相關申請的交叉引用

2015年10月29日提交的名為“顯示設備和制造顯示設備的方法”的韓國專利申請第10-2015-0151348號通過引用被整體合并于此。

在本文描述的一個或多個實施例涉及顯示設備。

背景技術：

平板顯示設備可被分類為發(fā)射型和非發(fā)射型。發(fā)射型顯示器的示例包括平板陰極射線管、等離子體顯示面板和有機發(fā)光顯示器。有機發(fā)光顯示器為自發(fā)射，具有大的視角、優(yōu)異的對比度和快速響應時間。

因此，有機發(fā)光顯示器可以用在例如智能電話、超薄筆記本計算機、平板個人計算機和柔性顯示設備的移動設備中。有機發(fā)光顯示器也可用在例如超薄電視的大型電子產品中。

有機發(fā)光顯示器基于空穴和電子在位于陽極與陰極之間的發(fā)光層中的復合而發(fā)射彩色光。

技術實現(xiàn)要素：

根據(jù)一個或多個實施例，一種顯示設備包括：第一底基板；位于第一底基板上的有機電致發(fā)光器件；位于有機電致發(fā)光器件上并包括發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域的第二底基板；位于有機電致發(fā)光器件和第二底基板之間的基底層；位于基底層和有機電致發(fā)光器件之間的導電層；以及位于基底層和導電層之間并與導電層的一部分重疊的填充圖案。導電層與發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域重疊，覆蓋填充圖案，并接觸基底層，導電層的一部分接觸有機電致發(fā)光器件，并且填充圖案包括：包括絕緣材料的第一填充圖案和位于第一填充圖案上的第二填充圖案，第二填充圖案包括具有比導電層低的電阻的導電材料。絕緣材料可以包括光致抗蝕劑。

導電材料可以包括金屬和金屬合金中的至少一種。導電材料可以包括鋁(al)、銅(cu)和銀(ag)中的至少一種，或包括它們的合金。導電層可以包括透明導電氧化物。

填充圖案可以與發(fā)光區(qū)域隔開并可以重疊非發(fā)光區(qū)域。填充圖案的寬度可以小于非發(fā)光區(qū)域的寬度。

導電層可以包括：從基底層朝第一底基板突出并容納填充圖案的第一導電部分；以及連接至第一導電部分的第二導電部分。第一導電部分的至少一部分可以接觸有機電致發(fā)光器件，第二導電部分可以與有機電致發(fā)光器件隔開。

有機電致發(fā)光器件可以包括：陽極；位于陽極上用于發(fā)射白光的發(fā)光器；以及位于發(fā)光器上的陰極，其中導電層的所述一部分與陰極相接觸。發(fā)光器可包括：第一發(fā)光層；位于第一發(fā)光層上的電荷產生層；以及位于電荷產生層上的第二發(fā)光層。發(fā)光器可包括：第一發(fā)光層；位于第一發(fā)光層上的電荷產生層；位于電荷產生層上的第二發(fā)光層；以及位于第二發(fā)光層上并接觸第二發(fā)光層的第三發(fā)光層。發(fā)光器可包括：第一發(fā)光層；位于第一發(fā)光層上的第一電荷產生層；位于第一電荷產生層上的第二發(fā)光層；位于第二發(fā)光層上的第二電荷產生層；以及位于第二電荷產生層上的第三發(fā)光層。

有機電致發(fā)光器件可以發(fā)射白光。基底層可以包括濾色器層和覆蓋層中的至少一個?；讓涌砂ň哂袨V色器和黑矩陣的濾色器層，填充圖案的至少一部分重疊黑矩陣。

根據(jù)一個或多個其它實施例，用于制造顯示設備的方法包括：制備第一底基板和位于第一底基板上的有機電致發(fā)光器件；制備包括發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域的第二底基板；在第二底基板上提供填充圖案；和在第二底基板上提供導電層以覆蓋填充圖案，其中提供填充圖案包括：在第二底基板上提供第一層，第一層包括絕緣材料；在第一層上提供第二層，第二層包括具有比導電層低的電阻的導電材料；圖案化第二層；以及圖案化第一層，其中提供填充圖案包括提供與發(fā)光區(qū)域隔開并與非發(fā)光區(qū)域的一部分重疊的填充圖案。提供第一層可以通過涂敷金屬和金屬合金中的至少一種來進行。提供第二層可以通過涂敷光致抗蝕劑來進行。導電層可以包括透明導電氧化物。

附圖說明

通過參考附圖詳細描述示例性實施例，對于本領域技術人員來說特征將變得顯而易見，附圖中：

圖1示出了顯示設備的實施例；

圖2a示出了子像素的實施例，圖2b示出了子像素的平面圖，且圖2c示出了沿圖2b的線i-i'的剖視圖；

圖3a示出了在顯示設備中包括像素、填充圖案和導電層的實施例，且圖3b示出了對應于圖3a中的實施例的透視圖；

圖4a至圖4d示出了顯示設備中的發(fā)光區(qū)域的示例；

圖5a示出了有機電致發(fā)光器件的實施例，圖5b示出了沿圖3a中的線ii-ii'的剖視圖，且圖5c示出了沿圖3a中的線iii-iii'的剖視圖；

圖6a至圖6d示出了發(fā)光單元的實施例；

圖7a和圖7b示出了根據(jù)一個實施例的顯示設備中的填充圖案的位置關系的示例；

圖8a示出了制造顯示設備的方法的實施例，且圖8b示出了該方法的詳細操作；并且

圖9a至圖9h示出了對應于該方法的各制造階段。

具體實施方式

現(xiàn)在將在下文中參考附圖更充分地描述示例實施例；然而，示例實施例可以以不同的形式體現(xiàn)，而不應當被解釋為限于本文中提出的實施例。相反，提供這些實施例是為了使得本公開全面且完整，并且向本領域技術人員充分地傳達示例性實施方式。各實施例可以被組合，以形成另外的實施例。

在附圖中，為了例示清楚，層和區(qū)域的尺寸可能被放大了。還將理解，當一層或元件被稱為位于另一層或基板“上”時，它可直接位于另一層或基板上，或者也可以存在中間層。此外，將理解的是，當一層被稱為位于另一層“下”時，它可以直接位于下面，并且也可以存在一個或多個中間層。另外，還將理解的是，當一層被稱為位于兩個層“之間”時，它可以是這兩個層之間的唯一層，或者也可以存在一個或多個中間層。在全文中，相同的附圖標記指代相同的元件。

將進一步理解的是，當在說明書中使用時，術語“包括”和/或包含表明存在所陳述的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或添加一個或多個其它特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。此外，將理解的是，當諸如層、膜、區(qū)域、板等的部分被稱為位于另一部分“上”時，它可以“直接”位于另一部分上，或者可以存在中間部分。此外，當諸如層、膜、區(qū)域、板等的部分被稱為位于另一部分“下”時，它可以“直接”位于另一部分下方，或者可以存在中間部分。

當一元件被稱為“連接”或“耦接”到另一元件時，它可以直接連接或耦接到另一元件，或者間接連接或耦接到另一元件，其間有一個或多個中間元件。此外，當一元件被稱為“包括”一個組件時，這表示該元件可以進一步包括其它組件，而不是排除其它組件，除非有不同的公開。

圖1示出了包括顯示區(qū)域da和非顯示區(qū)域nda的顯示設備10的實施例。顯示區(qū)域da顯示圖像。當從顯示設備10的厚度方向(例如dr4)上觀察時，顯示區(qū)域da可具有大致矩形的形狀或其它形狀。

顯示區(qū)域da包括被布置成矩陣形式的多個像素區(qū)域pa。多個像素px位于像素區(qū)域pa中。每個像素px包括有機電致發(fā)光器件(例如圖5a中的oel)和多個子像素(例如圖2a中的spx)。每個子像素可以包括子有機電致發(fā)光器件(例如圖2a中的s_oel)。

非顯示區(qū)域nda不顯示圖像。當從顯示設備的厚度方向(例如dr4)上觀察時，非顯示區(qū)域nda例如可以圍繞或以其它方式鄰近顯示區(qū)域da。例如，非顯示區(qū)域nda可以在第一方向dr1和第三方向dr3上鄰近顯示區(qū)域da。第三方向dr3與第一方向dr1和第二方向dr2相交。

