本發(fā)明涉及電子元件缺陷檢測(cè)和識(shí)別的技術(shù)領(lǐng)域，具體是涉及一種電子元件的檢測(cè)系統(tǒng)及檢測(cè)方法。

背景技術(shù)：

工業(yè)產(chǎn)品由于制造成本的考慮，對(duì)于瑕疵品的檢測(cè)及剔除等工作，仍然有采用離線的方式由人工來完成，因此在檢查過程當(dāng)中瑕疵品的判定標(biāo)準(zhǔn)難以達(dá)到一致性，同時(shí)檢驗(yàn)工作的進(jìn)行效率依賴于檢驗(yàn)人員的專注力，因此不確實(shí)的瑕疵管理使得產(chǎn)品的良率與質(zhì)量受到限制。

如何有效率及可靠的檢驗(yàn)每個(gè)產(chǎn)品是否發(fā)生瑕疵，是自從工業(yè)化以來每個(gè)大規(guī)模生產(chǎn)者所關(guān)心的課題，在計(jì)算機(jī)技術(shù)發(fā)達(dá)的今日，使用計(jì)算機(jī)并搭配各種傳感器來感知及判斷瑕疵，或使用自動(dòng)化檢測(cè)機(jī)臺(tái)來檢測(cè)瑕疵品，乃是如今生產(chǎn)在線瑕疵檢測(cè)程序的常見模式。

另一方面，在現(xiàn)有工業(yè)自動(dòng)化檢測(cè)中，常利用自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)設(shè)備(Automated Optical Inspection；AOI)查驗(yàn)一待測(cè)物的缺陷。自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)設(shè)備是通過一可見光的光源照射一待測(cè)物的表面，并利用一影像擷取裝置(CCD或CMOS)擷取待測(cè)物的一檢測(cè)影像。經(jīng)由比對(duì)所述檢測(cè)影像即可檢測(cè)所述待測(cè)物的表面是否具有表面缺陷。

在半導(dǎo)體晶圓制作過程中加入分類與檢測(cè)功能，是提升良率的重要過程。在一般的封裝廠內(nèi)，往往分類好的晶?；蚍庋b成品、半成品會(huì)再送到離線檢測(cè)設(shè)備進(jìn)行瑕疵檢測(cè)。如此，等于多了一道制作過程，耗時(shí)又耗工，并非是有效率的作法。倘若能整合檢測(cè)在封裝廠的分類制程中，必能提升良率與利潤(rùn)。

現(xiàn)有技術(shù)中這種使用可見光對(duì)電子元件進(jìn)行檢測(cè)的方法，其只能夠?qū)﹄娮釉谋砻媲闆r進(jìn)行檢測(cè)或者只能夠檢測(cè)一些類似薄膜晶圓以及透明封裝結(jié)構(gòu)的電子元件。

隨著技術(shù)發(fā)展，晶圓上的fanout(扇出)，F(xiàn)C(Flip Chip，倒裝芯片技術(shù))、POP(package-on-package，封裝體疊層技術(shù))等技術(shù)的使用，造成了單純使用可見光無法檢測(cè)完全，特別是在封裝體內(nèi)部缺陷或者倒裝后的部分缺陷，更是無法檢測(cè)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種電子元件的檢測(cè)系統(tǒng)及檢測(cè)方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)電子元件內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺陷無法進(jìn)行檢測(cè)的技術(shù)問題。

為解決上述問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種電子元件的檢測(cè)系統(tǒng)，所述檢測(cè)系統(tǒng)包括載臺(tái)、紅外裝置以及X光裝置；其中，所述載臺(tái)包括承載部以及鏤空部，待測(cè)電子元件懸設(shè)于所述鏤空部上，所述紅外裝置用于對(duì)所述待測(cè)電子元件進(jìn)行定位，所述X光裝置用于檢測(cè)所述待測(cè)電子元件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)特征。

其中，所述紅外裝置通過發(fā)出紅外光穿透所述待測(cè)電子元件的外部包安裝層以及硅層，掃描待測(cè)電子元件內(nèi)部的金屬層形狀特征，根據(jù)金屬層的形狀特征對(duì)所述待測(cè)電子元件進(jìn)行識(shí)別定位。

