本發(fā)明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種發(fā)光二極管及其形成方法。

背景技術：

發(fā)光二極管(Light Emitting Diode，LED)由于具有壽命長、耗能低等優(yōu)點，廣泛應用于各種領域。尤其隨著發(fā)光二極管照明性能指標的大幅度提高，發(fā)光二極管常用于發(fā)光裝置。其中，以氮化鎵(GaN)為代表的III-V族化合物半導體由于具有帶隙寬、發(fā)光功率高、電子飽和漂移速度高、化學性質穩(wěn)定等特點，在高亮度藍光發(fā)光二極管、藍光激光器等光電器件等領域有著巨大的應用潛力，引起了人們的廣泛關注。

氮化鎵(GaN)發(fā)光二級管的基本結構包括P型氮化鎵層和N型氮化鎵層構成的PN結。發(fā)光效率和光波長是發(fā)光二極管的重要性質。為了增加發(fā)光二極管的發(fā)光效率，量子阱結構被引入發(fā)光二極管中，即在P型氮化鎵層和N型氮化鎵層之間形成一層量子阱結構。

量子阱結構是由兩種不同材料薄層相間排列形成的、具有明顯量子限制效應的電子或空穴的量子阱，這兩種不同材料薄層分別為壘層和阱層。量子阱結構能夠有效提高發(fā)光二級管的發(fā)光效率，并可以形成波長可調的二極管。

然而，現(xiàn)有的發(fā)光二級管中量子阱結構中的應力較大，導致發(fā)光二級管抗靜電能力差。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的問題是提供一種發(fā)光二極管及其的形成方法，能夠提高發(fā)光二極管的性能。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管的形成方法，包括：提供襯底；在所述襯底上形成第一電極層；在所述第一電極層上形成量子阱結構；在所述量子阱結構上形成應力釋放層，所述應力釋放層中含有摻雜離子；在所述應力釋放層上形成第二電極層。

可選的，所述摻雜離子為碳離子。

可選的，所述應力釋放層的材料為含有摻雜離子的GaN、含有摻雜離子的GaAs或含有摻雜離子的GaP。

可選的，形成所述應力釋放層的工藝包括：金屬有機化學氣相沉積工藝。

可選的，所述應力釋放層的材料為含有碳離子的GaN；形成所述應力釋放層的反應氣體包括鎵源氣體和氮源氣體，所述鎵源氣體包括三甲基鎵和三乙基鎵中的一種或兩種組合，所述氮源氣體包括氨氣；載氣包括氮氣和氫氣中的一種或兩種組合。

可選的，所述應力釋放層中還含有鎂；所述反應氣體還包括鎂源氣體，所述鎂源氣體包括二茂鎂。

可選的，形成所述應力釋放層的工藝參數(shù)包括：反應溫度為600℃～900℃；三甲基的流量為50sccm～70sccm；二茂鎂的流量為450sccm～550sccm；氨氣的流量為45L/min～55L/min；氮氣的流量為55L/min～75L/min；氫氣的流量為115L/min～125L/min。

可選的，所述應力釋放層的厚度為1nm～2000nm。

可選的，所述第一電極層中具有N型離子，所述第二電極層中具有P型離子，所述應力釋放層中具有P型離子。

可選的，所述P型離子為鎂離子，所述應力釋放層中鎂離子的濃度為1E18atoms/cm³～2E20atoms/cm³。

可選的，所述量子阱結構包括阱層和多層壘層，所述壘層在垂直于所述第一電極層表面的方向上層疊設置，相鄰壘層之間具有所述阱層。

可選的，所述阱層的材料為InGaN；所述壘層的材料為GaN。

可選的，所述阱層的層數(shù)為2層～30層；所述壘層的層數(shù)為3層～31層。

可選的，形成所述壘層與所述阱層的工藝包括金屬有機化學氣相沉積工藝。

可選的，形成所述第二電極層的工藝包括金屬有機化學氣相沉積工藝。

可選的，形成所述第一電極層之前，還包括：在所述襯底上形成成核層；在所述成核層上形成緩沖層。

相應的，本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管，包括：襯底；位于襯底上的第一電極層；位于所述第一電極層上的量子阱結構；位于所述量子阱結構上的應力釋放層，所述應力釋放層中具有摻雜離子；位于所述應力釋放層上的第二電極層。

