在于，所述像素Bank層包括設置在所述基板上的第一像素Bank和設置在所述第一像素Bank上表面的第二像素Bank，其中，所述第一像素Bank為上窄下寬的Bank結構，且所述第一像素Bank由親液性材料制成；所述第二像素Bank包括一對相互抵靠的導墨斜坡，所述導墨斜坡的高度沿著所述相互抵靠的導墨斜坡相互靠近的方向漸增設置，且所述第二像素Bank由疏液性材料制成。
2.如權利要求1所述的適用于印刷工藝制備顯示器的像素Bank結構，其特征在于，所述導墨斜坡的斜坡面為平面或外側凸設的弧面。
3.如權利要求2所述的適用于印刷工藝制備顯示器的像素Bank結構，其特征在于，所述斜坡面為平面時，所述平面延伸與所述基板相交形成的夾角為20-45°；或所述斜坡面為弧面時，所述斜坡面與所述第一像素Bank的交點的切線延伸，與所述基板相交形成的夾角為20-45°。
4.如權利要求1-3任一所述的適用于印刷工藝制備顯示器的像素Bank結構，其特征在于，所述第一像素Bank的上表面平坦，所述第二像素Bank為縱向切面呈三角形或弓形的Bank結構。
5.如權利要求1-3任一所述的適用于印刷工藝制備顯示器的像素Bank結構，其特征在于，所述第二像素Bank的最高點高度為0.5-1.0μm。
6.如權利要求5所述的適用于印刷工藝制備顯示器的像素Bank結構，其特征在于，所述相互抵靠的導墨斜坡以所述第一像素Bank的中線為對稱軸對稱設置。
7.如權利要求1-3任一所述的適用于印刷工藝制備顯示器的像素Bank結構，其特征在于，所述第一像素Bank的厚度為0.2-0.6μm。
8.一種適用于印刷工藝制備顯示器的像素Bank結構的制備方法，包括以下步驟：
提供一基板，在所述基板上制備圖案化像素電極；
在所述基板上沉積親液性Bank膜層，在所述親液性Bank膜層上沉積疏液性Bank膜層；
對所述親液性Bank膜層、疏液性Bank膜層進行曝光顯影處理，得到上窄下寬的第一像素Bank和中間高度最高、向兩側方向高度逐漸變小的所述第二像素Bank。
9.如權利要求8所述的適用于印刷工藝制備顯示器的像素Bank結構的制備方法，其特征在于，所述曝光顯影處理的方法為：
當所述親液性Bank膜層、疏液性Bank膜層為正性光阻膜層時，像素發(fā)光區(qū)域全曝光處理，像素Bank區(qū)域的曝光量從一個像素發(fā)光區(qū)域到另一個相鄰像素發(fā)光區(qū)域的中間區(qū)逐漸減小，然后顯影；
當所述親液性Bank膜層、疏液性Bank膜層為負性光阻膜層時，采用半曝光處理，像素發(fā)光區(qū)域不曝光，像素Bank區(qū)域的曝光量從一個像素發(fā)光區(qū)域到另一個相鄰像素發(fā)光區(qū)域的中間區(qū)逐漸增大，然后顯影。