本發(fā)明涉及平板顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種有機發(fā)光二極管及其制作方法。

背景技術(shù)：

有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)不僅具有自發(fā)光特性，而且結(jié)構(gòu)簡單、輕薄、響應(yīng)速度快、可視角度大、發(fā)光效率高以及可實現(xiàn)柔性顯示，是一種極具發(fā)展前景的平板顯示技術(shù)。

有機發(fā)光二極管通常包括：玻璃基板、位于玻璃基板上的陽極層，位于陽極層上的空穴注入層(Hole Injection Layer，HIL)，位于空穴注入層上的空穴傳輸層(Hole Transport Layer，HTL)，位于空穴傳輸層上的有機發(fā)光層(Emitting Material Layer，EML)，位于有機發(fā)光層上的電子傳輸層(Electron Transport Layer，ETL)，位于電子傳輸層上的電子注入層(Electron Injection Layer，EIL)以及位于電子注入層上的陰極。有機發(fā)光層中依次排列的是由有機發(fā)光材料構(gòu)成的發(fā)光單元。

當(dāng)陽極層中產(chǎn)生的空穴經(jīng)過空穴注入層和空穴傳輸層到達有機發(fā)光層的發(fā)光單元，陰極層中產(chǎn)生的電子經(jīng)過電子注入層和電子傳輸層到達有機發(fā)光層的發(fā)光單元時，有機發(fā)光二極管被導(dǎo)通，電子和空穴在有機發(fā)光層的發(fā)光單元中復(fù)合釋放能量，激發(fā)發(fā)光單元中的有機材料發(fā)光。

由于有機發(fā)光二極管的空穴注入層和/或空穴傳輸層所使用的材料的遷移率大于設(shè)定數(shù)值，在激發(fā)有機發(fā)光二極管的發(fā)光層的發(fā)光單元中的有機材料發(fā)光時，容易導(dǎo)致有機發(fā)光二極管橫向?qū)?，在使有機發(fā)光二極管產(chǎn)生單色畫面時同時還有其他顏色出現(xiàn)。

例如：假設(shè)使有機發(fā)光二極管發(fā)紅光時，需要激發(fā)有機發(fā)光二極管中能夠產(chǎn)生紅光的發(fā)光單元被導(dǎo)通。但是由于有機發(fā)光二極管的空穴注入層和/或空穴傳輸層所使用的材料的遷移率大于設(shè)定數(shù)值，空穴在經(jīng)過空穴注入層和空穴傳輸層到達有機發(fā)光層的發(fā)光單元時發(fā)生橫向漂移，使得產(chǎn)生紅光的發(fā)光單元在被導(dǎo)通的同時，導(dǎo)致臨近的產(chǎn)生紅光的發(fā)光單元的能夠產(chǎn)生綠光的發(fā)光單元也部分被導(dǎo)通，此時，在有機發(fā)光二極管中既能夠看到紅色畫面，也能夠看到微弱的綠色畫面。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供了一種有機發(fā)光二極管及其制作方法，用于解決有機發(fā)光二極管橫向?qū)ǖ膯栴}。

本發(fā)明提供了一種有機發(fā)光二極管，所述有機發(fā)光二極管包括：陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、有機發(fā)光層，其特征在于，所述有機發(fā)光二極管還包括：金屬網(wǎng)柵層，其中：

所述金屬網(wǎng)柵層位于所述陽極層和所述空穴注入層之間；

所述空穴注入層、所述空穴傳輸層中分別包含與所述金屬網(wǎng)柵層的柵格對應(yīng)的獨立單元。

可選地，所述空穴注入層中的所述獨立單元是通過對所述金屬網(wǎng)柵層通電使得所述金屬網(wǎng)柵層達到第一設(shè)定溫度后所述空穴注入層被加熱分隔得到的。

可選地，所述空穴傳輸層中的所述獨立單元是通過對所述金屬網(wǎng)柵層通電使得所述金屬網(wǎng)柵層達到第二設(shè)定溫度后所述空穴傳輸層被加熱分隔得到的。

可選地，所述金屬網(wǎng)柵層包含金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)，所述金屬網(wǎng)柵的線寬為5～40μm，寬方向的周期為單個像素的寬度值，長方向的周期為單個像素的長度值，厚度為0.1～15μm。

