1.一種集成式LED器件，其特征在于，所述集成式LED器件包括：
若干LED芯片，所述LED芯片包括N型半導體層、多量子阱發(fā)光層、P型半導體層、以及N電極和P電極，所述N電極與N型半導體層電性連接，P電極與P型半導體層電性連接；
圖形化基板，用于承載所述LED芯片，所述圖形化基板包括若干第一互聯(lián)區(qū)及第二互聯(lián)區(qū)，所述LED芯片上的N電極和P電極分別與圖形化基板上的第一互聯(lián)區(qū)和第二互聯(lián)區(qū)電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成式LED器件，其特征在于，所述LED芯片在圖形化基板上串聯(lián)、并聯(lián)或混聯(lián)設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成式LED器件，其特征在于，所述第一互聯(lián)區(qū)上設(shè)有若干第一過孔，第二互聯(lián)區(qū)上設(shè)有若干第二過孔，圖形化基板上第一互聯(lián)區(qū)及第二互聯(lián)區(qū)的兩面分別貫穿第一過孔及第二過孔電性連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成式LED器件，其特征在于，所述N電極與第一互聯(lián)區(qū)、P電極與第二互聯(lián)區(qū)通過In焊料、Au-Sn焊料、錫焊料、ACF異性導電膠中的一種或多種進行鍵合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成式LED器件，其特征在于，所述LED芯片的側(cè)面至少一側(cè)為激光劃刻的斜面。
6.一種集成式LED器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一襯底，并在襯底上外延生長N型半導體層、多量子阱發(fā)光層、P型半導體層；
刻蝕部分外延層至N型半導體層形成N臺階；
在P型半導體層上形成P電極，在N臺階上形成N電極；
對LED芯片之間進行激光劃刻；
提供圖形化基板，所述圖形化基板包括若干第一互聯(lián)區(qū)及第二互聯(lián)區(qū)；
將劃刻好的LED晶圓與圖形化基板倒裝鍵合，使LED芯片上的N電極和P電極分別與圖形化基板上的第一互聯(lián)區(qū)和第二互聯(lián)區(qū)電性連接；
剝離襯底，得到集成式LED器件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成式LED器件的制造方法，其特征在于，對LED芯片之間進行激光劃刻至少劃刻至部分襯底。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成式LED器件的制造方法，其特征在于，所述圖形化基板中，第一互聯(lián)區(qū)上設(shè)有若干第一過孔，第二互聯(lián)區(qū)上設(shè)有若干第二過孔，圖形化基板上第一互聯(lián)區(qū)及第二互聯(lián)區(qū)的兩面分別貫穿第一過孔及第二過孔電性連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的集成式LED器件的制造方法，其特征在于，所述N電極與第一互聯(lián)區(qū)、P電極與第二互聯(lián)區(qū)通過In焊料、Au-Sn焊料、錫焊料、ACF異性導電膠中的一種或多種進行鍵合。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成式LED器件的制造方法，其特征在于，所述LED芯片在圖形化基板上串聯(lián)、并聯(lián)或混聯(lián)設(shè)置。