圖2a示出了是顯示設備10中的子像素的代表的子像素的實施例。圖2b是示出了該子像素的平面圖。圖2c示出了沿圖2b的線i-i'的剖視圖。

參考圖2a至圖2c，子像素spx可連接至包括數(shù)據(jù)線dl和驅動電壓線dvl的導電部分。子像素包括連接至導電部分的薄膜晶體管tft1和tft2。子有機電致發(fā)光器件s_oel和電容器cst連接至薄膜晶體管tft1和tft2。子像素發(fā)射特定顏色的光，例如紅色、綠色、藍色、青色、品紅色、黃色、白色或其它顏色。

第一電壓elvdd和比第一電壓elvdd低的第二電壓elvss被提供到子像素spx。第一電壓elvdd和第二電壓elvss被提供到子有機電致發(fā)光器件s_oel。

掃描線sl在第一方向dr1上延伸。數(shù)據(jù)線dl在與掃描線sl相交的第三方向dr3上延伸。驅動電壓線dvl在與數(shù)據(jù)線dl的方向基本相同的方向即第三方向dr3上延伸。驅動電壓線dvl接收第一電壓elvdd。掃描線sl將掃描信號傳輸?shù)奖∧ぞw管tft1和tft2。數(shù)據(jù)線dl將數(shù)據(jù)信號傳輸?shù)奖∧ぞw管tft1和tft2。驅動電壓線dvl將驅動電壓提供到薄膜晶體管tft1和tft2。導電層cl、填充圖案fp和子有機電致發(fā)光器件s_oel接收第二電壓elvss。

薄膜晶體管tft1和tft2包括控制子有機電致發(fā)光器件s_oel的驅動薄膜晶體管tft2和對驅動薄膜晶體管tft2進行開關的開關薄膜晶體管tft1。在實施例中，子像素spx包括兩個薄膜晶體管tft1和tft2。在另一實施例中，子像素spx可具有不同數(shù)目的晶體管和/或電容器。

開關薄膜晶體管tft1包括第一柵電極ge1、第一源電極se1和第一漏電極de1。第一柵電極ge1連接至掃描線sl，第一源電極se1連接至數(shù)據(jù)線dl。第一漏電極de1通過第五接觸孔ch5連接至第一公共電極ce1。開關薄膜晶體管tft1根據(jù)施加到掃描線sl的掃描信號將來自數(shù)據(jù)線dl的數(shù)據(jù)信號傳輸?shù)津寗颖∧ぞw管tft2。

驅動薄膜晶體管tft2包括第二柵電極ge2、第二源電極se2和第二漏電極de2。第二柵電極ge2連接至第一公共電極ce1。第二源電極se2連接至驅動電壓線dvl。第二漏電極de2通過第三接觸孔ch3連接至陽極an。

電容器cst連接在驅動薄膜晶體管tft2中的第二柵電極ge2與第二源電極se2之間。電容器cst充入并保持被輸入到驅動薄膜晶體管tft2中的第二柵電極ge2的數(shù)據(jù)信號。電容器cst可以包括通過第六接觸孔ch6連接至第一漏電極de1的第一公共電極ce1和連接至驅動電壓線dvl的第二公共電極ce2。

根據(jù)本實施例，顯示設備10包括第一基板和第二基板。第一基板包括第一底基板bs1、薄膜晶體管tft1和tft2、以及有機電致發(fā)光器件(例如圖5a中的oel)。第二基板包括第二底基板bs2、基底層cf1、cf2、cf3、cf4、bm和oc、導電層cl、以及填充圖案fp。

第一底基板bs1包括發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域。發(fā)光區(qū)域包括第一發(fā)光區(qū)域(例如圖3a中的ea1)、第二發(fā)光區(qū)域(例如圖3a中的ea2)、第三發(fā)光區(qū)域(例如圖3a中的ea3)、以及第四發(fā)光區(qū)域(例如圖3a中的ea4)。非發(fā)光區(qū)域包括第一非發(fā)光區(qū)域(例如圖3a中的nea1)、第二非發(fā)光區(qū)域(例如圖3a中的nea2)、第三非發(fā)光區(qū)域(例如圖3a中的nea3)和第四非發(fā)光區(qū)域(例如圖3a中的nea4)。

第一底基板可包括絕緣材料，諸如玻璃、塑料或石英。第一底基板bs1中的有機聚合物可以包括聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚酰亞胺或聚醚砜。第一底基板bs1可以通過考慮機械強度、熱穩(wěn)定性、透明度、表面平滑性、易用性或耐水性等進行選擇。

基板緩沖層可設置在第一底基板bs1上。基板緩沖層防止雜質擴散到開關薄膜晶體管tft1和驅動薄膜晶體管tft2?；寰彌_層可以由例如氮化硅(sinx)、氧化硅(siox)或氮氧化硅(sioxny)等形成，也可以根據(jù)第一底基板bs1的材料和工藝條件進行排除。

第一半導體層sm1和第二半導體層sm2位于第一底基板bs1上。第一半導體層sm1和第二半導體層sm2包括半導體材料，并分別充當開關薄膜晶體管tft1和驅動薄膜晶體管tft2的有源層。第一半導體層sm1和第二半導體層sm2中的每一個包括位于源區(qū)sa和漏區(qū)dra之間的溝道區(qū)ca。第一半導體層sm1和第二半導體層sm2中的每一個可以包括無機半導體材料和/或有機半導體材料。源區(qū)sa和漏區(qū)dra可以用n型或p型雜質摻雜。

柵極絕緣層gi可以位于第一半導體層sm1和第二半導體層sm2上。

柵極絕緣層gi覆蓋第一半導體層sm1和第二半導體層sm2。柵極絕緣層gi可以包括有機絕緣材料或無機絕緣材料。

第一柵電極ge1和第二柵電極ge2位于柵極絕緣層gi上。第一柵電極ge1和第二柵電極ge2被形成為分別覆蓋與第一半導體層sm1和第二半導體層sm2中的溝道區(qū)ca相對應的區(qū)域。

層間絕緣層il位于第一柵電極ge1和第二柵電極ge2上。層間絕緣層il覆蓋第一柵電極ge1和第二柵電極ge2。層間絕緣層il可以包括有機絕緣材料或無機絕緣材料。

第一源電極se1、第一漏電極de1、第二源電極se2和第二漏電極de2位于層間絕緣層il上。第二漏電極de2通過柵極絕緣層gi和層間絕緣層il中的第一接觸孔ch1連接至第二半導體層sm2中的漏區(qū)dra。第二源電極se2通過柵極絕緣層gi和層間絕緣層il中的第二接觸孔ch2連接至第二半導體層sm2中的源區(qū)sa。第一源電極se1通過柵極絕緣層gi和層間絕緣層il中的第四接觸孔ch4連接至第一半導體層sm1中的源區(qū)。第一漏電極de1通過柵極絕緣層gi和層間絕緣層il中的第五接觸孔ch5連接至第一半導體層sm1中的漏區(qū)。

鈍化層psl位于第一源電極se1和第一漏電極de1上，并位于第二源電極se2和第二漏電極de2上。鈍化層psl可以用作保護開關薄膜晶體管tft1和驅動薄膜晶體管tft2的保護膜。鈍化層psl也可以用作平坦化其頂面的覆蓋膜。

陽極an可以位于鈍化層psl上，并且可以是例如正電極。陽極an通過鈍化層psl中的第三接觸孔ch3連接至驅動薄膜晶體管tft2中的第二漏電極de2。

圖3a示出了顯示設備中的多個像素、填充圖案和導電層。圖3b是對應于圖3a的分解透視圖。

參考圖1、圖2a至圖2c以及圖3a和圖3b，每個像素px包括多個子像素，例如第一子像素spx1、第二子像素spx2、第三子像素spx3和第四子像素spx4。每個子像素spx包括發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域。圖3a和圖3b是示例性的在于，在第一方向dr1的平面圖中，第一子像素spx1與第二子像素spx2鄰近，且第三子像素spx3與第四子像素spx4鄰近。此外，在第三方向dr3的平面圖中，第一子像素spx1與第三子像素spx3鄰近，且第二子像素spx2與第四子像素spx4鄰近。在另一實施例中，第一子像素spx1、第二子像素spx2、第三子像素spx3和第四子像素spx4可以以不同的方式布置。

