本發(fā)明涉及一種柔性顯示面板及具有柔性顯示面板的柔性顯示裝置,屬于柔性顯示技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù):
有機(jī)發(fā)光二極管(OLED,Organic Light Emitting Display)顯示裝置具有自發(fā)光、驅(qū)動(dòng)電壓低、發(fā)光效率高、響應(yīng)時(shí)間短、清晰度與對(duì)比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬,可實(shí)現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點(diǎn),應(yīng)用范圍越來(lái)越廣泛,被業(yè)界公認(rèn)為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示裝置。隨著OLED技術(shù)的發(fā)展,利用OLED的柔性?xún)?yōu)勢(shì)產(chǎn)生了柔性O(shè)LED顯示面板,因其具有可彎折易攜帶的特點(diǎn),已成為顯示技術(shù)領(lǐng)域研究和開(kāi)發(fā)的主要領(lǐng)域。
在柔性O(shè)LED顯示面板的制作過(guò)程中,首先需要在硬質(zhì)基板上形成柔性襯底基板,在柔性襯底基板上制備OLED顯示元件(包括OLED像素陣列和有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu))和封裝層,之后再采用激光照射掃描方法將制備好的OLED顯示元件的柔性襯底基板和硬質(zhì)基板剝離,得到柔性O(shè)LED顯示面板。把柔性襯底基板與硬質(zhì)基板完整的分離工藝是制程中的關(guān)鍵技術(shù)。
為了簡(jiǎn)化工藝、降低材料成本、實(shí)現(xiàn)窄邊框等目的,OLED顯示面板最常用的是門(mén)面板GIP(GIP,Gate Drive IC In Panel)技術(shù),即直接將柵極驅(qū)動(dòng)電路集成于包括OLED像素陣列的基板中,該柵極驅(qū)動(dòng)電路稱(chēng)為GIP電路。GIP電路是在柔性襯底基板上制備OLED像素陣列時(shí)同時(shí)制成的,在OLED顯示面板中,通常會(huì)在OLED像素陣列所在區(qū)域的外側(cè)設(shè)置周邊區(qū)域,以便在該周邊區(qū)域布置GIP電路和源極驅(qū)動(dòng)IC等。
采用激光照射掃描方法將柔性襯底基板和硬質(zhì)基板剝離需要將硬質(zhì)基板和位于硬質(zhì)基板上的柔性O(shè)LED顯示面板整體翻轉(zhuǎn),使硬質(zhì)基板朝上,激光從上面掃描并照射到硬質(zhì)基板,并聚集在硬質(zhì)基板和柔性襯底基板的接觸面,從而破壞該接觸面的附著力,然后采用機(jī)械分離方式將柔性襯底基板和硬質(zhì)基板剝離。但是,在采用機(jī)械分離方式將柔性襯底基板和硬質(zhì)基板剝離的過(guò)程中,柔性襯底基板往往會(huì)產(chǎn)生變形,而由于位于周邊區(qū)域的IC和GIP電路線路較多,容易在剝離時(shí)產(chǎn)生應(yīng)力,致使IC和GIP電路的線路產(chǎn)生錯(cuò)位甚至斷裂等現(xiàn)象,最終導(dǎo)致產(chǎn)品無(wú)法正常工作,良品率降低,從而造成柔性O(shè)LED顯示面板的成本增加。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的在于提供一種柔性顯示面板,其能提高產(chǎn)品良率,降低生產(chǎn)成本。
本發(fā)明實(shí)施例提供一種柔性顯示面板,包括柔性襯底基板、設(shè)置在所述柔性襯底基板上的第一驅(qū)動(dòng)電路和第二驅(qū)動(dòng)電路,所述柔性襯底基板對(duì)應(yīng)所述第一驅(qū)動(dòng)電路和所述第二驅(qū)動(dòng)電路的位置定義為第一區(qū)域,所述柔性襯底基板至少在所述第一區(qū)域范圍包括第一柔性塑料層、第一阻擋層、金屬層和第二柔性塑料層,其中,所述第一阻擋層和所述金屬層形成在所述第一柔性塑料層和所述第二柔性塑料層之間,所述金屬層圖案化形成在所述第一阻擋層的上方或下方。
進(jìn)一步地,所述柔性襯底基板至少在所述第一區(qū)域范圍還包括第二阻擋層,所述金屬層形成在所述第一阻擋層和所述第二阻擋層之間。
