技術(shù)特征：

1.一種單行載流子光電探測器，其特征在于，包括襯底、外延層和電極，所述外延層包括吸收層，該吸收層采用In_1-x-yGa_xAl_yAs材料生長，其中0<y<1，0<1-x-y<1，組分參數(shù)x、y呈線性或梯度變化，使得吸收層內(nèi)的禁帶寬度實現(xiàn)線性或梯度變化。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單行載流子光電探測器，其特征在于：所述組分參數(shù)x、y的選取使得In_1-x-yGa_xAl_yAs材料的晶格常數(shù)與InP匹配，同時，其禁帶寬度不大于波長為1.3μm的激光的光子能量。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單行載流子光電探測器，其特征在于：所述吸收層In_1-x-yGa_xAl_yAs材料的帶隙滿足：0.74eV<E_g(In_1-x-yGa_xAl_yAs)<0.94eV。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單行載流子光電探測器，其特征在于：所述吸收層包括依次層疊的In_0.53Ga_0.44Al_0.03As、In_0.53Ga_0.40Al_0.07As和In_0.53Ga_0.35Al_0.12As吸收層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單行載流子光電探測器，其特征在于：所述電極包括形成于外延層表面的正面電極，該正面電極采用二硫化鉬薄膜/金屬。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單行載流子光電探測器，其特征在于：所述外延層包括依次形成于所述襯底和吸收層之間的緩沖層、次收集層、第一接觸層、雙集結(jié)層、崖層和傳導(dǎo)層，所述外延層還包括依次形成于吸收層上的阻擋層和第二接觸層。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的單行載流子光電探測器，其特征在于：所述傳導(dǎo)層InGaAs/InP偶極子異質(zhì)結(jié)。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的單行載流子光電探測器，其特征在于：所述雙集結(jié)層包括依次層疊的InP收集層、P型InP崖層和InP收集層。

9.權(quán)利要求1至8任一所述單行載流子光電探測器的制作方法，其特征在于，包括：

(1)在襯底上生長外延層；

(2)在外延層表面形成MoS₂薄膜作為正面電極；

(3)蝕刻分別形成p型和n型電極臺面

(4)利用等離子體增強化學(xué)氣相沉積法沉積鈍化層；

(5)沉積電極材料，并用剝離技術(shù)剝離多余的電極形成p型電極和n型電極；

(6)利用光刻技術(shù)和暴露出單行載流子光電探測器單元的增透膜的圖形；然后利用等離子體增強化學(xué)氣相沉積法沉積增透膜層；

(7)蝕刻出單行載流子光電探測器的光敏面。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的單行載流子光電探測器的制作方法，其特征在于：所述步驟(2)中，正面電極的制作方法包括：

s1、采用化學(xué)氣相沉積法，并用SiO₂/Si為生長基體制備二硫化鉬薄膜；

s2、在二硫化鉬薄膜上涂覆轉(zhuǎn)移介質(zhì)；

s3、用去離子水分離轉(zhuǎn)移介質(zhì)/MoS₂薄膜與SiO₂/Si襯底；

s4、將轉(zhuǎn)移介質(zhì)/MoS₂薄膜粘貼到外延層表面；

s5、除去轉(zhuǎn)移介質(zhì)，得到粘貼MoS₂薄膜的單行載流子光電探測器外延層。