此外，圖3a和圖3b是示例性的在于，在平面圖中，第一子像素spx1、第二子像素spx2、第三子像素spx3和第四子像素spx4在形狀上彼此相同并且在尺寸上彼此相等。在另一實施例中，第一子像素spx1、第二子像素spx2、第三子像素spx3和第四子像素spx4的形狀和/或尺寸可以不同。

此外，圖3a和圖3b是示例性的在于，第一子像素spx1、第二子像素spx2、第三子像素spx3和第四子像素spx4中的每一個具有矩形形狀。在另一實施例中，第一子像素spx1、第二子像素spx2、第三子像素spx3和第四子像素spx4可具有不同的形狀，例如圓形、橢圓形、正方形、平行四邊形、梯形和菱形中的至少一種形狀。此外，第一子像素spx1、第二子像素spx2、第三子像素spx3和第四子像素spx4中的每一個可以例如具有其中至少一個角部具有圓形形狀的矩形形狀。

參考圖3a和圖3b，在平面圖中，第一發(fā)光區(qū)域ea1、第二發(fā)光區(qū)域ea2、第三發(fā)光區(qū)域ea3和第四發(fā)光區(qū)域ea4中的每一個可以具有矩形形狀。在另一實施例中，第一發(fā)光區(qū)域ea1、第二發(fā)光區(qū)域ea2、第三發(fā)光區(qū)域ea3和第四發(fā)光區(qū)域ea4可具有不同的形狀，例如圓形、橢圓形、正方形、平行四邊形、梯形、菱形中的至少一種形狀。此外，在平面圖中，第一發(fā)光區(qū)域ea1、第二發(fā)光區(qū)域ea2、第三發(fā)光區(qū)域ea3和第四發(fā)光區(qū)域ea4中的每一個可以例如具有其中至少一個角部具有圓形形狀的矩形形狀。

參考圖3a和圖3b，在平面圖中，第一發(fā)光區(qū)域ea1和第二發(fā)光區(qū)域ea2可以在第一方向dr1上順序隔開。第三發(fā)光區(qū)域ea3和第四發(fā)光區(qū)域ea4可以在第一方向dr1上順序隔開。第一發(fā)光區(qū)域ea1和第三發(fā)光區(qū)域ea3可以在第三方向dr3上順序隔開。第二發(fā)光區(qū)域ea2和第四發(fā)光區(qū)域ea4可以在第三方向dr3上順序隔開。在平面圖中，第一發(fā)光區(qū)域ea1、第二發(fā)光區(qū)域ea2、第三發(fā)光區(qū)域ea3和第四發(fā)光區(qū)域ea4中的每一個的形狀可以是第一方向dr1上的長度大于第三方向dr3上的長度的矩形。

導電層cl可以與發(fā)光區(qū)域ea1、ea2、ea3和ea4以及非發(fā)光區(qū)域nea1、nea2、nea3和nea4中的每一個重疊。例如，在平面圖中，導電層cl可以與發(fā)光區(qū)域ea1、ea2、ea3和ea4以及非發(fā)光區(qū)域nea1、nea2、nea3和nea4中的每一個重疊。

填充圖案fp與導電層cl的一部分重疊。填充圖案fp可以與發(fā)光區(qū)域ea1、ea2、ea3和ea4隔開，并且可以與非發(fā)光區(qū)域nea1、nea2、nea3和nea4的一部分重疊。例如，在平面圖中，填充圖案fp可以與發(fā)光區(qū)域ea1、ea2、ea3和ea4隔開，并且可以與非發(fā)光區(qū)域nea1、nea2、nea3和nea4的一部分重疊。在平面圖中，填充圖案fp的寬度w2可小于非發(fā)光區(qū)域nea1、nea2、nea3和nea4的寬度w1。(術語“寬度”可以是例如在第一方向上)。

在平面圖中，填充圖案fp可以是網格形式。例如，在平面圖中，填充圖案fp可以是來自第一矩形形狀的從第一矩形形狀中排除比第一矩形形狀小的第二矩形形狀的形式。

填充圖案fp包括第一填充圖案fp1和第二填充圖案fp2。第一填充圖案fp1可以與發(fā)光區(qū)域ea1、ea2、ea3和ea4隔開，并且可以與非發(fā)光區(qū)域nea1、nea2、nea3和nea4的一部分重疊。在平面圖中，第一填充圖案fp1的寬度可以小于非發(fā)光區(qū)域nea1、nea2、nea3和nea4的寬度w1。

在平面圖中，第一填充圖案fp1可以是網格形式。例如，在平面圖中，第一填充圖案fp1可以是來自第一矩形形狀的從第一矩形形狀中排除比第一矩形形狀小的第二矩形形狀的形式。

第二填充圖案fp2可以與發(fā)光區(qū)域ea1、ea2、ea3和ea4隔開，并且可以與非發(fā)光區(qū)域nea1、nea2、nea3和nea4的一部分重疊。例如，在平面圖中，第二填充圖案fp2可以與發(fā)光區(qū)域ea1、ea2、ea3和ea4隔開，并且可以與非發(fā)光區(qū)域nea1、nea2、nea3和nea4的一部分重疊。在平面圖中，第二填充圖案fp2的寬度可以小于非發(fā)光區(qū)域nea1、nea2、nea3和nea4的寬度w1。

在平面圖中，第二填充圖案可以是網格形式。例如，在平面圖中，第二填充圖案fp2可以是來自第一矩形形狀的從第一矩形形狀排除比第一矩形形狀小的第二矩形形狀的形式。

在平面圖中，第一填充圖案fp1的形狀可以與第二填充圖案fp2的形狀相同。在平面圖中，第一填充圖案fp1的形狀的尺寸可以等于或者不同于第二填充圖案fp2的形狀的尺寸。

圖4a至圖4d示出了顯示設備中的發(fā)光區(qū)域的實施例。在平面圖中，第一發(fā)光區(qū)域ea1、第二發(fā)光區(qū)域ea2、第三發(fā)光區(qū)域ea3和第四發(fā)光區(qū)域ea4可以具有各種預定的形狀。

參考圖4a，在平面圖中，第一發(fā)光區(qū)域ea1、第二發(fā)光區(qū)域ea2、第三發(fā)光區(qū)域ea3和第四發(fā)光區(qū)域ea4可以在第一方向dr1上順序隔開。另外，在平面圖中，第一發(fā)光區(qū)域ea1、第二發(fā)光區(qū)域ea2、第三發(fā)光區(qū)域ea3和第四發(fā)光區(qū)域ea4中的每個的形狀可以是第三方向dr3上的長度大于第一方向dr1上的長度的矩形。

參考圖4b，在平面圖中，第一發(fā)光區(qū)域ea1、第二發(fā)光區(qū)域ea2、第三發(fā)光區(qū)域ea3和第四發(fā)光區(qū)域ea4可以在第一方向dr1上順序隔開。另外，在平面圖中，第一發(fā)光區(qū)域ea1、第二發(fā)光區(qū)域ea2、第三發(fā)光區(qū)域ea3和第四發(fā)光區(qū)域ea4中的每個的形狀可以是第一方向dr1上的長度大于第三方向dr3上的長度的矩形。

參考圖4c，在平面圖中，第一發(fā)光區(qū)域ea1和第二發(fā)光區(qū)域ea2可以在第三方向dr3上隔開。第三發(fā)光區(qū)域ea3和第四發(fā)光區(qū)域ea4可以在第一方向dr1上隔開。第一發(fā)光區(qū)域ea1和第二發(fā)光區(qū)域ea2中的每一個的形狀可以是第一方向dr1上的長度大于第三方向dr3上的長度的矩形。第三發(fā)光區(qū)域ea3和第四發(fā)光區(qū)域ea4中的每一個的形狀可以是第三方向dr3上的長度大于第一方向dr1上的長度的矩形。