可選的，所述摻雜離子為碳離子。

可選的，所述應力釋放層的材料為含有摻雜離子的GaN、含有摻雜離子的GaAs或含有摻雜離子的GaP。

可選的，所述第一電極層中具有N型離子，所述第二電極層中具有P型離子，所述應力釋放層中含有P型離子。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的技術方案具有以下優(yōu)點：

本發(fā)明技術方案提供的發(fā)光二極管的形成方法中，形成所述量子阱結構的過程中，由于晶格失配容易在所述量子阱結構中產生應力。形成所述量子阱結構之后，在所述量子阱結構上形成應力釋放層，所述應力釋放層中具有摻雜離子。所述摻雜離子能夠使所述應力釋放層的晶格結構與量子阱結構頂部表面之間的晶格結構差異較大，使應力釋放層與所述量子阱結構產生晶格失配，從而所述量子阱結構晶格不容易受到所述應力釋放層原子的束縛，進而能夠使所述量子阱結構中的應力得以釋放。因此，所述形成方法能夠降低量子阱結構中的應力對所述第二電極層的影響，從而能夠提高所述第二電極層的晶格質量，進而改善所形成發(fā)光二極管的性能。

進一步，所述應力釋放層中具有P型離子，所述P型離子能夠為所述應力釋放層提供空穴，從而降低所述應力釋放層的電阻，從而改善所形成發(fā)光二級管的性能。

本發(fā)明技術方案提供的發(fā)光二極管中，由于所述量子阱結構存在由于晶格失配產生的應力。所述應力釋放層中具有摻雜離子。所述摻雜離子能夠使所述應力釋放層與所述量子阱結構產生晶格失配，從而所述量子阱結構晶格不容易受到所述應力釋放層原子的束縛，進而能夠使所述量子阱結構中的應力得以釋放。因此，所述量子阱結構中的應力對所述第二電極層的影響較小，從而所述第二電極層的晶格質量較好，進而改善發(fā)光二極管的性能。

附圖說明

圖1至圖8是本發(fā)明的發(fā)光二極管的形成方法一實施例各步驟的結構示意圖。

具體實施方式

發(fā)光二極管的形成方法存在諸多問題，例如，所形成的發(fā)光二極管的性能較差。

現(xiàn)結合發(fā)光二極管，分析所述發(fā)光二極管性能較差的原因：

所述發(fā)光二極管的包括：提供襯底；在所述襯底上形成第一電極層；在所述第一電極層上形成多量子阱結構；在所述多量子阱結構上形成第二電極層。

其中，所述量子阱結構包括阱層和多層壘層，所述壘層在垂直于所述第一電極層表面的方向上層疊設置，相鄰壘層之間具有所述阱層。由于所述阱層與壘層的晶格常數(shù)不相同，所述阱層與壘層存在晶格失配，導致所述多量子阱結構中存在較大的應力。形成所述第二電極層之后，所述多量子阱結構中的應力容易傳遞至所述第二電極層中，從而使所述第二電極層的晶格質量較差。具體的，當形成的發(fā)光二級管在受到靜電干擾時，由于所述第二電極層受到應力的影響，使所述第二電極層中的靜電電場分布不均勻，靜電場較大區(qū)域的第二電極層容易受到損傷，從而使所述發(fā)光二極管失效。因此，所形成的發(fā)光二極管的抗靜電能力較差。

為解決所述技術問題，本發(fā)明提供了一種發(fā)光二極管的形成方法，包括：提供襯底；在所述襯底上形成第一電極層；在所述第一電極層上形成量子阱結構；在所述量子阱結構上形成應力釋放層，所述應力釋放層中含有摻雜離子；在所述應力釋放層上形成第二電極層。

其中，形成所述量子阱結構的過程中，由于晶格失配容易在所述量子阱結構中產生應力。形成所述量子阱結構之后，在所述量子阱結構上形成應力釋放層，所述應力釋放層中具有摻雜離子。所述摻雜離子能夠使所述應力釋放層的晶格結構與量子阱結構頂部表面之間的晶格結構差異較大，使應力釋放層與所述量子阱結構產生晶格失配，從而所述量子阱結構晶格不容易受到所述應力釋放層原子的束縛，進而能夠使所述量子阱結構中的應力得以釋放。因此，所述形成方法能夠降低量子阱結構中的應力對所述第二電極層的影響，從而能夠提高所述第二電極層的晶格質量，進而改善所形成發(fā)光二極管的性能。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結合附圖對本發(fā)明的具體實施例做詳細的說明。

