1.石墨烯/二氧化錳/聚苯胺納米棒陣列的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
（1）采用Hummers法制備了氧化石墨(GO)，然后利用水合肼對(duì)其進(jìn)行還原得到石墨烯(rGO)，將rGO分散液滴涂于玻碳片上得到rGO薄膜；（2）采用循環(huán)伏安(CV)沉積法在rGO表面電沉積MnO2生長(zhǎng)為納米棒結(jié)構(gòu)；（3）采用循環(huán)伏安(CV)沉積法在MnO2表面沉積PANI而得到rGO/MnO2/PAN納米棒陣列三元復(fù)合物。
2.如權(quán)利要求1所述的石墨烯/二氧化錳/聚苯胺納米棒陣列的制備方法，其特征在于，所述步驟（1）中，首先通過(guò)改進(jìn)的Hummer法制備氧化石墨，利用水合肼對(duì)其進(jìn)行還原反應(yīng)得到石墨烯(rGO)，干燥后配置成濃度為0.5-1.5mg/ml的石墨烯分散液50-100ml，滴涂于玻碳片上得到rGO薄膜。
3.如權(quán)利要求1所述的石墨烯/二氧化錳/聚苯胺納米棒陣列的制備方法，其特征在于，所述步驟（2）中，配制濃度為0.1-0.5mol/L的四水醋酸錳溶液，然后配制0.1-0.5mol/L的硫酸鈉溶液，兩者以1：1的體積比混合后攪拌均勻，將步驟(1)制備的rGO薄膜浸在此溶液中，通過(guò)三電極體系在0.5-1V恒電壓的條件下沉積600-1200s得到表面沉積MnO2的rGO納米棒陣列結(jié)構(gòu)，用去離子水清洗干凈，真空干燥5-10h。
4.如權(quán)利要求3所述的石墨烯/二氧化錳/聚苯胺納米棒陣列的制備方法，其特征在于，所述步驟（2）中，所述三電極體系是以鉑片作為對(duì)電極，Ag/AgCl 作為參比電極，rGO薄膜作為工作電極。
5.如權(quán)利要求1所述的石墨烯/二氧化錳/聚苯胺納米棒陣列的制備方法，其特征在于，所述步驟（3）中，取苯胺單體加入去離子水中配置苯胺濃度為 0.01-0.5mol/L，在攪拌條件下加入過(guò)硫酸銨溶液，將步驟(2)制備的表面沉積MnO2的rGO納米棒陣列浸在此溶液中，通過(guò)三電極體系在0.5-1V恒電壓的條件下沉積600-1200s得到MnO2表面沉積PANI的rGO/MnO2/PAN納米棒陣列結(jié)構(gòu)，分別用乙醇和去離子水洗滌、真空干燥5-10h得rGO/MnO2/PAN納米棒陣列三元復(fù)合物。
6.如權(quán)利要求1所述的石墨烯/二氧化錳/聚苯胺納米棒陣列的制備方法，其特征在于，所述步驟（3）中過(guò)硫酸銨與苯胺的摩爾比為＝(2 -6)：1。
7.如權(quán)利要求1所述的石墨烯/二氧化錳/聚苯胺納米棒陣列的制備方法，其特征在于，所述步驟（3）中，所述三電極體系是以鉑片作為對(duì)電極，Ag/AgCl 作為參比電極，表面沉積MnO2的rGO納米棒陣列作為工作電極。
8.如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的石墨烯/二氧化錳/聚苯胺納米棒陣列的制備方法，其特征在于，所述的石墨烯/二氧化錳/聚苯胺納米棒陣列作為高儲(chǔ)能密度的超級(jí)電容器的用途。