參考圖4d，在平面圖中，第一發(fā)光區(qū)域ea1和第二發(fā)光區(qū)域ea2可以在第一方向dr1上隔開。第三發(fā)光區(qū)域ea3和第四發(fā)光區(qū)域ea4可以位于第一發(fā)光區(qū)域ea1和第二發(fā)光區(qū)域ea2之間。第三發(fā)光區(qū)域ea3和第四發(fā)光區(qū)域ea4可以在第三方向dr3上隔開。第一發(fā)光區(qū)域ea1和第二發(fā)光區(qū)域ea2中的每一個的形狀可以是第三方向dr3上的長度大于第一方向dr1上的長度的矩形。第三發(fā)光區(qū)域ea3和第四發(fā)光區(qū)域ea4中的每一個的形狀可以是第一方向dr1上的長度大于在第三方向dr3上的長度的矩形。

圖4a至圖4d在平面圖中示出了第一發(fā)光區(qū)域ea1、第二發(fā)光區(qū)域ea2、第三發(fā)光區(qū)域ea3和第四發(fā)光區(qū)域ea4之間的位置關系、以及第一發(fā)光區(qū)域ea1、第二發(fā)光區(qū)域ea2、第三發(fā)光區(qū)域ea3和第四發(fā)光區(qū)域ea4中的每一個的形狀的示例。在其它實施例中，第一發(fā)光區(qū)域ea1、第二發(fā)光區(qū)域ea2、第三發(fā)光區(qū)域ea3和第四發(fā)光區(qū)域ea4可以以不同的方式布置。另外，在其它實施例中，第一發(fā)光區(qū)域ea1、第二發(fā)光區(qū)域ea2、第三發(fā)光區(qū)域ea3和第四發(fā)光區(qū)域ea4可以具有不同的形狀。

圖5a是示出了可包括在顯示設備的一個或多個實施例中的有機電致發(fā)光(oel)器件的實施例的剖視圖。oel可以發(fā)射白光或不同顏色的光。

有機電致發(fā)光器件oel包括第一子有機電致發(fā)光器件s_oel1、第二子有機電致發(fā)光器件s_oel2、第三子有機電致發(fā)光器件s_oel3和第四子有機電致發(fā)光器件s_oel4。第一子有機電致發(fā)光器件s_oel1、第二子有機電致發(fā)光器件s_oel2、第三子有機電致發(fā)光器件s_oel3和第四子有機電致發(fā)光器件s_oel4在橫截面上彼此隔開。

第一子有機電致發(fā)光器件s_oel1包括第一陽極an1、第一空穴傳輸區(qū)域部分htrp1、第一發(fā)光單元部分emup1、第一電子傳輸區(qū)域部分etrp1和第一陰極部分catp1。第一子有機電致發(fā)光器件s_oel1可以包括第一發(fā)光區(qū)域ea1和第一非發(fā)光區(qū)域nea1。

第二子有機電致發(fā)光器件s_oel2包括第二陽極an2、第二空穴傳輸區(qū)域部分htrp2、第二發(fā)光單元部分emup2、第二電子傳輸區(qū)域部分etrp2和第二陰極部分catp2。第二子有機電致發(fā)光器件s_oel2可以包括第二發(fā)光區(qū)域ea2和第二非發(fā)光區(qū)域nea2。

第三子有機電致發(fā)光器件s_oel3包括第三陽極an3、第三空穴傳輸區(qū)域部分htrp3、第三發(fā)光單元部分emup3、第三電子傳輸區(qū)域部分etrp3和第三陰極部分catp3。第三子有機電致發(fā)光器件s_oel3可以包括第三發(fā)光區(qū)域ea3和第三非發(fā)光區(qū)域nea3。

第四子有機電致發(fā)光器件s_oel4包括第四陽極an4、第四空穴傳輸區(qū)域部分htrp4、第四發(fā)光單元部分emup4、第四電子傳輸區(qū)域部分etrp4和第四陰極部分catp4。第四子有機電致發(fā)光器件s_oel4可以包括第四發(fā)光區(qū)域ea4和第四非發(fā)光區(qū)域nea4。

圖5b是沿圖3a的線ii-ii'的剖視圖，且圖5c是沿圖3a的線iii-iii'的剖視圖。

參考圖1、圖2a至圖2c、圖3a和圖3b以及圖5a至圖5c，第一陽極an1、第二陽極an2、第三陽極an3和第四陽極an4在橫截面上隔開彼此。第一陽極an1、第二陽極an2、第三陽極an3和第四陽極an4彼此隔開。第一陽極an1、第二陽極an2、第三陽極an3和第四陽極an4可以是反射電極。當?shù)谝魂枠Oan1、第二陽極an2、第三陽極an3和第四陽極an4中的每一個是反射電極時，第一陽極an1、第二陽極an2、第三陽極an3和第四陽極an4中的每一個可以包括例如銀(ag)、鎂(mg)、鋁(al)、鉑(pt)、鈀(pd)、金(au)、鎳(ni)、釹(nd)、銥(ir)、鉻(cr)或金屬的組合。

空穴傳輸區(qū)域htr位于第一陽極an1、第二陽極an2、第三陽極an3和第四陽極an4上?？昭▊鬏攨^(qū)域htr可以是設置在例如第一發(fā)光區(qū)域ea1、第一非發(fā)光區(qū)域nea1、第二發(fā)光區(qū)域ea2、第二非發(fā)光區(qū)域nea2、第三發(fā)光區(qū)域ea3、第三非發(fā)光區(qū)域nea3、第四發(fā)光區(qū)域ea4和第四非發(fā)光區(qū)域nea4中的單體(例如單一整體結構)。

空穴傳輸區(qū)域htr包括空穴注入層和空穴傳輸層?？昭ㄗ⑷雽雍涂昭▊鬏攲涌梢员恍纬蔀閱螌?。空穴注入層和空穴傳輸層可以被形成為單層，并且可包括摻雜劑，例如p型摻雜劑?？昭▊鬏攨^(qū)域htr可以進一步包括空穴緩沖層和空穴阻擋層中的至少一個。

空穴注入層可以包括例如諸如銅酞菁的酞菁化合物，或n,n'-二苯基-n,n'-雙-[4-(苯基-間甲苯基-氨基)-苯基]-聯(lián)苯基-4,4'-二胺(dntpd)、4,4',4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)(m-mtdata)、4,4',4”-三(n,n-二苯基氨基)三苯胺(tdata)、4,4',4”-三{n-(2-萘基)-n-苯基氨基}-三苯胺(2-tnata)、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)(pedot/pss)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚苯胺/莰酮磺酸(pani/csa)或(聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)(pani/pss)等。

為了提高導電率，空穴注入層可以進一步包括電荷產生材料。電荷產生材料可以均勻地或非均勻地分布在空穴注入層中。電荷產生材料可以是例如p型摻雜劑?？昭ㄗ⑷雽拥闹辽僖徊糠挚梢园╬型摻雜劑。p型摻雜劑可以包括例如醌衍生物、金屬氧化物和含氰基的化合物中的一種。例如，p型摻雜劑的非限制性示例可以包括諸如醌二甲烷(tcnq)或2,3,5,6-四氟乙烯-醌二甲烷(f4-tcnq)的醌衍生物或諸如氧化鎢或氧化鉬的金屬氧化物。

空穴傳輸層位于空穴注入層上?？昭▊鬏攲涌梢园ɡ缰T如n-苯基咔唑或聚乙烯咔唑的咔唑類衍生物、氟系衍生物、諸如n,n'-雙(3-甲基苯基)-n,n'-二苯基-[1,1-聯(lián)苯基]-4,4'-二胺(tpd)或4,4',4”-三(n-咔唑基)三苯胺(tcta)的三苯胺類衍生物、n,n'-二(1-萘基)-n,n'-二苯基聯(lián)苯胺(npb)或4,4'-亞環(huán)己基雙[n,n-雙(4-甲基苯基)苯胺](tapc)等，但不限于此。