圖1至圖8是本發(fā)明發(fā)光二極管的形成方法一實施例各步驟的結構示意圖。

請參考圖1，提供襯底100。

本實施例中，所述襯底100的材料為藍寶石。在其他實施例中，所述襯底100的材料還可以為GaN、硅、氧化鋅或碳化硅。

請參考圖2，在所述襯底100上形成成核層101。

所述成核層101用做后續(xù)形成緩沖層的籽晶。

本實施例中，所述成核層101的材料為GaN。在其他實施例中，所述成核層的材料還可以為GaAs或GaP。

本實施例中，形成所述成核層101的工藝包括：金屬有機化合物氣相沉積工藝。

本實施例中，形成所述成核層101的反應氣體包括：鎵源氣體和氮源氣體。所述鎵源氣體包括三甲基鎵和三乙基鎵中的一種或兩種組合，所述氮源氣體包括氨氣；載氣包括氮氣和氫氣中的一種或兩種組合。

如果形成所述成核層101的溫度過低，容易使形成的成核層101晶格質量較差；如果形成所述成核層101的溫度過高，容易增加成核層101與所述襯底100之間的失配度，從而在所述成核層101中產生較大的應力。具體的，本實施例中，形成所述成核層101的工藝參數(shù)包括：反應溫度為400℃～700℃。

如果所述成核層101的厚度過小，不容易改善后續(xù)形成的緩沖層的晶格質；如果所述成核層101的厚度過大，容易產生材料浪費。具體的，本實施例中，所述成核層101的厚度為1nm～50nm。

請參考圖3，在所述成核層101上形成緩沖層102。

所述緩沖層102用于改善后續(xù)形成的第一電極層與所述成核層101之間的晶格失配，改善后續(xù)形成的第一電極層的晶格質量。

本實施例中，所述緩沖層102的材料為GaN。

本實施例中，形成所述緩沖層102的工藝包括：金屬有機化合物氣相沉積工藝。

本實施例中，形成所述緩沖層102的反應氣體包括：鎵源氣體和氮源氣體。所述鎵源氣體包括三甲基鎵和三乙基鎵中的一種或兩種組合，所述氮源氣體包括氨氣；載氣包括氮氣和氫氣中的一種或兩種組合。

本實施例中，如果形成所述緩沖層102的溫度過低，容易使形成的緩沖層102晶格質量較差；如果形成所述緩沖層102的溫度過高，容易增加緩沖層102與所述成核層101之間的失配度，從而在所述緩沖層102中產生較大的應力。具體的，形成所述緩沖層102的工藝參數(shù)包括：反應溫度為800℃～1200℃。

本實施例中，如果所述緩沖層102的厚度過小，不容易改善后續(xù)形成的第一電極層的晶格質；如果所述緩沖層102的厚度過大，容易產生材料浪費。具體的，所述緩沖層102的厚度為0.5μm～8μm。

請參考圖4，在所述襯底100上形成第一電極層110。

本實施例中，所述第一電極層110用于形成發(fā)光二極管的負極。在其他實施例中，所述第一電極層還可以用于形成發(fā)光二極管的正極。

本實施例中，所述第一電極層110位于所述緩沖層102上。

本實施例中，所述第一電極層110的材料為N型半導體材料。在其他實施例中，所述第一電極層的材料還可以為P型半導體材料。

具體的，所述第一電極層110為含有N型離子的GaN。在其他實施例中，所述第一電極層還可以為含有N型離子的GaAs或GaP。

本實施例中，所述N型離子為硅離子。所述第一電極層110中的硅離子的摻雜濃度為1E17atoms/cm³～3E19atoms/cm³。

本實施例中，形成所述第一電極層110的工藝包括：金屬有機化學氣相沉積工藝。

本實施例中，形成所述第一電極層110的反應氣體包括：鎵源氣體、氮源氣體和硅源氣體，所述鎵源氣體包括三甲基鎵(TMGa)和三乙基鎵(TEGa)中的一種或兩種組合，所述氮源氣體包括氨氣(NH₃)，所述硅源氣體包括硅烷(SiH₄)；載氣包括氮氣(N₂)和氫氣(H₂)中的一種或兩種組合。