可選地，所述金屬網(wǎng)柵層中柵格的位置與所述有機發(fā)光層中的發(fā)光單元的位置對應(yīng)，且所述金屬網(wǎng)柵層中柵格的大小大于所述有機發(fā)光層中的發(fā)光單元的大小，所述獨立單元與所述有機發(fā)光層中的發(fā)光單元對應(yīng)。

本發(fā)明提供了一種有機發(fā)光二極管的制作方法，包括：

在有機發(fā)光二極管的陽極層上沉積金屬網(wǎng)柵層；

在所述金屬網(wǎng)柵層上依次沉積空穴注入層、空穴傳輸層；

對所述金屬網(wǎng)柵層通電，使所述金屬網(wǎng)柵層達到設(shè)定溫度。

可選地，在有機發(fā)光二極管的陽極層上沉積金屬網(wǎng)柵層，包括：

在所述有機發(fā)光二極管的陽極層上蝕刻金屬網(wǎng)柵層。

可選地，在所述金屬網(wǎng)柵層上沉積空穴傳輸層之后，所述方法還包括：

在所述空穴傳輸層上沉積有機發(fā)光層，其中，所述有機發(fā)光層中的發(fā)光單元的位置與所述金屬網(wǎng)柵層中柵格的位置一一對應(yīng)，且所述發(fā)光單元的大小小于所述金屬網(wǎng)柵層?xùn)鸥竦拇笮　?/p>

可選地，在所述空穴傳輸層上沉積所述有機發(fā)光層之后，所述方法還包括：

在所述有機發(fā)光層上依次沉積電子傳輸層、電子注入層。

可選地，在對金屬網(wǎng)柵層通電，使所述金屬網(wǎng)柵層達到設(shè)定溫度之后，所述方法還包括：

在所述有機發(fā)光二極管的電子注入層上沉積所述有機發(fā)光二極管的陰極層。

本發(fā)明有益效果如下：

本發(fā)明提供了一種有機發(fā)光二極管，所述有機發(fā)光二極管包括：陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、有機發(fā)光層，所述有機發(fā)光二極管還包括：金屬網(wǎng)柵層，所述金屬網(wǎng)柵層位于所述陽極層和所述空穴注入層之間；所述空穴注入層、空穴傳輸層中分別包含與所述金屬網(wǎng)柵層的柵格對應(yīng)的獨立單元，所述獨立單元與所述有機發(fā)光層中的發(fā)光單元對應(yīng)。在空穴注入層和/或空穴傳輸層所使用的材料的遷移率大于設(shè)定數(shù)值時，所述空穴注入層、空穴傳輸層中分別包含與所述金屬網(wǎng)柵層的柵格對應(yīng)的獨立單元，能夠避免電子或空穴的橫向漂移，有效解決了有機發(fā)光二極管橫向?qū)ǖ膯栴}，在使有機發(fā)光二極管產(chǎn)生單色畫面時不會有其他顏色的畫面出現(xiàn)。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡要介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明提供的一種有機發(fā)光二極管的制作方法的流程示意圖；

圖2為空穴注入層被分隔成獨立單元結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖3為有機發(fā)光二極管中有機發(fā)光層的示意圖；

圖4(a)為本發(fā)明提供的一種有機發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4(b)為本發(fā)明提供的一種有機發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

目前，解決有機發(fā)光二極管橫向?qū)ǖ姆椒ㄖ饕袃煞N，一種是有機發(fā)光二極管中每個發(fā)光單元對應(yīng)的空穴注入層和空穴傳輸層采用透過金屬遮罩(Fine Metal Shadow Mask，F(xiàn)MM)方法蒸鍍，當(dāng)陽極產(chǎn)生的空穴經(jīng)過空穴注入層、空穴傳輸層進入有機發(fā)光層時能夠避免出現(xiàn)橫向漂移，解決了有機發(fā)光二極管橫向?qū)ǖ膯栴}，但是采用金屬遮罩方法完成有機發(fā)光二極管不同膜層的蒸鍍使得有機發(fā)光二極管的生產(chǎn)工藝比較復(fù)雜，在實際應(yīng)用中使用率極低；另一種方法是空穴注入層和空穴傳輸層選用遷移率小于設(shè)定數(shù)值的材料來解決有機發(fā)光二極管橫向?qū)ǖ膯栴}，但是這樣會導(dǎo)致有機發(fā)光二極管的運行速度降低、性能下降、功耗增加。