進(jìn)一步地,所述第一柔性塑料層和所述第二柔性塑料層中每個(gè)的材料為聚酰亞胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯、聚芳酯、聚碳酸脂、聚醚砜和聚醚酰亞胺中的至少其中一種。
進(jìn)一步地,所述金屬層的材料為鉬、鋁、銅、鈦、銀的至少一種。
進(jìn)一步地,所述金屬層是截面為梯形的島狀或條狀結(jié)構(gòu)。
進(jìn)一步地,所述柔性襯底基板的所述第一區(qū)域以外的位置定義為第二區(qū)域,所述柔性襯底基板在所述第二區(qū)域內(nèi)包括第二區(qū)域第一柔性塑料層、第二區(qū)域阻擋層和第二區(qū)域第二柔性塑料層,所述第二區(qū)域阻擋層設(shè)置在所述第二區(qū)域第一柔性塑料層與所述第二區(qū)域第二柔性塑料層之間。
進(jìn)一步地,所述柔性顯示面板包括薄膜晶體管層和有機(jī)發(fā)光層。
進(jìn)一步地,所述第一阻擋層和所述第二阻擋層中每個(gè)的材料為硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯中的至少一種。
進(jìn)一步地,所述第一柔性塑料層和所述第二柔性塑料層的材料為聚酰亞胺,所述第一阻擋層和所述第二阻擋層的材料為氧化硅,所述金屬層的材料為鉬。
本發(fā)明還提供一種柔性顯示裝置,包括上述的柔性顯示面板。
本發(fā)明實(shí)施例提供的柔性顯示面板的柔性襯底基板具有第一區(qū)域與第二區(qū)域,其中,柔性襯底基板在第一區(qū)域內(nèi)包括第一柔性塑料層、第一阻擋層、金屬層、第二阻擋層和第二柔性塑料層,柔性基板在第二區(qū)域內(nèi)包括第二區(qū)域第一柔性塑料層、第二區(qū)域阻擋層、第二區(qū)域第二柔性塑料層。柔性襯底基板不僅具有良好的水氧阻隔能力,并且由于柔性襯底基板在第一區(qū)域內(nèi)與第二區(qū)域內(nèi)具有不同的結(jié)構(gòu),在采用激光照射掃描方法將柔性襯底基板和硬質(zhì)基板剝離的制程中,柔性襯底基板在第一區(qū)域中因應(yīng)力產(chǎn)生的變形較小,降低了在第一區(qū)域上的第一驅(qū)動(dòng)電路和第二驅(qū)動(dòng)電路所受到的不良影響,避免了第一驅(qū)動(dòng)電路和第二驅(qū)動(dòng)電路上的線路產(chǎn)生錯(cuò)位甚至斷裂等現(xiàn)象,同時(shí)設(shè)置阻隔層和金屬層可有效阻隔水氧,提高產(chǎn)品良率。
附圖說(shuō)明
圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的柔性顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是圖1的Ⅱ-Ⅱ線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3是本發(fā)明第二實(shí)施例的柔性顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4是本發(fā)明第三實(shí)施例的柔性顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)方式及功效,以下結(jié)合附圖及實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式、結(jié)構(gòu)、特征及其功效,詳細(xì)說(shuō)明如后。
圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的柔性顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖,圖2是圖1的Ⅱ-Ⅱ線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖,如圖1和圖2所示,本實(shí)施例提供的柔性顯示面板為有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)面板,但并不以此為限。柔性顯示面板包括柔性襯底基板100,設(shè)置在柔性襯底基板100上的第一驅(qū)動(dòng)電路210、第二驅(qū)動(dòng)電路220、薄膜晶體管層310(即OLED像素陣列)、有機(jī)發(fā)光層320和封裝層330。其中,薄膜晶體管層310和有機(jī)發(fā)光層320設(shè)置在柔性襯底基板100的大致中間位置,薄膜晶體管層310和有機(jī)發(fā)光層320所在的位置為柔性顯示面板的有效顯示區(qū)域(Active Area),第一驅(qū)動(dòng)電路210和第二驅(qū)動(dòng)電路220設(shè)置在薄膜晶體管層310和有機(jī)發(fā)光層320所在的位置的外側(cè)的周邊區(qū)域。