其中，所述X光裝置包括X光發(fā)生器以及X光接收器，所述X光發(fā)生器和所述X光接收器正對(duì)設(shè)置，且分別設(shè)于所述待測(cè)電子元件的兩側(cè)。

其中，所述檢測(cè)系統(tǒng)還包括可見光發(fā)生裝置，所述可見光發(fā)生裝置用于照射所述待檢測(cè)電子元件的表面，以對(duì)所述待檢測(cè)電子元件的表面進(jìn)行檢測(cè)。

其中，所述紅外裝置包括紅外光源以及紅外傳感器，所述外光源發(fā)出的光通過所述紅外傳感器照射到所述待檢測(cè)電子元件，所述紅外傳感器進(jìn)一步用于接收所述待檢測(cè)電子元件內(nèi)部的金屬層形狀特征圖像信息。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種電子元件的檢測(cè)方法，所述檢測(cè)方法包括：

將待測(cè)電子元件置于設(shè)有鏤空結(jié)構(gòu)載臺(tái)的鏤空位置處；

通過紅外裝置對(duì)所述待測(cè)電子元件進(jìn)行識(shí)別定位；

利用X光裝置檢測(cè)所述待測(cè)電子元件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)特征。

其中，所述通過紅外裝置對(duì)所述待測(cè)電子元件進(jìn)行識(shí)別定位的步驟具體為：通過紅外光通過穿透所述待測(cè)電子元件的外部包安裝層以及硅層，掃描待測(cè)電子元件內(nèi)部的金屬層形狀特征，根據(jù)所述金屬層形狀特征對(duì)所述待測(cè)電子元件進(jìn)行識(shí)別定位。

其中，所述X光裝置包括X光發(fā)生器以及X光接收器，所述X光發(fā)生器和所述X光接收器相對(duì)設(shè)置，并分別設(shè)于所述待測(cè)電子元件的兩側(cè)。

其中，所述方法還包括：利用可見光發(fā)生裝置照射所述待檢測(cè)電子元件的表面，以對(duì)所述待檢測(cè)電子元件的表面進(jìn)行檢測(cè)。

其中，紅外裝置包括紅外光源以及紅外傳感器，所述外光源發(fā)出的光通過所述紅外傳感器照射到所述待檢測(cè)電子元件，所述紅外傳感器進(jìn)一步用于接收所述待檢測(cè)電子元件內(nèi)部的金屬層形狀特征圖像信息。

相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的電子元件的檢測(cè)系統(tǒng)及檢測(cè)方法，首先，通過紅外裝置對(duì)待測(cè)電子元件進(jìn)行識(shí)別定位，然后利用X光裝置檢測(cè)待測(cè)電子元件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)特征，同時(shí)通過可見光發(fā)生裝置對(duì)待檢測(cè)電子元件的表面進(jìn)行檢測(cè)；使用可見光、紅外光和X光結(jié)合的方式，可以對(duì)待測(cè)電子元件進(jìn)行有效定位，并進(jìn)行表面和封裝體內(nèi)部缺陷評(píng)估，進(jìn)而減少加工過程的次品流出，提高產(chǎn)品的良率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明電子元件檢測(cè)系統(tǒng)一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1實(shí)施例中檢測(cè)系統(tǒng)另一工作位置的狀態(tài)示意圖；以及

圖3是本發(fā)明電子元件檢測(cè)方法一實(shí)施例的流程示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。特別指出的是，以下實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明，但不對(duì)本發(fā)明的范圍進(jìn)行限定。同樣的，以下實(shí)施例僅為本發(fā)明的部分實(shí)施例而非全部實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請(qǐng)一并參閱圖1和圖2，圖1是本發(fā)明電子元件檢測(cè)系統(tǒng)一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2是圖1實(shí)施例中檢測(cè)系統(tǒng)另一工作位置的狀態(tài)示意圖，該檢測(cè)系統(tǒng)包括但不限于以下結(jié)構(gòu)組成：載臺(tái)100、紅外裝置200、X光裝置300以及可見光發(fā)生裝置(圖中未示)。