為了實現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明提供了一種有機發(fā)光二極管，所述有機發(fā)光二極管包括：陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、有機發(fā)光層，其特征在于，所述有機發(fā)光二極管還包括：金屬網(wǎng)柵層，所述金屬網(wǎng)柵層位于所述有機發(fā)光二極管的所述陽極層和所述空穴注入層之間；所述空穴注入層、空穴傳輸層中分別包含與所述金屬網(wǎng)柵層的柵格對應(yīng)的獨立單元，所述獨立單元與所述有機發(fā)光層中的發(fā)光單元對應(yīng)。

由于空穴注入層和/或空穴傳輸層所使用的材料的遷移率大于設(shè)定數(shù)值，所述陽極層產(chǎn)生的空穴經(jīng)過所述空穴注入層、所述空穴傳輸層到達所述有機發(fā)光層，采用本發(fā)明實施例中所記載的技術(shù)方案在陽極層和空穴注入層之間增加金屬網(wǎng)柵層，使得所述空穴注入層、空穴傳輸層中分別包含與所述金屬網(wǎng)柵層的柵格對應(yīng)的獨立單元，能夠避免電子或空穴的橫向漂移，有效解決有機發(fā)光二極管橫向?qū)ǖ膯栴}，在使有機發(fā)光二極管產(chǎn)生單色畫面時不會有其他顏色的畫面出現(xiàn)。

下面結(jié)合說明書附圖對本發(fā)明各個實施例作進一步地詳細描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

圖1為本發(fā)明提供的一種有機發(fā)光二極管的制作方法的流程示意圖，所述方法可以如下所示。

步驟101：在有機發(fā)光二極管的陽極層上沉積金屬網(wǎng)柵層。

在步驟101中，采用真空蒸鍍的方法在玻璃基板上沉積陽極層，在所述陽極層上采用干刻或濕刻的蝕刻方法沉積金屬網(wǎng)柵層。

具體地，在所述陽極層之上采用干刻或濕刻的方法沉積金屬網(wǎng)柵層，該金屬網(wǎng)柵層為三維或者四維的，本文中優(yōu)選三維金屬網(wǎng)柵層。

所述三維金屬網(wǎng)柵層的線寬為5～40μm，寬方向的周期為單個像素的寬度值，長方向的周期為單個像素的長度值，厚度為0.1～15μm。

其中，本發(fā)明實施例中所記載的所述線寬指的是所述三維金屬網(wǎng)柵的柵線的寬度，本發(fā)明實施例中所記載的所述周期指的是所述三維金屬網(wǎng)柵的柵線之間的間距。

需要說明的是，所述三維金屬網(wǎng)柵層中三維的意思是指所述金屬網(wǎng)柵層的結(jié)構(gòu)是具有一定厚度的網(wǎng)格狀。在后續(xù)過程中可以通過所述網(wǎng)格狀的三維金屬網(wǎng)柵層將空穴注入層和空穴傳輸層分隔為與有機發(fā)光層中的發(fā)光單元對應(yīng)的獨立單元。

步驟102：在所述金屬網(wǎng)柵層上依次沉積空穴注入層、空穴傳輸層。

在步驟102中，采用真空蒸鍍的方法在所述金屬網(wǎng)柵層上依次沉積空穴注入層、空穴傳輸層。

步驟103：對所述金屬網(wǎng)柵層通電，使所述金屬網(wǎng)柵層達到設(shè)定溫度。

在步驟103中，對所述金屬網(wǎng)柵層通電，使加熱后的所述金屬網(wǎng)柵層達到設(shè)定溫度。

在本發(fā)明實施例中對于設(shè)定溫度的大小值不做具體限定。一般所述設(shè)定溫度滿足：高于所述空穴注入層、空穴傳輸層所使用的材料的玻璃化溫度(Glass Transition Temperature，TG溫度)。

當(dāng)加熱后的所述金屬網(wǎng)柵層達到設(shè)定溫度時，空穴注入層中與金屬網(wǎng)柵的柵線接觸的部分以及空穴傳輸層中與金屬網(wǎng)柵的柵線對應(yīng)的部分，同時被加熱到設(shè)定溫度。