空穴傳輸區(qū)域htr包括第一空穴傳輸區(qū)域部分htrp1、第二空穴傳輸區(qū)域部分htrp2、第三空穴傳輸區(qū)域部分htrp3、第四空穴傳輸區(qū)域部分htrp4、第五空穴傳輸區(qū)域部分htrp5、第六空穴傳輸區(qū)域部分htrp6和第七空穴傳輸區(qū)域部分htrp7。第一空穴傳輸區(qū)域部分htrp1、第五空穴傳輸區(qū)域部分htrp5、第二空穴傳輸區(qū)域部分htrp2、第六空穴傳輸區(qū)域部分htrp6、第三空穴傳輸區(qū)域部分htrp3、第七空穴傳輸區(qū)域部分htrp7和第四空穴傳輸區(qū)域部分htrp4例如被順序連接成單體。

第一空穴傳輸區(qū)域部分htrp1位于第一子有機電致發(fā)光器件s_oel1中。第一空穴傳輸區(qū)域部分htrp1與第一陽極an1重疊。第二空穴傳輸區(qū)域部分htrp2位于第二子有機電致發(fā)光器件s_oel2中。第二空穴傳輸區(qū)域部分htrp2與第二陽極an2重疊。第三空穴傳輸區(qū)域部分htrp3位于第三子有機電致發(fā)光器件s_oel3中。第三空穴傳輸區(qū)域部分htrp3與第三陽極an3重疊。第四空穴傳輸區(qū)域部分htrp4位于第四子有機電致發(fā)光器件s_oel4中。第四空穴傳輸區(qū)域部分htrp4與第四陽極an4重疊。第五空穴傳輸區(qū)域部分htrp5設置在第一空穴傳輸區(qū)域部分htrp1和第二空穴傳輸區(qū)域部分htrp2之間。第六空穴傳輸區(qū)域部分htrp6位于第二空穴傳輸區(qū)域部分htrp2和第三空穴傳輸區(qū)域部分htrp3之間。第七空穴傳輸區(qū)域部分htrp7位于第三空穴傳輸區(qū)域部分htrp3和第四空穴傳輸區(qū)域部分htrp4之間。

發(fā)光單元位于空穴傳輸區(qū)域htr上。發(fā)光單元可以被提供為設置在例如第一發(fā)光區(qū)域ea1、第一非發(fā)光區(qū)域nea1、第二發(fā)光區(qū)域ea2、第二非發(fā)光區(qū)域nea2、第三發(fā)光區(qū)域ea3、第三非發(fā)光區(qū)域nea3、第四發(fā)光區(qū)域ea4和第四非發(fā)光區(qū)域nea4中的單體。發(fā)光單元可以發(fā)射例如白光。

發(fā)光單元emu包括第一發(fā)光單元部分emup1、第二發(fā)光單元部分emup2、第三發(fā)光單元部分emup3、第四發(fā)光單元部分emup4、第五發(fā)光單元部分emup5、第六發(fā)光單元部分emup6和第七發(fā)光單元部分emup7。第一發(fā)光單元部分emup1、第五發(fā)光單元部分emup5、第二發(fā)光單元部分emup2、第六發(fā)光單元部分emup6、第三發(fā)光單元部分emup3、第七發(fā)光單元部分emup7和第四發(fā)光單元部分emup4例如被順序連接成單體。

圖6a至圖6d是示出了顯示設備中的發(fā)光單元的實施例的剖視圖。參考圖6a，發(fā)光單元emu可以包括順序層疊的第一發(fā)光層eml1、電荷產生層cgl和第二發(fā)光層eml2。第一發(fā)光層eml1和第二發(fā)光層eml2可以發(fā)射具有彼此不同的顏色的光。例如，第一發(fā)光層eml1可以發(fā)射黃光，第二發(fā)光層eml2可以發(fā)射藍光。在另一實施例中，第一發(fā)光層eml1可以發(fā)射藍光，第二發(fā)光層eml2可以發(fā)射黃光。

電荷產生層cgl位于第一發(fā)光層eml1和第二發(fā)光層eml2之間，以調節(jié)第一發(fā)光層eml1和第二發(fā)光層eml2之間的電荷均勻性。電荷產生層cgl可包括促進電子注入到第一發(fā)光層eml1中的互連金屬層以及促進空穴注入到第二發(fā)光層eml2中的互連空穴注入層。

例如，互連金屬層可以由被摻雜有具有優(yōu)異的電子注入性能的堿金屬的有機材料層形成?；ミB空穴注入層可以由包括p型有機材料的有機半導體層形成。在另一實施例中，電荷產生層cgl可被形成為單層。

參考圖6b，發(fā)光單元emu可包括順序層疊的第一發(fā)光層eml1、電荷產生層cgl、第二發(fā)光層eml2和第三發(fā)光層eml3。第一發(fā)光層eml1、第二發(fā)光層eml2和第三發(fā)光層eml3中的每一個可以發(fā)射不同顏色的光。例如，第一發(fā)光層eml1可以發(fā)射黃光，第二發(fā)光層eml2可以發(fā)射綠光，第三發(fā)光層eml3可以發(fā)射紅光。在另一實施例中，第一發(fā)光層eml1可以發(fā)射黃光，第二發(fā)光層eml2可以發(fā)射紅光，第三發(fā)光層eml3可以發(fā)射綠光。電荷產生層cgl位于第一發(fā)光層eml1和第二發(fā)光層eml2之間，以調節(jié)第一發(fā)光層eml1與第二和第三發(fā)光層eml2和eml3之間的電荷均勻性。

參考圖6c，發(fā)光單元emu可包括順序層疊的第一發(fā)光層eml1、第二發(fā)光層eml2、電荷產生層cgl和第三發(fā)光層eml3。第一發(fā)光層eml1、第二發(fā)光層eml2和第三發(fā)光層eml3中的每一個可以發(fā)射不同顏色的光。例如，第一發(fā)光層eml1可以發(fā)射紅光，第二發(fā)光層eml2可以發(fā)射綠光，第三發(fā)光層eml3可發(fā)射黃光。在另一實施例中，第一發(fā)光層eml1可以發(fā)射綠光，第二發(fā)光層eml2可以發(fā)射紅光，第三發(fā)光層eml3可以發(fā)射黃光。電荷產生層cgl位于第二發(fā)光層eml2和第三發(fā)光層eml3之間，以調節(jié)第三發(fā)光層eml3與第一和第二發(fā)光層eml1和eml2之間的電荷均勻性。

參考圖6d，發(fā)光單元emu可包括順序層疊的第一發(fā)光層eml1、第一電荷產生層cgl1、第二發(fā)光層eml2、第二電荷產生層cgl2和第三發(fā)光層eml3。第一發(fā)光層eml1、第二發(fā)光層eml2和第三發(fā)光層eml3中的每一個可以發(fā)射不同顏色的光。例如，第一發(fā)光層eml1、第二發(fā)光層eml2和第三發(fā)光層eml3中的各層中的一層可以發(fā)射藍光，剩下的層中的一個可以發(fā)射綠光，另一個可以發(fā)射紅光。第一電荷產生層cgl1位于第一發(fā)光層eml1和第二發(fā)光層eml2之間，并調節(jié)第一發(fā)光層eml1和第二發(fā)光層eml2之間的電荷均勻性。第二電荷產生層cgl2位于第二發(fā)光層eml2和第三發(fā)光層eml3之間，并調節(jié)第二發(fā)光層eml2和第三發(fā)光層eml3之間的電荷均勻性。

參考圖1、圖2a至圖2c、圖3a和圖3b以及圖5a至圖5c，電子傳輸區(qū)域etr位于發(fā)光單元emu上。電子傳輸區(qū)域etr可以被提供為位于例如第一發(fā)光區(qū)域ea1、第一非發(fā)光區(qū)域nea1、第二發(fā)光區(qū)域ea2、第二非發(fā)光區(qū)域nea2、第三發(fā)光區(qū)域ea3、第三非發(fā)光區(qū)域nea3、第四發(fā)光區(qū)域ea4和第四非發(fā)光區(qū)域nea4中的單體。電子傳輸區(qū)域etr可以進一步包括電子傳輸層。電子注入層位于電子傳輸層上。在一個實施例中，電子注入層可以被排除。