第一驅(qū)動(dòng)電路210例如為GIP電路,本實(shí)施例中,第一驅(qū)動(dòng)電路210具有兩部分,分別設(shè)置在柔性襯底基板100相對(duì)的兩側(cè)邊緣區(qū)域,第一驅(qū)動(dòng)電路210長(zhǎng)度延伸方向平行于薄膜晶體管層310的數(shù)據(jù)線方向。第一驅(qū)動(dòng)電路210用于將掃描信號(hào)傳遞到多條掃描線以及將公共電壓供應(yīng)到公共電極(即有機(jī)發(fā)光層320的陰極)。
第二驅(qū)動(dòng)電路220例如為源極驅(qū)動(dòng)電路,本實(shí)施例中,第二驅(qū)動(dòng)電路220用于接收數(shù)字信號(hào)并轉(zhuǎn)換成圖像信號(hào),轉(zhuǎn)換后的圖像信號(hào)通過(guò)多條數(shù)據(jù)線傳遞到薄膜晶體管層310的每個(gè)像素單元用于顯示圖像。
柔性襯底基板100對(duì)應(yīng)第一驅(qū)動(dòng)電路210和第二驅(qū)動(dòng)電路220的位置(即在垂直于柔性襯底基板100方向上與第一驅(qū)動(dòng)電路210和第二驅(qū)動(dòng)電路220重疊的區(qū)域)定義為第一區(qū)域A,將第一區(qū)域A以外的位置定義為第二區(qū)域B。本實(shí)施例中,柔性襯底基板100在第一區(qū)域A包括第一柔性塑料層110、第一阻擋層120、金屬層130、第二阻擋層140和第二柔性塑料層150,但并不以此為限,其它實(shí)施例中,在柔性襯底基板100上具有上述結(jié)構(gòu)的范圍也可以比第一區(qū)域A的范圍更廣,也即是說(shuō)柔性襯底基板100至少在第一區(qū)域A范圍包括第一柔性塑料層110、第一阻擋層120、金屬層130、第二阻擋層140和第二柔性塑料層150。其中,第一阻擋層120形成在第一柔性塑料層110上,金屬層130圖案化后形成在第一阻擋層120上,第二阻擋層140形成在所述第一阻擋層120上并覆蓋金屬層130,第二柔性塑料層150形成在第二阻擋層140上。
第一柔性塑料層110的材料例如為聚酰亞胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚芳酯(PAR/PAT)、聚碳酸脂(PC)、聚醚砜(PES)和聚醚酰亞胺(PEI)中的至少一種。第一柔性塑料層110的層厚為5μm~20μm。
第一阻擋層120的材料例如為硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯中的至少一種,具體例如為氧化硅(SiO),也可以為氮化硅和氧化鋁。第一阻擋層120的層厚為0.2μm~1.5μm。
金屬層130的材料例如為楊氏模量較高(例如楊氏彈性模量大于150Gpa)的金屬或合金等,如鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鈦(Ti)、銀(Ag),優(yōu)選為鉬(Mo)。本實(shí)施例中,金屬層130被圖案化成截面為梯形的島狀或條狀結(jié)構(gòu),具體地,金屬層130梯形截面中靠近第二阻擋層140一側(cè)的表面的寬度小于靠近第一阻擋層120一側(cè)的寬度。金屬層130的層厚為0.05μm~0.6μm。
第二阻擋層140的材料例如為硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯中的至少其中一種,具體例如為氧化硅(SiO)。第二阻擋層140的層厚為0.2μm~1.5μm。
第二柔性塑料層150的材料例如為聚酰亞胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚芳酯(PAR/PAT)、聚碳酸脂(PC)、聚醚砜(PES)和聚醚酰亞胺(PEI)中的至少其中一種。第二柔性塑料層150的層厚為5μm~20μm。