當(dāng)所述設(shè)定溫度為高于所述空穴注入層所使用的材料的TG溫度的第一設(shè)定溫度時，空穴注入層中與金屬網(wǎng)柵的柵線接觸的部分失效，使得所述空穴注入層被分隔成與所述金屬網(wǎng)柵層的柵格對應(yīng)的獨立單元，如圖2所示，圖2為空穴注入層被分隔成獨立單元結(jié)構(gòu)的示意圖。

從圖2中可以看出，在對所述金屬網(wǎng)柵層通電之前，圖2中的A、B、C三部分在所述空穴注入層中是連續(xù)的。對所述金屬網(wǎng)柵層通電，使所述金屬網(wǎng)柵層達到高于所述空穴注入層所使用的材料的TG溫度的第一設(shè)定溫度時，空穴注入層中與金屬網(wǎng)柵的柵線接觸部分，也即圖2中所示的B部分，同時被加熱到所述第一設(shè)定溫度，由于所述第一設(shè)定溫度超過了所述空穴注入層所使用的材料的TG溫度，使B部分失效，那么在B部分將無法實現(xiàn)空穴注入的功能。B部分的失效使得所述空穴注入層中的有效部分A、C分隔成與所述金屬網(wǎng)柵層的柵格對應(yīng)的獨立單元。

例如：有機發(fā)光二極管中空穴注入層所使用的材料的TG溫度為110℃，在蒸鍍完成有機發(fā)光二極管的陽極層、金屬網(wǎng)柵層、空穴注入層、空穴傳輸層之后，對金屬網(wǎng)柵層通電，使所述金屬網(wǎng)柵加熱至120℃，此時，空穴注入層中與金屬網(wǎng)柵的柵線接觸的部分被加熱至120℃，由于120℃超過了所述空穴注入層所使用的材料的TG溫度110℃，使空穴注入層中與金屬網(wǎng)柵的柵線接觸的部分失效，不能再實現(xiàn)空穴注入的功能，使得所述空穴注入層被分隔成與所述金屬網(wǎng)柵層的柵格對應(yīng)的獨立單元。

當(dāng)所述設(shè)定溫度為高于所述空穴傳輸層所使用的材料的TG溫度的第二設(shè)定溫度時，空穴傳輸層中與金屬網(wǎng)柵的柵線對應(yīng)的部分失效，使得所述空穴傳輸層被分隔成與所述金屬網(wǎng)柵層的柵格對應(yīng)的獨立單元。

需要說明的是，所述第一設(shè)定溫度可以大于所述第二設(shè)定溫度，可以小于所述第二設(shè)定溫度，還可以等于所述第二設(shè)定溫度，這里不做具體限定。

由于空穴注入層和/或空穴傳輸層所使用的材料遷移率高于設(shè)定數(shù)值，空穴注入層和空穴傳輸層在被加熱后分隔成獨立單元，能夠避免電子或空穴的橫向漂移。

在所述金屬網(wǎng)柵層上沉積空穴注入層、空穴傳輸層后，所述方法還包括：

在所述空穴傳輸層上沉積有機發(fā)光層，其中，所述有機發(fā)光層中的發(fā)光單元的位置與所述金屬網(wǎng)柵層中柵格的位置一一對應(yīng)，并且所述發(fā)光單元的大小小于所述金屬網(wǎng)柵層?xùn)鸥竦拇笮　?/p>

在所述空穴傳輸層上沉積所述有機發(fā)光層之后，所述方法還包括：

在所述有機發(fā)光層上依次沉積電子傳輸層、電子注入層。

在對金屬網(wǎng)柵層通電，使所述金屬網(wǎng)柵層達到設(shè)定溫度后，所述方法還包括：

在所述有機發(fā)光二極管的電子注入層上沉積所述有機發(fā)光二極管的陰極層。

其中，對所述有機發(fā)光層、所述電子傳輸層、所述電子注入層、所述陰極層進行沉積以及對所述金屬網(wǎng)柵層執(zhí)行通電操作的先后順序不做具體限定。

在本發(fā)明實施例中對所述有機發(fā)光層、所述電子傳輸層、所述電子注入層、所述陰極層進行沉積以及對所述金屬網(wǎng)柵層執(zhí)行通電操作的先后順序的實現(xiàn)方式可以包括但不限于以下幾種：