如果形成所述第一電極層110的溫度過低，容易使形成的第一電極層110晶格質量較差；如果形成所述第一電極層110的溫度過高，容易增加第一電極層110與所述緩沖層102之間的失配度，從而在所述第一電極層110中產生較大的應力。具體的，本實施例中，形成所述第一電極層110反應溫度為800℃～1200℃。

本實施例中，所述第一電極層110的厚度為0.5μm～8μm。

請參考圖5和圖6，圖6是圖5中區(qū)域1部分的局部放大圖，在所述第一電極層110上形成量子阱結構120。

本實施例中，所述量子阱結構120為多量子阱結構。在其他實施例中，所述量子阱結構還可以為單量子阱結構。

所述量子阱結構120能夠形成多個分離的量子阱，從而增加所形成發(fā)光二級管的量子效率，提高發(fā)光二級管的發(fā)光效率。

本實施例中，所述量子阱結構120包括阱層121和多層壘層122，所述壘層122在垂直于所述第一電極層110表面的方向上層疊設置，相鄰壘層122之間具有所述阱層121。

本實施例中，所述阱層121的材料為InGaN，所述壘層122的材料為GaN。

需要說明的是，由于所述阱層121與所述壘層122的晶格常數(shù)差距較大，所述阱層121與所述壘層122的晶格失配較嚴重，從而導致所述量子阱結構120中的應力較大。

本實施例中，所述阱層121的層數(shù)為2層～30層。所述壘層122比阱層121多一層。所述壘層122的層數(shù)為3層～31層。

本實施例中，形成所述阱層121與所述壘層122的工藝包括：金屬有機化學氣相沉積工藝。

本實施例中，形成所述阱層121的反應氣體包括：鎵源氣體、氮源氣體和銦源氣體，所述鎵源氣體包括三甲基鎵(TMGa)和三乙基鎵(TEGa)中的一種或兩種組合，所述銦源氣體包括三甲基銦(TMIn)，所述氮源氣體包括氨氣(NH₃)；載氣包括氮氣(N₂)和氫氣(H₂)中的一種或兩種組合。

本實施例中，形成所述阱層121的工藝參數(shù)包括：反應溫度為600℃～900℃。

如果所述阱層121的厚度過大，容易增加量子阱結構120中量子阱的寬度，從而減小對量子阱中電子的束縛作用，容易增加電子的逃逸，降低所形成發(fā)光二極管的發(fā)光效率；如果所述阱層121的厚度過小，容易增加工藝難度。具體的，本實施例中，所述阱層121的厚度為0.5nm～5nm。

本實施例中，所述阱層121中銦的含量為15％～50％。

本實施例中，形成所述勢壘122的反應氣體包括：鎵源氣體和氮源氣體，所述鎵源氣體包括三甲基鎵(TMGa)和三乙基鎵(TEGa)中的一種或兩種組合，所述氮源氣體包括氨氣(NH₃)；載氣包括氮氣(N₂)和氫氣(H₂)中的一種或兩種組合。

如果所述壘層122的厚度過小，容易使阱層121的能帶發(fā)生耦合，從而增加電子的逃逸，降低發(fā)光效率；如果所述壘層122的厚度過大容易增加量子阱結構120的導電性，影響所形成發(fā)光二極管的性能。具體的，本實施例中，所述阱層121的厚度為0.5nm～5nm。

本實施例中，形成所述阱層121的工藝參數(shù)包括：反應溫度為600℃～900℃。

請參考圖7，在所述量子阱結構120上形成應力釋放層130，所述應力釋放層130中含有摻雜離子。

需要說明的是，形成所述量子阱結構120的過程中，由于晶格失配容易在所述量子阱結構120中產生應力。形成所述量子阱結構120之后，在所述量子阱結構120上形成應力釋放層130，所述應力釋放層130中具有摻雜離子。所述摻雜離子能夠使所述應力釋放層130的晶格結構與量子阱結構頂部表面之間的晶格結構差異較大，使應力釋放層130與所述量子阱結構120產生晶格失配，從而所述量子阱結構120晶格不容易受到所述應力釋放層130原子的束縛，進而能夠使所述量子阱結構120中的應力得以釋放。因此，所述形成方法能夠降低量子阱結構120中的應力后續(xù)形成的第二電極層的影響，從而能夠提高第二電極層的晶格質量，進而改善所形成發(fā)光二極管的性能。