請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D2,薄膜晶體管層310設(shè)置在柔性襯底基板100上并位于第二區(qū)域B內(nèi)。第二區(qū)域B包括柔性顯示面板的有效顯示區(qū)域。需要說(shuō)明的是,薄膜晶體管層310包括多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線相互交叉限定出多個(gè)像素單元,掃描線和數(shù)據(jù)線交叉位置處設(shè)置有薄膜晶體管(圖未示),每個(gè)薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、柵極絕緣層、柵極、絕緣保護(hù)層、源極和漏極等,薄膜晶體管的漏極與有機(jī)發(fā)光單元的陽(yáng)極電連接,此為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知技術(shù),在此不再贅述。
有機(jī)發(fā)光層320設(shè)置在薄膜晶體管層310上,有機(jī)發(fā)光層320包括多個(gè)有機(jī)發(fā)光單元(圖未示)和像素限定層,每個(gè)有機(jī)發(fā)光單元對(duì)應(yīng)一個(gè)薄膜晶體管而設(shè)置。有機(jī)發(fā)光單元包括陽(yáng)極、發(fā)光層、陰極,有機(jī)發(fā)光層320的結(jié)構(gòu)為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知技術(shù),在此不再贅述。
封裝層330設(shè)置在柔性襯底基板100上并包覆第一驅(qū)動(dòng)電路210、第二驅(qū)動(dòng)電路220、薄膜晶體管層310和有機(jī)發(fā)光層320。封裝層330用于阻隔水氧以及對(duì)有機(jī)發(fā)光層320發(fā)射的光線進(jìn)行全反射等,封裝層320的結(jié)構(gòu)為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知技術(shù),在此不再贅述。
本實(shí)施例中,柔性襯底基板100在第二區(qū)域B內(nèi)包括第二區(qū)域第一柔性塑料層110'、第二區(qū)域阻擋層120'、第二區(qū)域第二柔性塑料層150'。其中,第二區(qū)域阻擋層120'位于第二區(qū)域第一柔性塑料層110'與第二區(qū)域第二柔性塑料層150'之間。
第二區(qū)域第一柔性塑料層110'的材料例如為聚酰亞胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚芳酯(PAR/PAT)、聚碳酸脂(PC)、聚醚砜(PES)或聚醚酰亞胺(PEI)中的至少其中一種。本實(shí)施例中,第二區(qū)域第一柔性塑料層110'與第一區(qū)域A的第一柔性塑料層110為同一制程制作的相同的層,但并不以此為限。
第二區(qū)域阻擋層120'材料例如為硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或硅氮氧化物(SiOxNy)中的至少其中一種,具體例如為氧化硅(SiO)。第二區(qū)域阻擋層120'可以是與第一區(qū)域A的第一阻擋層120在同一制程形成,也可以是與第一區(qū)域A的第二阻擋層140在同一制程形成。
第二柔性塑料層150'的材料例如為聚酰亞胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚芳酯(PAR/PAT)、聚碳酸脂(PC)、聚醚砜(PES)或聚醚酰亞胺(PEI)中的至少其中一種。本實(shí)施例中,第二區(qū)域第一柔性塑料層110'與第一區(qū)域A的第二柔性塑料層150為同一制程制作的相同的層,但并不以此為限。
圖3是本發(fā)明第二實(shí)施例的柔性顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖,如圖3所示,本發(fā)明第二實(shí)施例的柔性顯示面板與第一實(shí)施例的柔性顯示面板的結(jié)構(gòu)大致相同,不同之處在于,第二實(shí)施例的柔性顯示面板相較第一實(shí)施例的柔性顯示面板省略設(shè)置第二阻擋層140,具體地,柔性襯底基板100至少在第一區(qū)域A包括第一柔性塑料層110、第一阻擋層120、金屬層130和第二柔性塑料層150,其中,第一阻擋層120形成在第一柔性塑料層110上,金屬層130圖案化后形成在第一阻擋層120上,第二柔性塑料層150形成在所述第一阻擋層120上并覆蓋金屬層130。也即是說(shuō),金屬層130和第一阻擋層120位于第一柔性塑料層110和第二柔性塑料層150之間且金屬層130位于第一阻擋層120的上方。第二實(shí)施例的柔性顯示面板的其它結(jié)構(gòu)請(qǐng)參考第一實(shí)施例的柔性顯示面板,在此不再贅述。