方式一：

在對所述金屬網(wǎng)柵層通電，使所述金屬網(wǎng)柵層達到設(shè)定溫度之后，所述方法還包括：

采用真空蒸鍍的方法在所述空穴傳輸層上依次沉積有機發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層。

具體地，在所述空穴傳輸層之上蒸鍍所述有機發(fā)光層，其中，所述有機發(fā)光層中的發(fā)光單元的位置與所述金屬網(wǎng)柵層中柵格的位置一一對應(yīng)，且所述發(fā)光單元的大小小于所述金屬網(wǎng)柵層中的柵格的大小。

圖3為有機發(fā)光二極管中有機發(fā)光層的示意圖。在所述有機發(fā)光層上依次蒸鍍電子傳輸層、電子注入層、陰極層。

由于空穴注入層和空穴傳輸層被金屬網(wǎng)柵層加熱后分隔成的獨立單元與所述金屬網(wǎng)柵層中的柵格一一對應(yīng)，所述有機發(fā)光層中的發(fā)光單元與所述金屬網(wǎng)柵層中的柵格也一一對應(yīng)，所以所述有機發(fā)光層中的發(fā)光單元與所述空穴注入層和空穴傳輸層被分隔后的獨立單元一一對應(yīng)。

陽極產(chǎn)生的空穴經(jīng)過發(fā)光單元對應(yīng)的空穴注入層和空穴傳輸層的獨立單元后到達有機發(fā)光層中的所述發(fā)光單元，陰極產(chǎn)生的電子經(jīng)過電子注入層和電子傳輸層到達有機發(fā)光層中的所述發(fā)光單元，所述發(fā)光單元被導(dǎo)通，電子和空穴在有機發(fā)光層中的所述發(fā)光單元中復(fù)合釋放能量，激發(fā)所述發(fā)光單元發(fā)光。

由于空穴注入層和/或空穴傳輸層所使用的材料遷移率大于設(shè)定數(shù)值，所述空穴注入層、空穴傳輸層被分隔成獨立單元，能夠避免電子或空穴的橫向漂移，所述發(fā)光單元之外的其他發(fā)光單元不會被導(dǎo)通發(fā)光，解決了有機發(fā)光二極管的橫向?qū)▎栴}，在使有機發(fā)光二極管產(chǎn)生單色畫面時不會有其他顏色出現(xiàn)。

有機發(fā)光層中的發(fā)光單元與所述空穴注入層和空穴傳輸層被分隔后的獨立單元一一對應(yīng)，實現(xiàn)了有機發(fā)光二極管的像素分離，有助于柔性顯示的彎曲，使得在柔性顯示時有機發(fā)光二極管不容易脫落，并且有機發(fā)光二極管可以具有更長的彎曲次數(shù)和壽命。

方式二：

在對所述金屬網(wǎng)柵層通電，使所述金屬網(wǎng)柵達到設(shè)定溫度之前，所述方法還包括：

在所述空穴傳輸層上沉積有機發(fā)光層。

具體地，采用真空蒸鍍的方法在所述空穴傳輸層上沉積有機發(fā)光層，其中，所述有機發(fā)光層中的發(fā)光單元的位置與所述金屬網(wǎng)柵層中的柵格的位置一一對應(yīng)，且所述發(fā)光單元的大小小于所述金屬網(wǎng)柵層中柵格的大小。

需要說明的是，所述有機發(fā)光層所使用的材料的TG溫度高于所述空穴注入層、空穴傳輸層所使用的材料的TG溫度，在蒸鍍所述有機發(fā)光層之后，對金屬網(wǎng)柵層通電，使所述金屬網(wǎng)柵層達到的設(shè)定溫度要高于所述空穴注入層和空穴傳輸層所使用的材料的TG溫度且低于所述有機發(fā)光層所使用的材料的TG溫度。

