1.一種高K金屬柵的形成方法，其特征在于包括：
第一步驟：在襯底上依次形成層間介質(zhì)層、TiO2薄膜層和多晶硅層；
第二步驟：對(duì)層間介質(zhì)層、TiO2薄膜層和多晶硅層進(jìn)行圖案化以形成偽柵極結(jié)構(gòu)，并且在偽柵極結(jié)構(gòu)側(cè)邊形成柵極側(cè)墻；
第三步驟：在偽柵極結(jié)構(gòu)周?chē)练e層間電介質(zhì)材料，并對(duì)層間電介質(zhì)材料進(jìn)行平坦化；
第四步驟：去除偽柵極結(jié)構(gòu)中的頂部多晶硅層以形成凹槽；
第五步驟：對(duì)偽柵極結(jié)構(gòu)中的TiO2薄膜層進(jìn)行Hf離子注入，以形成HfTiO薄膜層；
第六步驟：在凹槽中填充金屬材料以形成金屬柵極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高K金屬柵的形成方法，其特征在于，在第五步驟進(jìn)一步對(duì)HfTiO薄膜層21實(shí)施熱退火處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高K金屬柵的形成方法，其特征在于，層間介質(zhì)層為SiO2薄膜層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高K金屬柵的形成方法，其特征在于，層間介質(zhì)層的生長(zhǎng)方式為熱氧化方法。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高K金屬柵的形成方法，其特征在于，層間介質(zhì)層的厚度為0.5～1nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高K金屬柵的形成方法，其特征在于，TiO2薄膜層的生長(zhǎng)方式是化學(xué)氣相沉積、原子層沉、熱氧化、低壓化學(xué)氣相沉積中的一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高K金屬柵的形成方法，其特征在于，TiO2薄膜層的厚度為0.5～2nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高K金屬柵的形成方法，其特征在于，Hf離子注入的能量為1～10Kev。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高K金屬柵的形成方法，其特征在于，Hf離子注入的入射角度為垂直入射。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高K金屬柵的形成方法，其特征在于，離子注入后的熱退火為800～1000℃的快速熱退火或者峰值退火，而且離子注入后的所處的氣氛惰性氣體氣氛。