具體而言，該載臺(tái)100包括承載部110以及鏤空部120，待測(cè)電子元件500懸設(shè)于鏤空部120上，以使檢測(cè)裝置可以透過待測(cè)電子元件500。其中，承載部110可以通過軌道、電極等結(jié)構(gòu)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)移動(dòng)，進(jìn)而帶動(dòng)懸設(shè)在鏤空部120上的待測(cè)電子元件500移動(dòng)。而關(guān)于帶動(dòng)載臺(tái)100移動(dòng)的具體結(jié)構(gòu)特征，在本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解范圍內(nèi)，此處不再贅述。

該紅外裝置200用于對(duì)待測(cè)電子元件進(jìn)行識(shí)別定位。其中，該紅外裝置200可以包括紅外光源210以及紅外傳感器220，該紅外光源210發(fā)出的光通過紅外傳感器220照射到待檢測(cè)電子元件500，實(shí)現(xiàn)對(duì)待檢測(cè)電子元件500的照射和掃描，進(jìn)一步地，該紅外傳感器220還用于接收待檢測(cè)電子元件500內(nèi)部的金屬層形狀特征圖像信息。

優(yōu)選地，該紅外光源210射出一紅外線光束至一待測(cè)電子元件500上，根據(jù)紅外線的特性，其可以穿透待測(cè)電子元件500的外部包安裝層以及硅層等封裝結(jié)構(gòu)，而無法穿透待測(cè)電子元件500內(nèi)部的金屬層結(jié)構(gòu)，因此可以掃描待測(cè)電子元件500內(nèi)部的金屬層形狀特征，紅外傳感器220接收待檢測(cè)電子元件500內(nèi)部的金屬層形狀特征圖像信息，并將該信息傳給控制器(圖中為標(biāo)示)，控制器根據(jù)金屬層的形狀特征對(duì)待測(cè)電子元件500進(jìn)行識(shí)別定位。

舉例來講，存儲(chǔ)器(圖中未示)可以存儲(chǔ)一預(yù)定的金屬層形狀結(jié)構(gòu)，待測(cè)電子元件500在載臺(tái)100的帶動(dòng)下不斷移動(dòng)位置，此時(shí)紅外傳感器220不斷對(duì)待測(cè)電子元件500內(nèi)部進(jìn)行掃描，當(dāng)紅外傳感器220識(shí)別到待測(cè)電子元件500內(nèi)部的某一(或者某一區(qū)域)金屬層結(jié)構(gòu)與存儲(chǔ)器內(nèi)存儲(chǔ)的預(yù)定形狀金屬層形狀結(jié)構(gòu)相同時(shí)，則可判定待測(cè)電子元件500的當(dāng)前位置為預(yù)定的待檢測(cè)位置；在紅外傳感器220對(duì)待測(cè)電子元件500內(nèi)部進(jìn)行掃描的過程中，不斷將數(shù)據(jù)回傳到處理器，處理器對(duì)掃描圖形信息與存儲(chǔ)器內(nèi)存儲(chǔ)的預(yù)定金屬層形狀結(jié)構(gòu)進(jìn)行比較，直至找到相匹配的定金屬層形狀結(jié)構(gòu)為止，上述過程可以實(shí)現(xiàn)對(duì)待測(cè)電子元件500進(jìn)行定位的目的。

本實(shí)施例的紅外光源210可以為一波長(zhǎng)范圍介于700nm至1000nm之間的紅外線光源，設(shè)置紅外線光源210波長(zhǎng)的目的是要得到較好的反射特性。而該紅外傳感器220可以為對(duì)上述紅外線波長(zhǎng)范圍敏感的一可感應(yīng)紅外線的電荷耦合元件(CCD)傳感器。

進(jìn)一步地，該紅外裝置200在定位的過程中，由于需要對(duì)待測(cè)電子元件500內(nèi)部金屬層結(jié)構(gòu)進(jìn)行掃描，因此，該過程中也可以實(shí)現(xiàn)對(duì)待測(cè)電子元件500內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行初步的缺陷檢測(cè)。關(guān)于這部分的詳細(xì)技術(shù)特征，在本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解范圍內(nèi)，此處不再詳述。