電子傳輸層可以包括例如三(8-羥基喹啉)鋁(alq3)、1,3,5-三(1-苯基-1h-苯并[d]咪唑-2-基)苯基(tpbi)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(taz)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4h-1,2,4-三唑(ntaz)、2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑(tbu-pbd)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉-n1,o8)-(1,1'-聯(lián)苯-4-羥基)鋁(balq)、雙(苯并喹啉-10-羥基)鈹(bebq2)、9,10-二(萘-2-基)蒽(adn)或其衍生物，但不限于此。電子傳輸層的厚度可為約至約例如約至約當電子傳輸層的厚度滿足這樣的范圍時，可以不實質增加驅動電壓就實現(xiàn)電子傳輸特性的令人滿意的水平。

電子注入層可以包括例如氟化鋰(lif)、喹啉鋰(liq)、氧化鋰(li2o)、氯化鈉(nacl)、氟化銫(csf)、諸如鐿(yb)的鑭系元素金屬、或諸如氯化銣(rbcl)或碘化銣(rbi)的金屬鹵化物。電子注入層可以包括其中電子傳輸材料與絕緣有機金屬鹽混合的材料。有機金屬鹽可以是具有大于約4ev的能帶隙的材料。例如，有機金屬鹽可包括金屬乙酸鹽、金屬苯甲酸鹽、金屬乙酰乙酸酯、乙酰丙酮金屬或金屬硬脂酸鹽。電子注入層的厚度可為約至約或約至約當電子注入層的厚度滿足這樣的范圍時，可以不實質增加驅動電壓就實現(xiàn)電子注入特性的令人滿意的水平。

電子傳輸區(qū)域etr包括第一電子傳輸區(qū)域部分etrp1、第二電子傳輸區(qū)域部分etrp2、第三電子傳輸區(qū)域部分etrp3、第四電子傳輸區(qū)域部分etrp4、第五電子傳輸區(qū)域部分etrp5、第六電子傳輸區(qū)域部分etrp6和第七電子傳輸區(qū)域部分etrp7。第一電子傳輸區(qū)域部分etrp1、第五電子傳輸區(qū)域部分etrp5、第二電子傳輸區(qū)域部分etrp2、第六電子傳輸區(qū)域部分etrp6、第三電子傳輸區(qū)域部分etrp3、第七電子傳輸區(qū)域部分etrp7和第四電子傳輸區(qū)域部分etrp4例如被順序連接成單體。

第一電子傳輸區(qū)域部分etrp1位于第一子有機電致發(fā)光器件s_oel1中。第一電子傳輸區(qū)域部分etrp1與第一陽極an1、第一空穴傳輸區(qū)域部分htrp1和第一發(fā)光單元部分emup1重疊。第二電子傳輸區(qū)域部分etrp2位于第二子有機電致發(fā)光器件s_oel2中。第二電子傳輸區(qū)域部分etrp2與第二陽極an2、第二空穴傳輸區(qū)域部分htrp2和第二發(fā)光單元部分emup2重疊。第三電子傳輸區(qū)域部分etrp3位于第三子有機電致發(fā)光器件s_oel3中。第三電子傳輸區(qū)域部分etrp3與第三陽極an3、第三空穴傳輸區(qū)域部分htrp3和第三發(fā)光單元部分emup3重疊。第四電子傳輸區(qū)域部分etrp4位于第四子有機電致發(fā)光器件s_oel4中。第四電子傳輸區(qū)域部分etrp4與第四陽極an4、第四空穴傳輸區(qū)域部分htrp4和第四發(fā)光單元部分emup4重疊。

陰極cat位于電子傳輸區(qū)域etr上。陰極cat可以被提供為位于例如第一發(fā)光區(qū)域ea1、第一非發(fā)光區(qū)域nea1、第二發(fā)光區(qū)域ea2、第二非發(fā)光區(qū)域nea2、第三發(fā)光區(qū)域ea3、第三非發(fā)光區(qū)域nea3、第四發(fā)光區(qū)域ea4和第四非發(fā)光區(qū)域nea4中的單體。

陰極cat可以是公共電極或負電極。陰極cat可以是半透射電極或反射電極。當陰極cat是半透射電極或反射電極時，陰極cat可以包括例如銀(ag)、鎂(mg)、銅(cu)、鋁(al)、鉑(pt)、鈀(pd)、金(au)、鎳(ni)、釹(nd)、銥(ir)、鉻(cr)、鋰(li)、鈣(ca)、氟化鋰/鈣(lif/ca)、氟化鋰/鋁(lif/al)、鉬(mo)、鈦(ti)或其化合物或混合物(例如ag和mg的混合物)。

此外，陰極cat可以是多層結構，包括由上述材料形成的反射膜或半透射膜，以及由氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化鋅(zno)或氧化銦錫鋅(itzo)等形成的透明導電膜。

陰極cat可連接至輔助電極。為了面向發(fā)光單元，輔助電極可以包括通過沉積例如銀(ag)、鎂(mg)、銅(cu)、鋁(al)、鉑(pt)、鈀(pd)、金(au)、鎳(ni)、釹(nd)、銥(ir)、鉻(cr)、鋰(li)、鈣(ca)、氟化鋰/鈣(lif/ca)、氟化鋰/鋁(lif/al)、鉬(mo)、鈦(ti)或其化合物或混合物而形成的膜。陰極cat可包括設置在該膜上的透明金屬氧化物，例如氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化鋅(zno)、氧化銦錫鋅(itzo)、鉬(mo)或鈦(ti)等。

有機電致發(fā)光器件oel可以是前表面發(fā)光型。前表面發(fā)光型可指圖像從第一底基板bs1朝向第二底基板bs2發(fā)射。當有機電致發(fā)光器件oel是前表面發(fā)光型時，第一陽極an1、第二陽極an2、第三陽極an3和第四陽極an4可以是反射電極，陰極cat可以是透射電極或半透射電極。

陰極cat包括第一陰極部分catp1、第二陰極部分catp2、第三陰極部分catp3、第四陰極部分catp4、第五陰極部分catp5、第六陰極部分catp6和第七陰極部分catp7。第一陰極部分catp1、第五陰極部分catp5、第二陰極部分catp2、第六陰極部分catp6、第三陰極部分catp3、第七陰極部分catp7和第四陰極部分catp4例如被順序連接成單體。

在有機電致發(fā)光器件oel中，當電壓被施加到第一陽極an1、第二陽極an2、第三陽極an3、第四陽極an4和陰極cat中的每一個時，從第一陽極an1、第二陽極an2、第三陽極an3和第四陽極an4注入的空穴穿過空穴傳輸區(qū)域htr并移動到發(fā)光單元emu。從陰極cat注入的電子穿過電子傳輸區(qū)域etr并移動到發(fā)光單元emu。電子和空穴在發(fā)光單元emu中復合，以產生激子。當激子從激發(fā)態(tài)下降到基態(tài)時發(fā)射光。

有機蓋層可以設置在陰極cat上。有機蓋層可以被提供為位于例如第一發(fā)光區(qū)域ea1、第一非發(fā)光區(qū)域nea1、第二發(fā)光區(qū)域ea2、第二非發(fā)光區(qū)域nea2、第三發(fā)光區(qū)域ea3、第三非發(fā)光區(qū)域nea3、第四發(fā)光區(qū)域ea4和第四非發(fā)光區(qū)域nea4中的單體。

有機蓋層可從有機蓋層的頂表面朝發(fā)光單元emu反射從發(fā)光單元emu發(fā)射的光。反射光通過該有機層中的諧振效應被放大。因此，顯示設備10的發(fā)光效率可以得到提高。在前表面發(fā)光型有機電致發(fā)光器件中，有機蓋層可以通過光的內部全反射防止光在陰極cat中的損耗。

有機蓋層可以包括例如n4,n4,n4',n4'-四(聯(lián)苯-4-基)聯(lián)苯-4,4'-二胺(tpd15)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(tcta)、和n,n'-雙(苯基)-2,2'-二甲基聯(lián)苯胺(α-npd)中的至少一種。

