本發(fā)明涉及薄膜電容器制造領(lǐng)域，具體為一種應(yīng)用于薄膜電容器的繞卷方法。

背景技術(shù)：

隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展,各種電力變換、交流傳動、儲能電源等對大容量電容器的需求不斷增加，由于鋁電解電容在性能、可靠性和壽命方面都存在許多不足，而金屬化薄膜電容替代鋁電解電容的趨勢越來越明顯，尤其是在節(jié)能和新能源領(lǐng)域的應(yīng)用發(fā)展迅猛，這一最新動態(tài)無疑為當(dāng)前薄膜電容器行業(yè)的發(fā)展提供了新的契機，但同時在材料技術(shù)及制備工藝上也提出了許多新的難題，可以說是挑戰(zhàn)與機遇并存。而在眾多的挑戰(zhàn)與困難當(dāng)中，如何找到一種適用于超薄膜的新型電容卷繞技術(shù)，是一項尤為迫切但又有著很高難度的關(guān)鍵技術(shù)。

卷繞是薄膜電容器生產(chǎn)工藝中的第一道工序，也是最重要的工序?？梢哉f卷繞性能決定了電容成品性能的好壞。電容器卷繞會采用自動卷繞設(shè)備，現(xiàn)在市場上的卷繞機存在有各種不同的品牌（包括國外及國內(nèi)的），但其采用的卷繞結(jié)構(gòu)方式及控制系統(tǒng)基本大同小異。薄膜電容技術(shù)發(fā)展至今，尤其隨著薄膜材料技術(shù)的發(fā)展，超薄小型化，高能量密度，高方阻技術(shù)成為電容器設(shè)計的趨勢與方向，其原來通用的卷繞技術(shù)已不適用超薄化金屬化膜的卷繞要求。

當(dāng)前原有的卷繞技術(shù)見圖1所示：

芯子內(nèi)層薄膜兩極板絕緣隔離方式：薄膜電清洗鍍層；

芯子內(nèi)圈支撐薄膜層：金屬化薄膜電清洗鍍層后烙鐵燙封；

芯子內(nèi)層薄膜兩極板絕緣隔離方式：薄膜電清洗鍍層；

芯子外圈包裹保護層：金屬化薄膜清洗鍍層后烙鐵燙封；

適用卷繞材料厚度:薄膜材料厚度3.8μm以上。

隨著電力電子技術(shù)發(fā)展，尤其在新能源領(lǐng)域（光伏，風(fēng)電，電動汽車等），對元器件的小型化、高可靠性要求越來突出，薄膜電容器的發(fā)展趨勢尤其說明這一點，隨著高方阻技術(shù)及超薄材料的發(fā)展成熟，現(xiàn)在能市場化使用的薄膜厚度在2.5μm至3.5μm，未來3~5年可以到達2μm，而按現(xiàn)行舊的卷繞技術(shù)明顯不適用，甚至?xí)斐梢恍┵|(zhì)量不穩(wěn)定的隱患：

1）超薄的金屬化膜一般采用高方阻技術(shù)，由于鍍層很薄，電清洗的方式受到一定限制，效果往往不理想，造成損耗增大甚至絕緣不良的隱患；

2）電清洗過程不可避免對薄膜介質(zhì)造成一定損傷，薄膜較厚時不明顯甚至不會在電容性能上體現(xiàn)，但3.5μm厚以下的薄膜會有影響；

3）由于薄膜太薄，在內(nèi)圈燙封時薄膜收縮嚴(yán)重，內(nèi)部成型效果差，容易打皺。薄膜內(nèi)圈打皺的話基本產(chǎn)品耐壓及壽命都會造成很大影響。

4）同樣由于薄膜太薄，在外圈燙封時也收縮嚴(yán)重，容易燙傷電容介質(zhì)，同時對電容芯子的包裹保護的效果不理想。

可見現(xiàn)行的卷繞技術(shù)明顯不適用3.8μm以下更薄的薄膜（主要介質(zhì)材料包括PP,PET,PPS），甚至?xí)﹄娙萜餍阅茉斐刹环€(wěn)定的影響，與現(xiàn)在對元器件的小型化、高可靠性要求的發(fā)展趨勢是不相匹配的。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種應(yīng)用于薄膜電容器的繞卷方法，其不會對超薄化的金屬薄膜的繞卷造成損傷，保證薄膜電容器性能的穩(wěn)定可靠。

其技術(shù)方案是這樣的：一種應(yīng)用于薄膜電容器的繞卷方法，其特征在于，其包括以下步驟：

（1）芯子內(nèi)層插入無鍍層的內(nèi)襯薄膜，烙鐵燙封在內(nèi)襯薄膜上；

（2）上下兩層金屬化薄膜錯開卷繞，增加爬電距離；

（3）芯子外圈插入無鍍層的外包光膜，烙鐵燙封在外包光膜上。

采用本發(fā)明的方法后，取消了原有的電清洗工藝，避免了電清洗造成的不良隱患，同時取消了內(nèi)封工藝，采用無鍍層的內(nèi)襯薄膜插入方式，外層芯子也采用插入外包光膜形式，保證了薄膜電容器性能的穩(wěn)定可靠，在繞卷過程中也不會損傷。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有繞卷技術(shù)示意圖；

圖2為本發(fā)明繞卷技術(shù)示意圖；

圖3為繞卷結(jié)構(gòu)狀態(tài)示意圖。

具體實施方式

見圖2，圖3所示，一種應(yīng)用于薄膜電容器的繞卷方法，其包括以下步驟：

（1）芯子內(nèi)層插入無鍍層的內(nèi)襯薄膜，烙鐵燙封在內(nèi)襯薄膜上；

（2）上下兩層金屬化薄膜錯開卷繞，增加爬電距離；

（3）芯子外圈插入無鍍層的外包光膜，烙鐵燙封在外包光膜上。

適用卷繞材料厚度:薄膜材料厚度2.5μm甚至更薄的薄膜卷繞

本發(fā)明實現(xiàn)了以下技術(shù)效果：

1）改變傳統(tǒng)的金屬化薄膜卷繞工藝設(shè)計思路，取消電清洗工藝，這樣避免了電清洗造成的不良隱患

2）同時取消內(nèi)封工藝，突破性地采用插入內(nèi)襯薄膜（無鍍層）方式，同時金屬化薄膜錯開卷繞，增加爬電距離，解決了內(nèi)層薄膜兩極板絕緣隔離問題，同時可作為內(nèi)層支撐，避免薄膜燙傷打皺問題，使芯子內(nèi)圓效果理想；

3）外層芯子也采用插入外包光膜形式，解決了薄膜兩極板絕緣隔離問題，同時包裹保護效果更佳穩(wěn)定。

4）插入的內(nèi)襯及外包膜厚度較厚，同時沒有鍍層，解決了超薄化薄膜容易燙傷及打皺的問題；

5）以內(nèi)襯膜作內(nèi)層支撐，以外包膜做包裹保護，超薄金屬化膜僅作為電容器功能部分實現(xiàn)，電容器整體設(shè)計更加穩(wěn)定可靠。