該X光裝置300用于檢測(cè)待測(cè)電子元件500的內(nèi)部結(jié)構(gòu)特征，具體地，該X光裝置300可以包括X光發(fā)生器310以及X光接收器320。其中，X光發(fā)生器310和X光接收器320相對(duì)設(shè)置，并分別設(shè)于待測(cè)電子元件500的兩側(cè)，在本實(shí)施例中為上下兩側(cè)。

X光發(fā)生器310由光源、陰極燈絲(Cathod)、陽極靶(Anode)以及真空玻璃管等結(jié)構(gòu)組成，X光機(jī)電源又可分為高壓電源和燈絲電源兩部分，其中燈絲電源用于為燈絲加熱，高壓電源的高壓輸出端分別夾在陰極燈絲和陽極靶兩端，提供一個(gè)高壓電場(chǎng)使燈絲上活躍的電子加速流向陽極靶，形成一個(gè)高速的電子流，轟擊陽極靶面后，99％轉(zhuǎn)化為熱量，1％由于軔致輻射產(chǎn)生X射線。

X射線能穿透一般可見光所不能透過的物質(zhì)。可見光因其波長(zhǎng)較長(zhǎng)，光子其有的能量很小，當(dāng)射到物體上時(shí)，一部分被反射，大部分為物質(zhì)所吸收，不能透過物體；而X射線則不然，因其波長(zhǎng)短，能量大，照在物質(zhì)上時(shí)，僅一部分被物質(zhì)所吸收，大部分經(jīng)由原子間隙而透過，表現(xiàn)出很強(qiáng)的穿透能力。X射線穿透物質(zhì)的能力與X射線光子的能量有關(guān)，X射線的波長(zhǎng)越短，光子的能量越大，穿透力越強(qiáng)。X射線的穿透力也與物質(zhì)密度有關(guān)，密度大的物質(zhì)，對(duì)X射線的吸收多，透過少；密度小者，吸收少，透過多。優(yōu)選地，本實(shí)施例中的X光發(fā)生器310采用波長(zhǎng)范圍為0.008～0.031nm。

X光接收器320用于接收穿透待測(cè)電子元件500的X光，進(jìn)而形成待測(cè)電子元件500內(nèi)部結(jié)構(gòu)特征的圖像，處理器對(duì)該圖像進(jìn)行分析，進(jìn)而判斷待測(cè)電子元件500的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是否存在缺陷或者瑕疵。

可見光發(fā)生裝置用于照射待檢測(cè)電子元件500的表面，以對(duì)待檢測(cè)電子元件的表面進(jìn)行檢測(cè)。其中，可見光發(fā)生裝置可以為普通的照明燈或者專用的手電筒等設(shè)備，可見光照射到待檢測(cè)電子元件500的表面后，可以利用顯微鏡或者圖像識(shí)別裝置等對(duì)待檢測(cè)電子元件500的表面進(jìn)行檢測(cè)。關(guān)于可見光發(fā)生裝置的設(shè)置結(jié)構(gòu)以及檢測(cè)原理，在本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解范圍內(nèi)，此處不再贅述。

相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的電子元件的檢測(cè)系統(tǒng)，首先，通過紅外裝置對(duì)待測(cè)電子元件進(jìn)行識(shí)別定位，然后利用X光裝置檢測(cè)待測(cè)電子元件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)特征，同時(shí)通過可見光發(fā)生裝置對(duì)待檢測(cè)電子元件的表面進(jìn)行檢測(cè)；使用可見光、紅外光和X光結(jié)合的方式，可以對(duì)待測(cè)電子元件進(jìn)行有效定位，并進(jìn)行表面和封裝體內(nèi)部缺陷評(píng)估，進(jìn)而減少加工過程的次品流出，提高產(chǎn)品的良率。

進(jìn)一步地，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種電子元件的檢測(cè)方法，請(qǐng)參閱圖3，圖3是本發(fā)明電子元件檢測(cè)方法一實(shí)施例的流程示意圖，該檢測(cè)方法包括但不限以下步驟。