在對所述金屬網(wǎng)柵層通電，使所述金屬網(wǎng)柵層達到設(shè)定溫度之后，所述方法還包括：

采用真空蒸鍍的方法在所述有機發(fā)光層上依次沉積電子傳輸層、電子注入層、陰極層。

方式三：

在對所述金屬網(wǎng)柵層通電，使所述金屬網(wǎng)柵層達到設(shè)定溫度之前，所述方法還包括：

在所述空穴傳輸層上依次沉積有機發(fā)光層、電子傳輸層。

具體地，采用真空蒸鍍的方法在所述空穴傳輸層上沉積有機發(fā)光層，其中，所述有機發(fā)光層中的發(fā)光單元的位置與所述金屬網(wǎng)柵層中柵格的位置一一對應(yīng)，且所述發(fā)光單元的大小小于所述金屬網(wǎng)柵層中柵格的大小。采用真空蒸鍍的方法在所述有機發(fā)光層上沉積電子傳輸層。

需要說明的是，所述有機發(fā)光層、電子傳輸層所使用的材料的TG溫度高于所述空穴注入層、空穴傳輸層所使用的材料的TG溫度，在蒸鍍所述有機發(fā)光層、電子傳輸層之后，對金屬網(wǎng)柵層通電，使所述金屬網(wǎng)柵層達到的設(shè)定溫度要高于所述空穴注入層和空穴傳輸層所使用的材料的TG溫度且低于所述有機發(fā)光層和電子傳輸層所使用的材料的TG溫度。

在對所述金屬網(wǎng)柵層通電，使所述金屬網(wǎng)柵層達到設(shè)定溫度之后，所述方法還包括：

采用真空蒸鍍的方法在所述電子傳輸層上依次沉積電子注入層、陰極層。

方式四：

在對所述金屬網(wǎng)柵層通電，使所述金屬網(wǎng)柵層達到設(shè)定溫度之前，所述方法還包括：

在所述空穴傳輸層上依次沉積有機發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層。

具體地，采用真空蒸鍍的方法在所述空穴傳輸層上沉積有機發(fā)光層，其中，所述有機發(fā)光層中的發(fā)光單元的位置與所述金屬網(wǎng)柵層中柵格的位置一一對應(yīng)，且所述發(fā)光單元的大小小于所述金屬網(wǎng)柵層中柵格的大小。采用真空蒸鍍的方法在所述有機發(fā)光層上依次沉積電子傳輸層、電子注入層。

需要說明的是，所述有機發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層所使用的材料的TG溫度高于所述空穴注入層、空穴傳輸層所使用的材料的TG溫度，在蒸鍍所述有機發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層之后，對金屬網(wǎng)柵層通電，使所述金屬網(wǎng)柵層達到的設(shè)定溫度要高于所述空穴注入層和空穴傳輸層所使用的材料的TG溫度且低于所述有機發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層所使用的材料的TG溫度。

在對所述金屬網(wǎng)柵層通電，使所述金屬網(wǎng)柵層達到設(shè)定溫度之后，所述方法還包括：

采用真空蒸鍍的方法在所述電子注入層上沉積陰極層。

通過本發(fā)明提供的有機發(fā)光二極管的制作方法，在有機發(fā)光二極管的陽極層上沉積金屬網(wǎng)柵層；在所述金屬網(wǎng)柵層上依次沉積空穴注入層、空穴傳輸層；對所述金屬網(wǎng)柵層通電，使所述金屬網(wǎng)柵層達到設(shè)定溫度，使得所述空穴注入層和空穴傳輸層被加熱后分隔成與所述金屬網(wǎng)柵層中的柵格一一對應(yīng)的獨立單元。由于空穴注入層和/或空穴傳輸層所使用的材料遷移率大于設(shè)定數(shù)值，所述陽極層產(chǎn)生的空穴經(jīng)過所述空穴注入層、所述空穴傳輸層到達所述有機發(fā)光層，采用本發(fā)明實施例中所記載的技術(shù)方案在陽極層和空穴注入層之間增加金屬網(wǎng)柵層，使得所述空穴注入層、空穴傳輸層中分別包含與所述金屬網(wǎng)柵層的柵格對應(yīng)的獨立單元，能夠避免電子或空穴的橫向漂移，有效解決有機發(fā)光二極管橫向?qū)ǖ膯栴}，在使有機發(fā)光二極管產(chǎn)生單色畫面時不會有其他顏色的畫面出現(xiàn)，同時有助于有機發(fā)光二極管柔性顯示的彎曲。

