1.一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池，包括晶硅基片，所述晶硅基片的受光面和背面分別設(shè)置有第一本征非晶層和第二本征非晶層，所述第一本征非晶層上設(shè)置有第一摻雜層，所述第二本征非晶層上設(shè)置有第二摻雜層，所述第一摻雜層上設(shè)置有第一透明導(dǎo)電層，所述第二摻雜層上設(shè)置有第二透明導(dǎo)電層，其特征在于：所述第一摻雜層與第一透明導(dǎo)電層之間設(shè)置有第一摻雜氧化鈦膜層和/或所述第二摻雜層與第二透明導(dǎo)電層之間設(shè)置有第二摻雜氧化鈦膜層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池，其特征在于：所述第二透明導(dǎo)電層上設(shè)置有一疊層結(jié)構(gòu)，所述疊層結(jié)構(gòu)包括依次疊層的第一金屬氮化物膜層、金屬膜層和第二金屬氮化物膜層，所述第一金屬氮化物膜層與第二透明導(dǎo)電層直接接觸；所述第一金屬氮化物膜層和/或第二金屬氮化物膜層為鋯氮化物膜層、鈦氮化物膜層、鉿氮化物膜層、鎳氮化物膜層、鉻氮化物膜層、釩氮化物膜層、鈮氮化物膜層、鉭氮化物膜層、鉬氮化物膜層、鈧氮化物膜層或它們的任一組合的氮化物膜層；所述金屬膜層為銀膜層、鋁膜層、銅膜層、金膜層、鉻膜層、鈦膜層、鉑膜層、鎳膜層或它們的任一組合中的一種。
3.一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池，包括晶硅基片，所述晶硅基片的受光面設(shè)置有第一本征非晶層，所述第一本征非晶層上設(shè)置有一減反射層，所述晶硅基片的背面設(shè)置有第二本征非晶層，所述第二本征非晶層的表面區(qū)域內(nèi)交錯(cuò)設(shè)置有第一摻雜層和第二摻雜層，所述第一摻雜層上設(shè)置有第一透明導(dǎo)電層，所述第二摻雜層上設(shè)置有第二透明導(dǎo)電層，其特征在于：所述第一摻雜層與第一透明導(dǎo)電層之間設(shè)置有第一摻雜氧化鈦膜層和/或所述第二摻雜層與第二透明導(dǎo)電層之間設(shè)置有第二摻雜氧化鈦膜層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池，其特征在于：所述第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層上分別設(shè)置有一疊層結(jié)構(gòu)，所述疊層結(jié)構(gòu)包括依次疊層的第一金屬氮化物膜層、金屬膜層和第二金屬氮化物膜層，所述第一金屬氮化物膜層分別與第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層直接接觸；所述第一金屬氮化物膜層和/或第二金屬氮化物膜層為鋯氮化物膜層、鈦氮化物膜層、鉿氮化物膜層、鎳氮化物膜層、鉻氮化物膜層、釩氮化物膜層、鈮氮化物膜層、鉭氮化物膜層、鉬氮化物膜層、鈧氮化物膜層或它們的任一組合的氮化物膜層；所述金屬膜層為銀膜層、鋁膜層、銅膜層、金膜層、鉻膜層、鈦膜層、鉑膜層、鎳膜層或它們的任一組合中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池，其特征在于：所述第一摻雜氧化鈦膜層和/或第二摻雜氧化鈦膜層為TiO2摻雜Ta、W、Nb、Mo、Sb、Sc、Sn、Y、Zr、Hf、Ce和Al中的一種或兩種以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池，其特征在于：所述第一摻雜氧化鈦膜層和/或第二摻雜氧化鈦膜層的厚度為1-200nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池，其特征在于：所述第一本征非晶層和第二本征非晶層為本征非晶硅膜層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池，其特征在于：所述第一摻雜層和第二摻雜層分別為p型非晶硅膜層和n型非晶硅膜層，或所述第一摻雜層和第二摻雜層分別為n型非晶硅膜層和p型非晶硅膜層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池，其特征在于：所述第一透明導(dǎo)電層和/或第二透明導(dǎo)電層為ITO、AZO、IWO、BZO、GZO、IZO、IMO、氧化錫基透明導(dǎo)電材料或它們的任一組合中的一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池，其特征在于：所述第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層上分別設(shè)置有柵電極。
11.一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制備方法，其特征在于：包括
準(zhǔn)備晶硅基片；
在所述晶硅基片的受光面沉積第一本征非晶層；
在所述晶硅基片的背面沉積第二本征非晶層；
在所述第一本征非晶層上沉積第一摻雜層；
在所述第二本征非晶層上沉積第二摻雜層；
在所述第一摻雜層上沉積第一摻雜氧化鈦膜層；
在所述第二摻雜層上沉積第二摻雜氧化鈦膜層；
在所述第一摻雜氧化鈦膜層上沉積第一透明導(dǎo)電層；
在所述第二摻雜氧化鈦膜層上沉積第二透明導(dǎo)電層。
12.一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制備方法，其特征在于：包括
準(zhǔn)備晶硅基片；
在所述晶硅基片的受光面沉積第一本征非晶層；
在所述第一本征非晶層上沉積一減反射層；
在所述晶硅基片的背面沉積第二本征非晶層；
在所述第二本征非晶層的表面區(qū)域內(nèi)交錯(cuò)沉積形成第一摻雜層和第二摻雜層；
在所述第一摻雜層上沉積第一摻雜氧化鈦膜層；
在所述第二摻雜層上沉積第二摻雜氧化鈦膜層；
在所述第一摻雜氧化鈦膜層上沉積第一透明導(dǎo)電層；
在所述第二摻雜氧化鈦膜層上沉積第二透明導(dǎo)電層。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述第一摻雜氧化鈦膜層和第二摻雜氧化鈦膜層為TiO2摻雜Ta、W、Nb、Mo、Sb、Sc、Sn、Y、Zr、Hf、Ce和Al中的一種或兩種以上。