步驟S300，將待測(cè)電子元件置于設(shè)有鏤空結(jié)構(gòu)載臺(tái)的鏤空位置處。

在該步驟中，載臺(tái)可以包括承載部以及鏤空部，待測(cè)電子元件懸設(shè)于鏤空部上，以使檢測(cè)裝置可以透過待測(cè)電子元件。其中，承載部可以通過軌道、電極等結(jié)構(gòu)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)移動(dòng)，進(jìn)而帶動(dòng)懸設(shè)在鏤空部上的待測(cè)電子元件移動(dòng)。而關(guān)于帶動(dòng)載臺(tái)移動(dòng)的具體結(jié)構(gòu)特征，在本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解范圍內(nèi)，此處不再贅述。

步驟S310，通過紅外裝置對(duì)待測(cè)電子元件進(jìn)行識(shí)別定位。

在步驟S310中，該紅外裝置可以包括紅外光源以及紅外傳感器，該紅外光源發(fā)出的光通過紅外傳感器照射到待檢測(cè)電子元件，實(shí)現(xiàn)對(duì)待檢測(cè)電子元件的照射和掃描，進(jìn)一步地，該紅外傳感器還用于接收待檢測(cè)電子元件內(nèi)部的金屬層形狀特征圖像信息。

優(yōu)選地，該紅外光源射出一紅外線光束至一待測(cè)電子元件上，根據(jù)紅外線的特性，其可以穿透待測(cè)電子元件的外部包安裝層以及硅層等封裝結(jié)構(gòu)，而無法穿透待測(cè)電子元件內(nèi)部的金屬層結(jié)構(gòu)，因此可以掃描待測(cè)電子元件內(nèi)部的金屬層形狀特征，紅外傳感器接收待檢測(cè)電子元件內(nèi)部的金屬層形狀特征圖像信息，并將該信息傳給控制器(圖中為標(biāo)示)，控制器根據(jù)金屬層的形狀特征對(duì)待測(cè)電子元件進(jìn)行識(shí)別定位。

舉例來講，存儲(chǔ)器(圖中未示)可以存儲(chǔ)一預(yù)定的金屬層形狀結(jié)構(gòu)，待測(cè)電子元件在載臺(tái)的帶動(dòng)下不斷移動(dòng)位置，此時(shí)紅外傳感器不斷對(duì)待測(cè)電子元件內(nèi)部進(jìn)行掃描，當(dāng)紅外傳感器識(shí)別到待測(cè)電子元件內(nèi)部的某一(或者某一區(qū)域)金屬層結(jié)構(gòu)與存儲(chǔ)器內(nèi)存儲(chǔ)的預(yù)定形狀金屬層形狀結(jié)構(gòu)相同時(shí)，則可判定待測(cè)電子元件的當(dāng)前位置為預(yù)定的待檢測(cè)位置；在紅外傳感器對(duì)待測(cè)電子元件內(nèi)部進(jìn)行掃描的過程中，不斷將數(shù)據(jù)回傳到處理器，處理器對(duì)掃描圖形信息與存儲(chǔ)器內(nèi)存儲(chǔ)的預(yù)定金屬層形狀結(jié)構(gòu)進(jìn)行比較，直至找到相匹配的定金屬層形狀結(jié)構(gòu)為止，上述過程可以實(shí)現(xiàn)對(duì)待測(cè)電子元件進(jìn)行定位的目的。

本實(shí)施例的紅外光源可以為一波長(zhǎng)范圍介于700nm至1000nm之間的紅外線光源，設(shè)置紅外線光源波長(zhǎng)的目的是要得到較好的反射特性。而該紅外傳感器可以為對(duì)上述紅外線波長(zhǎng)范圍敏感的一可感應(yīng)紅外線的電荷耦合元件(CCD)傳感器。

進(jìn)一步地，該紅外裝置在定位的過程中，由于需要對(duì)待測(cè)電子元件內(nèi)部金屬層結(jié)構(gòu)進(jìn)行掃描，因此，該過程中也可以實(shí)現(xiàn)對(duì)待測(cè)電子元件內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行初步的缺陷檢測(cè)。關(guān)于這部分的詳細(xì)技術(shù)特征，在本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解范圍內(nèi)，此處不再詳述。

步驟S320，利用X光裝置檢測(cè)待測(cè)電子元件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)特征。

其中，該X光裝置可以包括X光發(fā)生器以及X光接收器。X光發(fā)生器和X光接收器相對(duì)設(shè)置，并分別設(shè)于待測(cè)電子元件的兩側(cè)。