封裝層可以被提供在陰極cat上，并且可以是位于例如第一發(fā)光區(qū)域ea1、第一非發(fā)光區(qū)域nea1、第二發(fā)光區(qū)域ea2、第二非發(fā)光區(qū)域nea2、第三發(fā)光區(qū)域ea3、第三非發(fā)光區(qū)域nea3、第四發(fā)光區(qū)域ea4和第四非發(fā)光區(qū)域nea4中的單體。

封裝層可以覆蓋陰極cat，并可以包括有機層、無機層以及包括有機材料和無機材料的混合層中的至少一層。封裝層可以是單層或多層。封裝層可以是例如薄膜封裝層。封裝層可以用于保護有機電致發(fā)光器件oel。

第二底基板bs2位于有機電致發(fā)光器件oel上。第二底基板bs2包括發(fā)光區(qū)域ea1、ea2、ea3和ea4以及非發(fā)光區(qū)域nea1、nea2、nea3和nea4。發(fā)光區(qū)域ea1、ea2、ea3和ea4包括第一發(fā)光區(qū)域ea1、第二發(fā)光區(qū)域ea2、第三發(fā)光區(qū)域ea3和第四發(fā)光區(qū)域ea4。非發(fā)光區(qū)域nea1、nea2、nea3和nea4包括第一非發(fā)光區(qū)域nea1、第二非發(fā)光區(qū)域nea2、第三非發(fā)光區(qū)域nea3和第四非發(fā)光區(qū)域nea4。

典型的第二底基板bs2可以包括例如諸如玻璃、塑料或石英之類的絕緣材料。第二底基板bs2中的有機聚合物可以包括例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚酰亞胺或聚醚砜。第二底基板bs2可以通過考慮例如機械強度、熱穩(wěn)定性、透明度、表面平滑性、易用性或耐水性等來選擇。

導電層cl、填充圖案fp和基底層位于有機電致發(fā)光器件oel和第二底基板bs2之間?；讓咏佑|第二底基板bs2的底表面，并且可包括濾色器層cf1、cf2、cf3、cf4和bm以及覆蓋層oc中的至少一個。濾色器層包括濾色器cf1、cf2、cf3和cf4以及黑矩陣bm。

導電層cl可以被完全設置在第一底基板bs1和第二底基板bs2之間。導電層cl接觸基底層cf1、cf2、cf3、cf4、bm和oc的底表面。導電層cl連接至有機電致發(fā)光器件oel。例如，導電層cl連接至陰極cat。

導電層cl可以包括透明導電氧化物。典型的導電層cl可以包括例如氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)和氧化銦鎵鋅(igzo)中的至少一種。

導電層cl包括第一導電部分clp1和第二導電部分clp2。第一導電部分clp1從基底層cf1、cf2、cf3、cf4、bm和oc朝第一底基板bs1突出，以容納填充圖案fp。第一導電部分clp1的至少一部分接觸有機電致發(fā)光器件oel。例如，第一導電部分clp1的至少一部分接觸陰極cat。在平面圖中，第一導電部分clp1與黑矩陣bm的至少一部分重疊。第二導電部分clp2連接至第一導電部分clp1。第二導電部分clp2與有機電致發(fā)光器件oel隔開。

如上面所討論的，濾色器層cf1、cf2、cf3、cf4和bm可以位于導電層cl和第二底基板bs2之間。濾色器層cf1、cf2、cf3、cf4和bm包括濾色器cf1、cf2、cf3、cf4和黑矩陣bm。濾色器cf1、cf2、cf3和cf4給從發(fā)光單元emu接收的光提供顏色。濾色器cf1、cf2、cf3和cf4可包括第一濾色器cf1、第二濾色器cf2、第三濾色器cf3和第四濾色器cf4。

第一濾色器cf1與第一子有機電致發(fā)光器件s_oel1重疊。第一濾色器cf1位于第一發(fā)光區(qū)域ea1中。第一濾色器cf1可以給從發(fā)光單元emu接收的光提供例如紅色。在一個實施例中，第一濾色器cf1可以提供不同的顏色。

第二濾色器cf2與第二子有機電致發(fā)光器件s_oel2重疊。第二濾色器cf2位于第二發(fā)光區(qū)域ea2中。第二濾色器cf2可以給從發(fā)光單元emu接收的光提供例如綠色。在另一實施例中，第二濾色器cf2可以提供不同的顏色。

第三濾色器cf3與第三子有機電致發(fā)光器件s_oel3重疊。第三濾色器cf3位于第三發(fā)光區(qū)域ea3中。第三濾色器cf3可以給從發(fā)光單元emu接收的光提供例如藍色。在另一實施例中，第三濾色器cf3可以提供不同的顏色。

第四濾色器cf4與第四子有機電致發(fā)光器件s_oel4重疊。第四濾色器cf4位于第四發(fā)光區(qū)域ea4中。第四濾色器cf4可以給從發(fā)光單元emu接收的光提供例如黃色。在另一實施例中，第四濾色器cf4可以提供不同的顏色。

在圖5b中，濾色器被示出為包括第一濾色器cf1、第二濾色器cf2、第三濾色器cf3和第四濾色器cf4。在另一實施例中，第一濾色器cf1、第二濾色器cf2、第三濾色器cf3和第四濾色器cf4中的至少一個可被排除。排除了濾色器cf1、cf2、cf3和cf4的發(fā)光區(qū)域ea1、ea2、ea3和ea4可發(fā)射例如白光。

黑矩陣bm吸收從發(fā)光單元emu發(fā)射的光。黑矩陣bm可以與對應于包括掃描線、數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管(例如圖2a中的tft1和tft2)的區(qū)域的遮光區(qū)域重疊。黑矩陣bm可以吸收光，由此阻擋在遮光區(qū)域中出現(xiàn)的光的泄漏。

覆蓋層oc可以位于導電層cl與濾色器層cf1、cf2、cf3、cf4和bm之間。在一個實施例中，覆蓋層oc可以被排除。覆蓋層oc可以包括有機層、無機層以及包括有機材料和無機材料的混合層中的至少一層。覆蓋層oc可以是單層或多層。

填充圖案fp位于第二底基板bs2和導電層cl之間。填充圖案fp包括第一填充圖案fp1和第二填充圖案fp2。第一填充圖案fp1接觸導電層cl。例如，第一填充圖案fp1的頂表面接觸第二填充圖案fp2，且第一填充圖案fp1的底表面和側壁接觸導電層cl。第一填充圖案fp1包括絕緣材料，例如光致抗蝕劑。

第二填充圖案fp2位于第一填充圖案fp1上，并且可以接觸基底層cf1、cf2、cf3、cf4、bm和oc。例如，第二填充圖案fp2的頂表面可以接觸基底層cf1、cf2、cf3、cf4、bm和oc。第二填充圖案fp2的底表面可以接觸第一填充圖案fp1。第二填充圖案fp2的側壁可接觸導電層cl。

第二填充圖案fp2包括導電材料，例如，其具有比導電層cl的電阻低的電阻。導電材料可包括金屬和金屬合金中的至少一種。導電材料可以包括例如al、cu和ag中的至少一種或其合金。導電材料的電阻率可以是例如約1.0×10^-8ωm至約30.0×10^-8ωm。電阻率表示當導電材料具有1m²的單位面積和1m的單位長度時的電阻值。

導電層cl和填充圖案fp可以維持單元間隙。單元間隙可以對應于第一底基板bs1和第二底基板bs2之間的距離。例如，在一個實施例中，單元間隙可以對應于陰極cat與基底層cf1、cf2、cf3、cf4、bm和oc之間的距離。

間隔部分ga位于陰極cat與基底層cf1、cf2、cf3、cf4、bm和oc之間。間隔部分ga可以位于單元間隙中，并且例如可以是真空層。在另一實施例中，間隔部分ga可以是有機層、無機層以及包括有機材料和無機材料的混合層中的至少一層。間隔部分ga可以是透明的。

圖7a和圖7b示出了顯示設備中的填充圖案的位置關系的示例。參考圖7a，填充圖案fp可以包括在第三方向dr3上延伸并在第一方向dr1上隔開的第一填充圖案線fpl1。參考圖7b，填充圖案fp可以包括在第一方向dr1上延伸并在第三方向dr3上隔開的第二填充圖案線fpl2。