圖4是本發(fā)明第三實(shí)施例的柔性顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖,如圖4所示,本發(fā)明第三實(shí)施例的柔性顯示面板與第一實(shí)施例和第二實(shí)施例的柔性顯示面板的結(jié)構(gòu)大致相同,第三實(shí)施例的柔性顯示面板與第二實(shí)施例的柔性顯示面板的不同之處在于:第一阻擋層120與金屬層130的位置上下調(diào)換了,具體地,柔性襯底基板100至少在第一區(qū)域A包括第一柔性塑料層110、第一阻擋層120、金屬層130和第二柔性塑料層150,其中,金屬層130圖案化后形成在第一柔性塑料層110上,第一阻擋層120形成在第一柔性塑料層110上并覆蓋金屬層130,第二柔性塑料層150形成在所述第一阻擋層120上。也即是說(shuō),金屬層130和第一阻擋層120位于第一柔性塑料層110和第二柔性塑料層150之間且金屬層130位于第一阻擋層120的下方。與第一實(shí)施例相比,也可以說(shuō)是省略設(shè)置第一實(shí)施例中的第二阻攔層140而保留了第一阻擋層120。第三實(shí)施例的柔性顯示面板的其它結(jié)構(gòu)請(qǐng)參考第一實(shí)施例的柔性顯示面板,在此不再贅述。
本發(fā)明還涉及一種柔性顯示裝置,其包括上述的柔性顯示面板。柔性顯示裝置的其它結(jié)構(gòu)為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知技術(shù),在此不再贅述。
本實(shí)施例的柔性顯示面板的柔性襯底基板100具有第一區(qū)域A與第二區(qū)域B,其中,柔性襯底基板100在第一區(qū)域A內(nèi)包括第一柔性塑料層110、第一阻擋層120、金屬層130、第二阻擋層140和第二柔性塑料層150,柔性基板在第二區(qū)域B內(nèi)包括第二區(qū)域第一柔性塑料層110'、第二區(qū)域阻擋層120'、第二區(qū)域第二柔性塑料層150'。柔性襯底基板100不僅具有良好的水氧阻隔能力,并且由于柔性襯底基板100在第一區(qū)域A內(nèi)與第二區(qū)域B內(nèi)具有不同的結(jié)構(gòu),在采用激光照射掃描方法將柔性襯底基板100和硬質(zhì)基板剝離的制程中,柔性襯底基板100在第一區(qū)域A中因應(yīng)力產(chǎn)生的變形較小,降低了在第一區(qū)域A上的第一驅(qū)動(dòng)電路210和第二驅(qū)動(dòng)電路220(即GIP和IC電路)所受到不良影響,避免了第一驅(qū)動(dòng)電路210和第二驅(qū)動(dòng)電路220上的線路產(chǎn)生錯(cuò)位甚至斷裂等現(xiàn)象,同時(shí)設(shè)置阻隔層和金屬層可有效阻隔水氧,提高產(chǎn)品良率。
以上所述,僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已,并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制,雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上,然而并非用以限定本發(fā)明,任何熟悉本專(zhuān)業(yè)的技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi),當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例,但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容,依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾,均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。