X光發(fā)生器由光源、陰極燈絲(Cathod)、陽極靶(Anode)以及真空玻璃管等結(jié)構(gòu)組成，X光機(jī)電源又可分為高壓電源和燈絲電源兩部分，其中燈絲電源用于為燈絲加熱，高壓電源的高壓輸出端分別夾在陰極燈絲和陽極靶兩端，提供一個(gè)高壓電場(chǎng)使燈絲上活躍的電子加速流向陽極靶，形成一個(gè)高速的電子流，轟擊陽極靶面后，99％轉(zhuǎn)化為熱量，1％由于軔致輻射產(chǎn)生X射線。

X射線能穿透一般可見光所不能透過的物質(zhì)?？梢姽庖蚱洳ㄩL(zhǎng)較長(zhǎng)，光子其有的能量很小，當(dāng)射到物體上時(shí)，一部分被反射，大部分為物質(zhì)所吸收，不能透過物體；而X射線則不然，因其波長(zhǎng)短，能量大，照在物質(zhì)上時(shí)，僅一部分被物質(zhì)所吸收，大部分經(jīng)由原子間隙而透過，表現(xiàn)出很強(qiáng)的穿透能力。X射線穿透物質(zhì)的能力與X射線光子的能量有關(guān)，X射線的波長(zhǎng)越短，光子的能量越大，穿透力越強(qiáng)。X射線的穿透力也與物質(zhì)密度有關(guān)，密度大的物質(zhì)，對(duì)X射線的吸收多，透過少；密度小者，吸收少，透過多。優(yōu)選地，本實(shí)施例中的X光發(fā)生器采用波長(zhǎng)范圍為0.008～0.031nm。

X光接收器用于接收穿透待測(cè)電子元件的X光，進(jìn)而形成待測(cè)電子元件內(nèi)部結(jié)構(gòu)特征的圖像，處理器對(duì)該圖像進(jìn)行分析，進(jìn)而判斷待測(cè)電子元件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是否存在缺陷或者瑕疵。

步驟S330，利用可見光發(fā)生裝置照射待檢測(cè)電子元件的表面，以對(duì)待檢測(cè)電子元件的表面進(jìn)行檢測(cè)。

在該步驟中，可見光發(fā)生裝置可以為普通的照明燈或者專用的手電筒等設(shè)備，可見光照射到待檢測(cè)電子元件的表面后，可以利用顯微鏡或者圖像識(shí)別裝置等對(duì)待檢測(cè)電子元件的表面進(jìn)行檢測(cè)。關(guān)于可見光發(fā)生裝置的設(shè)置結(jié)構(gòu)以及檢測(cè)原理，在本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解范圍內(nèi)，此處不再贅述。

需要說明的是，本實(shí)施例中的步驟S320(利用X光裝置檢測(cè)待測(cè)電子元件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)特征)和S330(利用可見光發(fā)生裝置照射待檢測(cè)電子元件的表面，以對(duì)待檢測(cè)電子元件的表面進(jìn)行檢測(cè))不并限定于上述方法實(shí)施例中的流程順序，可以為同時(shí)進(jìn)行，或者某一步驟先進(jìn)行，只要是利用本方法實(shí)施例中的可見光檢測(cè)表面、紅外光掃描定位和X光檢測(cè)內(nèi)部結(jié)構(gòu)相結(jié)合的方式，均應(yīng)在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的電子元件的檢測(cè)方法，首先，通過紅外裝置對(duì)待測(cè)電子元件進(jìn)行識(shí)別定位，然后利用X光裝置檢測(cè)待測(cè)電子元件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)特征，同時(shí)通過可見光發(fā)生裝置對(duì)待檢測(cè)電子元件的表面進(jìn)行檢測(cè)；使用可見光、紅外光和X光結(jié)合的方式，可以對(duì)待測(cè)電子元件進(jìn)行有效定位，并進(jìn)行表面和封裝體內(nèi)部缺陷評(píng)估，進(jìn)而減少加工過程的次品流出，提高產(chǎn)品的良率。

以上所述僅為本發(fā)明的部分實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效裝置或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。