在圖7a和圖7b中，在平面圖中，各個第一填充圖案線fpl1和各個第二填充圖案線fpl2以恒定間隔隔開。在另一實施例中，在平面圖中，第一填充圖案線fpl1和第二填充圖案線fpl2可以是隨機間隔。此外，在平面圖中，圖7a和圖7b示出了填充圖案fp的位置關系。在另一實施例中，在平面圖中，填充圖案可以設置(例如隨機設置)在非發(fā)光區(qū)域nea1、nea2、nea3和nea4中。

一種類型的顯示設備可以包括用于保持第一底基板和第二底基板之間的單元間隙的間隔件。根據(jù)一個實施例，顯示設備可以包括填充圖案和導電層來保持第一底基板和第二底基板之間的單元間隙，而不采用獨立的單元間隙。由于根據(jù)至少一個實施例的顯示設備不需要提供間隔件的單獨工藝，因此制造工藝可以簡化。

此外，在已經提出的一種類型的前表面發(fā)光型顯示設備中，光從發(fā)光單元穿過陰極，從而可以被用戶感知到。陰極可以是透射或半透射的導電材料。透射或半透射材料具有薄的厚度。因此，陰極可以具有升高的電阻。相應地，存在在陰極中出現(xiàn)電壓降(ir降)的限制。

根據(jù)一個或多個實施例，填充圖案連接至導電層和陰極，并包括具有比導電層低的電阻的導電材料。因此，陰極的電阻可減小。結果，可以減小或防止在顯示設備的陰極中可能出現(xiàn)的任何電壓降。此外，導電層和填充圖案可以保持均勻的陰極電壓分布，并且用于驅動顯示設備的功耗可以降低。結果，根據(jù)本實施例的顯示設備可具有高的發(fā)光效率。此外，即使在陰極具有大面積時，也可以在整個表面上實現(xiàn)均勻的顯示質量。

圖8a示出了用于制造顯示設備的方法的實施例。圖8b示出了該方法的詳細操作。

參考圖5a至圖5c和圖8a，該方法包括制備第一底基板bs1和位于第一底基板bs1上的有機電致發(fā)光器件(操作s100)，制備被分為發(fā)光區(qū)域ea1、ea2、ea3和ea4以及非發(fā)光區(qū)域nea1、nea2、nea3和nea4的第二底基板bs2(操作s200)，在第二底基板bs2上提供填充圖案fp(操作s300)，以及在第二底基板bs2上提供導電層cl以覆蓋填充圖案fp(操作s400)。

用于提供填充圖案fp的操作s300可以包括在第二底基板bs2上提供包括具有比導電層cl的電阻低的電阻的導電材料的第一層l1(操作s310)，在第一層l1上提供包括絕緣材料的第二層l2(操作s320)，圖案化第二層l2(操作s330)，以及圖案化第一層l1(操作s340)。

圖9a至圖9h順序示出了被包括在用于制造顯示設備的方法的一個實施例中的操作。參考圖8a、圖8b和圖9a，該方法包括制備第二底基板bs2。參考圖8a、圖8b和圖9b，濾色器層cf1、cf2和bm被提供在第二底基板bs2上。濾色器層cf1、cf2和bm包括濾色器cf1和cf2和黑矩陣bm。在圖9b中，為了描述方便，僅示出了第一濾色器cf1和第二濾色器cf2。

參考圖8a、圖8b和圖9c，覆蓋層oc被提供在濾色器層cf1、cf2和bm上。在另一實施例中，在提供濾色器層cf1、cf2和bm和提供覆蓋層oc的操作中，至少一個操作可以被排除。

參考圖8a、圖8b和圖9d，第一層l1被提供在濾色器層cf1、cf2和bm上(s310)。提供第一層l1的操作s310可以例如通過涂敷金屬和金屬合金中的至少一種來進行。

參考圖8a、圖8b和圖9e，第二層l2被提供在第一層l1上(s320)。提供第二層l2的操作可以例如通過涂敷光致抗蝕劑來進行。

參考圖3a、圖3b、圖8a、圖8b和圖9f，第二層l2被圖案化(s330)。通過圖案化第二層l2，可以提供第一填充圖案fp1。第二層l2可以使用例如掩模進行蝕刻。

參考圖3a、圖3b、圖8a、圖8b和圖9g，第一層l1被圖案化(s340)。通過圖案化第一層l1，可以提供第二填充圖案fp2。第一層l1可使用例如第一填充圖案fp1作為掩模進行蝕刻。

填充圖案fp包括第一填充圖案fp1和第二填充圖案fp2。第一填充圖案fp1可以與發(fā)光區(qū)域ea1、ea2、ea3和ea4隔開，并與非發(fā)光區(qū)域nea1、nea2、nea3和nea4的一部分重疊。例如，在平面圖中，第一填充圖案fp1可以與發(fā)光區(qū)域ea1、ea2、ea3和ea4隔開，并與非發(fā)光區(qū)域nea1、nea2、nea3和nea4的一部分重疊。在平面圖中，第一填充圖案fp1的寬度可以小于非發(fā)光區(qū)域nea1、nea2、nea3和nea4的寬度w1。

第二填充圖案fp2可以與發(fā)光區(qū)域ea1、ea2、ea3和ea4隔開，并與非發(fā)光區(qū)域nea1、nea2、nea3和nea4的一部分重疊。例如，在平面圖中，第二填充圖案fp2可以與發(fā)光區(qū)域ea1、ea2、ea3和ea4隔開，并與非發(fā)光區(qū)域nea1、nea2、nea3和nea4的一部分重疊。在平面圖中，第二填充圖案fp2的寬度可以小于非發(fā)光區(qū)域nea1、nea2、nea3和nea4的寬度w1。

參考圖3a、圖3b、圖8a、圖8b和圖9h，可以在通過圖案化第一層l1和第二層l2中的每一個而提供的填充圖案fp上提供導電層cl(s400)。在提供導電層cl的操作s400中，導電層cl可以包括透明導電氧化物。

導電層cl可以與發(fā)光區(qū)域ea1、ea2、ea3和ea4以及非發(fā)光區(qū)域nea1、nea2、nea3和nea4中的每一個重疊。例如，在平面圖中，導電層cl可以與發(fā)光區(qū)域ea1、ea2、ea3和ea4以及非發(fā)光區(qū)域nea1、nea2、nea3和nea4中的每一個重疊。

已提出的一種制造顯示設備的方法包括提供間隔件以保持第一底基板和第二底基板之間的單元間隙。然而，根據(jù)至少一個實施例，本實施例的方法包括填充圖案和導電層，而不是獨立的單元間隙。填充圖案和導電層可以保持第一底基板和第二底基板之間的單元間隙。因此，根據(jù)本實施例的制造顯示設備的方法不需要用于提供間隔件的單獨工藝。結果，制造工藝可以被簡化。

此外，由于本實施例中的填充圖案連接至導電層和陰極，并包括具有比導電層低的電阻的導電材料，所以陰極的電阻可減小。結果，可以防止否則可能出現(xiàn)在顯示設備的陰極中的電壓降，并且導電層和填充圖案可以維持均勻的陰極電壓分布。因此，用于驅動根據(jù)至少一個實施例的顯示設備的功耗可減小，且發(fā)光效率可以提高。此外，即使當陰極被形成為具有大面積時，也可以在整個表面上實現(xiàn)均勻的顯示質量。

根據(jù)一個或多個實施例，提供了可以防止陰極中的電壓降并可以提高發(fā)光效率的顯示設備。此外，提供了防止在陰極中出現(xiàn)電壓降從而允許提高的發(fā)光效率和簡化的制造工藝的制造方法。

在本文中已經公開了示例實施例，盡管使用了特定的術語，但它們僅以一般和描述性的意思被使用和解釋，而不是為了限制的目的。在某些情況下，對遞交本申請的領域內的普通技術人員來說顯而易見的是，結合特定實施例描述的特征、特性和/或元件可以單獨使用，也可以與結合其它實施例描述的特征、特性和/或元件組合使用，除非另有明確說明。因此，本領域技術人員將理解，可以在不脫離權利要求中提出的本實施例的精神和范圍的情況下進行形式和細節(jié)上的各種改變。