圖4(a)為本發(fā)明提供的一種有機發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖，所述有機發(fā)光二極管是根據(jù)圖1所示的有機發(fā)光二極管的制作方法制作而成的。所述有機發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)包括：陽極層401、金屬網(wǎng)柵層402、空穴注入層403、空穴傳輸層404、有機發(fā)光層405、。

在本發(fā)明的可選實施例中，所述有機發(fā)光二極管還包括玻璃基板406、電子傳輸層407、電子注入層408、陰極層409。圖4(b)為本發(fā)明提供的一種有機發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。

由圖4(b)可知，在所述有機發(fā)光二極管中，所述陽極層401蒸鍍在所述玻璃基板406之上，所述金屬網(wǎng)柵層402蒸鍍在所述陽極層401之上；所述空穴注入層403蒸鍍在所述金屬網(wǎng)柵層402之上；所述空穴傳輸層404蒸鍍在所述空穴注入層403之上；所述有機發(fā)光層405蒸鍍在所述空穴傳輸層404之上；所述電子傳輸層407蒸鍍在所述有機發(fā)光層405之上；所述電子注入層408蒸鍍在所述電子傳輸層407之上；所述陰極層409蒸鍍在所述電子注入層408之上。

所述空穴注入層403、空穴傳輸層404中分別包含與所述金屬網(wǎng)柵層402的柵格對應(yīng)的獨立單元，所述獨立單元與所述有機發(fā)光層405中的發(fā)光單元對應(yīng)。

所述空穴注入層403中的所述獨立單元是通過對所述金屬網(wǎng)柵層402通電使得所述金屬網(wǎng)柵層402達到第一設(shè)定溫度后所述空穴注入層403被加熱分隔得到的。

所述空穴傳輸層404中的所述獨立單元是通過對所述金屬網(wǎng)柵層402通電使得所述金屬網(wǎng)柵層402達到第二設(shè)定溫度后所述空穴傳輸層404被加熱分隔得到的。

所述金屬網(wǎng)柵層402包含三維金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)，所述三維金屬網(wǎng)柵的線寬為5～40μm，寬方向的周期為單個像素的寬度值，長方向的周期為單個像素的長度值，厚度為0.1～15μm。所述金屬網(wǎng)柵層402中柵格的位置與所述有機發(fā)光層405中的發(fā)光單元的位置對應(yīng)，且所述金屬網(wǎng)柵層402中柵格的大小大于所述有機發(fā)光層405中的發(fā)光單元的大小。

需要說明的是，所述三維金屬網(wǎng)柵結(jié)構(gòu)中三維的意思是指所述金屬網(wǎng)柵層的結(jié)構(gòu)是具有一定厚度的網(wǎng)格狀?？梢酝ㄟ^所述網(wǎng)格狀的三維金屬網(wǎng)柵層402將所述空穴注入層403和空穴傳輸層404分隔為與所述有機發(fā)光層405中的發(fā)光單元對應(yīng)的獨立單元。

本發(fā)明提供的有機發(fā)光二極管包括：陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、有機發(fā)光層，所述有機發(fā)光二極管還包括：金屬網(wǎng)柵層，其中，所述金屬網(wǎng)柵層位于所述陽極層和所述空穴注入層之間；所述空穴注入層、空穴傳輸層中分別包含與所述金屬網(wǎng)柵層的柵格對應(yīng)的獨立單元，所述獨立單元與所述有機發(fā)光層中的發(fā)光單元對應(yīng)。由于空穴注入層和/或空穴傳輸層所使用的材料遷移率大于設(shè)定數(shù)值，采用本發(fā)明實施例中所記載的有機發(fā)光二極管在陽極層和空穴注入層之間增加金屬網(wǎng)柵層，使得所述空穴注入層、空穴傳輸層中分別包含與所述金屬網(wǎng)柵層的柵格對應(yīng)的獨立單元，能夠避免電子或空穴的橫向漂移，有效解決了有機發(fā)光二極管橫向?qū)ǖ膯栴}，在有機發(fā)光二極管產(chǎn)生單色畫面時不會有其他顏色的畫面出現(xiàn)。

本發(fā)明是參照根據(jù)本發(fā)明實施例的方法、裝置(設(shè)備)的流程圖和/或方框圖來描述的。盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。