本實施例中，所述摻雜離子為碳離子。

本實施例中，所述應力釋放層130中摻雜離子的含量高于后續(xù)形成的第二電極層中摻雜離子的含量。

本實施例中，所述應力釋放層130的材料為含有碳離子的GaN。在其他實施例中，所述第一電極層的材料為GaAs，所述應力釋放層的材料為含有碳離子的GaAs；或者所述第一電極層的材料為GaP，所述應力釋放層的材料為含有碳離子的GaP。

需要說明的是，本實施例中，所述應力釋放層130中還具有P型離子。具體的，所述P型離子為鎂離子。所述P型離子能夠為所述應力釋放層130提供載流子，從而降低所述應力釋放層130的電阻，從而改善所形成發(fā)光二級管的性能。

本實施例中，所述應力釋放層130中鎂離子的摻雜濃度為1E18atoms/cm³～2E20atoms/cm³。

本實施例中，形成所述應力釋放層130的工藝包括：金屬有機化學氣相沉積工藝。

本實施例中，形成所述應力釋放層130的反應氣體包括：鎵源氣體、氮源氣體，所述鎵源氣體包括三甲基鎵(TMGa)和三乙基鎵(TEGa)中的一種或兩種組合，所述氮源氣體包括氨氣(NH₃)；載氣包括氮氣(N₂)和氫氣(H₂)中的一種或兩種組合。

需要說明的是，本實施例中，所述鎵源氣體包括三甲基鎵(TMGa)，三甲基鎵(TMGa)中具有碳。在形成所述應力釋放層130的過程中，可以通過調節(jié)反應溫度或鎵源氣體的流量，減少所述三甲基鎵(TMGa)中的碳鎵鍵的斷裂，從而增加所述應力釋放層130中碳離子的含量。

本實施例中，可以通過調節(jié)所述反應溫度和三甲基鎵(TMGa)的流量，對所述應力釋放層130中的碳離子含量進行調節(jié)。在其他實施例中，所述鎵源氣體還包括三乙基鎵(TEGa)，還可以通過調節(jié)所述三乙基鎵(TEGa)的流量對所述應力釋放層中的碳離子含量進行調節(jié)。

本實施例中，所述應力釋放層130中還具有P型離子，因此，所述反應物還包括鎂源氣體。具體的，所述鎂源氣體包括二茂鎂(Cp2Mg)。

本實施例中，形成所述應力釋放層130的工藝參數(shù)包括：反應溫度為600℃～900℃；三甲基的流量為50sccm～70sccm；二茂鎂的流量為450sccm～550sccm；氨氣的流量為45L/min～55L/min；氮氣的流量為55L/min～75L/min；氫氣的流量為115L/min～125L/min。

本實施例中，如果所述應力釋放層130的厚度過小，不利于所述量子阱結構120中應力的釋放；如果所述應力釋放層130的厚度過大，容易增加所述應力釋放層130的電阻，從而影響所形成發(fā)光二級管的性能。具體的，所述應力釋放層130的厚度為1nm～2000nm。

如果所述應力釋放層130中摻雜離子的濃度過高，容易使所述應力釋放層130成為非晶態(tài)，從而增加厚度形成的第二電極層的晶格質量；如果所述應力釋放層130中摻雜離子的濃度過低，不利于所述量子阱結構120中應力的釋放。因此，所述應力釋放層130中摻雜離子的質量分數(shù)為10％～20％

請參考圖8，在所述應力釋放層130上形成第二電極層140。

本實施例中，所述第二電極層140用做所形成發(fā)光二極管的正極。在其他實施例中，所述第二電極層用做所形成發(fā)光二極管的負極。

本實施例中，所述第二電極層140的材料為P型半導體材料。在其他實施例中，所述第一電極層的材料還可以為P型半導體材料，所述第二電極層的材料為N型半導體材料。

具體的，所述第二電極層140為含有P型離子的GaN。在其他實施例中，所述第二電極層還可以為含有P型離子的GaAs或GaP。

本實施例中，所述P型離子為鎂離子。所述第二電極層140中的硅的摻雜濃度為1E18atoms/cm³～2E20atoms/cm³。

本實施例中，形成所述第二電極層140的工藝包括：金屬有機化學氣相沉積工藝。

本實施例中，形成所述第二電極層140的反應氣體包括：鎵源氣體、氮源氣體和鎂源氣體，所述鎵源氣體包括三甲基鎵(TMGa)和三乙基鎵(TEGa)中的一種或兩種組合，所述氮源氣體包括氨氣(NH₃)，所述鎂源氣體包括二茂鎂(Cp2Mg)；載氣包括氮氣(N₂)和氫氣(H₂)中的一種或兩種組合。

本實施例中，形成所述第二電極層140的工藝參數(shù)包括：反應溫度為800℃～1100℃。

本實施例中，所述第二電極層140的厚度為30nm～500nm。

綜上，本發(fā)明實施例提供的發(fā)光二極管的形成方法中，形成所述量子阱結構的過程中，由于晶格失配容易在所述量子阱結構中產生應力。形成所述量子阱結構之后，在所述量子阱結構上形成應力釋放層，所述應力釋放層中具有摻雜離子。所述摻雜離子能夠使所述應力釋放層的晶格結構與量子阱結構頂部表面之間的晶格結構差異較大，使應力釋放層與所述量子阱結構產生晶格失配，從而所述量子阱結構晶格不容易受到所述應力釋放層原子的束縛，進而能夠使所述量子阱結構中的應力得以釋放。因此，所述形成方法能夠降低量子阱結構中的應力對所述第二電極層的影響，從而能夠提高所述第二電極層的晶格質量，進而改善所形成發(fā)光二極管的性能。

進一步，所述應力釋放層中具有P型離子，所述P型離子能夠為所述應力釋放層提供空穴，從而降低所述應力釋放層的電阻，從而改善所形成發(fā)光二級管的性能。

請參考圖8，本發(fā)明的實施例還提供一種發(fā)光二極管，包括：襯底100；位于襯底100上的第一電極層110；位于所述第一電極層110上的量子阱結構120；位于所述量子阱結構120上的應力釋放層130，所述應力釋放層130中具有摻雜離子；位于所述量子阱結構120上的第二電極層140。

需要說明的是，所述應力釋放層130中摻雜離子的含量大于所述量子阱結構120中的摻雜離子含量，使所述應力釋放層120的晶胞取向的一致性較差，從而對所述量子阱結構120中晶胞取向的約束性差，進而能夠使所述量子阱結構120中的應力得以釋放。因此，所述形成方法能夠降低量子阱結構120因晶格失配產生的應力對所述第二電極層140的影響，從而能夠提高所述第二電極層140的晶格質量，進而改善所形成發(fā)光二極管的性能。

本實施例中，所述應力釋放層130中的摻雜離子含量大于所述量子阱結構120中的摻雜離子含量

本實施例中，所述襯底100與發(fā)光二極管的形成方法實施例中的襯底相同。

本實施例中，所述發(fā)光二極管還包括：位于所述襯底100上的成核層101；位于所述成核層101上的緩沖層102。所述成核層101和緩沖層102與所述發(fā)光二極管的形成方法實施例中的成核層101和緩沖層102相同。

本實施例中，所述第一電極層110位于所述緩沖層102上。

本實施例中，所述應力釋放層130中的碳離子含量大于所述第二電極層140中的碳離子含量。

本實施例中，所述第一電極層110、應力釋放層130和所述第二電極層140與發(fā)光二極管的形成方法實施例中的第一電極層110、應力釋放層130和所述第二電極層140相同，在此不再贅述。

綜上，本發(fā)明實施例提供的發(fā)光二極管中，由于所述量子阱結構存在由于晶格失配產生的應力。所述應力釋放層中具有摻雜離子。所述摻雜離子能夠使所述應力釋放層與所述量子阱結構產生晶格失配，從而所述量子阱結構晶格不容易受到所述應力釋放層原子的束縛，進而能夠使所述量子阱結構中的應力得以釋放。因此，所述量子阱結構中的應力對所述第二電極層的影響較小，從而所述第二電極層的晶格質量較好，進而改善發(fā)光二極管的性能

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領域技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護范圍應當以權利要求所限定的范圍為準。